INSTITUTO TECNOLÓGICO DEL ISTMO

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 INDICE
UNIDAD1: DIODOS .......................................................................................................... 3

1.1 CONSTRUCCIÓN DE UN DIODO ........................................................................ 4

1.1.1 SEMICONDUCTORES CONTAMINADOS P Y N .............................................. 5

1.1.2 UNIÓN PN .......................................................................................................... 6

1.2 TIPOS DE DIODOS ............................................................................................ 10

1.3 APLICACIONES DEL DIODO ............................................................................. 12

1.3.1 CIRCUITOS RECORTADORES ...................................................................... 12

1.3.2 REGULACIÓN CON DIODO ZENER ............................................................... 15

1.4 REGULADORES DE VOLTAJE CON CIRCUITO INTEGRADO......................... 17

1.5 CONSTRUCCIÓN DE UNA FUENTE REGULADA............................................. 18

BIBLIOGRAFÍA............................................................................................................... 23

NOTA ............................................................................................................................. 24

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 UNIDAD1: DIODOS

Es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente

eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa para referirse al
diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de cristal
semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya no
se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo de vacío con dos electrodos: una
lámina como ánodo, y un cátodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y
por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido
a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces
de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos
de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas termoiónicas
constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar
al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose
Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas
Alva Edison.
Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a
través del cual circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está tratado con
óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante los cuales son
conducidos electrostáticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada
positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción. Evidentemente, si el cátodo no se
calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón, los circuitos que utilizaban válvulas de vacío
requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las válvulas
se quemaban con mucha facilidad.

Principio de operación de un diodo

El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo
P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones). Cuando una tensión positiva se aplica al
lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los
electrones fluyen a través del material P más allá de los límites del semiconductor. De igual

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manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa al lado del material
N y los huecos fluyen a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los
electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado
P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no
hay corriente.

1.1 CONSTRUCCIÓN DE UN DIODO

Para la construcción de diodos se utilizan materiales semiconductores, como el silicio o el

Germanio que en su estado puro se denominan semiconductores de carbón. Para conseguir los
efectos deseados, éstos semiconductores se dopan con impurezas obteniéndose así dos tipos
de semiconductores extrínsecos.

Semiconductores tipo n: Se añaden átomos de valencia 5 (fósforo, arsénico.antinomio)

con o que al combinarse con el silicio queda un electrón libre por cada átomo pentavalente

Semiconductores tipo p: Se añaden átomos de valencia 3 (boro, galio) con lo que al

combinarse con el silicio queda un hueco por cada átomo trivalente que
se comporta como una carga positiva.

Los diodos termoiónicos: son dispositivos de válvula termoiónica

(también conocida como tubo de vacío), que consisten en un arreglo de
electrodos empacados en un vidrio al vacío. Los primeros modelos eran
muy parecidos a la lámpara incandescente.
Fig. del funcionamiento
En los diodos de válvula termoiónica, una corriente a través del filamento de un diodo termoiónico.
que se va a calentar calienta indirectamente el cátodo, otro electrodo interno tratado con una
mezcla de Bario y óxido de estroncio, los cuales son óxidos alcalinotérreos; se eligen estas
sustancias porque tiene una
pequeña función de trabajo (algunas válvulas usan calentamiento directo, donde un filamento de
tungsteno actúa como calentador y como cátodo). El calentamiento causa emisión termoiónica
de electrones en el vacío. En polarización directa, el ánodo estaba cargado positivamente por lo
cual atraía electrones. Sin embargo, los electrones no eran fácilmente transportados de la
superficie del ánodo que no estaba caliente cuando la válvula termoiónica estaba en
polarización inversa. Además, cualquier corriente en este caso es insignificante.
En la mayor parte del siglo xx, los diodos de válvula termoiónica se usaron en aplicaciones de

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señales análogas, rectificadores y potencia. Actualmente, los diodos de válvula solamente se
usan en aplicaciones exclusivas como rectificadores en guitarras eléctricas, amplificadores de
audio, así como equipo especializado de alta tensión.
Diodo semiconductor: Se colocan dos materiales semiconductores
con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es
semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de
partículas negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo
semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de
cargas negativas
Cuando se aplica un voltaje de paralización directa (voltaje de Fig. de un diodo semiconductor

corriente directa) la región iónica en la unión se reduce y los portadores negativos en el material
tipo n pueden superar la barrera negativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el
potencial aplicado.

