Informe 2017

UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO
FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA ACADÉMICO PROFESIONAL DE INGENIERIA MECATRONICA
TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
CURSO :
Laboratório Electrónica Analógica
DOCENTE :
NOMBRES
ALUMNOS :
 Aguilar Valdiviezo Hans Andy
 Leyva Altamirano Álvaro
 Narcizo Horna Aldo
 Narro Reyna Ruyeri Alex
 Toledo Horna Luigi
CICLO : IV
TRUJILLO – PERÚ
2017
ELECTRÓNICA ANALÓGICA IV CICLO
TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR
E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

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INDICE
RESUMEN…………………………………………………………...4
OBJETIVOS…………………………………………………………5
INTRODUCCION………………………………………………….. 5
HISTORIA DEL TRANSISTOR …………………………………...7
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR……………………………...….9
CONSTRUCCION DE UN TRANSISTOR………………………. 11
CONFIGURACION EN BASE COMUN….……………………....13
CONFIGURACION EN COLECTOR COMUN……..…………....24
LIMITES DE OPERACIÓN……………………………………..… 26
HOJA DE ESPECIFICACIONES…………………………………. 27
PRUEBA DE UN TRANSISTOR…………………………………..29
ENCAPSULADO E IDENTIFICACION DE UN BJT.……………29
CONCLUSIONES….…………………………………………….....34
BIBLIOGRAFIA Y LINKOGRAFIA ..……………………………34

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RESUMEN
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se

encuentran:
- Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
- Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión

de radiofrecuencia)
- Conmutación, actuando de interruptores (control de

relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de
lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
- Detección de radiación luminosa (fototransistores)

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OBJETIVOS
- Familiarizarse con la construcción y operación básica del transistor de

unión bipolar.
- Familiarizarse con los parámetros importantes que definen la respuesta
de un transistor.
- Reconocer y poder explicar las características de un transistor npn o
pnp.
- Ser capaz de probar un transistor e identificar las tres terminales.
INTRODUCCION
Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubo de vacío, o bulbo, fue sin duda el dispositivo
de mayor interés y desarrollo.
FIGURA: TUBO DE VACIO
A principios de la década de los 1930 el tetrodo de cuatro elementos y el

pentodo de cinco tuvieron un rol destacado en la industria.
El 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrónica iba a experimentar el
advenimiento de una dirección completamente nueva en cuanto a interés y
desarrollo.
Fue H. Brittain y Jhon Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer
transistor en los laboratorios Bell.

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Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales fueron

obviados de inmediato, era más pequeño y más liviano, no tenía q calentarse ni
perdía calor, su construcción era robusta; era más eficiente puesto q el
dispositivo consumía menos potencia; estaba disponible para su uso inmediato
ya que no requería proceso de calentamiento y se podían obtener voltajes de
operación más bajos.
FIGURA: EL PRIMER TRANSISTOR

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I: HISTORIA DEL TRANSISTOR

El desarrollo de la electrónica y de sus múltiples aplicaciones fue posible
gracias a la invención del transistor, ya que este superó ampliamente las
dificultades que presentaban sus antecesores, las válvulas. En efecto, las
válvulas, inventadas a principios del siglo XX, habían sido aplicadas
exitosamente en telefonía como amplificadores y posteriormente popularizadas
en radios y televisores.
Transistor y Válvula
Uno de los mayores inconvenientes de las válvulas, era que consumían mucha
energía para funcionar. Esto era causado porque calientan eléctricamente un
filamento (cátodo) para que emita electrones que luego son colectados en un
electrodo (ánodo), estableciéndose así una corriente eléctrica. Luego, por
medio de un pequeño voltaje (frenador), aplicado entre una grilla y el cátodo, se
logra el efecto amplificador, controlando el valor de la corriente, de mayor
intensidad, entre cátodo y ánodo.
Lámpara incandescente de Thomas Edison

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Los transistores, desarrollados en 1947 por los físicos Shockley, Bardeen y

Brattain, resolvieron todos estos inconvenientes y abrieron el camino,
mismo que, junto con otras invenciones –como la de los circuitos integrados–
potenciarían el desarrollo de las computadoras. Y todo a bajos voltajes, sin
necesidad de disipar energía (como era el caso del filamento), en dimensiones
reducidas y sin partes móviles o incandescentes que pudieran romperse.
Fotografía del primer transistor construido por W. Shockley, J. Bardeen y

