PROCEDIMIENTO

1.-Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro

Resistencia Directa (Ω) Inversa(Ω)
Base-emisor 1036Ω Mayor a 40M Ω
Base-colector 1002 Ω Mayor a 40M Ω
Colector-emisor Mayor a 40M Ω Mayor a 40M Ω

2. Armar el siguiente circuito

a) Medir las corrientes que circulan por el
colector (Ic) y la base obtener el β (P1=0 Ω).
b) Medir los voltajes entre colector emisor entre
base emisor y emisor-tierra.
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.
d) Cambiar R1 a 68 kΩ, repetir los pasos (a) y
(b) y anotar en la tabla 3 (Por ajuste de P1).
e) Aumentar p1 a 100k k Ω ,250k Ω, 500k Ω y
1M Ω observar lo que sucede con las
corrientes Ic y Ib y con el voltaje Vce.
Llenar la tabla 5
3. Ajustar el generador de señales a 50 mv.pp, 1KHz, onda senoidal. Observar la
salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la Tabla 4.

TABLA 2 (Q1)

Valores 𝑽𝑬 (𝑽)
𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽)
(R1=56kΩ)
Teóricos 9.198 41,66 220 0.778 0.7 2.02

Medidos 8.89 40 𝟐𝟐𝟐. 𝟐𝟓 1.354 𝟎. 𝟕𝟏𝟑 1.924

TABLA 3 (Q2)

Valores 𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)

(R1=68kΩ)
Teóricos 7.64 33.109 230 2.679 0.7 1.68
Medidos 7.31 32 𝟐𝟐𝟖. 𝟒𝟑 3.174 𝟎. 𝟕 1.593

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 1

 TABLA 4

Tabla 𝑽𝒊(𝒎𝒗. 𝒑𝒑) 𝑽𝒐 (𝒗. 𝒑𝒑) 𝑨𝒗 𝑽𝒐 (𝒔𝒊𝒏 𝑪𝒆) 𝑨𝒗(𝒔𝒊𝒏 𝑪𝒆)

3 (Q2) 440𝑚𝑉 5.6𝑉 1.9𝑉

TABLA 5

P1 𝟏𝟎𝟎 𝑲Ω 𝟐𝟓𝟎 𝑲Ω 𝟓𝟎𝟎 𝑲Ω 𝟏 𝑴Ω

𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 2.54 0.5 0 0
𝑰𝑩 (µ𝑨) 10.5 2.1 0 0
𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 8.94 11.38 11.99 11.99

(Q3) (Q4) (Q5) (Q6)

- Analizando el circuito
entregado podemos
observar que se trata
de un transistor de
polarización tipo ‘H’; es
decir, debemos aplicar
un circuito equivalente
de Thevenin para
poder calcular aquellos
valores que dependen
directamente de las
resistencias 1 y 2 y del
potenciómetro (P1).

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 2

 𝑅 = 𝑅1 + 𝑃1

Donde:
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐻𝐽 = ; 𝑅𝑒𝑞 =
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2

Hallamos los valores máximos de 𝐼𝐶 y 𝑉𝐶𝐸 :

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = = 9.836 𝑚𝐴 ; 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 = 12 𝑉
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

 Haciendo 𝑅 = 56 𝐾Ω (𝑃1 = 0 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = = 3.384 𝑉 ; 𝑅𝑒𝑞 = = 15.794 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2

𝑅2 = 22 𝐾Ω ; 𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 220 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Si.) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝑒𝑞 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝑒𝑞
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = ≅ 9.198𝑚𝐴
𝑅𝑒𝑞
𝑅𝐸 +
𝛽

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 3

 En la malla 2:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) ≅ 0.7784𝑉

Hallamos 𝐼𝐵 y 𝑉𝐸 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = ≅ 41,668µ𝐴
𝑅𝑒𝑞 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 = 2.0236 𝑉

TABLA 2 (𝑹𝟏 = 𝟓𝟔 𝑲Ω)

𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)

𝟗. 𝟏𝟗𝟖 41,66 𝟐𝟐𝟎 0.778 𝟎. 𝟕 2.02

 Haciendo 𝑅 = 68 𝐾Ω (𝑅1 = 68 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = = 2.933 𝑉 ; 𝑅𝑒𝑞 = = 16.622 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2

𝑅2 = 22 𝐾Ω ; 𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 220 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Si.) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝑒𝑞 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝑒𝑞
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = ≅ 7.64𝑚𝐴
𝑅𝑒𝑞
𝑅𝐸 +
𝛽
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) ≅ 2.679 𝑉

Hallamos 𝐼𝐵 y 𝑉𝐸 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = ≅ 33.1099µ𝐴
𝑅𝑒𝑞 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 = 1.68 𝑉

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 4

 TABLA 3 (𝑹 = 𝟔𝟖 𝑲Ω)

𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)

𝟕. 𝟔𝟒 33.109 𝟐𝟑𝟎 2.679 𝟎. 𝟕 1.68

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 5