Instituto Tecnológico de Sonora

Departamento de Ingeniería Eléctrica

Electrónica de Potencia

Práctica 2

Curvas v-i del diodo y del mosfet

Objetivo

El objetivo de esta práctica es revisar el funcionamiento de los

dispositivos semiconductores como es el diodo y el transistor MOSFET,
graficando sus curvas v-i y simulando en análisis transitorio con el paquete de
simulación de Orcad Pspice®.
1. Antecedentes teóricos

Las herramientas de simulación permiten obtener resultados previos a la implementación de

laboratorio. Estos resultados pueden mostrar el comportamiento en estado estable, en
estado transitorio, la respuesta en frecuencia, el espectro de frecuencia de señales etc. Para
obtener algunos de los resultados expuestos en laboratorio se requiere equipo especial.

Existen diferentes software para simulación de circuitos electrónicos entre ellos el

Electronics Wokbench®, Pspice® , Psim® y el multisim® son los que más se utilizan. En
esta práctica se utiliza la versión estudiantil del Orcad Pspice® para implementar los
circuitos con diodos y mosfet y obtener la curva v-i y la respuesta transitoria.

2. Material y equipo empleado

Cantidad Descripción
1 Computadora
1 Software de Orcad Pspice versión estudiantil
1 Memoria USB
1

3. Desarrollo experimental

Generar un nuevo proyecto.

Ingresar a todos los programas, elegir la carpeta de Cadence y posteriormente elegir la

carpeta de Orcad 16.6 lite.

Ingresar a Orcad Capture CIS lite.

Seleccionar File=> New => Project…

Poner nombre a su proyecto: Name: curvadiodo.

Seleccionar Analog or Mixed A/D.

En location Crear una carpeta dentro de ORCAD\ORCAD_16.6_LITE\ a la cual le puede

llamar: PRÁCTICAS

Dar click en ok.

Elegir create a blank proyect. Una vez que se elige create a blank proyect aparece el
lugar de trabajo.

En caso de que no estén cargadas las librerías realizar el siguiente procedimiento.

Seleccionar Place => Part y se abrirá un recuadro a la derecha de la pantalla como el que
se muestra en la figura 2.1.

En Part escribir el nombre del dispositivo que se quiera utilizar. Por ejemplo el diodo
D1N4002. En caso de que no aparezca el dispositivo es necesario incluir la librería para
este dispositivo.

Para incluir la librería dar click en el ícono Add Library el cual se encuentra indicado con
flecha roja en la figura 2.1.

Ir a la carpeta OrCAD/OrCAD_16.6_Lite/tools/capture/library/pspice/ y seleccionar

eval y dar click en Abrir. De esta manera se ha integrado la librería Eval que contienen al
diodo D1N4002. Al seleccionar la librería Eval en el recuadro Place Part se podrá
encontrar el dispositivo para simulación.

Figura 2.1 Recuadro para agregar dispositivos y librerías.

Curva v-i del diodo de uso general a través de un análisis DC sweep.

Dibujar el circuito de la figura 2.2 siguiendo el procedimiento que se presenta a
continuación.

Para poner un elemento de circuito realice: place => Part… En Part escriba D1N4002.
Dar doble click sobre el componente y arrástrelo a la hoja de trabajo.

Para elegir la fuente de voltaje, en Place => Pspice component ingrese a source, elija
voltage sources y seleccione la fuente de corriente directa (DC)

Para establecer la tierra ingrese a place => Ground y seleccione 0/CAPSYM.

Para unir los componentes utilice place => wire.

Para establecer el voltaje de la fuente de cd dar doble click en el valor de la fuente de

voltaje y ponga 0.8Vdc. Asegúrese de no dejar espacios en el valor de la fuente.

V1

0.8Vdc D1 I

D1N4002

Figura 2.2. Circuito para obtener la curva voltaje-corriente del diodo D1N4002.

Para realizar la simulación es necesario hacer un perfil de simulación. Ingrese a Pspice =>
New Simulation Profile. Poner curvadiodo en el Nombre del nuevo perfil de simulación y
dar clik en create.

En la ventana que se despliega elija el tipo de análisis (Analisys Type) como DC sweep.

Elija el tipo de análisis (Analisys Type) como DCSWEEP y establezca los valores de la
figura 2.3. dar click en Aceptar.
 Figura 2.3. Parámetros de simulación para el circuito de la figura 2.2.

Ponga un marcador de corriente en el ánodo del diodo.

Para realizar la simulación elija Pspice => Run. Se abrirá una nueva ventana con los
resultados de simulación. Copie la forma de onda para incluirla en su reporte.

Curva v-i del mosfet de canal N

Dibujar el circuito de la figura 2.3 siguiendo el procedimiento que se presenta a

continuación. Es importante señalar que el Orcad versión estudiantil está limitado a un
número mínimo de dispositivos electrónicos. Por lo que si se requiere utilizar un modelo
que no se tenga disponible, es necesario cambiar el modelo de un dispositivo similar que
tenga el simulador.

Para poner un elemento de circuito realice: place => Pspice component… En Pspice
component elija posteriormente el dispositivo que desee utilizar.

Para elegir el mosfet de potencia de canal N, en Pspice component ingrese a Discrete y

elija Power NMOS. En la figura 2.4 aparece el nombre de IRF840 ya que el nombre inicial
cambiará cuando se cambie el modelo del transistor.

Para cambiar el modelo del transistor es necesario seleccionar el mosfet y con el botón
derecho seleccionar Edit Pspice Model. En recuadro del editor de modelos de pspice
reemplazar el texto existente por el siguiente texto que corresponde al modelo del IRF840.