W. Brattain (1947)
Concepto del Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico, semiconductor que cumple

funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término
"transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los
enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores,
reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavarropas automáticos,
automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de
rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Características
 Los materiales empleados para su elaboración son, entre otros, el
Germanio y el Silicio, porque tienen la propiedad de que puede
acelerarse grandemente el movimiento de los electrones por medio de
una corriente eléctrica.
 El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos
de vacío.
 En cuanto a su estructura, se encuentran formados por tres elementos:
 Emisor: que emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). Su
labor es la equivalente al cátodo en los tubos de vacío o "lámparas"
electrónicas.

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 Base: que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la

equivalente a la rejilla cátodo en los tubos de vacío o "lámparas"
electrónicas.
 Colector: que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor.
Su labor es la equivalente a la placa en los tubos de vacío o "lámparas"
electrónicas.
 Posee amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación).
 Sirve como generador de señal (osciladores, generadores de ondas,
emisión de radiofrecuencia).
 Permite la conmutación, actuando en interruptores (control de relés,
fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas).
 Es detector de radiación luminosa (fototransistores)
 El consumo de energía es sensiblemente bajo.
II: OPERACIÓN DE UN TRANSISTOR

Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la
Base del transistor por lo que la lámpara no se encenderá, ya que, toda
la tensión se encuentra entre Colector y Emisor.
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña

circulará por la Base. Así el transistor disminuirá su resistencia entre
Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad muy grande,
haciendo que se encienda la lámpara.

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De tales criterios se establece:

IE > IC > IB ; IE = IB + IC
Modos de Trabajo
Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del

sentido o signo de los voltajes de polarización en cada una de las
uniones del transistor pueden ser:
Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la

unión emisor - base y a una polarización inversa de la unión colector -
base. Esta es la región de operación normal del transistor para
amplificación.
Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la

unión emisor - base y a una polarización directa de la unión colector -
base. Esta región es usada raramente.
Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas

uniones. La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa como un
interruptor abierto (IC 0).
Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas

uniones. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo encendido, pues el transistor actúa como un
interruptor cerrado (VCE 0).

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III: CONSTRUCCION DE TRANSISTORES BIPOLARES (BJT:

NPN-PNP)
Transistores Bipolares
BJT de transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Junción

Transistor).
Son aquellos que utilizan la corriente como elemento de control
para obtener la señal y su comportamiento como dispositivo
conmutador.
Estos solo funcionan cuando están en polarización directa (se
dice que están en saturación) y en polarización inversa no funcionan (se
dice que están en corte). A base de estos se construyen los circuitos
integrados y otros tipos de transistores.
El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los
electrones participan en el proceso de inyección hacia el material
polarizado de forma opuesta.
Pueden ser de dos tipos:
NPN
PNP

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La zona N con elementos donantes de electrones (cargas

negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas
positivas).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores

PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la
característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si
bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas.
Su diferencia radica en la dirección del flujo de la corriente,
indicada por la flecha que se ve en ambos gráficos.
En principio es similar a dos diodos
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos

uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el
colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el
colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo
de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de
la derecha en este caso).

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IV: CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
La notación y símbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor

parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en
la figura 3.6 para la configuración de base común con
transistores pnp y npn, La terminología relativa a base común se desprende del
hecho de que la base es común a los lados de entrada y salida de la
configuración. Además, la base es usualmente la terminal más cercana o en un
potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes todas las direcciones de
corriente se referirán a la convencional (flujo de huecos) en vez de la
correspondiente al flujo de electrones. Esta elección se fundamenta
principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible en
las instituciones educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de
que las flechas en todos los símbolos electrónicos tienen una dirección definida
por esta convención. Recuérdese que la flecha en el símbolo del diodo define
la dirección de conducción para la corriente convencional. Para el transistor:
La flecha del símbolo gráfico define la dirección de la corriente de emisor (flujo

convencional) a través del dispositivo.
Figura 3.6 Notación y símbolos en la configuración de base común.