1.1.1 SEMICONDUCTORES CONTAMINADOS P Y N

Tipo N: En este caso se contamina el material con átomos de valencia

5, como son Fósforo (P), Arsénico (As) o Antimonio (Sb). Al
introducirlos, fuerzo al quinto electrón de este átomo a vagar por el
material semiconductor, pues no encuentra un lugar estable en el que
situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama electrones
mayoritarios. Al material tipo N se le denomina también donador de
electrones. Fig. de material tipo N

Tipo P: En este caso se contamina el material semiconductor con

átomos de valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si se
introduce este átomo en el material, queda un hueco donde debería ir un
electrón. Este hueco se mueve fácilmente por la estructura como si
fuese un portador de carga positiva. En este caso, los huecos son
portadores mayoritarios. Al material tipo P se le denomina donador de
huecos (o aceptador de electrones). Fig. de material tipo P

Resumen: Los semiconductores tipo N tienen exceso de portadores de carga negativos

(electrones) y los semiconductores tipo P tienen exceso de portadores de carga positiva
(huecos).

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1.1.2 UNIÓN PN

Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos

comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Está formada
por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se
fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos
tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas,
normalmente con algún otro metal o compuesto químico. Es la base del funcionamiento de la
energía solar fotovoltaica.

 Silicio puro o intrínseco

 Silicio extrínseco tipo P
 Silicio extrínseco tipo N
 Barrera interna de potencial
 Polarización directa de la unión PN
 Polarización inversa de la unión PN
 Véase también
 Enlaces externos

 Silicio puro o intrínseco

Malla cristalina de silicio puro.

Los cristales de Silicio están formados a nivel atómico por una malla cristalina basada en
enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de valencia del átomo de Silicio.
Junto con esto existe otro concepto que cabe mencionar: el de hueco. Los huecos, como su
nombre indica, son el lugar que deja un electrón cuando deja la capa de valencia y se convierte
en un electrón libre. Esto es lo que se conoce como pares electrón hueco y su generación se
debe a la temperatura (como una aplicación, al caso, de las leyes de la termodinámica) o a la luz
(efecto fotoeléctrico). En un semiconductor puro (intrínseco) se cumple que, a temperatura
constante, el número de huecos es igual al de electrones libres.

 Silicio extrínseco tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, sustituyéndole
algunos de los átomos de un semiconductor intrínseco por átomos con menos electrones de
valencia que el semiconductor anfitrión, normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la
capa de valencia (normalmente boro), al semiconductor para poder aumentar el número de

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portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos).El propósito del dopaje tipo P es el
de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, una impureza trivalente deja un enlace
covalente incompleto, haciendo que, por difusión, uno de los átomos vecinos le ceda un electrón
completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está
asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene
eléctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red,
un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga
positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan
ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo
P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
 Silicio extrínseco tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto

tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la capa de valencia,
al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso,
negativos, electrones libres).Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones
más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
también conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus electrones al
semiconductor.

El propósito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres en el material.

Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo N considérese el caso del silicio (Si).
Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones
de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o
antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese
átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como
resultado la formación de electrones libres, el número de electrones en el material supera
ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y
los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de
valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donantes. Nótese que cada

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electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el
material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.

 Barrera interna de potencial

Formación de la zona de la barrera interna de potencial.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).Al
establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión,
zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga
espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexión, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va incrementando su

anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación
de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E)
que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de
desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las
zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los
cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de
0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de
carga espacial es mucho mayor.

 Polarización directa de la unión PN

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la

zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de
electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.

Se produce cuando se conecta el polo positivo de una batería a

la parte P de la unión P - N y el negativo a la N. En estas
condiciones podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres

Fig. Polarización directa del diodo p-n
del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la
unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la

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 energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se
desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en
el hilo conductor y llega hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones
de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante
hasta que la batería se consume.

 Polarización inversa de la unión PN

Polarización inversa del diodo PN.

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a

la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en
dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión
de la batería, tal y como se explica a continuación:

· El polo positivo de la batería atrae a los

electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual
se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los átomos
Fig. Polarización inversa del diodo p-n
pentavalentes que antes eran neutros, al verse
desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones
en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo
que se convierten en iones positivos.
· El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que
han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones
de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los
electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos
con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de
valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
·

pág. 9
1.2 TIPOS DE DIODOS

Diodos detectores: también denominados diodos de

señal o de contacto puntual, están hechos de germanio y
se caracterizan por poseer una unión PN muy diminuta.
Fig. del símbolo diodo detector Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con
señales pequeñas. Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la componente
de alta frecuencia (portadora) de la componente de baja frecuencia (información audible). Esta
operación se denomina detección.

Diodos rectificadores: son aquellos dispositivos

semiconductores que solo conducen en polarización
directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no
Fig. del símbolo diodo rectificador conducen. Estas características son las que permite a
este tipo de diodo rectificar una señal. Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de
corriente y el voltaje en inverso que pueden soportar. Los diodos, en general se identifican
mediante una referencia. En el sistema americano, la referencia consta del prefijo “1N” seguido
del número de serie, por ejemplo: 1N4004. La “N” significa que se trata de un semiconductor, el
“1” indica el número de uniones PN y el “4004” las características o especificaciones exactas del
dispositivo. En el sistema europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo:
BY254. En este caso, la “B” indica el material (silicio) y la “Y” el tipo (rectificador). Sin embargo
muchos fabricantes emplean sus propias referencias, por ejemplo: ECG581.

Diodo zener: es un semiconductor que se distingue

por su capacidad de mantener un voltaje constante en
sus terminales cuando se encuentran polarizados
Fig. del símbolo diodo zener inversamente, y por ello se emplean como elementos
de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4
voltios hasta 200 voltios. El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo
normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V. Los diodos zener se identifican por una
referencia, como por ejemplo: 1N3828 ó BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje
zener nominal (VZ) y la potencia máxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse
(PZ).

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 Diodo varactor: también conocido como diodo varicap
o diodo de sintonía. Es un dispositivo semiconductor
Fig. del símbolo del diodo varactor que trabaja polarizado inversamente y actúan como
condensadores variables controlados por voltaje. Esta característica los hace muy útiles como
elementos de sintonía en receptores de radio y televisión. Son también muy empleados en
osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta
frecuencia. Una variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de
UHF y microondas.

Diodo emisor de luz: Es un diodo que entrega luz al

aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinación de huecos y
Fig. del símbolo del diodo emisor de electrones cerca de la unión NP; si este se ha
luz
polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul
dependiendo de su composición.

Diodos láser: también conocidos como láseres de

inyección o ILD’s. Son LED’s que emiten una luz
monocromática, generalmente roja o infrarroja,
Fig. del símbolo del diodo láser fuertemente concentrada, enfocada, coherente y
potente. Son muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer discos
compactos (CD’s) que contienen datos, música, películas, etc., así como en sistemas de
comunicaciones para enviar información a través de cables de fibra óptica. También se emplean
en marcadores luminosos, lectores de códigos de barras y otras muchas aplicaciones.

Fotodiodos: son diodos provistos de una ventana

transparente cuya corriente inversa puede ser
controlada en un amplio rango regulando la cantidad de
Fig. del símbolo del fotodiodo
luz que pasa por la ventana e incide sobre la unión PN. A mayor cantidad de luz incidente,
mayor es la corriente inversa producida por que se genera un mayor número de portadores
minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas de
iluminación, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones
ópticas y otras aplicaciones.

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 Diodos Schottky: también llamados diodos de
recuperación rápida o de portadores calientes, están
hechos de silicio y se caracterizan por poseer una
Fig. del símbolo diodo schottky caída de voltaje directa muy pequeña, del orden de
0.25 V o menos, y ser muy rápidos. Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales y
equipos de alta frecuencia.
Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales tienen un voltaje de conducción
prácticamente igual a cero, pero también un voltaje inverso de ruptura muy bajo, lo cual lo limita
su uso a aplicaciones muy especiales.

1.3 APLICACIONES DEL DIODO

Desde el inicio del empleo de las antiguas válvulas termoiónicas de tipo diodo en los circuitos
electrónicos analógicos hasta los diodos de estado sólido utilizados en la actualidad, su principal
función ha sido “rectificar” corrientes alternas para convertirlas en directa (C.D.) y “detectar”
corrientes de alta frecuencia (A.F.) o radiofrecuencia (R.F.) para reconvertirlas en audibles.

Fig. Rectificador de C.A a C.D

1.3.1 CIRCUITOS RECORTADORES

Un limitador o recortador es un circuito que, mediante el uso de resistencias y diodos, permite

eliminar tensiones que no nos interesa que lleguen a un determinado punto de un circuito.
Mediante un limitador podemos conseguir que a un determinado circuito le lleguen únicamente
tensiones positivas o solamente negativas, no obstante esto también puede hacerse con un sólo
diodo formando un rectificador de media onda, de forma que nos vamos a centrar en un tipo de
limitador que no permite que a un circuito lleguen tensiones que podrían ser perjudiciales para el
mismo.

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Recortador de diodo paralelo
En la figura siguiente se muestra el circuito y la forma de onda obtenida a la salida del mismo.
Como se observa la señal de entrada es una señal sinusoidal y el circuito cuenta con una
resistencia, un diodo en serie con una fuente polarizado en inversa y una R de carga. Cuando
el voltaje de la fuente se hace mayor que la suma del voltaje de la fuente y el voltaje umbral de
conducción del diodo, el diodo se polariza en directa y obtenemos la forma de onda mostrada.

Fig. Recortador de diodo paralelo

Recortador sin polarizar: Imaginemos que en un caso como en el de la figura, no nos interesa
que al circuito que estamos protegiendo (en este caso el elemento que vamos a proteger es la
resistencia de carga RL) le lleguen tensiones superiores a 0.7 V, tanto positivos como negativos.
Montando los dos diodos y la resistencia limitadora como se vé en la figura, nosotros
conseguimos que cualquier tensión que exceda de 0.7 V o disminuya de -0.7 V, se vea
recortada por los diodos. Estos 0.7 V de los que hablamos son la barrera de potencial del diodo.
Hay que tener en cuenta que la resistencia limitadora (Rlim) es mucho menor que la resistencia
de carga (RL), de este modo la tensión que cae en la resistencia limitadora es prácticamente
nula y podemos despreciarla.
Aunque la resistencia limitadora pueda parecer innecesaria, es importante entender que en
realidad es parte imprescindible del limitador, ya que si no estuviera conectada, al polarizarse
uno de los diodos directamente (los dos diodos no pueden estar polarizados directamente al
mismo tiempo), este comenzaría a conducir la corriente eléctrica sin control y se destruiría.
Como su propio nombre indica, la resistencia limitadora tiene como función limitar la corriente
que atraviesa los diodos.
De este modo, si la tensión de entrada supera por cualquier motivo los 0.7 V el diodo D1
quedará polarizado directamente y recortará el exceso de tensión. De igual forma, cuando la
tensión de entrada disminuya de -0.7 V, el diodo D2 quedará polarizado directamente y recortará
el exceso de tensión que podría dañar nuestra carga.

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 Fig. Circuito recortador sin polarizar

Recortador polarizado: Muchas veces no nos interesa que los diodos recorten las tensiones de
entrada a los 0.7 V o a los -0.7 V. Por ejemplo, puede que lo que estemos buscando es que a la
entrada no le lleguen tensiones superiores a los 10 V o inferiores a los -10 V (estas tensiones
son aleatorias, nosotros elegimos las que más nos interesen), en ese caso no podemos usar el
circuito antes mencionado, ahora necesitamos un limitador polarizado. La única diferencia
respecto al anterior limitador es que en este caso vamos a polarizar los diodos con baterías, a
fin de que sea necesaria una tensión de entrada mayor que 0.7 V para que los diodos se
polaricen directamente.
Si lo que buscamos es que la tensión en la carga no sea mayor de 10 V ni inferior de -10 V,
montaremos el siguiente circuito.

Fig. Circuito recortador polarizado

Veamos cómo funciona el circuito:

 Cuando la tensión de entrada se mantiene dentro de sus límites normales, esto es, entre
10 V y -10 V, ninguno de los diodos hace nada.
 En el momento en que la tensión es superior a los 10.7 V (los 10 V de la batería más los
0.7 V de la barrera de potencial del diodo), el diodo D1 queda polarizado directamente y
empieza a conducir, de esta forma no permite que la tensión en la carga aumente.
 Si la tensión de entrada disminuye de los -10.7 V, en este caso es el diodo D2 el que se
polariza directamente y comienza a conducir, no permitiendo que la tensión en la carga
disminuya hasta niveles peligrosos.

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Hay que destacar que en lugar de baterías, también podrían conectarse diodos zener
polarizados inversamente cuya tensión Zener fuera igual a la de las baterías que necesitamos
colocar. Además las dos baterías o diodos zener no tienen por qué tener el mismo potencial,
todo depende de qué niveles de tensión queramos proteger el circuito.
Formas de ondas
Ahora estudiaremos más a fondo qué es lo que hace el limitador estudiando las distintas formas
de onda de la tensión en la entrada y en la carga, en el caso concreto en el que nuestra carga
no soporta tensiones mayores de 10 V o menores de -10 V.

Fig. 1 Fig Forma de la onda al recortar

Imaginemos que alimentamos el circuito con una tensión de entrada Vi senoidal de 30 V

eficaces, en el figura 1 es la línea sinusoidal de color verde. Esta tensión de entrada tiene picos
cuyo valor alcanza los 42 y -42 V respectivamente. El caso es que si estos valores de tensión
llegaran a la carga esta quedaría dañada o se destruiría. Para evitar que esto ocurra,
conectamos la resistencia limitadora, los diodos y las baterías o diodos zener, como hemos visto
antes.

1.3.2 REGULACIÓN CON DIODO ZENER

El diodo zener se puede utilizar para regular una fuente de voltaje. Este semiconductor se
fabrica en una amplia variedad de voltajes y potencias. Estos van desde menos de 2 voltios
hasta varios cientos de voltios, y la potencia que pueden disipar va desde 0.25 watts hasta 50
watts o más.
La potencia que disipa un diodo zener es simplemente la multiplicación del voltaje para el que
fue fabricado por la corriente que circula por él. Pz = Vz x Iz. Esto significa que la máxima
corriente que puede atravesar un diodo zener es: Iz = Pz/Vz. (en amperios). Dónde:
 Iz = Corriente que pasa por el diodo Zener
 Pz = Potencia del diodo zener (dato del fabricante)
 Vz = Voltaje del diodo zener (dato del fabricante)

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Ejemplo: La corriente máxima que un diodo zener de 10 Voltios y 50 Watts puede aguantar,
será: Iz = Pz/Vz = 50/10 = 5 amperios.

