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INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE

CALKINÍ EN EL ESTADO DE CAMPECHE

ING. MECATRÓNICA

ACTIVIDAD 1

“REALIZAR CONSULTAS E INVESTIGACIONES EN LAS DIFERENTES

FUENTES DE INFORMACIÓN DISPONIBLES DE SEMICONDUCTORES

DE POTENCIA.”

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA DE POTENCIA APLICADA

PROFESOR: ING. CARLOS ALBERTO DECENA CHAN

NOMBRE DEL ALUMNO: RIGEL DIDIER LÓPEZ WONG

SEMESTRE: 5 GRUPO: B

CICLO ESCOLAR: 2017-2018 CALKINI, CAMPECHE

FECHA DE ENTREGA: 21 DE AGOSTO DE 2018

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Índice

Introducción..................................................................................................................... 3

Resumen ......................................................................................................................... 4

Abstract ........................................................................................................................... 5

Objetivos ......................................................................................................................... 5

General ........................................................................................................................ 5
Específicos .................................................................................................................. 5
Justificación..................................................................................................................... 6

Materiales:....................................................................................................................... 6

Métodos: ......................................................................................................................... 6

Semiconductores de potencia ......................................................................................... 7

Diodos de potencia: ..................................................................................................... 8

Tiristores: ..................................................................................................................... 9
Transistores de potencia: .......................................................................................... 11
Características de control de los dispositivos de potencia: ........................................ 14
Resultados y Conclusiones ........................................................................................... 16

Bibliografía .................................................................................................................... 16
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Introducción

A lo largo de esta respectiva investigación se implementan los componentes

semiconductores de potencia el cual, representa una clasificación detallada y, sobre
todo, una sub-clasificación muy extensa.
Antes de iniciar con los temas propuestos para el presente trabajo, es necesario entender
sobre la electrónica de potencia, tomando en cuenta que existen otras ramas de la
electrónica como la analógica y la digital, el cual, se debe identificar claramente las
diferencias. Todas ellas resaltan su clasificación de acuerdo al tipo de procesamiento de
la señal.
La electrónica analógica tata principalmente de la operación física y eléctrica y de las
aplicaciones de dispositivos semiconductores utilizados como amplificadores de señal.
La electrónica digital trata la aplicación de los dispositivos electrónicos como
conmutadores o llaves controladas funcionando solo en dos estados: encendido (ON) o
apagado (OFF).
La electrónica de potencia trata sobre la operación y aplicaciones de dispositivos
electrónicos utilizados para el control y conversión de la potencia eléctrica. (Ing. Mónica
L. González)
En efecto, en toda la información tratamos sobre los semiconductores, sin embargo,
¿Qué entendemos con ello?
Un semiconductor lo podemos entender como un elemento que se comporta como un
conductor o como un aislante, de acuerdo a los factores en que se presente, tales como
el campo eléctrico, magnético, la presión, temperatura, etc.
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Resumen

En efecto, la electrónica de potencia se define de manera resumida como las

aplicaciones de la electrónica de estado sólido para el control y la conversión de la
energía eléctrica.
Esta ocasión tratamos sobre los semiconductores de potencia, el cual podemos
formalizar que son dispositivos construidos principalmente con el carburo de silicio,
nitruro de galio y el diamante, arraigados claramente en aplicaciones de alta tensión y
alta intensidad para controlar potencias de salida de entre un megavatio y varios
gigavatios.
Podemos clasificar los dispositivos semiconductores de potencia de forma general con:
los diodos de potencia, tiristores y por supuesto los transistores. Divididos de igual forma
en diodos de potencia, tiristores transistores de unión bipolar, transistores de efecto de
campo de óxido de metal semiconductor, los transistores bipolares de compuerta aislada
y transistores de compuerta estática. Cada una con características específicas entre los
que resaltan la capacidad de corriente/voltaje, la frecuencia máxima, el tiempo de
conmutación y la resistencia de estado cerrado.
De la clasificación simplificada, podemos sub-clasificar los elementos de la siguiente
manera:
Fabricados en Silicio:
 Diodos: se identifican los de Schottky, epitaxial y de doble difusión.
 Transistores: resaltan los de diodo de unión bipolar (NPN o PNP), MOSFET y los
IGBT.
 Tiristores: para control de fase, tiristor rápido, GTO, IGCT, MCT y MTO
Fabricados en Sarburos de Silicio:
 Diodos: Schottky, JBS y PIN
 Transistores: MOSFET
(Benavent García , Abellán García, & Figueres Amorós)
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Abstract