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Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las
direcciones reales, como se definen con base en la elección del flujo
convencional. Nótese en cada caso que IE = IC + IB. También adviértase que la
polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la
corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir, compárese la
dirección de IE con la polaridad o VEE para cada configuración y la dirección
de IC con la polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres

terminales, tales como los amplificadores de base común de la figura 3.6, se
requiere de dos conjuntos de características, uno para los parámetros de entrada
o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para
el amplificador de base común, como se muestra en la figura 3.7, relacionará
una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles
de voltaje de salida (VCB).
Figura 3.7 Características del punto de excitación para un transistor

amplificador de silicio de base común.
El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC) con un voltaje de

salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en
la figura 3.8. El conjunto de características de salida o colector tiene tres regiones
básicas de interés, como se indican en la figura 3.8: las regiones activa, de
corte y de saturación. La región activa es la región empleada normalmente para
amplificadores lineales (sin distorsión). En particular: En la región activa la unión
colector-base está inversamente polarizada, mientras que la unión base-emisor
se encuentra polarizada en forma directa.
La región activa se define por los arreglos de polarización de la figura 3.6. En el

extremo más bajo de la región activa la corriente de emisor (IE) es cero, la
comente de colector es simplemente la debida a la corriente inversa de
saturación ICO, como se indica en la figura 3.8. La corriente ICO es tan pequeña

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(del orden de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical

de IC (del orden de los miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma
línea horizontal que IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0
para la configuración base común se ilustran en la figura 3.9. La notación usada
con más frecuencia para ICO,en hojas de datos y de especificaciones
es ICBO como se indica en la figura 3.9. A causa de las técnicas mejoradas de
construcción, el nivel de ICBO para transistores de propósito general
(especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por lo
general tan reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para unidades
de mayor potencia ICBO aún aparecerá en el intervalo de los microamperios.
Además, recuérdese que ICBO para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga)
es sensible a la temperatura. A mayores temperaturas el efecto de ICBO puede
llegar a ser un factor importante ya que se incrementa muy rápidamente con la
temperatura.
Figura 3.9 Saturación de corriente inversa.
Nótese, en la figura 3.8, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre
cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente igual a la
corriente del emisor determinada por las relaciones básicas del transistor-
corriente. Adviértase también el casi desdeñable efecto de VCB sobre la
corriente del colector para la región activa. Las curvas indican claramente
que una primera aproximación a la relación entre IE e IC en la región activa la da
IC » IE
Como se deduce de su nombre, la región de corte se define como aquella región

donde la corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la figura 3.8. En
suma:
En la región de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un

transistor están inversamente polarizadas.

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La región de saturación se define como la región de las características a la

izquierda de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta región se amplió para
mostrar claramente el gran cambio en las características de esta región. Nótese
el incremento exponencial en la comente de colector a medida que el
voltaje VCB se incrementa más allá de los 0 V.
En la región de saturación las uniones colector-base y base-emisor están

polarizadas directamente.
Las características de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos de
voltaje de colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la
corriente de emisor se incrementa de una manera que se asemeja mucho a las
características del diodo. De hecho, los niveles de aumento de VCB tienen un
efecto tan insignificante sobre las características que, como una primera
aproximación, la variación debida a los cambios en VCB puede ignorarse y se
dibujan las características como se ilustra en la figura 3.10a. Si aplicamos
entonces el método del modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se
obtendrán las características de la figura 3.10b. Adelantando un paso más e
ignorando la pendiente de la curva y por tanto la resistencia asociada con la
unión directamente polarizada, se obtendrán las características de la figura 3.
lOc. Para los siguientes análisis en estos apuntes, el modelo equivalente de la
figura 3.l0c se empleará para todos los análisis de cd para redes de transistores.
Es decir, una vez que el transistor está en el estado "encendido" o de conducción,
se supondrá que el voltaje de base a emisor será el siguiente:
VBE = 0.7 V
Alfa (a)
En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores mayoritarios

están relacionados
Por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente
ecuación:
a cd = IC / IE
Donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operación. Aun cuando

las características de la figura 3.8 parecen sugerir que a = 1, para dispositivos
prácticos el nivel de alfa se extiende típicamente de 0.90 a 0.998, aproximándose
la mayor parte al extremo superior del intervalo. Ya que alfa se define únicamente
por los portadores mayoritarios, la ecuación (3.2) se convierte en
IC = a IE + ICBO

