Taller de Semiconductores

1 Responda Falso o verdadero y justifique su respuesta:

a) Si tenemos dos barras de silicio con igual área y longitud, una dopada uniformemente con
ND donadores y la otra con N A aceptadores. Si NA= ND entonces las dos barras tienen la
misma resistencia.
Falso _________ Verdadero __________

b) Cuando un diodo está polarizado en inversa, entonces la corriente se forma por la eyección
de electrones desde la región N hacia la región P y de huecos desde la región P hacia la
región N.
Falso _________ Verdadero __________

c) Si una barra de silicio tipo P uniformemente dopada se ilumina por un periodo de tiempo
muy corto. Si la luz genera 102 pares electrón-hueco por cm 3-seg uniformemente en todo el
volumen del semiconductor entonces una vez la luz se apaga (desaparece) se producirá una
corriente de difusión.
Falso _________ Verdadero __________

d) Si tenemos una barra de silicio uniformemente dopada con N D donadores. Si la barra se

calienta de tal forma que un extremo la barra se encuentra a una temperatura mayor que en
el otro, entonces se debe formar una corriente al interior de la barra.

Falso _________ Verdadero __________

e) Si tenemos dos barras (B1 y B2) de silicio del mismo tamaño, uniformemente dopadas con
ND donadores. Si B1 presenta un número de trampas por unidad de volumen (Traps) menor
que B2, entonces al inyectar un exceso de huecos igual (por un periodo de tiempo muy
corto) y uniformemente distribuidos en las dos barras, entonces la barra B1 retornará a la
concentración de equilibrio (de minoritarios) más rápido que la barra B2.

Falso _________ Verdadero __________

f) Los huecos se mueven más rápido que los electrones en el silicio cuando son impulsados
por un campo eléctrico constante.
Falso _________ Verdadero __________
g) Si una barra de silicio se dopa no uniformemente con donadores entonces se debe
autoinducir un campo eléctrico en su interior.
Falso _________ Verdadero __________
h) La resistividad de una barra semiconductora de silicio dopada con una densidad
donadores constante ND=1016 cm3, aumenta con la temperatura cuando esta se
encuentra dentro del rango denominado extrínseco (150 a 450 K).
Falso _________ Verdadero __________
 i) En una barra uniformemente dopada con donadores al aplicar un voltaje de 1 Voltio entre sus
extremos el gradiente de energía de conducción debe ser cero (dE C/dx = 0).
Falso _________ Verdadero __________

2. Se tiene una muestra de silicio tipo P dopada uniformemente con N A= 1015 cm-3 y
uniformemente iluminada, de modo tal que p=n=1014 cm-3. Calcular la resistividad de la
muestra iluminada. Suponer que n=1350 cm2/V-seg y p= 460 cm2/V-seg.

a. 9.75 ohm-cm
b. 10.5 ohm-cm
c. 13.6 ohm-cm
d. 46.3 ohm-cm

3. Una muestra de silicio está uniformemente dopada con ND= 1015 cm-3 átomos donadores.
Dentro de una pequeña región de la misma, n=1014 cm-3 y p= 104 cm-3. En esta región:

a. la velocidad de generación = velocidad de recombinación≈0

b. la velocidad de generación > velocidad de recombinación
c. la velocidad de generación < velocidad de recombinación
d. no se puede determinar del enunciado del problema.

4. Cuál de la siguientes afirmaciones es verdadera?

a. La velocidad de deriva o de arrastre (“drift”) de los electrones denominados calientes

“calientes” (“hot electrons”) es mucho menor que su velocidad térmica.

b. La velocidad de arrastre de los electrones generalmente tiene una dirección contraria a la

velocidad térmica.
c. Los procesos de “scattering” (colisión) no existen en semiconductores como el silicio y
el germanio, si no se les aplica un campo eléctrico.

d. A mayor temperatura los átomos de la red vibran con mayor amplitud y aumenta la
probabilidad de “scattering” en el semiconductor.

5. De acuerdo al diagrama de banda de energía de un semiconductor presentado en la

gráfica siguiente, para un electrón que se encuentra en el punto A y al aplicar un campo
eléctrico, llega al punto B, podemos afirmar lo siguiente:
a. el electrón pierde energía qV del punto A al B.
b. el electrón gana energía qV del punto A al B.
c. La energía del electrón no varía.
d. Ninguna de las anteriores.

6. Escoja la afirmación que considere falsa:

a. La velocidad de arrastre crece proporcionalmente al campo eléctrico no importando la

magnitud de este.
b. La resistividad del silicio intrínseco aumenta con el aumento de la temperatura.
c. La conductividad de una barra de silicio intrínsico es mayor, que una barra con las
mismas dimensiones dopada con una densidad de dopantes mucho mayor que n i, siendo la
temperatura igual para ambas barras.
d. Dadas dos barras semiconductoras extrínsecas de las mismas dimensiones, una dopada
con ND1 (donadores/cm3) y otra con ND2 (donadores/cm3), con ND1>ND2, si se aplica un
campo de igual intensidad a ambas barras entonces la velocidad de deriva es mayor en la
barra 1 que en la barra 2.

7. Sea la barra de silicio como se muestra en la figura con un área de 10 -4 cm2, dopada
uniformemente con ND= 1016cm-3. Si en x=0 es inyectado un flujo de portadores
minoritarios desde el exterior y el exceso de minoritarios al interior de la barra decae de
forma exponencial, con la forma p(x)=A(e-bx), de tal forma que el exceso de minoritarios
en x=0 es de 108 cm-3 y en x= 2 m es de 2x104 cm-3. Cuál es la corriente de difusión en x=
2m. Asuma que la temperatura es 300 K.

Tipo N

Inyección

x=0

8. Sea una barra semiconductora en condición de equilibrio, como se muestra en la parte

(a) de la figura siguiente, con una área transversal de 0.2 cm 2. Si a esta barra se le aplica un
potencial constante entre los extremos de tal forma que el diagrama de bandas de energías
adquiere la forma mostrada en la parte (b) de la figura. Calcule:
a. La velocidad de deriva de huecos y electrones, y la corriente de difusión asumiendo una
temperatura de 300 K.
b. La resistencia total de la muestra.
c. La corriente total que circula por la muestra.

L=2 cm

V Semiconductor dopado

EC

a) V=0 v Ei
0.3eV
EF

E
6 eV EVC
b) V 0 v
Ei

EF

EV

9. Si se polariza una barra de silicio que se encuentra dopada con ND aceptadores, de

acuerdo como se muestra la figura siguiente, escoja cuál sería la dirección correcta de para
las densidades de corriente y de la velocidad de deriva para los electrones:
Silicio tipo N V= 2v

a) Jn
Vd

b) Jn
Vd

c) Jn
Vd

d) Jn
Vd
10. Escoja la afirmación que considere falsa considerando una temperatura de 300K:
a) En un semiconductor no uniformemente dopado, la movilidad de los portadores cambia
con la posición.
b) En un semiconductor no uniformemente dopado, se autoinduce un campo eléctrico en
su interior.
c) En un semiconductor no uniformemente dopado la densidad de huecos es constante en
su interior.
d) En un semiconductor no uniformemente dopado el nivel de Fermi no cambia con la
posición.

11. Escoja la información que considere verdadera

a. En un semiconductor intrínseco la conductividad de los huecos es igual a la de los

electrones
b. En un semiconductor tipo P, la conductividad de los huecos es mayor que la de
los electrones.
c. En un semiconductor tipo N, la conductividad de los electrones es mayor que la
de los huecos.
d. En un semiconductor tipo P, la conductividad de los electrones es mayor que la
de los huecos.
12. Considere una barra semiconductora tipo P donde se realiza una inyección de bajo
nivel de portadores minoritarios por uno de sus extremos, entonces podemos afirmar:
a) En el semiconductor se forma una corriente de difusión y hay un desbalance entre la tasa
de recombinación y la generación.
b) En el semiconductor no se forma una corriente de difusión, pero hay un desbalance entre la
tasa de recombinación y generación.
c) En el semiconductor no se forma una corriente de difusión, ni hay un desbalance entre la
tasa de recombinación y generación
d) En el semiconductor se forma una corriente de difusión y pero no hay desbalance entre la
tasa de recombinación y la generación.