In effect, power electronics is defined in a summarized way as the applications of solid-

state technology for the control and conversion of electrical energy.
This time we are dealing with power semiconductors, which we can formalize which are
the devices built mainly with silicon carbide, gallium nitro and diamond, clearly rooted in
high voltage and high intensity applications to control the power output between a
megawatt and several gigawatts.
We can classify power semiconductor devices in a general way with: power diodes,
thyristors and, of course, transistors. Similarly divided into power diodes, thyristor bipolar
junction transistors, semiconductor metal field effect transistors, isolated gate bipolar
transistors and static gate transistors. Each of them with specific characteristics among
those that maximize the current / voltage capacity, the maximum frequency, the switching
time and the closed state resistance.
From the simplified classification, we can classify the elements as follows:
Manufactured in Silicon:
 Diodes: those of Schottky, epitaxial and double diffusion are identified.
 Transistors: highlight those of bipolar junction diode (NPN or PNP), MOSFET and
IGBT.
 Thyristors: for phase control, fast thyristor, GTO, IGCT, MCT and MTO
Manufactured in Silicon Sarburos:
 Diodes: Schottky, JBS and PIN
 Transistors: MOSFET

Objetivos
General
 Conocer los diferentes tipos de dispositivos semiconductores de potencia, así
como su respectiva clasificación de acuerdo a su función y características en un
circuito.

Específicos
 Identificar las características de conducción, tiempo de conmutación, capacidad
de corriente/voltaje, frecuencia máxima y resistencia de estado cerrado de cada
uno de los elementos propuestos.
 Reconocer las posibles aplicaciones en las que se pueden desempeñar cada uno
de estos dispositivos.
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 Identificar la simbología y la configuración real de estos elementos para poder

trabajarlos más adelante en simulaciones y construcción de circuitos electrónicos
de potencia.

Justificación
Estos dispositivos son estudiados debido a la gran revolución de aplicaciones con
interruptores de potencia de silicio, convirtiéndolos en dispositivos muy eficientes, fiables
y de cómodas aplicaciones en el manejo de alta tensión y alta intensidad, que está en el
orden de los gigavatios. La más avanzada tecnología de transmisión de energía eléctrica
y los sectores de estabilización de redes, no serían posibles sin la existencia de
soluciones basadas en componentes semiconductores de potencia.

Materiales:
 Fuentes bibliográficas de consulta
 Equipo de cómputo

Métodos:
En este documento de investigación se aplicó del tipo teórica con el método descriptivo.
Se implementaron fuentes confiables para dicha investigación, los materiales utilizados
fueron libros de texto enfocados a la electrónica de potencia aplicada y un documento
web basado en un blog de electrónica educativa. El tipo de investigación aplicada es la
investigación científica.
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Semiconductores de potencia

Desde que se desarrolló el primer tiristor de SCR a finales de 1957, ha habido progresos
impresionantes en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los
tiristores convencionales se habían usado exclusivamente para el control de potencia en
aplicaciones industriales. A partir de 1970 se desarrollaron varios tipos de dispositivos
semiconductores de potencia, que entraron al comercio. La figura próxima muestra la
clasificación de los semiconductores de potencia, que se fabrican, ya sea con silicio o
con carburo de silicio. Sin embargo, los dispositivos de carburo de silicio todavía están
en desarrollo, y la mayor parte de los dispositivos se fabrican con silicio. Estos
dispositivos se pueden dividir en forma general en tres clases: 1) diodos de potencia,
2) transistores y 3) tiristores. También se pueden dividir en general en cinco tipos: 1)
diodos de potencia, 2) tiristores, 3) transistores de unión bipolar (BJT, de sus siglas en
inglés bipolar junction transistors),4) transistores de efecto de campo de óxido de metal
semi conductor (MOSFET, de sus siglas en inglés Metal oxide semiconductor field-effect
transistors), y 5) transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT, de sus siglas en
inglés insulated-gate bipolar transistors) y transistores de inducción estática (SIT, de sus
siglas en inglés static induction transistors). (Rashid, 1995)

Ilustración 1: Componentes semiconductores de potencia

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Ilustración 3: Clasificador de los semiconductores de potencia.