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Para las características de la figura 3.8 cuando IE = 0 mA, IC es por tanto igual
a ICBO, pero como se mencionó con anterioridad el nivel de ICBO es por 1o
general tan pequeño que es virtualmente indetectable en la gráfica de la figura
3.8. En otras palabras, cuando IE = 0 mA en la figura 3.8, IC aparece también
con 0 mA para el intervalo de valores de VCB.
Para las situaciones de CA en donde el punto de operación se mueve sobre la

curva de características, un alfa de CA se define por
El alfa de CA se denomina formalmente el factor de amplificación de base común

en corto circuito, por razones que serán obvias cuando examinemos los circuitos
equivalentes de transistor en el capitulo 4. Por el momento, admitamos que la
ecuación (3.7) especifica que un cambio relativamente pequeño en la corriente
de colector se divide por el cambio correspondiente en IE manteniendo constante
el voltaje colector a base. Para la mayoría de las situaciones las magnitudes
de a ca y de a cd se encuentran bastante cercanas, permitiendo usar la magnitud
de una por otra.
Polarización
La polarización adecuada de la base común puede determinarse rápidamente

empleando la aproximación IC » IE y suponiendo por el momento que IB » 0 uA.
El resultado es la configuración de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha
del símbolo define la dirección del flujo convencional para IC » IE. Las
alimentaciones de cd se insertan entonces con una polaridad que sostendrá la
dirección de la comente resultante. En el transistor npn las polaridades estarán
invertidas.
Figura 3.11

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A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del símbolo
del dispositivo apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras del tipo de
transistor con las letras apropiadas de las frases "apuntando hacia adentro" o
"apuntando hacia afuera".
V: ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
Ahora que se ha establecido la relación entre IC e IE, la acción básica de

amplificación del transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando
la red de la figura 3.12. La polarización de cd no aparece en la figura puesto que
nuestro interés se limitará a la respuesta de CA. Para la configuración de base
común, la resistencia de entrada de CA determinada por las características de la
figura. Es bastante pequeña y varía típicamente de 10 a 100 ohms. La resistencia
de salida determinada por las curvas de la figura 3.8 es bastante alta (cuanto
más horizontal esté la curva mayor será la resistencia) y varía normalmente de
50 kohms a 1 Mohms, La diferencia en resistencia se debe a la unión polarizada
directamente en la entrada (base a emisor) y la unión polarizada inversamente
en la salida (base a colector). Usando un valor común de 20 ohms para la
resistencia de entrada, encontramos que
Si suponemos por el momento que a ca = 1,
IL = Ii = 10 mA
VL = ILR = (10 mA) (5 kohms) = 50 V
Figura 3.12
La amplificación de voltaje es

18
Los valores típicos de amplificación de voltaje para la configuración de base

común varían de 50 a 300. La amplificación de corriente (IC/IE) siempre es
menor que 1 para la configuración de base común. Esta última característica
debe ser evidente ya que IC = a IE y a siempre es menor que 1.
La acción básica de amplificación se produjo transfiriendo una corriente I de un

circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinación de los dos términos en
cursivas produce el nombre de transistor, es decir,
Transferencia + resistor —> transistor
VI: CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN

Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o
sirve de referencia para las terminales de entrada y
Salida (en Este caso es común para las terminales base y colector)
El emisor es común a la entrada (base- emisor) y a la salida (colector-

emisor).)

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Para describir el comportamiento de la configuración EC, se require de dos

conjuntos de características:
 Parámetros de entrada
 Parámetros de Salida
 Parámetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada

(VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCE).
Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE es:
VBE=0.7V.
 Parámetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje

de salida (VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).

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Regiones de Operación
 Región Activa:
La unión colector-emisor se polariza inversamente, mientras que la

unión Base-Emisor se polariza directamente.
Esta es la región más importante si lo que se desea es utilizar el

transistor como amplificador.
La corriente de emisor, que es la corriente de salida, está formada por

la suma de la corriente de base y la de colector: IE = IC+ IB
En la configuración EC, también se mantiene la relación siguiente
que se usó en la configuración BC: IC= 𝜶IE

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 Región de Corte:
Tanto la unión base-emisor como la unión colector-emisor de un

transistor tienen polarización inversa.
En la región de corte la IC no es igual a cero cuando I es cero.

Para propósitos de amplificación lineal (la menor
Distorsión), el corte para la configuración EC se definirá mediante:
IC = ICEO
Para IB=0uA
La región por debajo de IB= 0µA debe evitarse si se requiere una
señal de salida sin distorsión.

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 Región de Saturación
Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un

transistor tienen polarización directa.
Cuando V CE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que las

uniones están en polarización directa, las corrientes se anulan.
Un transistor está saturado cuando: (IC = IE = IMáxima).

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Aplicaciones:
 Es la configuración más usada, puesto que amplifica tanto
corriente Como voltaje.

 El más usado para circuitos de baja frecuencia, debido a la alta
impedancia de entrada.
 Usado en amplificadores de audio de altas frecuencias de radio.
VII: CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN
La terminología de colector común se deriva del hecho de que el colector

es
común tanto a la entrada como a la salida de la configuración.
El colector es común a la entrada (base-colector) y a la salida (emisor-
colector).

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Regiones de Operación
Desde el punto de vista de diseño de un circuito con un transistor en la

configuración colector común, se utilizan las características de emisor
común.
Teniendo en cuenta que debido a que 𝜶 = 1; Ic=IE, por tanto las
características en colector común serían casi idénticas a las de emisor
común. Es por ello que, como se ha dicho anteriormente, para el diseño de
circuitos de transistores en colector común, se utilizan las características de
emisor común.
Características
 Con este tipo de circuitos no vamos a conseguir una amplificación

de tensión, pero son muy buenos amplificadores de la corriente y
de ahí viene su utilidad.
 Este circuito también se llama seguidor de emisor, nombre que le
viene porque el emisor sigue a la base, lo que quiere decir que la
tensión que le apliquemos a la base va a ser reproducida por el
emisor.
 Este tipo de circuitos tiene un comportamiento muy bueno frente a
las variaciones de temperatura y es debido a que tiene conectada
una resistencia, RE.
 El problema que pueden tener este tipo de circuitos es que disipan
mucha potencia.
 La característica más importante de esta configuración es que ofrece
una "alta impedancia" (o resistencia) de entrada y una baja
impedancia de salida.
 La corriente de entrada va a ser muy pequeña, mientras que la de
salida puede llegar a ser muy grande.
Aplicaciones
• Se usa como adaptador de impedancias, es decir, cuando queramos
obtener una baja impedancia de salida.

• Logra una muy baja distorsión sobre la señal de salida.

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VIII: LIMITES DE OPERACIÓN
Todos los límites de operación para un transistor vienen definidos en sus

hojas de especificaciones técnicas. Entre las más relevantes pueden citarse.
• corriente máxima de colector: Normalmente figura en las
especificaciones como “corriente continua de colector.
• voltaje máximo entre colector y emisor, VCEO: Indica el voltaje
máximo permitido entre el colector y el emisor, cuando la base está
desconectada o polarizada inversamente.
• VCE mínimo: Indica el voltaje VCEsat o voltaje mínimo que se puede
aplicar para no caer en la zona de saturación.
• PC máx: Representa la máxima potencia de disipación del colector (y
define la curva azul de la gráfica anterior).
Características de operación
Un transistor no sólo puede trabajar como amplificador, sino también como

“conmutador”, haciéndolo trabajar entre las regiones de corte y
saturación.
Se dice que un transistor está en corte cuando:
I B  0; I C  0; VCE  EC y VBE  0,7V
Por otra parte, se dice que un transistor está en saturación (para el mismo
circuito) cuando:
VCEsat  0,2V ; VBE  0,7V e I C  hFE I B

El comportamiento de un transistor en saturación es equivalente al de un
circuito cerrado. En este estado de operación, aunque aumente la corriente
de base, la corriente por el colector se mantiene constante.

