TRABAJO PREPARATORIO Nº4

DISEÑO DE AMPLIFICADORES MULTIETAPA CON ACOPLAMIENTO DIRECTO

(CASCODE Y DARLINGTON).
Laboratorio de Circuitos electrónicos
Escuela Politécnica Nacional, Facultad de ingeniería eléctrica y electrónica.
Quito, Ecuador
luis.loayza@epn.edu.ec

1. Tema
DISEÑO DE AMPLIFICADORES MULTIETAPA CON ACOPLAMIENTO DIRECTO
(CASCODE Y DARLINGTON).
2. Objetivos
2.1. Diseñar, analizar e implementar un amplificador en configuración Darlington con impedancia
de entrada.
2.2. Analizar, diseñar e implementar un amplificador en configuración Cascode con impedancia de
entrada.
3. Trabajo Preparatorio
3.1. Describir las principales características y aplicaciones del amplificador en configuración
Cascode.
En los circuitos modernos, la cascode a menudo se construye a partir de dos transistores, con uno
que funciona como un emisor común o fuente común y el otro como una base común o puerta
común. El cascode mejora el aislamiento de entrada-salida ya que no hay acoplamiento directo de la
salida a la entrada. Esto elimina el efecto Miller y por lo tanto contribuye a un ancho de banda
mucho mayor. La configuración cascode tiene las siguientes características.

 Presenta ganancia de corriente más ganancia de voltaje.

 Mejora el ancho de banda.
 Presenta alta impedancia para la base común.
 Favorece la estabilidad de banda a banda.
 Puede trabajar a altas frecuencias.

APLICACIONES
1on el auge de los circuitos integrados, transistores son baratos en términos de área del silicio. En la
tecnología MOSFET especialmente, cascode se puede utilizar en espejos de corriente para aumentar
la impedancia de salida de la fuente de corriente de salida.
Una versión modificada de la cascode también se puede utilizar como un modulador, en particular
para la modulación de amplitud. El dispositivo superior suministra la se6al de audio, y la inferior es
el dispositivo amplificador de RF.
3.2. Especificar las principales consideraciones de diseño de un amplificador multietapa en
configuración Cascode con impedancia de entrada (recorte de señal, estabilidad térmica,
superposición de señales, etc.).
Debe considerarse que exista un voltaje de 1 voltio sobre el resistor 𝑅𝐵2
Se debe considerar todas las metodologías acerca del diseño en configuración emisor común.
La distribución de voltaje esta representada de la siguiente manera.

Tiene que cumplir estabilidad de polarización en ambos transistores.

𝐼3 ≫ 𝐼𝐵1
𝐼2 = 𝐼3 + 𝐼𝐵1
𝐼2 ≫ 𝐼𝐵2
𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵2
3.3. Describir las principales características y aplicaciones la configuración Darlington
Es una configuración de dos TBJ para operar como un transistor con un “SuperBeta”
La Principal característica de esta configuración es que el transistor compuesto actúa como una
unidad simple con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de corriente de los
dos transistores individuales.
Esta conexión de transistores proporciona un transistor compuesto que cuenta con una ganancia de
corriente muy grande, por lo general en orden de los miles.
Existen Transistores Darlinton encapsulados en el mercado, algunos de ellos son:

 ECG268 NPN
 ECG269 PNP
3.4. Especificar las principales consideraciones de diseño de un amplificador Darlington con
impedancia de entrada (recorte de señal, estabilidad térmica, superposición de señales, etc.).
Las condiciones que se deben cumplir para el diseño con el circuito tipo Darlington dependen de la
configuración elegida, sea esta Emisor Común o Colector Común, dado que se puede simplificar el
arreglo de transistores con un nuevo transistor cuyo factor B corresponde al producto de los dos
transistores y su resistencia dinámica se calcula con 52 mV. El único factor nuevo que aparece es
tener cuidado con la potencia disipada por el segundo transistor, pues este tiene que soportar la
amplificación de corriente del primer transistor.

