Fase 2 – Presentar Solución al Problema del

Amplificador de Baja Señal con JFET

Aster Junior Vargas Blandón.

Cód. 1.113.517.200

Luigi Castillo
Código:

Jimi Alexes Acosta Calle

Código: 6282843

Estefanía Payan
Código: 1.115.080.990

Grupo: 243006_8

Presentado a:

Ing. Augusto Cesar Sanabria

Universidad Nacional Abierta y a Distancia – UNAD

Electrónica Análoga.
Santiago de Cali.
Mayo 2019
 Temáticas a desarrollar:
Unidad 2: Transistores Unipolares y Tiristores.
El transistor JFET - El Transistor MOSFET - Tiristores

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es
presentar trabajando en equipo con cuatro compañeros, una solución
llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar
señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
información las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300𝑚𝑉 a 1𝐾ℎ𝑧.

Referencia del JFET: 2N3819

𝑰𝑫 = 3𝑚𝐴, 𝑉𝐷 = 10𝑉, 𝑉𝐺𝑆 (𝑜𝑓𝑓) = −8𝑉, 𝑉𝐶𝐶 = 20𝑉.

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2𝑚𝐴 a 20𝑚𝐴… para

este diseño se trabajara 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 16𝑚𝐴.

El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a

la empresa, en él mismo, es obligatorio se evidencie una fundamentación
teórica, una argumentación y la validación de la solución. Además, de ser
aprobada la propuesta, se deberá realizar una implementación real y para
ello se contará con acceso a los laboratorios.
 Actividades a desarrollar

Individuales:
1. Fundamentación Teórica.
(Primera Semana)

Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador

Fuente Autor.
1.1 Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la
Unidad 2, Cada estudiante debe describir con sus propias palabras
la teoría de funcionamiento del circuito anterior.

Solución:
En la Figura No. 1 tenemos un circuito que tiene como función amplificar
la señal alterna de 300𝑚𝑉 por medio del JFET. tanto 𝑅𝐺 (resistencia de
Gate o compuerta), como 𝑅𝑆 (Resistencia de Source o fuente) y 𝑅𝐷
(Resistencia de Drain o drenaje) sirven para polarizar el transistor y dar
una óptima amplificación a la señal.
En el circuito se observan 3 condensadores, los cuales son vitales para
desacoplar la señal DC, que se usa para prevenir una caída en la ganancia
de señal o que se suceda una mala polarización. Y 𝑅4 para este Circuito,
es la resistencia de carga, en la que veremos evidenciado un voltaje
amplificado.
Es bueno aclarar que 𝑅𝑆, se está como variable y según el valor que se
encuentre, habrá consecuencias en la ganancia general del circuito.

Argumentación.

(Segunda Semana).

Dadas Las Fórmulas:

(𝑉𝐶𝐶 – 𝑉𝐷 )
𝑅𝐷 = 𝑉𝐺𝑆 = − 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆 𝐴𝑉 = −𝐺𝑚 ∙ 𝑅𝐷
𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓
𝑅𝑆 = 𝑅𝐺 = [1,2] 𝑀Ω 𝐺𝑚 = 𝐼𝐷 / 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆𝑆

2.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los

siguientes cálculos.
-Estudiante 1: Luigi Castillo
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.
En donde:
 VCC= 20V.
 VD= 10V.
 ID= 3mA

Reemplazando en la fórmula:
RD = (VCC – VD) / ID
RD = (20V – 10V) / 3mA
RD = 10V / 3mA
RD = 10V / 0.003 A
 RD = 3333,3 .
RD = 3.3 K.

Estudiante 2: Jimmy Alexes Acosta

b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
R/ RS = VGS (off) / IDSS
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −8𝑉

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 16𝑚𝐴
−8𝑉
𝑅𝑆 =
16𝑚𝐴
𝑹𝑺 = 𝟓𝟎𝟎𝒐𝒉𝒎

Estudiante 3: Aster Jr. Vargas Blandón.

c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de

RG debe ser alto?
Solución:

Para esta estructura de elementos, el tipo de polarización es la

“polarización fija” o de “compuerta” y se identifica por poseer una sola
resistencia alta entre GATE y tierra. Para el valor de 𝑅𝐺, dentro de las
varias propiedades de los JFET, una de las más notorias es que tiene una
alta impedancia de entrada debido a su pin de compuerta o su pin de
GATE, esta gran impedancia se nos dice también que hay una resistencia
grande, del orden de las Megas.
Si al instante de necesitar polarizar el transistor colocamos una 𝑅𝐺 no
comparable (mucho menor a la impedancia interna del transistor) se
tendrá un paralelo entre esa impedancia o resistencia interna y la 𝑅𝐺,
esto resultara en una resistencia mucho menor a 𝑅𝐺 elegida y nunca
observaremos una ganancia en la resistencia de carga.
Estudiante 4: Aster Jr. Vargas Blandón.

d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

1
Formula 𝑋𝑐 =
2.𝜋.𝑓.𝐶

Condensador 1 (10uF) = 0.000010 F

1
𝑋𝑐 =
2. 𝜋. 1000𝐻𝑧. 0,000010𝐹
1
𝑋𝑐 =
0,06283
𝑋𝑐 = 15,915 
Condensador 2 (10uF) = 0.000010 F

1
𝑋𝑐 =
2. 𝜋. 1000𝐻𝑧. 0,000010𝐹
1
𝑋𝑐 =
0,06283
𝑋𝑐 = 15,915 
Condensador 3 (0,1uF) = 0.000010 F

1
𝑋𝑐 =
2. 𝜋. 1000𝐻𝑧. 0,00000001𝐹
1
𝑋𝑐 =
0,00006283
𝑋𝑐 = 15,915 
Estudiante 5: Aster Jr. Vargas Blandón.

e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

𝐺𝑚 = 𝐼𝐷 / 𝑉𝐺𝑆
3𝑚𝐴
𝐺𝑚 =
1,5
𝐺𝑚 = 2

𝐴𝑉 = −𝐺𝑚 ∙ 𝑅𝐷
𝐴𝑉 = −2 ∙ 3.33𝐊.
𝐴𝑉 = −6.66 𝑉

Simulación Aster Vargas Blandón.

Pantallazos de Participación.