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Memória ROM: Read-Only Memory


Memórias que podem ser somente lidas, ou
seja, seus dados não podem ser apagados;

São memórias não voláteis, ou seja, seus
dados não são perdidos sem a falta de energia
elétrica;
Tipos de Memórias ROM

PROM (Programmable Read-Only Memory): são
os primeiros tipos de memória ROM, seus dados
são gravados através de uma reação física com
elementos elétricos, não podem apagados ou
modificados;

EPROM (Erasable Programmable Read-Only
Memory): sua principal característica é permitir que
seus dados possam ser reprogramados, através de
um componente que emita luz ultravioleta.
Tipos de Memórias ROM

EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-
Only Memory): neste tipo de memória ROM, seus dados
podem ser alterados e apagados de forma elétrica,
através de um dispositivo especial;

EAROM (Electrically-Alterable Programmable Read-Only
Memory): pode ser classifica como um tipo de EEPROM,
onde seu dados podem ser alterados aos poucos;

Flash: possui um processo de gravação e regravação de
forma rápida, podendo armazenar uma grande
quantidade de dados;
Memória RAM

Radom-Access Memory: Memória de acesso
aleatório;

São nas memórias que os dados são
armazenados para o UCP poder processá-los;

São consideradas memórias voláteis, pois
necessitam de energia elétrica para armazená-
los;
Tipos de Memória RAM

SRAM (Static Random-Access Memory - RAM
Estática):
– São memórias super rápidas;
– São mais caras que as memórias RAM utilizadas
em computadores;
– Normalmente utilizadas dentro dos processadores,
conhecidas como memória Cache;
Tipos de Memória RAM

DRAM (Dynamic Random-Access Memory -
RAM Dinâmica):
– Memória com alta capacidade de armazenamento
de dados;
– São memórias mais lentas;
– Com preço mais acessível, dependendo de marca
e capacidade;
Tipos de Memória RAM

MRAM (Magnetoresistive Random-Access
Memory - RAM Magneto-resistiva):
– Tipo de memória que está sendo estudada a vários
anos;
– A memória utiliza células magnéticas, consumindo
menos energia e armazenando dados por mais
tempo, sem a necessidade de energia elétrica.
– Custo muito elevado e baixa capacidade de
armazenamento;
Como funciona a memória?

As memórias são formadas por chips, que por sua vez
possuem uma grande quantidade de capacitores e
transistores, que juntos formam as “células de memória”;
– O capacitor armazena corrente elétrica, representado pelo
número 1, e quando não possui energia, é representado pelo
número 0;
– O transistor é responsável pelo controle de passagem de
corrente;

Refresh: responsável por regravar os dados nas células
da memória RAM, porém consumindo energia e gerando
calor.
TRANSISTOR

CAPACITOR
Sinal RAS e CAS

Para o UCP gerenciar a utilização da memória
RAM, é necessário que um componente realize
esse trabalho, o controlador de memória, hoje
localizado dentro do próprio UCP;

Para facilitar o acesso a memória, suas células
de memória são organizadas como se fossem
uma matriz, identificadas por:
– RAS - Row Address Strobe
– CAS - Column Address Strobe
Latência de Memória

Define o tempo em que o controlador de memória levara
para executar operações de leitura e gravação em uma
memória;

Medida em NS (nanossegundos) ou um bilionésim parte
de segundo 10 -9;

Por exemplo, um módulo de memória RAM com os
seguintes valores de latência:
– Clock: 2133MHz
– Latência: 11-11-11-27 (tCL, tRCD, tRP e tRAS)
– Voltagem: 1.5V
Latência de Memória

tCL (CAS Latency): intervalo de tempo existente
entre a requisição de um dados pelo UCP, até a
entraga do mesmo pela memória.

tRCD (RAS to CAS Delay): intervalo de tempo
entre a ativação de uma célula de memória;

tRP (RAS Precharge): tempo gasto para desativar
uma linha e ativar o acesso a outra;

tRAS (Active to Precharge Delay): tempo gasto
para ativar uma linha de endereços de memória.
SPD – Serial Presence Detect

Pequeno chip EEPROM contido nos módulos
de memória RAM, onde ficam informações
sobre o dispositivo: voltagem, tipo,
temporização e latência, fabricante e número
de série
Detectando Erros na Memória

Mecanismo de paridade: detecta erros no
armazenamento de dados em memórias RAM,
identificando seus dados por sinais
representados por 0 ou 1, caso forem diferente
um erro é detectado.
Tipos de Encapsulamentos

DIP Dual In-line Package: utilizados nas
memórias dos UCPs 286, sendo soldados
diretamente da placa-mãe.
Tipos de Encapsulamentos

SOJ (Small Outline J-Lead): recebe o nome por
possuir seus terminas com a forma da letra “J”,
utilizado nos módulos SIMM, sua solda não
requer furos na placa de memória.
Tipos de Encapsulamentos

TSOP (Thin Small Outline Package): tipo de
encapsulamento mais fino, em relação aos
modelos anteriores, seus terminais são mais
finos e com isso reduzem o problema de
interferência, utilizados nos módulos DIMM e
DDR
Tipos de Encapsulamentos

CSP (Chip Scale Package): é mais atual tipo de
encapsulamento, não possuindo seus terminais
visíveis, utiliza o tipo de encaixe BGA (Ball Grid
Array).
Módulos de Memória RAM

São as pequenas placas onde são soldados os
encapsulamentos de memória, que por sua
vez, são encaixados em SLOTs de memória,
localizados nas placas-mãe.
Tipos de Módulos

SIPP (Single In-Line Pins Package): primeiros
módulos de memória que chegaram ao
mercado, utilizavam encapsulamento DIP e
normalmente eram soldados na placa-mãe.
Tipos de Módulos

SIMM (Single In-Line Memory Module): a partir
destes tipos de módulos, as memórias RAM
passaram a serem encaixadas na placa-mãe.

