LABORATORIO DE INGENIERIA ELECTROMECANICA E INGENIERIA MECANICA UTP

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DEL PERU

FACULTAD DE INGENIERIA INDUSTRIAL Y MECANICA

INGENIERIA ELECTROMECANICA
INGENIERIA MECANICA
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MÓDULO DE LABORATORIO DE

ELECTRONICA ANALOGICA I
NOTA FINAL

LIMA – PERU
2015 – II

__________

CURSO : ELECTRONICA ANALOGICA I

ALUMNO (A) : OLORTEGUI ROJAS

JOSE HERMINIO

CODIGO : 1321417

FACULTAD : ING. MECANICA

ESCUELA
PROFESIONAL : UTP

SEMANA: 10 DIA: 03/03/2016 HORA: 21:00

PROF. TEORIA : MONTEZA ZEVALLOS

PROF. PRACTICA : MONTEZA ZEVALLOS

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LABORATORIO IV: EL TRANSISTOR: ANÁLISIS EN DC Y AC

OBJETIVOS

 Determinar el punto de operación del transistor (punto Q).

 Determinar si el transistor se encuentra en el estado de corte, saturación o lineal, para visualizar el estado
de amplificación del transistor.
 Estudiar el trazado de la Línea de carga en C.C. de un amplificador Emisor común y predecir las
condiciones de funcionamiento del amplificador
 Medir la ganancia de tensión de un amplificador EC con un condensador de desacoplamiento de emisor.

FUNDAMENTO TEÓRICO

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,

conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia
de transferencia").
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos de
reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la
construcción de receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se
encendían en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a
válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar,
y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.

Transistores Bipolares
El transistor es un dispositivo de tres terminales (como se muestra en la figura 4.1), a diferencia del diodo, que
tiene dos terminales (Éste consiste en un material de tipo p y uno de tipo n), el transistor consiste en dos
materiales de tipo n separados por un material p (transistor NPN) o en dos materiales p separados por un
material n (transistor PNP).

Símbolo del transistor NPN y PNP.

Las tres capas o secciones diferentes se identifican como: emisor, base y colector. El emisor, capa de tamaño
medio diseñada para emitir o inyectar electrones, el cual se encuentra bastante contaminado. La base, con una
contaminación media, es una capa delgada diseñada para pasar electrones. El colector, capa grande diseñada
para recolectar electrones, está poco contaminada.
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Símbolos y Convenio de Signos

Sentidos de tensiones y corrientes en el BJT.

Regiones de operación de un transistor

 Región de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0,
(Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de
Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente de colector = corriente de
emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima). En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentación del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en
ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar que
Ic = β * Ib)
 Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte
entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador,
es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta
región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
Configuraciones básicas

Son las siguientes:

Emisor común: La entrada es por la base y la salida por el colector.
Base común: Entrada por emisor y salida por colector.
Colector común: Entrada por base y salida por emisor.

Corrientes en la zona activa

- Como acabamos de ver un transistor está trabajando en la zona activa cuando la unión de emisor se polariza
en directa y la unión de colector en inversa. En el caso de un transistor pnp, para polarizar la unión de emisor
en directa habrá que aplicar una tensión positiva del lado emisor, negativa del lado de la base, o lo que es lo
mismo una tensión VBE positiva. De igual manera, para polarizar la unión de colector en inversa hay que
aplicar una tensión VCB negativa.

Vamos a comenzar el estudio suponiendo que la unión de emisor está polarizada en directa y que la unión
de colector está sin polarizar (figura 4.4a). En este caso estamos ante una unión pn (la formada por el emisor
y la base) idéntica a la que analizamos en el capítulo 2 al abordar la polarización de la unión pn. En este caso,
aparece un campo eléctrico que tiende a arrastrar a los huecos del emisor hacia la base y a los electrones de la
base hacia el emisor. Lo que origina una corriente neta en el sentido de la zona p hacia la zona n, es decir,
de emisor hacia la base. Dado que el emisor es mucho más ancho que la base y además su nivel dopado es
muy superior, la cantidad de huecos en el emisor será muy superior a la de los electrones en la base,
con lo que el
término de corriente predominante será el debido a los huecos. Es decir, la corriente tendrá dos términos, uno
debido a los electrones y otro debido a los huecos, siendo predominante el segundo sobre el primero.

a) Polarización de la unión de emisor b) Polarización de la unión de colector

CURVAS CARACTERÍSTICAS EN EMISOR COMÚN.