Diodos de potencia:

Tal como se puede observar en la imagen

derecha, un diodo conforma de dos terminales:
un cátodo y un ánodo. (Rashid, 1995)

Ilustración 2: Conformación de un diodo

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Por su parte, los diodos de potencia son de tres tipos: de propósito general, de alta
velocidad (o recuperación rápida), y de Schottky. Los diodos de propósito general, o
de aplicación general, se consiguen hasta para 6000 V Y4500 A, Y la capacidad de los
diodos de recuperación rápida puede llegar hasta 6000 V Y1100 A. El tiempo de
recuperación inversa varía entre 0.1 y 5 𝜇𝑠. Los diodos de recuperación rápida son
esenciales para una conmutación de alta frecuencia de los convertidores de potencia.
Los diodos de Schottky tienen bajo voltaje de estado activo (o de conducción) y un tiempo
de recuperación muy pequeño, de nanosegundos, en forma característica. La corriente
de fuga, o corriente de pérdida, aumenta al subir la capacidad de voltaje, y sus
capacidades se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando su voltaje de ánodo
es mayor que el del cátodo, y la caída de voltaje directo de un diodo de potencia es muy
pequeña, en el caso normal de 0.5 a 1.2 V. Si el voltaje del cátodo es mayor que el del
ánodo, se dice que el diodo está en modo de bloqueo. La figura 4 muestra diversas
configuraciones de diodos de propósito general, que caen básicamente en dos tipos. Uno
se llama de borne o montado en borne o en clavija y el otro se llama tipo disco, prensado,
o puck (este último es de disco de hockey). En uno del tipo montado en borne, el ánodo
o el cátodo pueden ser la clavija. (Rashid, 1995)

Ilustración 4: Diversas configuraciones de diodos de

uso general

Tiristores:
Un tiristor tiene tres terminales: un ánodo, un cátodo y una compuerta. Cuando se hace
pasar una corriente pequeña por la terminal de la compuerta, hacia el cátodo, el tiristor
conduce siempre que la terminal del ánodo tenga mayor potencial que el cátodo. Los
tiristores se pueden dividir en once tipos: a) tiristor conmutado forzado, b) tiristor
conmutado por línea, e) tiristor de abertura de compuerta (GTO, de sus siglas en inglés
gate-turn-off thyristor), d) tiristor de conducción inversa (RCT, de sus siglas en inglés
reverse-conducting thyristor), e) tiristor de inducción estática (SITR, de sus siglas en
inglés static induction thyristor), f) tiristor de abertura de compuerta asistida (GATT, de
sus siglas en inglés gate-assisted turn-off thyristor), g) rectificador foto activado
controlado de silicio (LASCR, de sus siglas en inglés light-activated silicon-controlled
rectifier (LASCR), h) tiristor abierto por MOS (MTO, por sus siglas en inglés MOS turn-
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off), i) tiristor abierto por emisor (ETO, por sus siglas en inglés emitter turn-off), j) tiristor
conmutado por compuerta integrada (IGCT, por sus siglas en inglés integrated gate-
commutated thyristor) y k) tiristores controlados por MOS (MCT, por sus siglas en inglés
MOS-controlled thyristor). Una vez que un tiristor está en modo de conducción, el circuito
de la compuerta no tiene control, y el tiristor continúa conduciendo. Cuando un tiristor
está en modo de conducción, la caída de voltaje directo es muy pequeña, en forma
característica de 0.5 a 2 V. Un tiristor que conduce se puede apagar haciendo que el
potencial del ánodo sea igualo menor que el potencial del cátodo. (Rashid, 1995)
Los tiristores conmutados por línea se apagan (o desactivan o bloquean) debido a la
naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores de conmutación forzada se
apagan con un circuito adicional, llamado circuito de conmutación. La figura 1.5 muestra
diversas configuraciones de tiristores con control de fase (o conmuta dos por línea):
borne, disco, plano y clavija. (Rashid, 1995)

Ilustración 5: Diversas configuraciones de Tiristores

Los tiristores naturales, o conmutados por línea se consiguen con capacidades hasta
6000 V, 4500 A. El tiempo de abertura de los tiristores de alta velocidad y bloqueo inverso
ha mejorado bastante, y es posible tener de 10 a 20 𝜇𝑠 en un tiristor para 3000 V y 3600
A. El tiempo de abertura se define como el intervalo de tiempo entre el instante en el que
la corriente principal baja a cero después de una interrupción externa del circuito de
voltaje principal, y el instante cuando el tiristor es capaz de sostener un voltaje principal
de respaldo especificado sin encenderse. (Rashid, 1995)
Los RCT y los GATT se usan mucho para conmutación de alta velocidad, en especial en
aplicaciones de tracción. Se puede considerar que un RCT es un tiristor con un diodo
inverso en paralelo. Estos diodos se consiguen hasta para 4000 V, 2000 A (y 800 A en
conducción inversa) con un tiempo de conmutación de 40 𝜇𝑠. Los GATT se consiguen
hasta para 1200 V, 400 A, con una velocidad de conmutación de 8 𝜇𝑠. Los LASCR, que
se consiguen hasta para 6000 V, 1500 A, con una rapidez de conmutación de 200 a 400
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𝜇𝑠, son adecuados para sistemas de potencia de alto voltaje, en especial los de corriente
directa de alto voltaje. Para aplicaciones en C.A de baja potencia, se usan mucho los
TRIAC en todos los tipos de controles sencillos de temperatura, de iluminación, de
motores y en los interruptores de C.A. Las características de los TRIAC se parecen a las
de dos tiristores conectados en paralelo inverso, que sólo tienen una terminal de
compuerta. El flujo de corriente por un TRIAC se puede controlar en cualquier dirección.
(Rashid, 1995)
Los GTO y los SITH son tiristores de auto abertura. Se encienden (activan o
desbloquean) aplicando un pulso positivo corto a las compuertas, y se apagan por
aplicación de pulso negativo corto a las compuertas. No requieren circuito alguno de
conmutación. Los GTO son muy atractivos para la conmutación forzada de convertidores,
y se consiguen hasta para 6000 V Y 6000 A. Se espera que los SITH, cuyas capacidades
pueden alcanzar 1200 V Y300 A, se apliquen en convertidores de potencia intermedia y
frecuencias de varios cientos de kilohertz, más allá del intervalo de frecuencias de los
GTO. La figura 5 muestra diversas configuraciones de GTO.
Un MTO es una combinación de un GTO y un MOSFET, que juntos superan las
limitaciones de capacidad de abertura del GTO. Su estructura es parecida a la de un
GTO y conserva las ventajas del GTO de alto voltaje (hasta 10 kV) y haya corriente (hasta
4000 A). Los MTO se pueden usar en aplicaciones de gran potencia, que van desde 1
hasta 20 MVA. Un ETO es un híbrido de MOS y GTO, que combina las ventajas tanto
del GTO como del MOSFET. El ETO tiene dos compuertas: una compuerta normal para
abertura y una con una serie de MOSFET para cerrado. SE han demostrado ETO con
capacidad de corriente hasta de 4 kA Y capacidad de voltaje hasta de 6 kV. (Rashid,
1995)
En un IGCT se integra un tiristor conmutado por compuerta (GCT) con un activador de
compuerta de tarjeta de circuito impreso. El GCT es un GTO con conmutación
permanente con un pulso de corriente de compuerta muy rápido y grande, tan grande
como la capacidad total de corriente, que toma toda la corriente del cátodo en el ánodo
en aproximadamente 1 𝜇𝑠 para asegurar un abierto rápido. En forma parecida a un GTO,
el IGCT se enciende aplicando a su compuerta la corriente de cerrado. El IGCT se apaga
por medio de una tarjeta de circuito activador de compuerta, de varias capas, que puede
suministrar un pulso de abertura de subida rápida (es decir, una corriente de 44 𝐾𝐴/𝜇𝑠
con sólo 20 V de voltaje entre compuerta y cátodo). Un MCT se puede "encender" con
un pulso pequeño de voltaje negativo a la compuerta MOS (con respecto a su ánodo), y
se puede "apagar" con un pequeño pulso de voltaje positivo. Es como un GTO, excepto
que la ganancia de abertura es muy alta. Los MCT se consiguen hasta 4500 V, 250 A.
(Rashid, 1995)

Transistores de potencia:
Los transistores de potencia son de cuatro clases: 1) BJT, 2) MOSFET de potencia, 3)
IGBT Y 4) SIT. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. En el
caso normal funciona como un interruptor en la configuración de emisor común. Mientras
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la base de un transistor NPN esté a mayor potencial que el emisor, y la corriente de la

base tenga el valor suficiente para activar el transistor en la región de saturación, el
transistor permanece cerrado, siempre que la unión de colector a emisor tenga la
polarización correcta. Los transistores bipolares de alta potencia se suelen usar en
convertidores de potencia con frecuencias menores que 10 kHz y se aplican bien en
capacidades hasta de 1200 V Y400 A. Las diversas configuraciones de los transistores
bipolares de potencia se ven en la figura 7. La caída directa de un transistor conductor
está en el intervalo de 0.5 a 1.5 V. Si se retira el voltaje de activación de la base, el
transistor permanece en modo de no conducción (o abierto). (Rashid, 1995)
Los MOSFET de potencia se usan en convertidores de potencia y se consiguen con
capacidades relativamente bajas de potencia de 1000 V Y100 A, en un intervalo de
frecuencia de varias decenas de kilohertz. Los diversos MOSFET de potencia, de
distintos tamaños, se muestra en la figura 6. Los IGBT son transistores de potencia de
voltaje controlado. En forma inherente, son más rápidos que los BJT, pero no tan rápidos
como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen características muy superiores de activación
y de salida que las de los BJT. Los IGBT son adecuados para alto voltaje, gran corriente
y frecuencias hasta de 20 kHz, y se consiguen hasta para 1700 V y 2400 A. (Rashid,
1995)
COOLMOS es una nueva tecnología para MOSFET de potencia con alto voltaje, e
implementa una estructura de compensación en la región vertical se deriva de un
MOSFET para mejorar la resistencia en estado cerrado. Tiene menor resistencia en
estado cerrado para el mismo paquete, en comparación con otros MOSFET. las pérdidas
por conducción son al menos cinco veces menores que las de la tecnología MOSFET
convencional. COOLMOS es capaz de manejar dos o tres veces más potencia de salida
en comparación con el MOSFET convencional en el mismo paquete. El área activa de
chip del COOLMOS es unas cinco veces menor que la de un MOSFET normal. La
resistencia de un COOLMOS de 600 V, 47 A es 70 𝑚Ω. Un SIT es un dispositivo de alta
potencia y alta frecuencia. En esencia, es la versión del tubo de vacío triodo, en estado
sólido, y se parece a un transistor de unión de efecto de campo (JFET, por sus siglas en
inglés junction field-effect transistor). Tiene posibilidades de poco ruido, poca distorsión
y alta potencia en alta audiofrecuencia. Los tiempos de cerrado y abertura son muy
cortos, de unos 20 𝜇𝑠. La característica de cerrado normal y el alto límite de caída en
estado cerrado limita sus aplicaciones para conversiones generales de potencia. La
capacidad de corriente de los SIT puede ser hasta de 1200 V, 300 A, Y la velocidad de
conmutación puede ser hasta de 100 kHz. Los SIT son más adecuados para aplicaciones
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de gran potencia en alta frecuencia (por ejemplo, amplificadores de audio, VHF/UHF

(muy alta frecuencia/ultra alta frecuencia) y de microondas. (Rashid, 1995)

Ilustración 7: Transistores NPN

Ilustración 6: MOSFET de potencia

Tabla 1: Características y símbolos de algunos dispositivos de potencia

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Características de control de los dispositivos de potencia:

Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden trabajar como conmutadores,
aplicando señales de control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base de
los transistores bipolares). La salida necesaria se obtiene haciendo variar el tiempo de
conducción de estos dispositivos de conmutación. La figura 8 muestra los voltajes de
salida y las características de control de los dispositivos conmutadores de potencia que
se usan en forma común. Una vez que un tiristor está en modo de conducción, la señal
de compuerta, de magnitud positiva o negativa, no tiene efecto, eso se ve en la figura
8a. Cuando un dispositivo semiconductor de potencia se encuentra en modo de
conducción normal, hay una caída de voltaje pequeña a través de él. En las formas de
onda de voltaje de salida de la figura 8, se consideran despreciables esas caídas de
voltaje.
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar con base en:
1. Cerrado y abertura no controlada (por ejemplo, diodo).
2. Cerrado controlado y abertura no controlada (por ejemplo, SCR).
3. Características controladas de cerrado y abertura (por ejemplo, BJT, MOSFET, GTO,
SITR, IGBT, SIT, MCT).
4. Necesidad de señal continua en compuerta (BJT, MOSFET, IGBT, SIT).
5. Necesidad de impulso en compuerta (por ejemplo, SCR, GTO, MCT).
6. Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (SCR, GTO).
7. Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT).
8. Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT).
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9. Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITR,
SIT, diodo)

Ilustración 8: Características de control de los dispositivos de conmutación de potencia.

Ilustración 9: Aplicaciones de los dispositivos de potencia

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Resultados y Conclusiones

A lo largo de esta respectiva investigación se analizaron y comprendieron los

componentes semiconductores de potencia, resaltando su respectiva clasificación de
manera ilustrativa y específica con la información referenciada desde fuentes
bibliográficas confiables.
Pudimos notar que dicha clasificación, además compone de una gran extensión, que
inclusive, de manera física son configurados variadamente, es decir, fabricados de
diferente forma, y con características diferentes de acuerdo a la aplicación.
Retomando brevemente la información, primero definimos que los semiconductores de
potencia son elementos capaces de trabajar con la potencia eléctrica, así como también
la respectiva rectificación de un circuito.
Las clasificamos de una forma especial: diodos de potencia, tiristores, y transistores. Sin
embargo, cuando hacemos una clasificación más específica, formalizamos lo siguiente:
diodos de potencia, tiristores transistores de unión bipolar, transistores de efecto de
campo de óxido de metal semiconductor, los transistores bipolares de compuerta aislada
y transistores de compuerta estática.
Como pudimos observar en el desarrollo de la investigación, cada una de esta
clasificación las diferenciamos de acuerdo a su capacidad de corriente/voltaje, frecuencia
máxima, tiempo de conmutación y resistencia en estado cerrado.
De acuerdo a sus valores en base a las indicaciones anteriores, son capaces de cumplir
una función específica en un circuito convencional.
Por supuesto, estos elementos fueron identificados con imágenes en su diferente forma
de fabricación y su respectiva simbología, útil para reconocerlos en las prácticas en la
que se deban construir circuitos.

Bibliografía

Benavent García , J. M., Abellán García, A., & Figueres Amorós, E. (s.f.). Electrónica de
Potencia. Teoría y aplicaciones. Alfaomega.
Ing. Mónica L. González, P. A. (s.f.). Dispositivos Electrónicos A y B. Obtenido de
Dispositivos semiconductores de potencia: http://orga.blog.unq.edu.ar/wp-
content/uploads/sites/71/2015/06/Dispositivos-de-potencia.pdf
Rashid, M. H. (1995). Electrónica de Potencia. Circuitos, dispositivos y aplicaciones.
Estado de México: Pearson Educación .
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Anexos

Tabla de capacidades de dispositivos semiconductores de potencia