Preparatorio 2 Salida 6

Salida de señal
amplificada
1.Tema V+ 7 Entrada de tensión positiva
Entrada de tensión
DISEÑO DE AMPLIFICADOR MONO ETAPA V- 4
negativa
CON AMPLIFICADOR OPERACIONAL Y Distribucion de pines LM741
ANÁLISIS DE FETS

2.Obejtivos

2.1. Diseñar, implementar y comprobar el

funcionamiento de los amplificadores mono
etapa con amplificadores operacionales.

2.2. Analizar e implementar un amplificador

usando JFET

3. Trabajo Preparatorio

 Consultar las características técnicas del

amplificador LM741, dibujar la
distribución de pines y explicar la función
de cada uno de ellos. Fig.1. Amplificador LM741

CMRR (dB)(MIN) 70  Esquematice las diferentes

GANANCIA EN LAZO configuraciones utilizando el circuito
200,000
ABIERTO (TIP) LM741 (no inversor, inversor, sumador,
DESEQUILIBRIO DE
integrador y derivador)
VOLTAJE DE ENTRADA 6
(mV)(MAX) No Inversor:
CORRIENTE DE
POLARIZACION DE 500
ENTRADA (nA)(MAX)
IMPEDANCIA DE
0.3
ENTRADA (MΩ)(MIN)
RAPIDEZ DE VARIACION
0.5
DE VOLTAJE (V/µs)(TIP)
Estándar de la
COMENTARIO
industria
Características del amplificador LM741 Fig.2. Circuito de un amplificador operacional como no
inversor
PIN
DESCRIPCION
NOMBRE N°
Entrada Entrada de señal de
Inversora
2
inversión. ii
NC 8
No conectar, se debe dejar Vin Vout  Vin
flotando 
Entrada no Entrada de señal no R1 R2
3
Inversora inversora Vout Vin Vin
Pin nulo de compensación  
1 usado para eliminar el R2 R2 R1
Desplazamiento
nulo
y voltaje de compensación y  R 
5 equilibrar los voltajes de Vout  Vin 1  2 
entrada  R1 
Inversor: Derivador

Fig.5. Circuito de un amplificador operacional como

derivador

Fig.3. Circuito de un amplificador operacional como inversor dVi

Vo = −RC
ii dt
Vin V Integrador
  out
Rin Rf
Rf
Vout   Vin
Rin

Sumador

Fig.6. Circuito de un amplificador operacional como

integrador

1
Vo = − ∫ Vidt
CR

Fig.4. Circuito de un amplificador operacional como sumador  Consultar las principales características
de los transistores de efecto de campo y
V V presentar un cuadro con las semejanzas
V 
Vout   R f  1  2  ...  n  y diferencias entre este tipo de
 R1 R2 Rn  transistores y los de juntura bipolar
Una de las características más importantes de los
FETs es su alta impedancia de entrada con niveles
que pueden variar desde uno hasta varios cientos de
mega ohmios, muy superiores a la que presentan
los transistores bipolares que presentan
impedancias de entrada del orden de unos pocos
kilos ohmios. Esto proporciona a los FET una
posición de ventaja a la hora de ser utilizados en
circuitos amplificadores.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor
sensibilidad a los cambios en la señal aplicada, es
decir, la variación de la corriente de salida es mayor
en los BJT que en los FET para la misma variación
de la tensión aplicada. Por ello, típicamente, las
ganancias de tensión en alterna que presentan los
amplificadores con BJT son mucho mayores que
las correspondientes a los FET.

En general los FET son más estables con la

temperatura y, normalmente, más pequeños en
construcción que los BJT, lo que les hace Características del 2SK304
particularmente útiles en circuitos integrados
(sobre todo los MOSFET). 3.2. Diseñar un amplificador inversor y un
amplificador no inversor utilizando el
Una característica importante de los FET es que se
amplificador operacional LM741 para que
pueden comportar como si se tratasen de
resistencias o condensadores, lo que posibilita la
cumpla con las siguientes condiciones:
realización de circuitos utilizando única y
Ganancia Inversor: -30
exclusivamente transistores FET. [1]
Semejanza Diferencia
Ganancia no Inversor :18

Alta impedancia de entrada Los FETs son controlados Frecuencia :1kHz

por voltaje
Vin= 250mV
Sirven para amplificar voltaje. Los FETs son térmicamente
más estables.
Inversor:
Presentan respuestas similares Los TBJs son bipolares y los
a las entradas que se FETs son unipolares 𝑅𝑓
introduzcan. 𝐴𝑣 = −
𝑅𝑖𝑛
𝑅𝑓
 Revisar las hojas de datos de los −30 =
𝑅𝑖𝑛
transistores de efecto de campo
2SK170, 2SK304 presentar un cuadro 𝑅𝑓 = 30𝑘Ω
con los valores de los parámetros más 𝑅𝑖𝑛 = 1𝑘Ω
importantes (Se sugiere utilizar estos
transistores para la implementación del
circuito del numeral 3.4 del trabajo
preparatorio).

Características del 2SK170

No inversor: 100𝐼𝑠 2
𝐼𝑠 = 10𝑚𝐴 (1 − )
𝑅2 3𝑉
𝐴𝑣 = 1 +
𝑅1 𝐼𝑠𝑄 = 6.26𝑚𝐴
𝑅2 𝑉𝐺𝑆𝑄 =-0.626V
17 =
𝑅1
𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝑠(1𝑘) + 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝑠(100)
𝑅2 = 22𝑘Ω
𝑉𝐷𝑆 = 18 − 6.26𝑚𝐴(1100)
𝑅1 = 1.3𝑘Ω
𝑉𝐷𝑆 = 11.11𝑉

Análisis en AC

𝑍𝑖𝑛 = 1𝑀Ω
𝑍𝑜 = 1𝑘Ω
3.4. Resolver el siguiente circuito en DC y AC,
2𝐼𝐷𝑠𝑠 𝑉𝐺𝑆
dibujar los voltajes de salida: 𝑔𝑚 = (1 − )
|𝑉𝑃| 𝑉𝑝
2(10𝑚𝐴) 0.626𝑉
𝑔𝑚 = (1 − )
|3| 3
𝑔𝑚 = 0.00528
𝐴𝑣 = −𝑔𝑚(𝑅𝐷||𝑅𝐿||𝑟𝑑)
Si rd ≥ 10RD

𝑟𝑑 = 40𝑘Ω ;(según hoja de datos)

𝐴𝑣 = −𝑔𝑚(𝑅𝐷||𝑅𝐿)
A partir de la hoja de datos sabemos que:
𝐴𝑣 = −0.00528(1𝑘||10𝑘)
𝐼𝐷𝑠𝑠 = 10𝑚𝐴
𝐴𝑣 = −4,8
𝑉𝑃 = −3𝑉
𝑉𝑜 = 𝐴𝑣(𝑉𝑖)
Análisis en DC
𝑉𝑜(𝑟𝑚𝑠) = −4.8(0.25) = −1.2𝑉
𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝑠(𝑅𝑠) = 0
𝑉𝑜 = −1.7𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝑠(𝑅𝑠)
𝑉𝐺𝑆 = −100𝐼𝑠
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝑠 = 𝐼𝐷𝑠𝑠(1 − )
𝑉𝑝
3.5. Realizar las simulaciones de los circuitos
solicitados en los numerales 3.2, 3.3 y 3.4 en
un software computacional

VDS= 13.8V

VG=0.18V

Is= 4.47mA

Bibliografia:

https://www.scribd.com/document/2328239
59/CIRCUITOS-DERIVADOR-E-INTEGRADOR-
CON-AMPLIFICADORES-OPERACIONALES
Transistores de Efecto de Campo [Online]. Available:
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resourc
e/content/1/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf