Introducción

El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fue

inventado en 1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W.
Brattain (que recibieron el premio Nobel en 1956). También se suele denominar
por sus siglas inglesas BJT (bipolar junction transistor).

Desde su creación fue considerado el componente electrónico estrella, pues

inicio una auténtica revolución en la electrónica que ha superado cualquier
previsión inicial. Con el transistor vino la miniaturización de los componentes y
se llegó al descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en
pocos milímetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen
el origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales.
Por otra parte, la sustitución en los montajes electrónicos de las clásicas y
antiguas válvulas de vacío por los transistores, reduce al máximo las pérdidas
de calor de los equipos.

El transistor posee tres terminales (llamados emisor, base y colector). Y posee

las funciones de dejar pasar o cortar señales eléctricas a partir de una pequeña
señal de mando, como la de un amplificador de señales

En el presente informe nos centraremos en el transistor NPN, el cual es uno de

los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones
del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son
NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una
pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es
amplificada en la salida del colector.

La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.
1. Marco teórico
1.1 Simbología

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-

, que, atendiendo a su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. En la
figura 1 se encuentran los símbolos de circuito y nomenclatura de sus terminales.
La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la
flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del
transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Además, en funcionamiento
normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del
transistor.

2. Estructura

El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras,

entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN). Siempre se ha de cumplir
que el dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P,
entonces la base será tipo N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un
transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será P y el
colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN. El transistor se fabrica
sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas, de forma que se
obtengan las tres regiones antes mencionadas.

• El emisor ha de ser una región muy dopada. Cuanto más dopaje tenga el
emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.

• La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de
emisor pase a colector, como veremos más adelante. Además, si la base no es
estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar
como dos diodos en oposición.

• El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características
de esta región tienen que ver con la recombinación de los portadores que
provienen del emisor.
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible
controlar una gran potencia a partir de una pequeña. En la figura se puede ver
un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los terminales de
colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base
(B) se aplica la señal de control gracias a la que controlamos la potencia. Con
pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de base, se consiguen
grandes variaciones a través de los terminales de colector y emisor. Si se coloca
una resistencia se puede convertir esta variación de corriente en variaciones de
tensión según sea necesario.

3. Funcionamiento
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que
circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En
esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión
emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa
(unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero
que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula
por emisor base.
4. Fundamentos físicos del efecto transistor

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que

circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En
esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión
emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa
(unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero
que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula
por emisor base.

Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa

(diodo B). Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es
muy pequeña (IB). Si se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unión
(lo que llamaremos base del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa
corriente que circulaba por A (IA), va a quedar absorbida por el campo existente
en el diodo B. De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran
corriente, mientras que por la base una corriente muy pequeña. El control se
produce mediante este terminal de base porque, si se corta la corriente por la
base ya no existe polarización de un diodo en inversa y otro en directa, y por
tanto no circula corriente.

5. Regiones de funcionamiento
5.1 Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus
terminales. Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se
encuentra en corte cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última
condición indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al que
llevaría en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en corte basta con
no polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta con que
VBE=0.
5.2 Activa
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes
en todos sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra
polarizada en directa y el colector base en inversa.
En general, y a efectos de cálculo, se considera que se verifica lo siguiente:

Donde Vγ es la tensión de conducción de la unión base-emisor (en general 0,6

voltios).

5.3 Saturación
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la
base-colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de
activa, y se verifica sólo lo siguiente:

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener

valores determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturación
circula también corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la
relación:

6. Otros aspectos del funcionamiento del transistor

Efecto Early
Una vez polarizado el transistor en su zona de funcionamiento se pueden
producir variaciones no deseadas de las corrientes en el mismo debidas a
variaciones en la tensión colector-base. Estas variaciones de corriente son
consecuencia de la modulación de la anchura de la base, también conocida
como Efecto Early.
En un transistor bipolar, un incremento en la tensión colector-base lleva asociado
un incremento en la anchura de la zona de carga espacial de dicha unión. Este
aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de la base, tal y como
se observa en la figura 12 (la anchura efectiva de la base pasa de WB a W’B).
Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe menos camino para
la recombinación en base. La pendiente positiva de las curvas características del
transistor en zona activa es debida a este efecto.

6.2 Fenómenos de avalancha y perforación

El transistor bipolar, como cualquier dispositivo en cuya estructura existan
uniones PN polarizadas, tiene unas limitaciones físicas de funcionamiento
debidas a los fenómenos de avalancha que se pueden producir al aplicar
tensiones elevadas a las uniones. Concretamente en un transistor bipolar se
puede producir la destrucción del dispositivo mediante dos mecanismos de
ruptura diferentes:
 Ruptura por entrar en avalancha alguna de las uniones. Si se aplica
tensión inversa elevada a las uniones PN del transistor puede ocurrir que
alguna entre en avalancha. La unión base-emisor es especialmente
sensible a la aplicación de tensiones elevadas debido a su alto dopaje.

 Ruptura por perforación de base. En el apartado anterior se ha hablado

de la disminución de la anchura de la base debido a la tensión inversa
aplicada a la unión colector-base. Puede ocurrir que las tensiones
aplicadas sean tan grandes que desaparezca completamente la anchura
de la base del transistor (es decir, que WB = 0). Este caso se denomina
perforación de la base, y se produce la destrucción del transistor al circular
una corriente muy elevada entre emisor y colector
 7. Polarización del transistor
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones
continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente
decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en
corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.
El transistor bipolar se emplea en numerosas aplicaciones, y en infinidad de
circuitos diferentes.
Cada uno de ellos lo polariza de forma determinada. En este apartado se
abordará la polarización del transistor mediante una red de resistencias.
Supongamos que se quiere polarizar un transistor bipolar en zona
activa. Se ha de conseguir que sus tensiones y corrientes cumplan las
condiciones de estar en activa: VBE = 0,7V, VCE > 0,2V. Una primera
opción sería usar un circuito como el de la figura 17. Podemos ver cómo
conseguimos polarizar la unión base-emisor mediante una resistencia
(R) conectada a alimentación. Por la base del transistor circulará una
corriente igual a (VCC-VBE)/R, y en colector-emisor tendremos VCE =
VCC > VCEsat.

Este primer circuito tiene como inconveniente por un lado que el

transistor nunca se podría polarizar en saturación, pues no se
puede conseguir que VCE = 0,2V siendo VBE =0,7V; y por otro
lado la excesiva disipación. Un circuito un poco más complejo, y
con el que se puede conseguir polarizar al transistor en las tres
regiones de funcionamiento es el de la figura 18. Vemos que en
este caso la tensión colector-emisor depende directamente de la
corriente de base (VCE=VCC-βIBRC), y dicha corriente se fija
actuando sobre la resistencia de base (IB= (VCC-VBE)/RB). Para
polarizar el transistor en cada una de las regiones se pueden
emplear las dos ecuaciones mencionadas y aplicar las
restricciones de cada región.

Aplicaciones

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura
de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)
Proyecto: Alarma láser casera
Se trata de una alarma casera, muy sencilla y que incluye hasta el circuito
impreso. Esta se activa al cortar un haz de luz que incide sobre una foto-resistor
y activa un buzzer, hasta que se le quita la energía, mediante un jumper o
interruptor. Los componentes que vamos a utilizar son fáciles de conseguir en
cualquier casa de electrónica y muy económicos.

Materiales Costo
Buzzer S/ 1.00
Resistor de 10k S/ 1.00
Transistor 2N3904 S/ 3.00
Tiristor Tic 106c S/ 4.00
LDR1 S/ 4.00
Jumper S/ 5.00
Pines macho S/ 7.00
Puntero laser S/ 20.00
Circuito impreso S/ 10.00
Pequeño tubo de PVC S/ 1.00
Total S/ 56.00

Recomendaciones:
 Verificar que todos los conectores estén en buen estado.

 Tener en cuenta las especificaciones del transistor que se está utilizando, para
un buen desempeño en las experiencias, y además tener en cuenta la correcta
polarización.
 Tomar los valores reales de todos los dispositivos o elementos para tener en
cuenta las variaciones que se puedan presentar frente a una posterior simulación
con valores ideales.

Conclusiones
La polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).
De lo que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada
patilla, bien sea: BASE, COLECTOR o EMISOR.
Y por último y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada de
la ganancia del transistor en términos relativos.
Cuestionario

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de

un bipolar.
Saturación: El transistor permite el paso de corriente desde el colector al emisor.
De todas formas esta corriente no puede ser demasiado elevada, ya que la
propia corriente calienta al transistor por efecto Joule y si se calienta
excesivamente, puede estropearse de forma permanente. Para un transistor de
silicio que se encuentra en saturación la tensión entre la base y el emisor es de
0,7 V y entre la base y el colector de unos 0,5 V, de donde se deduce que la
tensión entre el colector y el emisor será de unos 0,2 V.
Corte: En este estado el transistor no permite el paso de corriente entre el
colector y el emisor, se comporta como si fuera un interruptor abierto. Para un
transistor de silicio que se encuentra en corte las corrientes de emisor y de
colector son nulas y las tensiones entre la base y el emisor y entre la base y el
colector son ambas menores de 0,7 V.
Amplificación: Cuando un transistor se encuentra en este estado de
funcionamiento, permite amplificar la potencia de una señal.

2. De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares: 2N3904

(AC127) (25C784Y TR59)

2N3904
 Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)
 Corriente de colector constante 200m A (Ic)
 Potencia total disipada 625mW (Pd)
 Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
 Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
 Encapsulado TO-92.
 Estructura NPN.
AC127
 Disipación total del dispositivo (Pc): 0.34 W
 Tensión colector-base (Vcb): 32 V
 Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
 Tensión emisor-base (Veb): 10 V
 Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
 Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
 Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1.5 MHz
 Capacitancia de salida (Cc): 140 pF
 Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Bibliografía
Arguis, V. M. (19 de Enero de 2015). Obtenido de
http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1177/Contenido/clase10.pdf

Transistor bipolar. (10 de Noviembre de 2005). Obtenido de

http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf

Transistor bipolar BJT. (25 de Noviembre de 2010). Obtenido de

http://quegrande.org/apuntes/grado/1G/TEG/teoria/10-11/tema_7_-
_transistores_bipolares.pdf

Wikilibros. (s.f.). Wikilibros. Obtenido de Transistor bipolar de potencia:

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/Transistor_Bipolar_de_
Potencia/Estructura_y_principio_de_funcionamiento

Electrónica urg. (s.f.). Electrónica urg. Obtenido de Transistor de unión bipolar:

http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm

Mr.Mandi. (s.f.). Proyectos de electrónica. Obtenido de Sensor detector de humedad casero:

http://proyectosdeelectronicaz.blogspot.com/2016/08/sensor-detector-de-humedad-
casero-con.html