Fig. regulador de voltaje

El cálculo del resistor Rs está determinado por la corriente que pedirá la carga (lo que vamos a
conectar a esta fuente de voltaje). Ver esquema del regulador de voltaje con diodo zener, con el
resistor Rs conectado entre Vin y el cátodo del zener. Este resistor se puede calcular con la
siguiente fórmula: Rs = [Venmin - Vz]/1.1 x ILmáx., donde:
 Ven (min): es el valor mínimo del voltaje de entrada. (Acordarse que es un voltaje no
regulado y puede variar)
 IL (max): es el valor de la máxima corriente que pedirá la carga.
Una vez conocido Rs, se obtiene la potencia máxima del diodo zener, con ayuda de la siguiente
fórmula: PD = [[ Venmin-Vz ] / Rs-ILmin] x Vz
EJEMPLO:
Una fuente de voltaje de 15 voltios debe alimentar una carga con 9 Voltios, que consume una
corriente que varía entre 200 y 350 mA. (miliamperios). Se escoge un diodo zener de 9.1 voltios
(muy cercano a 9 voltios y….
 Cálculo de Rs: Rs = (15-9.1) / (1.1×0.35) = 15 ohms
 Cálculo de la potencia del diodo zener: PD = [(15 - 9.1) / 15] x 9.1 = 3.58 watts.
Como no hay un diodo zener de 3.58 Vatios, se escoge uno de 5 vatios que es el más cercano.
 Potencia de Rs: Un cálculo adicional es la potencia del resistor Rs. Este se hace con la
fórmula: P = I2 x R. Ver Potencia en una resistencia (ley de Joule)
Los datos actuales son: I (max) = 350 miliamperios = 0.35 amperios y Rs = 15 Ohmios.
Aplicando la fórmula, PRs = 0.352 x 15 = 1.84 Watts. Esto significa que a la hora de comprar
este resistor deberá ser de 2 Watts o más.

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1.4 REGULADORES DE VOLTAJE CON CIRCUITO INTEGRADO

Los reguladores de voltaje comprenden una amplia clase de C.I. utilizados. Estas unidades
contienen la circuitería para la fuente de referencia, el amplificador de error, el dispositivo de
control y la protección de sobre carga. Todas estas contenidas en una sola pastilla en el C.I.
Aunque la construcción interna es algo diferente que la que se describió para los reguladores de
voltaje discretos, la operación externa es prácticamente la misma. Examinaremos la operación
de algunos de los reguladores de voltajes fijos de 3 terminales tanto para voltajes positivos como
negativos y los que permiten tener un voltaje de salida ajustable.
Los reguladores de voltaje son usados para mantener una salida de voltaje predeterminada, a
pesar de las variaciones en la entrada de la fuente (voltaje AC) y a pesar también de las
variaciones que se puedan dar en la carga. El regulador de voltaje se inserta entre la carga y la
salida de la fuente sin regular:
Los reguladores de voltaje en circuitos integrados, simplifican considerablemente el diseño de
fuentes de poder, pues reemplazan a componentes tales como transistores y tubos al vacío.
Además, éstos poseen la ventaja de tener bajo precio, alto desempeño, tamaño pequeño y fácil
manejo.
Los circuitos integrados (reguladores de voltaje) tienen la ventaja de que proporcionan una
salida bastante estable, además limitan la corriente y tienen protección térmica.
Estos tipos de reguladores integrados ofrecen una amplia gama de variaciones y distintas
clasificaciones para el tipo de fuente que se desee implementar.
Regulador de voltaje en serie
El regulador en serie detecta un cambio en la salida de voltaje de la carga por medio de un
circuito de muestreo que suministra un voltaje de realimentación para ser comparado con una
referencia, así sí:
1. El voltaje de salida aumenta, el comparador hace que el elemento de control baje el voltaje
de salida.
2. Si el voltaje de salida disminuye el comparador indica al elemento de control que suba el
voltaje de salida.
Una fuente de suministro puede construirse en una forma simple utilizando un trasformador
conectado al suministro de C.A. para aumentar o disminuir el valor deseado, posteriormente
rectificándolo con un circuito de ½ onda u onda completa, filtrarlo para obtener el nivel de voltaje
deseado y finalmente regular el voltaje de C.C. utilizando un regulador de voltaje en C.I.