Curvas características de entrada.

En la figura aparecen representados los convenios de tensiones y corrientes positivas que se han tenido
en cuenta para representar las distintas curvas. Nótese que adiferencia del caso anterior ahora vamos a
trabajar con un transistor npn.

Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas características de entrada en un BJT
npn en emisor común

En las curvas características de entrada en base común se representa

IB  f  VBE ,VCE 

Como se puede ver en la figura, no hay una única curva que relacione IB con VBE, sino que hay una familia
de curvas en función de VCE. De nuevo, al igual que en el caso anterior, este desdoblamiento de curvas se
debe al efecto Early.

Curvas Características de Entrada en Emsior Común para un BJT npn.

Efecto Early en la característica de entrada en emisor común

Si observamos las tensiones aplicadas en la figura 4.20, vemos como la tensión VBE es positiva, con lo que la
unión de emisor estará polarizada en directa. Por otra parte, la tensión VCE también es positiva. Si observamos
en el triángulo de tensiones en los terminales del transistor, podemos obtener la tensión entre colector y base,
que es precisamente la que nos dice el estado de polarización de la unión de colector.

VCB  VCE  VBE

Por tanto siempre que estemos aplicando tensiones VCE > VBE, tendremos que la tensión VCB será positiva
y por tanto la unión de colector estará polarizada en inversa, es decir, estaremos en la zona activa.
 Triángulo de tensiones en un BJT.
De la misma expresión se deduce que si mantenemos VBE constante, un aumento de VCE implica un aumento
de la tensión VCB, o lo que eso mismo, estamos aplicando una mayor polarización inversa a la unión de
colector, lo que lleva implícito (como ya se ha descrito anteriormente) una disminución de la anchura efectiva
de la base. Es decir, el parámetro α disminuye (habrá menos portadores que se recombinan en la base).
Las componentes de las corrientes, en este caso serán:

IE  InE  I pE

IC  InC  ICO

IB  I pE   InE  InC   ICO

Si tenemos en cuenta que InC    InE , tendremos que IB  I pE  InE  1    ICO , de donde
deducimos que si α aumenta, IB disminuye. De ahí que no tengamos una única curva de entrada,
sino que la relación entre IB y VBE depende de la tensión VCE. Y cuando mayor sea VCE, menor
es la corriente IB.

Efecto Early en las características de entrada.

Curvas características de salida.

Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas características de salida en emisor
común en un BJT npn
En las características de salida en emisor común se representa

IC  f  VCE , IB 
Los sentidos positivos de tensiones y corrientes son los que aparecen representados en la figura

Curvas características de salida en Emisor Común en un BJT npn

Al igual que en el caso anterior, vamos a intentar justificar el porqué de la forma de las curvas en cada
una de las zonas de interés:
Zona activa:
Se corresponde con la zona no sombreada de las curvas, por encima de la curva
IB = 0 y para tensiones VCE superiores a 0,2 V.
En la zona activa se sigue Cumpliendo

IC    IE  ICO
Si tenemos en cuenta que las corrientes que aparecen representadas en las curvasson IC e IB, eliminamos

la variable IE sabiendo que IE  IB  IC , transformamos la expresión 4,1 en:

Si denominamos la expresión anterior se transforma en

Si despreciamos el valor de ICO

Tenemos que IC no depende de la tensión VCE y depende únicamente del valor de IB. Así, las curvas en la
zona activa deberían ser perfectamente horizontales. Esto sería cierto si α fuera constante, pero como vimos
en el caso anterior, el parámetro α depende de la tensión VCE debido al efecto Early.
Efecto Early en la característica de salida en emisor común.

Anteriormente se analizó que un aumento de la polarización inversa de la unión de colector (en este caso
mediante un aumento de la tensión VCE) trae consigo una disminución de la anchura efectiva de la base,
lo que se traduce en un aumento del α del transistor. En las curvas de salida en base común las corrientes
implicadas eran IC e IE que estaban relacionadas precisamente mediante α (IC = αIE). Sin embargo,
debido a que α mantiene sus valores muy próximos a la unidad, las variaciones del mismo no afectan
significativamente a las curvas de salida, por eso en la zona activa las curvas eran horizontales a todos
los efectos.
En el caso que nos ocupa, las corrientes están relacionadas a través de , n o de α como en el caso anterior. Así,
mientras los valores de α están comprendidos típicamenteentre 0,9 y 0,998, los valores de correspondientes
variarán entre 9 y 499. Lo cual nos viene a demostrar que pequeñas variaciones de α implican grandes
cambios de . Por ello las curvas características de salida en emisor común, en la zona activa, están
sensiblemente más inclinadas que las de base común.

Efecto Early en las características de salida.

En el ejemplo de la figura, podemos observar como un incremento en el valor de α del 0,1 % implica
un incremento en el valor de  del 25 %

Es por ello que van a haber grandes diferencias para cada transistor individual dentro de las misma familia,
esto es, dos transistores idénticos (misma numeración, del mismo fabricante, en principio, exactamente iguales)
pueden tener valores de  completamente dispares.

Especificaciones de la ganancia de corriente ( hFE) de un BJT.

 Especificaciones de la ganancia de corriente ( hFE) de un BJT.

Es interesante hacer notar que el dato que ofrece el fabricante de transistores es la ganancia de corriente
en continua (hFE).

Por otra parte, de la expresión (4,2) podemos obtener el valor de 

  IC ICO
 IB  ICO

Comparando las expresiones (4,3) y (4,4), podemos ver como hFE y  no son exactamente lo mismo,
aunque a efectos prácticos sus valores son realmente similares (debido al pequeño valor de ICO).
Es por ello que en la práctica se habla indistintamente de hFE o  sin hacer distinciones
Región de Corte:
Queda delimitada por la curva IB = 0 que marca el límite entre las zonas activa y de corte.

Corrientes en un BJT en Emisor Común en la zona de corte.

Para IB = 0, según la ecuación

IC     1  ICO  ICEO

Pero , según hemos visto anteriormente, puede valer hasta 499, lo cual nos indica que a pesar de tener la
entrada en circuito abierto, podemos tener una corriente entre el colector y el emisor de 500 ICO.Y si bien el
valor ICO, suele ser muy pequeño, en determinadas condiciones (altas temperaturas, transistores de germanio,
etc.) y al estar multiplicado por un factor de 500, la corriente ICEO puede tener una importancia relativa.Es por
esto que la curva de IB = 0 esta sensiblemente más separada del eje horizontal que en el caso de las curvas
en base común.
Región de Saturación:

Razonando de forma análoga a como lo hicimos en las características de salida en base común. Vemos
como en apenas 0,2 V (para un transistor de silicio) la corriente de colector cae a 0 debido a que al estar
las dos uniones polarizadas en directa, las corrientes se anulan entre sí.

Caída de las corrientes en la zona de saturación.

Operación del transistor
El transistor de unión bipolar presenta ganancia de tensión, ganancia de corriente, lo cual se puede utilizar para
amplificar señales. En la figura 4.3 se muestra el circuito equivalente simplificado de un transistor npn que es
utiliza en el análisis en AC.

Ganancia de tensión del Amplificador en Emisor Común.

Aplicando una tensión a la entrada del amplificador puede determinarse experimentalmente su ganancia de
tensión (mediante un osciloscopio o un voltímetro) siempre y cuando se trabaje en la región lineal. La relación
entre las tensiones de salida y de entrada es la ganancia de tensión. VCC

Curva característica del transistor

B C
iB iC iB =corriente de base

R iB iC =corriente de colector

iE =corriente de emisor

iE R =resistencia entre base y emisor

Circuito híbrido.
E
De la gráfica anterior queda claro que:
i E  iC  i B
iC  ß i B
iC  i E
Aplicaciones del BJT, usos y ventajas principales
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MATERIALES
 Transistor BC548 (1)
 Resistencia de 9.1k / 1/2W (1)
 Resistencia de 100 / 1/2W (1)
 Resistencia de 1k / 1/2W (2)
 Condensador de 10F / 16V (2)
 Condensador de 10F / 16V (1)
 Condensador de 150pF (1)

APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS 

Aislador o Separador
(buffer)
Amplificador de RF
Mezclador
Amplificador con CAG
Amplificador Cascodo
Troceador
Resistor variable por
voltaje
Amplificador de baja
frecuencia
Oscilador
Circuitos MOS Digital
ultímetro (1)
 Protoboard (1)
 Osciloscopio (1)
 Una fuente de voltaje regulable 0-15Vcd (1)
 Un generador de funciones (1)
 Cables de Conexión
Impedancia de entrada alta y Uso general, equipos de M
de salida baja medida receptores
Bajo ruido Sintonizadores de FM,
equipo para comunicaciones
Baja distorsión de Receptores de FM, y TV ,
intermodulación equipos para
comunicaciones
Facilidad para controlar Receptores generadores de
ganancia señales
Baja capacidad de entrada Instrumentos de medición ,
equipos de prueba
Ausencia de deriva Amplificadores de cc,
sistemas de control de
dirección
Se controla por voltaje Amplificadores
operacionales, órganos
electrónicos, controlas de
tonos
Capacidad pequeña de Audífonos para sordera ,
acoplamiento transductores inductivos
Mínima variación de Generadores de frecuencia
frecuencia patrón, receptores
Pequeño tamaño Integración a gran escala,
computadoras, memorias.

PROCEDIMIENTO
1. Use el multimetro para configurar el transistor y además obtener el  o hFE. Apunte el resultado obtenido.
I C  4.58
hFE    0.99  1
I B  4.59

2. Implementar el circuito de la figura 4.4:

Figura 4.4: Circuito para análisis en DC.

9.1k 1k

12V BC548

1k 100

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3. Utilizando el multímetro, realice las siguientes mediciones: VE, VC, VB, VCE, IE, IC, IB, y anote los valores obtenidos en la
tabla 4.1.

V E(V) V C(V) V B(V) V CE (V) I E(mA) I C(mA) I B(mA)

0.46 4.58 1.17 6.96 -4.59 -4.58 17.7x10^-3
Tabla 4.1: Datos del circuito de la figura 4.4.

4. Al circuito de la figura 4.4 agregue los condensadores de acople a la entrada y a la salida de 10 F/16V y
otro de 150pF en paralelo con la resistencia de emisor (Ver figura 4.5).

9.1k 1k
10uF Vo
+
10uF
Vi +
12V BC548
1k

Vi
1k 100 150pF

Figura 4.5: Circuito amplificador de voltaje.

5. Coloque una señal senoidal de 100mV/1KHz a Vi. Coloque las puntas del osciloscopio en Vi y Vo y observe
que sucede con la salida respecto a la entrada. Realice las respectivas mediciones de las amplitudes de Vi y
Vo; con estos valores obtenga la ganancia del amplificador.

Vo 0.46
Vi  0.1V , Vo  0.5V , Ganancia    4.6
Vi 0.1

Ojo cada cuadrado equivale a 100mV = 0.1 V

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Figura 4.6: Señales de entrada y salida.

CUESTIONARIO

1. ¿Cómo obtendría de manera práctica la configuración de un transistor pnp?

-Los transistores PNP consisten en una

capa de material semiconductor dopado
en N entre dos capas de material dopado
P. Los transistores PNP son
comúnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de alimentación
atravez de una carga eléctrica externa.
Una pequeña corriente circulada desde
la base permite que una corriente mucho
mayor circule desde el emisor hacia el
colector.

2. ¿Cuál es la importancia de analizar el transistor en corriente continua?

-En corriente continua, el circuito de entrada ejerce un control sobre el circuito de salida.
La aplicación por excelencia, posiblemente se encuentre en el concepto de amplificación,

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bajo determinadas condiciones podemos conseguir que la corriente del colector sea
proporcional a la corriente de la base.

3. ¿En qué región es factible que el transistor opere?

-En la región activa, en esta región la corriente del colector Ic Depende principalmente de
la corriente de base Ib, de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de la
resistencias que se encuentran conectadas en el colector y emisor, Esta región es la mas
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.

4. ¿Qué se entiende por ganancia de tensión de un amplificador?

-Ganancia, como su nombre indica, es el aumento de señal entre las señales de entrada y
salida del amplificador. Es un valor adimensional, es decir que no se especifica en voltios,
amperios watios, etc., sino que es un ratio, un número. En este caso, sí la ganancia
máxima es 17, quiere decir que por cada milivotio o miliiamperio de señal de entrada,
obtienes en la salida la misma onda amplificada un máximo de 17 veces, o sea 17 mV o
17 mA. Otra historia es si viene expresada en decibelios.

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