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O Transistor de Efeito de Campo

Aula 1

Prof. Seabra
PSI/EPUSP
4

Eletrônica II – PSI3322
Programação para a Primeira Prova
Aula Data Matéria Capítulo/página Teste
1 02/08 Estrutura e operação dos transistores de efeito de campo Sedra, Cap. 4
canal n, características tensão-corrente. p. 141-146
2 04/08 Dedução da equação de corrente do MOSFET canal n, Sedra, Cap. 4
resistência de saída na saturação, Exemplo 4.1. p. 146-155
3 09/08 Características do MOSFET canal p, efeito de corpo, Sedra, Cap. 4
sumário, exercícios. p. 155-159
4 11/08 Polarização cc. Exemplos 4.2, 4.5 e 4.6 Sedra, Cap. 4 Teste 01
O MOSFET como amplificador e como chave (apenas p. 160-165 (11h10)
destacar a curva de transferência)
5 16/08 O MOSFET como amplificador, modelo equivalente de Sedra, Cap. 4
pequenos sinais, Exemplo 4.10. p. 175-184
6 18/08 Configurações básicas de estágios amplificadores MOS. Sedra, Cap. 4 Teste 02
Conceituação. Configuração fonte comum. p. 185-191 (11h10)
7 23/08 Amplificador fonte comum com resistência de fonte. p. 191-193
8 25/08 Resposta em baixa frequência do fonte comum Sedra, Cap. 4 Teste 03
p. 206-208 (11h10)
9 30/08 Resposta em alta frequência do fonte comum Sedra, Cap. 4
p. 203-206
10 01/09 Projeto Amplificador de pequenos sinais MOS para Avulso Teste 04
experimento 06 de lab de eletrônica. Amplificador MOS (11h10)
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porta comum
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Semana da Pátria (04/09 a 08/09/2017) 5

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1ª Aula:
O Transistor de Efeito de Campo (FET)

Ao final desta aula você deverá estar apto a:


• Contar um pouco da história do transistor de efeito de campo (FET)
• Explicar porque empregamos os nomes “MOSFET canal n” ou “MOSFET
canal p”
• Mostrar o princípio de funcionamento do FET tipo MOS
• Explicar o comportamento da corrente de dreno em um gráfico
corrente de dreno em função da tensão dreno-fonte
• Identificar as regiões triodo e de saturação, mostrando onde o
transistor MOSFET possui uma relação ôhmica entre ID e VDS
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Transistores de Efeito de Campo


(FET – Field Effect Transistors)

•JFET (Junction)

•MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor)

•MESFET (MEtal-Semiconductor)
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O Primeiro Transistor

O físico Julius Edgar Lilienfeld patenteou o transistor em


1925, descrevendo um dispositivo similar ao transistor de
efeito de campo (FET). No entanto, Lilienfeld não publicou
nenhum artigo científico sobre sua descoberta nem a patente
cita nenhum dispositivo construído.
Em 1934, o inventor alemão Oskar Heil patenteou um
dispositivo similar.

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A patente do Primeiro Transistor (1925)

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A patente do Primeiro Transistor (1925)

Metal Semicondutor
Metal

vidro

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Transistor NMOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, canal N, tipo Enriquecimento)
IDS
Porta
Porta
(G-Gate)
VDS Fonte (G-Gate) Dreno
Fonte
(S-Source) Metal Dreno
(D-Drain)
VGS (S-Source) Metal
Óxido (D-Drain)
Óxido
N+ Sem. N+
N+ Sem. N+
P
P

Substrato
Substrato
(B-Body)
(B-Body)
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Transistor NMOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, canal N, tipo Enriquecimento)
VDS
IDS
Metal VGS W
(condutor) Óxido de porta
(isolante)
IDS
Porta xox

N+ L N+
VGS Fonte Dreno
P
Substrato (ou Corpo)
W  1 2 
iD = μn Cox (vGS − Vt )v DS − 2 v DS 
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Transistor - NMOSFET
W