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 Fig. regulador de voltaje en C.I

1.5 CONSTRUCCIÓN DE UNA FUENTE REGULADA

Básicamente, una fuente de tensión consta de 4 partes:

1. El transformador
2. Circuito rectificador
3. Circuito de filtro
4. Regulador

-Circuito de Protección
*Muchas fuentes utilizan un circuito de protección el cual nos alerta si hay sobrecargas en el
circuito utilizando un diodo LED, su utilización no interfiere en ninguno de los procesos de la
fuente (transformación, rectificación, filtrado, regulación)

Fig. Circuito de protección

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 1. El transformador:
Permite aumentar o disminuir el voltaje y la intensidad de una corriente alterna de forma tal que
su producto permanezca constante (ya que la potencia que se entrega a la entrada de un
transformador ideal, esto es, sin pérdidas, tiene que ser igual a la que se obtiene a la salida)
manteniendo la frecuencia (60 Hz).
Están basados en el principio de inducción electromagnética y están constituidos, en su forma
más simple, por dos bobinas devanadas sobre un núcleo cerrado de hierro dulce. Estas bobinas
o devanados se denominan primarios y secundarios.

Fig. Transformador

Si se aplica una fuerza electromotriz alterna en el devanado primario, las variaciones de

intensidad y sentido de la corriente alterna crearán un campo magnético variable dependiendo
de la frecuencia de la corriente. Este campo magnético variable originará, por inducción, la
aparición de una fuerza electromotriz en los extremos del devanado secundario.
La relación entre la fuerza electromotriz inductora (Ep), la aplicada al devanado primario y la
fuerza electromotriz inducida (Es), la obtenida en el secundario, es directamente proporcional al
número de espiras de los devanados primario (Np) y secundario (Ns) .
Esta particularidad tiene su utilidad para el transporte de energía eléctrica a larga distancia, al
poder efectuarse el transporte a altas tensiones y pequeñas intensidades y por tanto pequeñas
pérdidas. Así, si el número de espiras (vueltas) del secundario es 100 veces mayor que el del
primario, si aplicamos una tensión alterna de 230 Voltios en el primario, obtendremos 23000
Voltios en el secundario (una relación 100 veces superior, como lo es la relación de espiras). A
la relación entre el número de vueltas o espiras del primario y las del secundario se le llama
relación de vueltas del transformador o relación de transformación.
Ahora bien, como la potencia aplicada en el primario, en caso de un transformador ideal, debe
ser igual a la obtenida en el secundario, el producto de la fuerza electromotriz por la intensidad
(potencia) debe ser constante, con lo que en el caso del ejemplo, si la intensidad circulante por
el primario es de 10 Amperios, la del secundario será de solo 0,1 amperios .

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2. Rectificador
Es el elemento o circuito que permite convertir la
corriente alterna en corriente continua. Esto se realiza
utilizando diodos rectificadores, ya sea
semiconductores de estado sólido, válvulas al vacío o
válvulas gaseosas como las de vapor de mercurio.
Dependiendo de las características de la alimentación
en corriente alterna que emplean, se les clasifica en
monofásicos, cuando están alimentados por una fase
de la red eléctrica, o trifásicos cuando se alimentan por Fig. del Rectificador

tres fases.
Un diodo conduce cuando la tensión de su ánodo es mayor que la de su cátodo. Es como un
interruptor que se abre y se cierra según la tensión de sus terminales:
Ya que el rectificador se conecta después del transformador, entonces ingresa por él tensión
alterna y tendrá tensión continua a su salida, es decir, un polo positivo y otro negativo:

