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DISEÑO ELECTRÓNICO II
LABORATORIO I. MEDICIÓN DE PARÁMETROS HÍBRIDOS DE UN TRANSISTOR BJT
OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL.
Obtener los parámetros híbridos en el laboratorio, de un transistor BJT y compararlos con los datos
dados por el fabricante.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS
Entender los parámetros híbridos de un transistor BJT a partir de la lectura de la hoja de
especificaciones dadas por el fabricante.
Obtener por medición directa los parámetros híbridos de un transistor BJT y compararlos
con los dados por el fabricante
PROCEDIMIENTO.
Informe. Debe ser presentado en formato IEEE. Debe incluir los datos anteriores y los obtenidos en
las mediciones de laboratorio junto con los demás elementos del formato IEEE.
𝑹𝑪
𝑰𝑪
𝑰𝑩
𝑹𝑩
𝟐𝑵𝟐𝟐𝟐𝟐 𝑽𝑪𝑪
𝑽𝑩𝑩 𝑽𝑪𝑬
𝑽𝑩𝑬
2/2
∆𝐼𝐶 𝐼𝐶 − 𝐼𝐶
ℎ𝑓𝑒 = | = | 2 1 | 𝑐𝑜𝑛 𝑉𝐶𝐸 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
∆𝐼𝐵 𝑉 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝐼𝐵2 − 𝐼𝐵1
𝐶𝐸
∆𝐼𝐶 𝐼𝐶 − 𝐼𝐶
ℎ𝑜𝑒 = | = | 2 1 | 𝑐𝑜𝑛 𝐼𝐵 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
∆𝑉𝐶𝐸 𝐼 𝑉𝐶𝐸2 − 𝑉𝐶𝐸1
𝐵 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
Manteniendo constante VCE=VCQ , variar las dos fuentes hasta obtener una 𝐼𝐵2 > 𝐼𝐵𝑄 . Medir la
correspondiente 𝑉𝐵𝐸2 y la corriente 𝐼𝐶2
Ahora manteniendo constante 𝑉𝐶𝐸 variar las dos fuentes hasta obtener una 𝐼𝐵2 < 𝐼𝐵𝑄 . Medir la
correspondiente 𝑉𝐵𝐸1 y la corriente 𝐼𝐶1
Ahora se debe mantener constante 𝐼𝐵 = 𝐼𝐵𝑄 . Variar las dos fuentes para obtener una 𝑉𝐶𝐸2 >
𝑉𝐶𝐸𝑄 . Medir 𝑉𝐵𝐸2 y 𝐼𝐶2 .
Ahora se debe mantener constante 𝐼𝐵 = 𝐼𝐵𝑄 . Variar las dos fuentes para obtener una 𝑉𝐶𝐸2 <
𝑉𝐶𝐸𝑄 . Medir 𝑉𝐵𝐸1 y 𝐼𝐶1 .
4. Comparar valores medidos con los datos dados por el fabricante. ¿Cómo se explican las
diferencias?