UNIVERSIDAD DEL AZUAY

TRABAJO DE ELECTRONICA DE
POTENCIA II

REALIZADO POR:
JOSE SARMIENTO

OCTAVO CICLO DE INGENIERIA

ELECTRONICA

RESUMEN DE LOS SEMICONDUCTORES DE

POTENCIA
INTRODUCCION

 Los dispositivos semiconductores utilizados en

Electrónica de Potencia se clasifican en tres
grupos, de acuerdo con su grado de control:

 1. Dispositivos no controlados
 2. Dispositivos semicontrolados

 3. Dispositivos totalmente controlados

DISPOSITIVOS NO CONTROLADOS
- DIODOS DE POTENCIA
El diodo es un interruptor unidireccional , sus principales características son:

 Tiene una estructura P-N; con una área mayor para soportar mayores corrientes en
conducción (en el orden de los KA) y tensiones inversas (en el orden de los KA). El
mayor tamaño se debe al aumento de una región intermedia n de bajo dopaje que
lo diferencia de los diodos de señal.

 La tensión de caída aumenta a 1 o 2 V siento esta nueva región es la causante de

este fenómeno.

 Tiene dos estados de recuperación:

 Recuperación inversa: Es el tiempo de paso de
conducción a bloqueo (on - off)
 Recuperación Directa: Es el tiempo de paso de
bloqueo a conducción (off -on)

 Los tipos de diodos de potencia son:

 Diodos Schotky,
 Diodos de recuperación rápida
 Diodos rectificadores o de frecuencia de línea.
DISPOSITIVOS SEMICONTROLADOS
- TIRISTORES
 Es una estructura de cuatro capas (P-N-P-N) que representan un
funci
 El paso de On a Off, realiza normalmente por control externo
 El paso de Off a On, se da cuando la correinte del tiristor es mas
pequeña que la corriente de mantenimiento.
 Sus tipos dentro de estos semiconductores son:

 SCR (Rectificador Controlado de Silicio)

 TRIAC (Triodo de Corriente Alterna)
 GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

 Veremos brevemente cada uno de ellos a continuacion:

TIRISTORES
- SCR
 Es el dispositivo que control mayor potencia.
 Soporta mayor tensión inversa entre sus terminales
 La corriente establece en el sentido ánodo- cátodo.
 Nuevos parámetros en su recta de funcionamiento

 ZONA DE BLOQUEO INVERSO (VAK<0).- Estado de OFF inversa, comportándose como

un diodo
 ZONA DE BLOQUE DIRECTO( VAK >0 sin disparo).- Comporta como un circuito abierto
hasta alcanzar el voltaje de ruptura
 ZONA CONDUCCIÓN (VAK >0 disparado).- Se comporta como interruptor cerrado y se
mantiene hasta que sea menor a la corriente de mantenimiento.
TIRISTORES
- TRIAC
 Es un tiristor bidireccional de tres terminales.
 Permite el paso de la corriente en los dos sentidos entre terminales A1 y A2
 Puede disparse con tensiones de puerta de ambos signos, pero solo tiene un
gate en el exterior, es decir un solo circuito de control
 Funciona como dos SCR en antiparalelo
 Máximo 1000v, 15 A, 15kW, 50/60 Hz.
TIRISTORES
- GTO
 Máximo 5000v, 4000A
 El GTO tiene control externo en el paso de conducción a bloqueo, de On a
Off.
 Y tambien permiete controlar externamente el paso de OFF a ON.
 El mecanismo de disparo es parecido al del SCR
 Un GTO al contrario de un SCR pude no tener la capacidad de bloqueo de
tensiones inversas.
 Si gate + pasa de estado de ON a OFF
 Si gate – oasa de estado de OFF a ON
TRANSISOTES

 Los transistores de potencia tambien trabajan en zona de

conmutación, es cir en ON-OFF
 Sus ventajas es que son totalmente controlados
 Se clasifican en

 BJT (B IPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)

 MOSFET
 IGBT
TRANSISTORES
- BJT
 Son interruptores de potencia controlados por corriente.
 Los de tipo npn son los mas utilizados
 Consumen mayor energía que los SCR
 Se controlan por la base
 Trabaja en 3 zonas pricipalmente
 CORTE.- No inyecta corriente a la base (interruptor abierto)
 ACTIVA.- Inyecta corriente a la base del transistor. Se da cuando funciona como
amplificador mas no como semiconductor de potencia
 SATURACION.- Inyecta suficiente corriente a la base. Interruptor ideal.
TRANSISTORES
- MOSFET
 Son transistores controlados por Tensión. Debido al aislamiento de óxido de silicio de la base.
 Existen dos tipos dentro de estos transistores de potencia:
 De canal “n” y de canal “p”
 Desventaja.- Maneja reducida potencia porque se calientan mucho
 Ventaja.- Son los transistores mas rápidos que existen
 Trabaja en 3 zonas fundamentalmente:
 CORTE.- VG y Vcc es menor al voltaje de umbral. Interruptor abierto

 ÓHMICA.- Si Vg y Vcc es mayor a Vp y Vcc, se cierra el transistor modelado por una

resistencia.
 SATURACION.- Si se cierra el transistor pero con un voltaje en el drain-source elevado.
TRANSISTORES
- IGBT
 Son dispositivos semiconductores híbridos
 Une la velocidad de disparo de un MOSFET con las pequeñas pérdidas de conducción
de un BJT
 Velocidad de conmutacion en KhZ menor al MOSFET
 Maneja hasta decenas de amperios, 1200-2000v
 Tiene una entrada de alta impedancia
 No presenta problemas de ruptura secundaria como los BJT
 Tambien son activados por tensión
TABLAS DE COMPARACIONES Y RENDIMIENTOS DE LOS
DIFERENTES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
APLICACIONES DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA EN LA
VIDA REAL