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Hay que tener en cuenta que los valores de VBE=0,7V y VCEsat=0,2V son
valores típicos empleados en los cálculos de circuitos. De todos modos, es
conveniente revisar las especificaciones de cada transistor en particular.
IX: HOJA DE ESPECIFICACIONES
La hoja de especificaciones es el vínculo entre el fabricante y el usuario, es

de particular importancia.
La mayoría de especificaciones se dividen en valores nominales máximos,
características térmicas y características eléctricas .
FIGURA: VALORES NOMINALES

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FIGURA: CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
FIGURA: CARACTERISTICA ELECTRICAS

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X: PRUEBA DE TRANSISTOR:
-La prueba lo haremos con la ayuda de un multímetro, identificaremos la base,

colector y emisor y también si es PNP o NPN, con la finalidad de saber si el
transistor que estamos probando está en buen estado o está dañado, logrando
también identificar cada terminal del transistor.
PASOS PARA PROBAR TRANSISTOR CON UN MULTIMETRO:
1.-Vamos a utilizar un multímetro, colocando en la opción de diodo, primero

vamos a identificar la base, asumiendo si es NPN o PNP (colocando como
base el negativo o positivo), el terminal común tanto para las otras dos
terminales viene a ser el colector, y si la terminal común es positivo entonces
el transistor es NPN, caso contrario si el común es negativo es PNP.
2.-Una vez identificado la base podemos saber cuál de las terminales es el

colector y el emisor, también si es NPN o PNP.
3.-Para saber cuál es el colector y emisor una vez encontrado la base,

colocamos un cable en la base y el otro cable en cualquiera de las terminales
restantes y nos da un valor en el multímetro, ahora colocamos el cable en el
otro terminal y nos vuelve a dar otro valor, comparando ambos valores, el
mayor de ellos viene a ser el emisor y el menor el colector.
4.-Ahora invertimos la polaridad una vez encontrado la base, y no tiene q

marcar ningún valor, tampoco marcar en el colector-emisor, entonces así
podremos decir que el transistor está funcionando, en buen estado.
5.-Si al invertir la polaridad y sigue marcando (el cual no debe dar ningún
valor porque está en inversa), si también arroja un valor entre el colector y
emisor, entonces el transistor tiene una fuga.
6.-Si no marca ningún valor, ni al invertir la polaridad el transistor está abierto,

por lo tanto el transistor está dañado.
XI: ENCAPSULADO DE TRANSISTORES.
-Se le llama encapsulado al soporte físico, o mejor dicho a la estructura donde

se va a colocar el silicio, además sirve de protección a las junturas del
semiconductor para así no exponerlas ni dañarlas con el medio ambiente en el
que van a trabajar.
Como sabemos el transistor posee 3 terminales metálicos externos, los

cuales les permiten a las junturas BASE - COLECTOR - EMISOR ser
conectadas al exterior.

29
El encapsulado puede estar hecho de metal o de una resina plástica de

alta resistencia mecánica y térmica, la cual permite al transistor disipar la
temperatura de trabajo (disipa mejor sí el encapsulado es colocado a un
radiador de temperatura que está hecho de aluminio), es decir la
POTENCIA. Existen algunos que poseen más de tres terminales, y la
razón es la de poder suministrar más corriente o
sencillamente para proteger al transistor de la
electrostática, especialmente si el TRANSISTOR es de alta ganancia de
amplificación.
Los TRANSISTORES son construidos por diferentes fabricantes de

SEMICONDUCTORES, los cuales se rigen por normas universales de diseños
y poder así compatibilizar sus productos.
El encapsulado cumple las siguientes funciones:
 Proteger de las influencias ambientales como la humedad y el polvo en

el aire, las cuales son causas directas de defectos en el dispositivo
semiconductor, también el encapsulado lo protege de los golpes.
 Permite la fijación de conductores metálicos, denominados pines de

soldadura, permitiendo que las señales sean enviadas ahí, desde el
dispositivo semiconductor.
 Disipa el calor, los transistores de silicio se calientan durante en su

funcionamiento, pero si la temperatura llega a medidas muy altas puede
llegar a dañarse o destruirse, para esto usamos un disipador de calor y
así proteger el transistor.
 Mejorar el manejo y montaje, debido a que los circuitos incorporados en

transistores de silicio y los transistores de silicio son pequeños y
delicados, lo que el encapsulado lo hace fácil de controlar y montarlo en
la placa de circuito impreso.
 El encapsulado de acuerdo a su potencia :

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*Entre los encapsulados más comunes tenemos:

 TO-92 :Este transistor pequeño es muy utilizado para la amplificación de
pequeñas señales.
 TO-18: Es un poco más grande que el encapsulado TO-92, pero es

metálico. En la carcasa hay un pequeño saliente la cual indica que el
terminal mas cerca es el emisor.
 TO-39: Tiene el mismo aspecto que TO-18, pero es más grande. Al igual
que el anterior tiene una saliente que indica la cercanía al emisor y
también tiene la terminal del colector pegado a la carcasa, para efectos
de disipación de calor.

