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Escuela Politécnica Nacional

Práctica Nº3
DISEÑO DE AMPLIFICADOR
MULTIETAPA CON ACOPLAMIENTO
CAPACITIVO
Stefani Karolina Goyes Piarpuezán.

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica.


Escuela Politécnica Nacional
stefani.goyes@epn.edu.ec

Resumen- Este documento se ha realizado con el fin de


comprobar el funcionamiento de amplificador emisor común y
amplificadores monoetapa con operacionales, este trabajo
preparatotio consta con la información para realizar la practica
correctamente.

I. TEMA
DISEÑO DE AMPLIFICADORES MULTIETAPA CON
ACOPLAMIENTO CAPACITIVO

II. OBJETIVOS
2.1. Analizar, diseñar e implementar un amplificador multietapa
con acoplamiento capacitivo.

III. TRABAJO PREPARATORIO

Figura 2. Análisis numérico del circuito de la figura 1


A. Determinar numéricamente y dibujar en papel
milimetrado la forma de onda del voltaje de salida Vo y
voltaje de entrada Vin del circuito de la Figura 1 (B=100 para
todos los transistores).

Figura 3. Simulación en Proteus del circuito multietapa de la


figura 1

Figura 4. Forma de onda de entrada (amarillo) y salida (azul),


obtenidas a partir de la simulación de la figura 1
Escuela Politécnica Nacional

Vo= Vin * AV
VC 13.8 v IE 7.10 mA
Vo= 150 mV * (- 13.37)
Vo= 2 V
VCE 10.3

B. Diseñar un amplificador multietapa (EC-EC) con


acoplamiento capacitivo para que cumpla con las siguientes
condiciones:
IV. REFERENCIAS
frecuencia = 1 [KHz] [1] BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS,
Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, 8ª.ed,
ANEXO 1 y 2 Ed. PEARSON EDUCACIÓN, México, 2003

C. Realizar la simulación del circuito diseñado, presentar las


formas de onda de entrada, salida, y las formas de onda en
todos los terminales del TBJ.
ANEXOS

D. Presentar una tabla con las mediciones de valores en DC


del circuito diseñado para poder compararlos durante el
desarrollo de la práctica.

PRIMERA ETAPA ANEXO 1. Diseño segunda etapa


VB 7.86 v IB 4.33 uA

VE 7.18 v IC 1.3 mA

VC 19.4 v IE 1.31 mA

VCE 12.2 v

SEGUNDA ETAPA
VB 4.17 v IB 26.6 uA

VE 3.44 v IC 7.08 mA
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ANEXO 2. Diseño primera etapa

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