Fig. conexión del rectificador

La tensión Vi es alterna y senoidal, esto quiere decir que a veces es positiva y otras negativa. En
un osciloscopio observaríamos la siguiente señal:
La tensión máxima a la que llega Vi se le llama tensión de pico y en la gráfica aparece como
Vmax. La tensión de pico no es lo mismo que la tensión eficaz pero están relacionadas, Por
ejemplo, si compramos un transformador de 6 voltios, entonces serán 6 voltios eficaces,
estaríamos hablando de Vi pero, la tensión de pico Vmax vendrá dada por la ecuación:

Vmax = Vi * 1,4142
Para el ejemplo Vi=6V entonces:
Vmax = 6 * 1,4142 = 8,48 V

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Rectificador en puente:
El rectificador más usado es el llamado rectificador en puente y es que el usaremos en nuestra
fuente, su esquema es el siguiente:

Fig. Rectificador del puente

Cuando Vi es positiva los diodos D2 y D3 conducen, siendo la salida Vo igual que la entrada Vi
Cuando Vi es negativa los diodos D1 y D4 conducen, de tal forma que se invierte la tensión de
entrada Vi haciendo que la salida vuelva a ser positiva.
El resultado es el siguiente:
3. Filtro
La tensión en la carga que se obtiene de un rectificador es en forma de pulsos. En un ciclo de
salida completo, la tensión en la carga aumenta de cero a un valor de pico, para caer después
de nuevo a cero. Esta no es la clase de tensión continua que precisan la mayor parte de
circuitos electrónicos. Lo que se necesita es una tensión constante, similar a la que produce una
batería. Para obtener este tipo de tensión rectificada en la carga es necesario emplear un filtro.
El tipo más común de filtro es el del condensador a la entrada, en la mayoría de los casos
perfectamente válido. Sin embargo en algunos casos puede no ser suficiente y tendremos que
hacer uso de algunos componentes adicionales.
Filtro con condensador a la entrada:
Este es el filtro más común y por ello más conocido.
Basta con añadir un condensador en paralelo con la carga (RL), de esta forma:

Fig.filtro con condensador a la entrada

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Para hacer más abreviada la explicación sustituimos el diodo puente por un diodo común ya que
se comportaran de la misma manera. Cuando el diodo conduce el condensador se carga a la
tensión de pico Vmax. Una vez rebasado el pico positivo el diodo se abre. ¿Por qué? debido a
que el condensador tiene una tensión Vmax entre sus extremos y la tensión en el secundario del
transformador es un poco menor que Vmax el cátodo del diodo está a más tensión que el ánodo.
Con el diodo ahora abierto el condensador se descarga a través de la carga, lo cual hace que
disminuya su voltaje, pero en el momento que el voltaje sea menor que el del secundario del
transformador, el diodo vuelve a conducir y consecuentemente a cargar al condensador. Nos
podemos dar cuenta que el proceso es repetitivo.
La tensión Vo quedará de la siguiente forma:
4. El regulador:
Un regulador o estabilizador es un circuito que se encarga de reducir el rizado y de proporcionar
una tensión de salida de la tensión exacta que queramos. En esta sección nos centraremos en
los reguladores integrados de tres terminales que son los más sencillos y baratos que hay, en la
mayoría de los casos son la mejor opción.
Este es el esquema de una fuente de alimentación regulada con uno de estos reguladores:
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Fig.regulador

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 BIBLIOGRAFÍA

 https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
 https://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN
 https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos
 http://www.asifunciona.com/fisica/ke_diodo/ke_diodo_5.htm
 http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/electronic/diodecon.html
 https://es.wikipedia.org/wiki/Limitador
 http://unicrom.com/regulador-de-voltaje-con-diodo-zener/

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 NOTA

En este equipo los demás integrantes los cuales son:

 Espinosa Domínguez Fernando

 Ramírez Santiago Eduardo
 Jiménez López Alexis
 García Jiménez René

No colaboraron para la elaboración en este trabajo, por lo cual no consideré anotarlos ya que no
se preocuparon y no tuvieron un interés para realizar dicho trabajo en esta asignatura.

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