Alumínio Porta
Porta
N+
DrenoFonte
(D)
L N+
Dreno (G)
P

Substrato (ou Corpo) Alumínio

Fonte Dreno
(S) (D)

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Lei de MOORE
(≈dobra a quantidade de transistores a cada 18 meses)

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Lei de MOORE
W

Alumínio Porta

N+
DrenoFonte L N+
Dreno
(D)
P
micron

Substrato (ou Corpo)

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O Transistor FET moderno
FET tecnologia 65nm

Lporta = 35 nm
tox = 1.2 nm
μn = Silício tensionado de 2ª geração
Ron = NiSi para baixa resistência parasita

W  1 2 
iD = μn Cox (vGS − Vt )v DS − 2 v DS 
L  
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Transistor NMOSFET : Região de Corte

Fonte Porta (VGS)


Metal Dreno (VDS )
Isolante

N N
P

L
Substrato (VB)

1: Se a Fonte e o Substrato estiverem aterrados, não haverá corrente na junção Fonte-Substrato.


2: Se a tensão aplicada no dreno for positiva, a junção dreno-substrato estará reversamente
polarizada, e portanto não haverá corrente significativa nestes terminais.
3: A porta é isolada do substrato.
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 Nesta condição não haverá corrente fluindo em nenhum dos terminais.
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Testando o comportamento do Transistor NMOSFET
VDS ≈ 100mV e VGS=0 pequeno ≈ 100mV

VGS =0 → ID = 0,
Transistor no Corte

– – –

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Transistor NMOSFET, VDS ≈ 100mV e aplicando VGS


ID = 0, Transistor no Corte
pequeno ≈ 100mV

< Vt (tensão de limiar,


ou threshold)

– – –

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Transistor NMOSFET, VDS ≈ 100mV e aplicando VGS
VGS > Vt, há canal,
ID ≠ 0, Transistor conduz
pequeno ≈ 100mV

> Vt (tensão de limiar,


ou threshold)

camada de
inversão
camada de
depleção

– – –

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Transistor NMOSFET, aplicando VGS


(Pensando no MOSFET como um Resistor)

> Vt

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Transistor NMOSFET, aplicando VGS

VGS > Vt, há canal,


ID ≠ 0, Transistor conduz

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RDS = ρ
> Vt W .tsi

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Aplicando um pequeno valor de VDS (0~200mV)


e mantendo VGS constante
(canal comportamento ≈ resistivo)
Vt + 4V
Vt + 3V VDS pequeno variando de 0 a 200mV
Vt + 2V
Vt + 1V
ID

N N
P

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Transistor NMOSFET, aplicando VGS > Vt e VDS > 200mV
VGS > Vt e VDS > 200mV,
ID ≠ 0, Transistor conduz, mas...
>> 100mV

> Vt

– – –

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A operação Vt + 3V VDS >100mV

com o Aumento de VDS 2V


=VGS-Vt
3V

Vt + 3V
VDS pequeno ≈100mV N N
P
N N
P

3V VGS-Vt
2V
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VDS<100mV
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Transistor NMOSFET, aplicando VGS > Vt e VDS > VGS - Vt
VGS > Vt e VDS > VGS - Vt

> VGS - Vt

> Vt

– – –

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Transistor NMOSFET, aplicando VGS > Vt e VDS > VGS - Vt


> VGS - Vt

VGS > Vt e
>
VDS > VGS - Vt Vt

– – –

W 1 2 
iD = μn Cox (vGS − Vt )v DS − v DS
L  2 

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Assim:
Aplicando um pequeno valor de VDS (VDS < 100~200 mV)
(região triodo com comportamento ≈ resistivo)

N N
P

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Vamos adotar comportamento resistivo para VDS < 100mV

A operação com o
Aumento de VDS
(região triodo mas
100mV < VDS ≤ VGS - Vt ) N N
P
Figura 5.5

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Resumindo a Região Triodo

(VDS ≤ 100 mV) 100mV < VDS ≤ VGS − Vt

N N
P

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