Versões:
– SIMM 30 vias: transmitem um byte por ciclo de
clock, com capacidades de 1 MB até 16 MB
– SIMM 72 vias: capacidade de transmitir 4 bytes por
ciclo de clock, com capacidades de armazenar de 4
MB até 64 MB.
SIMM (Single In-Line Memory
Module):
Tipos de Módulos

DIMM (Double In-Line Memory Module): são
conhecidas por possuírem contatos em ambos os
lados do módulo, capazes de transmitem 64 bits
por ciclo de clock.

Tipos:
– SDR SDRAM de 168 vias
– DDR de 184 vias
– DDR2 e DDR3 240 vias
– SODIMM (Small Outline DIMM)
Tecnologias

FPM (Fast Page Mode):
– Uma das primeiras tecnologias de memórias RAM,
onde a primeira leitura possui tempo de acesso
maior que as demais;
– Isso porque o controlador atua somente em uma
linha e depois faz uma sequência em colunas, ao
invês de trabalhar com um sinal RAS e um sinal
CAS;
– Memória assíncrona.
Tecnologias

EDO (Extended Data Output):
– Substituiu as memórias de tecnologia FPM;
– Possui a tecnologia de permitir que um endereço
de memória possa ser acessado por duas
operações em andamento;
– Utilizada nos módulos DIMM de 168 vias;
– Memória assíncrona.
CRC: Cyclical Redundancy Check

Verificação de Redundância Cíclica;
– Verifica a ocorrência de possíveis erros de
transferências;
Tecnologias

SDRAM (Synchronous Dynamic Random
Access Memory):
– Memória síncrona, ou seja, são memórias que
funcionam de forma sincronizada com o
processador.
– Surgiram as memórias SDR DRAM (Single Data
Rate DRAM) de 66 MHz, 100 MHz e 133 MHz
– Consumo de 2.5V – Latência de 5-1-1-1
Tecnologias

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM):
– Memórias capazes de transmitir dois dados por
ciclo de clock, duplicando então sua frequência de
operação, passando a trabalharem em 200 MHz,
266 MHz, 333 MHz, 400 MHz, 466 MHz e 500 MHz.
– Possuindo fisicamente apenas uma divisória nos
seus terminais;
– Consumo de energia de 1.8V;
– Latências: DDR2-800 4-4-4-12 ou 5-5-5-15
Tecnologias

DDR2 SDRAM:
– Evolução da memórias DDR, passando a realizar quatro operações por ciclo de
clock;
– Contam com apenas uma divisão nos seus terminais ou vias, sendo que um
pouco mais deslocada, em relação a DDR;
– Trabalha com consumo de 1.8V
– Opera em frequências:

DDR2-533 (133 MHz) = PC2-4200

DDR2-667 (166 MHz) = PC2-5300

DDR2-800 (200 MHz) = PC2-6400

DDR2-933 (233 MHz) = PC2-7500

DDR2-1066 (266 MHz) = PC2-8500

DDR2-1300 (650 MHz) = PC2-10400

DDR2-1850 (950 MHz) = PC2-10400
Tecnologias

DDR3 SDRAM:
– Evolução da memória DDR3, passando a realizar oito operações por
ciclo de clock;
– Possibilidade de atuar no modo Triple-Channel;
– Trabalha com consumo de 1.5V
– Opera em frequências:

DDR3-800

DDR3-1066

DDR3-1333

DDR3-1600
– Capacidades: de 1GB até 8GB
– Latências 9-9-9-24 ou 7-7-7-15
Tecnologias

DDR4 SDRAM:
– Este novo modelo de tecnologia de memória RAM começou
a entrar no mercado em 2014;
– Possui 288 terminais, ou seja, 44 terminas a mais que a
versão DDR3;
– Seus terminais com diferença em altura do que os da DDR3,
com facilitará seu encaixe, evitando danificar os mesmos;
– Trabalhará com 1.2V e 1.35V; (economia de mais de 40%)
– Em Ultrabooks e Tablets com 1.05V;
– Latências: 15-17-17-35;
Tecnologias

DDR4 SDRAM:
– Frequências:

DDR4-1600

DDR4-1866

DDR4-2133

DDR4-2400

DDR4-2667

DDR4-3000
Fonte: Micron
– Capacidades: de 2 até 16 GB;
– Preços: 3000 MHz – 16 GB (R$ 1.699,91)
DDR3 e DDR4:
O encaixe da chave do módulo DDR4 está em um local
diferente do encaixe da chave do módulo DDR3. Ambos os
encaixes estão localizados na borda de inserção, mas o local
do encaixe no módulo DDR4 é ligeiramente diferente, para
evitar que o módulo seja instalado em uma placa ou
plataforma incompatível.

Maior espessura

Os módulos DDR4 tem uma


Borda curva espessura ligeiramente maior do que
os DDR3, para acomodar mais
Os módulos DDR4 apresentam uma
borda curva para ajudar na inserção e camadas de sinal.
aliviar o estresse no circuito impresso
durante a instalação da memória. Fonte: https://www.kingston.com/Br/memory/ddr4
Suporte DDR4

Os processadores Intel Haswell já possuem
tecnologia para utilizarem as memórias DDR4;

As placas-mãe devem possuir o chipset X99;

Já a AMD possui as APUs Carrizo;
Tudo aqui é dependente do controlador de memória. Esse pequeno elemento vem instalado
dentro do processador, portanto você pode presumir que não poderá rodar o padrão DDR4
na sua atual placa-mãe e com o seu chip Intel Core-i7 ou AMD FX.