3.5. Diseñar un amplificador en configuración Cascode que cumpla con las siguientes
condiciones:
𝐴𝑣 = 18

𝑍𝑖𝑛 ≥ 1.2𝑘Ω

𝑅𝐿 = 2𝑘Ω

𝑉𝑖𝑛 = 500𝑚𝑣𝑝𝑝

𝑍𝑖𝑛1 = 𝑅𝐵2 ∥ 𝑅𝐵3 ∥ 𝑍𝑖𝑛𝑇1

𝑅𝐵2 ∥ 𝑅𝐵3 ∥ 𝑍𝑖𝑛𝑇1 ≥ 1.2𝑘Ω
El valor más crítico es el de 𝑍𝑖𝑛𝑇1 por lo cual:
𝑍𝑖𝑛𝑇1 ≥ 1.2𝑘Ω
Como:
𝑍𝑖𝑛𝑇1 = (𝛽 + 1)(𝑟𝑒1)
Entonces:
(𝛽 + 1)(𝑟𝑒1) ≥ 1.2𝑘Ω
De aquí determinamos el valor mínimo de la resistencia dinámica en el primer transistor con un valor
típico de Beta”120”.
1.8𝑘Ω 1.8𝑘Ω
𝑟𝑒1𝑚𝑖𝑛 ≥ ≥ ≥ 9.91Ω
𝛽 + 1 120 + 1

Ahora consideramos el valor máximo que podría tener Beta:

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
|𝐴𝑉𝑇| =
𝑟𝑒1
Maximizando:
 2𝑘Ω
𝑟𝑒1𝑚𝑎𝑥 ≤ ≤Ω
18

Entonces
14.87Ω ≤ 𝑟𝑒 ≤ 111.1Ω

Asumo 𝑟𝑒 = 50Ω
𝑅𝐶 ∥ 2𝑘Ω = (50Ω)(18)
𝑅𝐶 = 1.8𝑘Ω

𝑅𝐶
𝑉𝑅 ≥ × 𝑉𝑜𝑝
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝑙
1.8𝑘Ω
𝑉𝑅𝐶 ≥ × 4.25𝑉 ≥ 8𝑉
1.8𝐾Ω ∥ 2𝐾Ω
𝑅𝐶 ≥ 8𝑉 → 𝑝𝑜𝑟 𝑠𝑒𝑔𝑢𝑟𝑖𝑑𝑎𝑑 × 1.2
𝑉𝑅𝐶 ≥ 9.7𝑉
𝑉𝑅𝐶 = 10𝑉

𝑉𝑅𝐶 9.5𝑉
𝐼𝐶 = = = 5.3𝑚𝐴
𝑅𝐶 1.8𝐾Ω
Como: 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸
𝑉𝑇 26𝑚𝑉
𝑟𝑒1𝑟𝑒𝑎𝑙 = 𝑟𝑒2𝑟𝑒𝑎𝑙 = = = 4.9Ω
𝐼𝐸 5.3𝑚𝐴
𝑅𝐸1 = 𝑟𝑒𝑡𝑒𝑜𝑟𝑖𝑐𝑜 − 𝑟𝑒𝑟𝑒𝑎𝑙 = 50Ω − 4.9Ω
𝑅𝐸1 = 45Ω
𝑅𝐸1 = 43Ω → 𝑎𝑢𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎 𝐴𝑉

𝑉𝐸1 ≥ 𝑉𝑖𝑛 + 1𝑉 ≥ 0.25𝑉 + 1 ≥ 1.25𝑉

𝑉𝐸1 ≥ 1.25𝑉 → × 1.2
𝑉𝐸1 ≥ 1.5 → 𝑉𝐸 = 2𝑉

𝑉𝐸1
𝑅𝐸𝑇 =
𝐼𝐸
2𝑉
𝑅𝐸𝑇 = = 377.35Ω
5.3𝑚𝐴
𝑅𝐸2 = 𝑅𝐸𝑇 − 𝑅𝐸1 = 377.35Ω − 43Ω = 334.35Ω
𝑅𝐸2 = 330Ω → 𝑎𝑢𝑚𝑒𝑡𝑎 𝑉𝐸

𝑉𝐶𝐸2 ≥ 𝑉𝑜𝑝2 + 𝑉𝑖𝑛2 + 𝑉𝐸𝐶𝑚𝑖𝑛

𝑉𝐶𝐸2 ≥ 0.25𝑉 + 4.25𝑉 + 2𝑉 ≥ 7𝑉
𝑉𝐶𝐸2 = 7𝑉
𝑉𝐶𝐸1 ≥ 𝑉𝑜𝑝1 + 𝑉𝑖𝑛1 + 𝑉𝐸𝐶𝑚𝑖𝑛
𝑉𝐶𝐸1 ≥ 0.25𝑉 + 0.25𝑉 + 2𝑉 ≥ 2.5
𝑉𝐶𝐸1 = 3

𝑉𝐶𝐶 ≥ 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸2 + 𝑉𝐶𝐸1 + 𝑉𝐸1

𝑉𝐶𝐶 ≥ 10𝑉 + 7𝑉 + 3𝑉 + 2𝑉 ≥ 22𝑉

𝑉𝐶𝐶 = 25𝑉

𝑉𝐵1 = 𝑉𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸1

 𝑉𝐵1 = 2𝑉 + 0.7𝑉
𝑉𝐵1 = 2.7𝑉

𝑉𝐵2 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐶𝐸1 + 𝑉𝐸1

𝑉𝐵2 = 0.7 + 3𝑉 + 2𝑉
𝑉𝐵2 = 5.7𝑉
 𝐼𝐶 5.3𝑚𝐴
𝐼𝐵1 = 𝐼𝐵2 = = = 44.2𝑢𝐴
𝛽 120
𝐼3 = 10𝐼𝐵1 = 442𝑢𝐴
𝐼2 = 𝐼3 + 𝐼𝐵1 = 442𝑢𝐴 + 44.2𝑢𝐴 = 486𝑢𝐴

𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵2 = 485𝑢𝐴 + 44.2𝑢𝐴 = 529𝑢𝐴

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵2 25𝑉 − 5.7𝑉

𝑅𝐵1 = =
𝐼1 529𝑢𝐴
𝑅𝐵1 = 36.4𝐾Ω → 𝑅𝐵1 = 36𝐾Ω
𝑉𝐵2 − 𝑉𝐵1 5.7𝑉 − 2.7𝑉
𝑅𝐵2 = =
𝐼2 486𝑢𝐴
𝑅𝐵2 = 6.1𝑘𝐾Ω → 𝑅𝐵2 = 6.8𝐾Ω
𝑉𝐵1 2.7𝑉
𝑅𝐵3 = =
𝐼3 442𝑢𝐴
𝑅𝐵3 = 6.1𝑘𝐾Ω → 𝑅𝐵3 = 6.8𝑘𝐾Ω
 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅2 ∥ 𝑅3 ∥ (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1)
𝑍𝑖𝑛 = 6.8𝑘𝑘Ω ∥ 6.8𝑘Ω ∥ (121)(50 + 43)
𝑍𝑖𝑛 = 2.6𝐾Ω

Capacitores:
𝑋1 ≪ 𝑍𝑖𝑛
1 10
𝐶1 ≫ ≫
2𝜋𝑓𝑍𝑖𝑛 2𝜋(1𝑘𝐻𝑧)(2.6𝑘Ω)
𝐶1 ≫ 0.60𝑢𝐹
𝐶1 = 1𝑢𝐹

𝑋2 ≪ (𝑟𝑒)(β + 1)
10
𝐶2 ≫
2𝜋𝑓(𝑟𝑒)(β + 1)
10
𝐶2 ≫
2𝜋(1𝑘𝐻𝑧)(2.04Ω)(51)
𝐶2 ≫ 0.26𝑢𝐹
𝐶2 = 1𝑢𝐹

𝑋𝐸 ≪ (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1)
10
𝐶𝐸 ≫
2𝜋𝑓(𝑟𝑒 + 𝑅𝑒1)
10
𝐶𝐸 ≫
2𝜋(1𝑘𝐻𝑧)(2.04Ω + 21.3Ω)
𝐶𝐸 ≫ 17𝑢𝐹
𝐶𝐸 = 47𝑢𝐹

𝑋𝐶 ≪ 𝑅𝐿
10
𝐶𝑐 ≫
2𝜋𝑓(𝑅𝐿)
10
𝐶𝑐 ≫
2𝜋(1𝑘𝐻𝑧)(2𝑘Ω )
𝐶𝑐 ≫ 0.8𝑢𝐹
𝐶𝐶 = 10𝑢𝐹

3.6. Diseñar un amplificador que utilice la configuración Darlington, para que cumpla con las
siguientes condiciones:
𝐴𝑣 = 16

𝑍𝑖𝑛 ≥ 52𝑘Ω

𝑅𝐿 = 2.7𝑘Ω

𝑉𝑖𝑛 = 500𝑚𝑣𝑝𝑝
52𝑘(16)
𝑅𝐶 ∥ 2𝑘Ω =
(50 + 1)2
𝑅𝐶 ∥ 2𝑘Ω = 319.8Ω
𝑅𝐶 ≥ 362.85Ω

Asumo RC = 1KΩ
 𝑅𝐶
𝑉𝑅 ≥ × 𝑉𝑜𝑝
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝑙
1𝑘Ω
𝑉𝑅𝐶 ≥ × 4𝑉 ≥ 5.48𝑉
1𝐾Ω ∥ 2.7𝐾Ω
𝑅𝐶 ≥ 5.48𝑉 → 𝑝𝑜𝑟 𝑠𝑒𝑔𝑢𝑟𝑖𝑑𝑎𝑑 × 1.2
𝑉𝑅𝐶 ≥ 6.58𝑉
𝑉𝑅𝐶 = 7𝑉

𝑉𝑅𝐶 7𝑉
𝐼𝐶 = = = 7𝑚𝐴
𝑅𝐶 1𝐾Ω
𝑉𝑇 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 3.7Ω
𝐼𝑐 7𝑚𝐴
𝑅𝐶||𝑅𝐿
𝐴𝑣 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
729.7
𝑅𝐸1 = − 3.7 = 41.9Ω
16
𝑅𝐸1 = 39Ω

𝑉𝐶𝐸 ≥ Vinp + Vop + VCEmin

𝑉𝐶𝐸 ≥ 250mV + 4V + 2v

𝑉𝐶𝐸 = 6.5𝑉

𝑍𝑖𝑛𝑇 = (𝛽 + 1)2 (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1)

𝑍𝑖𝑛𝑇 = (51)(3.7 + 39)

𝑍𝑖𝑛𝑇 = 111𝑘

𝑉𝑅𝐵1 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝑅𝐵1 = 7 + 6.5 − 0.7

𝑉𝑅𝐵1 = 12.8𝑉
7𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = 2.7𝑢𝐴
(𝛽 + 1)2

𝐼2 = 10𝐼𝐵 = 27𝑢𝐴

𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵 = 29.7𝑢𝐴
12.8𝑉
𝑅𝐵1 =
29.7𝑢𝐴
𝑅𝐵1 = 430𝑘

𝑅𝐵1||𝑅𝐵2||𝑍𝑖𝑛𝑇 ≥ 52𝑘

430𝑘||𝑅𝐵2||111𝑘 ≥ 52𝑘

𝑅𝐵2 = 130𝑘
 𝑉𝐵 = 𝐼2(𝑅𝐵2)

𝑉𝐵 = 27𝑢𝐴(130𝑘)

𝑉𝐵 = 3.51𝑉

𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐸 = 3.51 − 0.7

𝑉𝐸 = 3𝑉
3
𝑅𝐸𝑇 =
7𝑚𝐴
𝑅𝐸𝑇 = 428.6

𝑅𝐸2 = 𝑅𝐸𝑇 − 𝑅𝐸1

𝑅𝐸2 = 428.6 − 39

𝑅𝐸2 = 390

𝑉𝐶𝐶 ≥ VRC + VCE + VE

𝑉𝐶𝐶 ≥ 7V + 6.5V + 3V = 16.5V

𝑉𝐶𝐶 = 20𝑉

3.7. Realizar la simulación de los circuitos diseñados, presentar las formas de onda de
entrada, salida, y las formas de onda en todos los terminales del TBJ.
3.8. Presentar una tabla con las mediciones de valores en DC del circuito diseñado para poder
compararlos durante el desarrollo de la práctica
Amplificador en configuración Darlington:
VCE 9.35v

VC 12.5v

VE 3.33v

VB 4.63v

IC 8.2mA

IE 8.56mA

IB 0.14uA

Amplificador en configuración Cascode:

VCE1 3.33v
VCE2 8.45v
VC1=VE2 5.73v

VC2 13.9v
VE1 2.41v

VB1 3.13v
VB2 6.45v
IC1=IE2 7.27mA

IC2 6.62mA

Bibliografía: IE1 7.3mA

IB1 33uA

[1] "Diseño de amplificadores IB2 31.6uA multioetapa", class notes for

IEE544, DETRI, 2019 A

[2] Electrónica Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, Boylestad Robert, Louis Nashelsky.
Publicación: Pearson Educación, Décima Edición, 2009.

[3] Amplificadores Cascode,» scribd, [En línea]. Available:

https://www.scribd.com/document/344998704/AMPLIFICADORES-CASCODE. [Último acceso:
13 05 2019].