.model IRF840 NMOS(Level=3 Gamma=0 Delta=0 Eta=0 Theta=0 Kappa=0.2

Vmax=0 Xj=0

+ Tox=100n Uo=600 Phi=.6 Rs=6.382m Kp=20.85u W=.68 L=2u Vto=3.879

 + Rd=.6703 Rds=2.222MEG Cbd=1.415n Pb=.8 Mj=.5 Fc=.5 Cgso=1.625n

+ Cgdo=133.4p Rg=.6038 Is=56.03p N=1 Tt=710n)

* Int'l Rectifier pid=IRFC440 case=TO220

* 88-08-25 bam creation

Guardar el modelo en la siguiente dirección:

OrCAD/OrCAD_16.6_Lite/tools/pspice/library con el nombre de IRF840X

Para elegir las fuentes de voltaje, en Pspice component ingrese a source, elija voltage
sources y seleccione las dos fuentes de corriente directa (DC). Es importante conservar el
nombre de las dos fuentes tal como aparece en la figura 2.4.

Para unir los componentes utilice place => wire.

Para establecer la tierra ingrese a place => Ground y seleccione 0/CAPSYM.

Para incluir un voltaje en las fuentes de cd dar doble click en el valor de la fuente de voltaje
y cambiar su valor. Asegúrese de no dejar espacios en el valor de la fuente.

M1
10Vdc V1

IRF840
0.8Vdc V2

Figura 2.4. Circuito para obtener la curva v-i del Mosfet.

Elija el tipo de análisis (Analisys Type) como DCSWEEP y establezca los valores de la
figura 2.5.
 Figura 2.5. Parámetros de simulación para el circuito de la figura 2.3 (fuente V1).

Y para la variación de la fuente en la compuerta los datos de la figura 2.6.

Figura 2.6. Parámetros de simulación para el circuito de la Figura 2.4 (fuente V2).

Establezca un marcador de corriente en el drenaje del transistor mosfet.

Inicie la simulación, visualice las curvas v-i del transistor MOSFET. Anote sus
observaciones. Para su reporte capture la gráfica obtenida.

Circuito con diodo

Implementar el circuito de la figura 2.7. El diodo D1N4002 viene incluido en la librería

eval.
En el perfil de simulación, establecer 1ms como tiempo de simulación (Run to time) y
0.01μs como Maximum Step Size.

Visualizar el voltaje de la fuente V1 y con el cursor verificar cada uno de los parámetros de
la fuente.

Poner un marcador de corriente en el diodo y determinar el tiempo de recuperación inversa.

El tiempo de recuperación, trr, inversa se calcula tal como se muestra en la

figura 2.6. Donde IF es la corriente de conducción directa del diodo e IRR es
el valor pico inverso máximo de IF.

IF
trr
ta

0.25 IRR
trr=ta+tb

IRR
tb

Figura 2.6. Característica de recuperación en sentido inverso.

Cambiar el diodo 1N4002 por un D1N4148. Realizar la simulación y determinar el tiempo

de recuperación inversa.

Comparar ambos tiempos y comentar al respecto.

R1

500

V1 = 0 V1
V2 = 100 D7
I
TD = 0
TR = 0.25u D1N4002
TF = 0.25u
PW = 0.25ms
PER = 0.5ms 0

Figura 2.7. Circuito con diodo para medir el tiempo de recuperación inversa.

Circuito con mosfet

Dibujar el siguiente circuito de conmutación con MOSFET. Utilizar el mosfet Power

NMOS y cambiar el modelo al del IRF840 utilizado en la graficación de la curva v-i.
 R2

V2
R1 M1 V 75Vdc
I
10
IRF150
V1 = 0 V1
V2 = 15
TD = 0
TR = 0.23U
TF = 0.25U
PW = 5U 0
PER = 10U

Figura 2.8. Circuito con Mosfet en modo conmutación para medir el tiempo de encendido y
apagado.

Realizar la simulación por 50us.

Poner un marcador de voltaje en el drenaje del transistor y un marcador de corriente como

se muestra en la figura 2.9

Figura 2.9. Parámetros de simulación del circuito de la figura 2.8.

Hacer un acercamiento durante la conmutación y medir el tiempo de encendido y el tiempo

de apagado del MOSFET. Anotar sus observaciones.

La figura 2.10a muestra el circuito empleado para verificar la conmutación del MOSFET y
la figura 2.10b muestra la forma típica de conmutación.
Figura 2.10 (a) Circuito para verificar la conmutación del MOSFET, (b) formas de onda típicas de
conmutación del MOSFET.

El retardo de encendido, td(enc) es el tiempo necesario para cargar la capacitancia de entrada

hasta el valor del voltaje de umbral. El tiempo de subida tr es el tiempo de carga de la
compuerta, desde el nivel de umbral hasta el voltaje total de compuerta que se requiere para
activar al transistor hasta la región lineal. El tiempo de retardo de apagado td(apag) es el
necesario para la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje de sobresaturación
V1 hasta la región de estrechamiento. El voltaje VGS debe disminuir en forma apreciable
antes de que VDS comience a subir. El tiempo de caída tf es el necesario para que la
capacitancia de entrada se descargue desde la región de estrechamiento hasta el voltaje de
umbral. Si VGSVT, el transistor se desactiva. El tiempo de encendido es td(enc) + tr y el
tiempo de apagado se considera como td(apag)+ tf.