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Universidad especializada de lasAmericas

Facultad de biociencia y salud publica


Ing. Biomedica
Electronica 1
Anayansi Escobar
Caracteristicas del diodo

Nombre: Francisco Musmanno


Cédula: 8-935-1899
e-mail: francisco14musmanno@gmail.com

Nombre: Oscar pinzón


Cédula: 8-928-1942
e-mail: oscarjuggernaut@gmail.com

Resumen: En base a la enseñanza aprendida sobre los diferentes tipos de diodos y sus características vistas en forma
matemática, física, podemos observar un comportamiento en gráficas de voltaje vs corriente y ver el comportamiento con
el principal objetivo de identificar terminales en los dispositivos electrónicos mediante la utilización del multimetro en el
aula de clases también debemos determinar el estado del diodo y su conducción observando su polarización directa o su
polarización inversa y la construcción de su respectiva curva característica en el proceso debemos realizar la actividad de
manera correcta para poder realizar las mediciones de manera correcta en el ensayo de laboratorio y para posteriormente
pasar a la recolección de datos Y como se explico también conectar adecuadamente el circuito al osciloscopio para
apreciar su curva característica y su oscilacion que operará como un graficador y para su edificación utilizado el
programa de informática como proteus ,livewore ,multisim para poder apreciar su curva característica desde otro punto
de vista.Concluyo que los diodos son elementos importantes en la electrónica que nos rodea hoy en día, que para su
comprensión hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento. Los diodos
son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propósito de resolver algún problema. Para mi la
uno de los aspectos mas importantes del diodo es que no se quedan en un solo tipo de diodo y mas bien se a desarrollado el
diodo en formas que extienden su área de aplicación.

Descriptores: Diodo, fuente, osciloscopio, potenciómetro, Resistencia.

1. Introducción.

El diodo es un dispositivo de semiconductor compuesto por una unión P-N, es un material extrínseco que adquiere
unas propiedades especificas dependiendo del dopado olas impurezas que han sido añadidas a una configuración
molecular, en la parte práctica es utilizado en el área de la electricidad con el objetivo de modificar diferentes señales
de voltaje, regular el voltaje, emitir luz y muchas otras aplicaciones que no se abarcan en este informe. El diodo que
se utilizará es el “rectificador” este tiene una curva característica.
La tensión de ruptura Vz, a la cual se verifica el efecto avalancha; en correspondencia de dicha tensión se tiene un
rápido incremento de la corriente que, si no se limita correctamente, provoca la destrucción del diodo

Io Corriente inversa o saturación


Constante que depende del semiconductor T Temperatura en grados Kelvin V Voltaje En la ecuación se observa que
la corriente que circula a través de un diodo es función no solo de la tensión de alimentación, sino también de la
temperatura. Un diodo es un componente eléctrico de dos terminales que permite la circulación de la corriente
eléctrica a través de él en un solo sentido. Existen dos tipos de diodos comunes: El diodo semiconductor y el diodo de
vacío. El diodo semiconductor es el más común en la actualidad consta de una pieza de cristal semiconductor
conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío es un tubo de vacío con dos electrodos un lamina como ánodo
y otra como cátodo; solo se utilizan en la actualidad en tecnologías de alta potencia. De forma simplificada, la cursa
característica de un diodo (I-V) consta, de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta
como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica
muy pequeña.
Dentro de las características aplicadas al diodo encontramos:
 Diodo schottky: trabaja a altas frecuencias de hasta 300 MHz, eliminando picos de corriente y en
conmutación altísima, con bajos niveles de tensión de alrededor de 100V, umbral bajo, y tiempos de
respuestas más rápidos debido a su construcción.
 Diodo ultra rápido: su tiempo de recuperación de es 35 y 60 nano segundos, temperatura de funcionamiento
de 175°C, capacidad de alta tensión 600 V, bajo nivel de fugas, alta capacidad para soportar picos en
 conducción, bajas perdidas en conmutación.
 Diodo rápido: tiene alta capacidad de corriente y corriente de choque, alta fiabilidad, baja corriente inversa,
baja caída de tensión, cambio rapado de alta eficiencia.
Objetivos:
Los objetivos que persigue nuestro autor Además del entendimiento y aprendizaje de lector ofrecen una enseñanza
profunda en el conocimiento del comportamiento del diodo sus características eléctricas y lo importante que es por
medio de la observación digital o por medio del desarrollo en el laboratorio de clase observar el movimiento de la
curva del diodo

2. Materiales y métodos

 Fuente de poder DC variable


 Multímetro digital
 Termómetro
 Osciloscopio de dos canales
 Generador de funciones
 Potenciómetro 10k
 Placa de prueba
 Cables de conexión
 Diodo de silicio
 2 adaptadores de 3 a 2 terminales
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1- Fuente de poder DC variable: La fuente de poder DC sé ya sea la que se usa en el laboratorio o la simulación
informática nos ayuda a generar el voltaje y la corriente necesaria para que suministra al circuito electrónico que
requiere electricidad.
2- Multímetro digital: se usó en el laboratorio de clases, pero también lo pudimos ver en la simulación informática
que nos ayudó a medir los valores como voltios amperios y ohmios que se reflejan en la pantalla y donde con el
selector seleccionamos lo que queríamos medir.
3- Termómetro: La utilizamos para convertir la señal análoga digital y ver el voltaje en un número binario que sería
la temperatura del circuito.
4- Osciloscopio de dos canales: Se ve reflejado de forma análoga donde la amplificación vertical ataca la señal y
desvía los electrones que surgen del cátodo se refleja en la pantalla hacia arriba de forma positiva y hacia abajo
para el gnd o tierra.
5- Generador de funciones: Cambia la señal de onda en diferentes formas ya sea cuadrada senoidal y genera nuevas
señales o curvas.
6- Potenciómetro 10k: utilizan tres terminales y se suelen utilizar en circuitos de poca corriente, para circuitos de
mayor corriente se utilizan los reóstatos.
7- Placa de prueba: Se conectaron los materiales de laboratorio a la flaca que en sí consiste en los orificios internos
están conectados de forma vertical y así poder conectar los alambres de cobre dónde fluye la corriente.
8- Cables de conexión: Se usan en circuitos electrónicos o sistemas informáticos y en si están compuestos de cobre y
cubierto de plástico para aislar y también por seguridad del operador de la placa.
9- Diodo de silicio: Son los diodos hechos del material más abundante del planeta puede ser de germanio, pero en
este caso este laboratorio no utilizamos de silicio que tiene un voltaje interno de 0.7 están hechos de un material
dopado y una Unión pn.
10- Adaptador de 3 a 2 terminales: Permite el contacto de la polarización en un orificio ancho que sólo entrará en
una sola posición y también están hechos de una aleación de cobre y tiene un contacto aterrizado
Procedimiento
Lo que utilizados fueron de manera informática con laptop Intel AMD 46253 utilizando los programas livewore, proteus,
multiSIM, etc. los métodos utilizados en el proceso fueron la determinación de la resistencia interna en Fuente de DC
donde se armó el circuito en el programa de computadora y se hicieron las anotaciones de voltaje y corriente interna y
voltaje interno en diferentes resistencias variando el valor de la misma resistencia interna luego por medio del programa
Excel se hizo la Gráfica voltaje vs corriente y se calculó la respectiva pendiente de la Gráfica en la parte dos calculamos el
potencial térmico a 24 C y se regenera la tabla 2 sobre los valores del funcionamiento de un diodo voltaje y corriente D y
luego se realizó la Gráfica corriente D vs voltaje D luego se armó el circuito en el programa informático y se observó la
oscilación brevemente en la sección de resultados y discusión se profundizará Las observaciones.
3-Resultados y discusión
3.1 - Determinación de la resistencia interna de la fuente de poder

3.1.2-Arme el circuito que se muestra a continuación.

3.1.3-Complete la siguiente tabla variando el valor del potenciómetro, anote el valor medido de Vab y para cada valor
de Rv calcule.

3.1.4-Grafique Vab vs I R int y calcule la pendiente de la curva


3.1.5.-Compare la pendiente calculada con la resistencia interna indicada en la placa de datos de la fuente
R. Al observar el comportamiento de la primera grafica casi lineal, con ayuda del programa Excel nos ayudó a calcular de
manera rápida la pendiente y nos dio un valor aproximado a 22 ohmios que según ese valor se acerca a los 25 ohmios que
tenia de resistencia interna nuestra fuente de poder. Comparándolo con la segunda grafica pudimos observar que esta arroja
un valor promedio de resistencia del potenciómetro al calcular la pendiente de esta gráfica.

3.2- Determinación de la gráfica de Id vs Vd por medición

3.2.1-Arme el circuito que se muestra a continuación.

3.2.2-Incremente V1 desde cero tal que Vd se incremente en escalones de 0.1V. Proceda a llenar la tabla #2.

3.2.3-Grafique Id vs Vd.

3.3-Observar la característica estática del diodo en el osciloscopio. operando como un graficador X-Y

3.3.1-Arme el siguiente circuito:

3.3.2-Observe en el osciloscopio la señal y(id) vs x(vd). Haga un bosquejo del gráfico observado en papel
cuadriculado.

3.4- Ecuaciones matemáticas

Vab
VR int = 10 - Vab , I R int = . (1)
RV

(2)
Vr Vd id = Vr/R

3
(3)

3.5- Figuras y tablas


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3.5.1- Figuras

Figura 1. Fuente DC Circuito 3.1.2

Figura 2. Circuito 3.2.1

Figura 3. Circuito 3.3.1


Figura 4. Grafica Vab vs iL 3.1.4,
,
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Figura 5. Grafica Vab vs I R int 3.1.4,

Figura 6. Grafica Id vs Vd , 3.2.3


Figura 7. Observe en el osciloscopio la señal, 3.3

Tabla #1 valor medido de Vab y para cada valor de Rv calcule. 3.1.3

Rv(K)  10K 8.21K 6.81K 5.6K 4.7K 2.2K 1K


Vab(V) 10 9.99 9.98 9.97 9.95 9.92 9.91 9.89
VRint(V) 0.01 0.02 0.03 0.05 0.08 0.09 0.11
IL(A) 0.000999 0.001215591 0.001464023 0.001776786 0.002110638 0.004504545 0.00989
IRint(A)
0.0004 0.0008 0.0012 0.002 0.0032 0.0036 0.0044

Tabla 2. Valores de funcionamiento de un diodo

Vr Vd Id=Vr/R
0 0 0
0 0.1 0
0 0.2 0
0 0.3 0
0.02 0.4 2x10-5
0.3 0.5 3x10-4
2.16 0.6 2.16x10-3
6.13 0.65 6.13x10-3
18.21 0.7 0.01821
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4- Referencias biliográficas

 https://ingelibreblog.wordpress.com/2014/10/27/diodos-curva-caracteristica-y-tension-umbral/
 https://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_3.html
 https://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_3.html
 https://en.wikipedia.org/wiki/P%E2%80%93n_junction
 [2] Dewan; Slemon; Straughen. “Power Semiconductor Drives”. John Wiley & Sons, Inc.
 [3] Heumann “Fudamentos de la Electrónica de Potencia”. AEG – Telefunken. S

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