31
 TO-126: Este tipo de encapsulado se utiliza mucho en aplicaciones de

pequeña a mediana potencia. Se puede utilizar un disipador por medio
de un tornillo aislado por el centro del transistor, utilizando una mica
aislante.
 TO-3: Este encapsulado se utiliza en transistores de alta potencia, su

tamaño es debido a que tiene que disipar bastante calor. Está fabricado
de metal y es muy normal ponerle un disipador la energía que este
genera en calor.
• El disipador no tiene contacto con el cuerpo del transistor, para evitar

contacto se coloca una mica aislante y a la vez de conductor térmico, el
disipador se fija en el colector con tornillos también aislados.

32
Disipador de calor y mica aislante:
 TO-220:Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que se deba de disipar

potencia algo menor que el encapsulado TO-3 y al igual que el encapsulado
 TO-126, se debe utilizar mica aislante si se va a utilizar un disipador por un

tornillo aislante.

33
XII: CONCLUSIONES
- Se aprendió el uso muy importante del transistor y sus partes.

- Los parámetros de un transistor son muy importantes a la hora de dar un
uso básico al transistor BJT.
- Se aprendió su construcción y sus tipo NPN o PNP, como están
compuestos y como están representados.
- En una parte de este informe se explica la identificación de los tres
terminales del transistor, se explica también con imágenes los tipos y
formas que hay en el mercado el uso de este componente electrónico
muy interesante.
XIII: BIBLIOGRAFIA
 ROBERT L. BOYLESTAD Electrónica: Teoría de circuitos y

dispositivo electrónicos
 LOUIS NASHELSKY
XIV: LINKOGRAFIA:
- http://www.ifent.org/lecciones/fet/default.htm
- http://www.gmelectronica.com.ar/catalogo/pag113.html
- http://www.slideshare.net/lazacer/transistores-157121/
- http://www.fi.uba.ar/materias/7206/Semic.pdf
- http://www.alegsa.com.ar/Dic/transistor.php
- http://www.wikilearning.com/el_transistor_bipolar_bjt-wkccp-622-1.htm

34

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

ESCUELA ACADÉMICO PROFESIONAL DE INGENIERIA MECATRONICA

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR

TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

HISTORIA DEL TRANSISTOR …………………………………...7

OPERACIÓN DEL TRANSISTOR……………………………...….9

CONFIGURACION EN BASE COMUN….……………………....13

CONFIGURACION EN COLECTOR COMUN……..…………....24

ENCAPSULADO E IDENTIFICACION DE UN BJT.……………29

BIBLIOGRAFIA Y LINKOGRAFIA ..……………………………34

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se

- Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

- Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión

- Conmutación, actuando de interruptores (control de

- Detección de radiación luminosa (fototransistores)

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

- Familiarizarse con la construcción y operación básica del transistor de

FIGURA: TUBO DE VACIO

A principios de la década de los 1930 el tetrodo de cuatro elementos y el

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales fueron

FIGURA: EL PRIMER TRANSISTOR

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

I: HISTORIA DEL TRANSISTOR

Lámpara incandescente de Thomas Edison

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

Los transistores, desarrollados en 1947 por los físicos Shockley, Bardeen y

Fotografía del primer transistor construido por W. Shockley, J. Bardeen y

Concepto del Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico, semiconductor que cumple

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

 Base: que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la

II: OPERACIÓN DE UN TRANSISTOR

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

De tales criterios se establece:

Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del

Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la

Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la

Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas

Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

III: CONSTRUCCION DE TRANSISTORES BIPOLARES (BJT:

BJT de transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Junción

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas

La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores

En principio es similar a dos diodos

Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos

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IV: CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN

La notación y símbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor

La flecha del símbolo gráfico define la dirección de la corriente de emisor (flujo

Figura 3.6 Notación y símbolos en la configuración de base común.

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres

Figura 3.7 Características del punto de excitación para un transistor

El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC) con un voltaje de

La región activa se define por los arreglos de polarización de la figura 3.6. En el

E.A.P. INGENIERIA MECATRONICA UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

(del orden de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical