ELECTRONICA 1

DISEÑO DE AMPLIFICADOR MULTIETAPAS

Camilo Andrés Ibarra Merchán, Código: 1091283
Correo: Camiloandresim@ufps.edu.co
Facultad de Ingeniería
Ingeniería Electromecánica

ABSTRACT

In the next document we will find the design of a multistage amplifier with BJT transistors,
obtaining a gain of approximately 500 with a margin of +/- 5%, taking into account the factors
that influence the obtaining of said gain, for this we apply the concepts learned in class and
during the laboratories in the electronics 1 course.

Key expressions: transistors, multistage amplifier, gain, follower, inverter, excursion range, coupling
capacitors, diversion capacitors, impedance.

RESUMEN
En el siguiente documento encontraremos el diseño de un amplificador multietapas con transistores BJT,
obteniendo una ganancia aproximadamente de 500 con un margen de +/- 5%, teniendo en cuenta los
factores que influyen en la obtención de dicha ganancia, para ello aplicamos los conceptos aprendidos en
clase y durante los laboratorios en el curso de electrónica 1.

Expresiones claves: Transistors, Amplificador multietapas, ganancia, seguidor, inversor, Rango de

excursión, Capacitores de acoplamiento, capacitores de desvío, impedancia.

INTRODUCCIÓN permite aumentar la corriente y disminuir el

Los amplificadores multietapa son circuitos
electrónicos formados por varios transistores en
este caso BJT, que pueden ser acoplados de
forma directa o mediante capacitores para
mejorar sus respuestas tanto en ganancia,
impedancia de entrada Zin, Impedancia de
salida Zout y Ancho de banda.
Teniendo en cuenta las especificaciones para el
diseño de nuestro amplificador, a lo largo de
este documento se describirá de la manera más
clara los resultados obtenidos en las distintas
mediciones, simulaciones y cálculos realizados,
con la finalidad de justificar dicho diseño y la
utilización de componentes en específico.
MARCO TEÓRICO
TRANSISTOR BJT Y SUS
CONFIGURACIONES:
El transistor de unión bipolar es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que
voltaje, además de controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad
en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Las terminales de un transistor BJT son E de
emisor, B de base y C de colector. Se puede
modelar como la unión de 2 diodos
EMISOR COMÚN:
En esta configuración, la entrada se ubica en la
base del transistor, y la salida en el colector del
transistor, esta configuración tiene baja
impedancia de entrada y alta impedancia de
salida, alta ganancia de voltaje y corriente, la
onda de salida está desfasada en 180°con
respecto a la señal de entrada; el terminal del
emisor es común a la fuente de entrada y la
carga.
COLECTOR COMÚN:
En esta configuración la entrada está ubicada en
la base y la salida en el emisor del transistor,
esta configuración es poco afectada por las
variaciones de temperatura, tiene alta
impedancia en la entrada y baja impedancia de
salida, alta ganancia de corriente y ganancia de
voltaje menor o igual a 1, la onda de salida está
en fase con respecto a la onda de entrada. “ Un
circuito en el cual el voltaje de salida es
esencialmente una réplica de la entrada, pudiera
pensarse que es de poco valor, pero el uso
práctico del seguidor estriba en la relación entre
sus corrientes de entrada y salida “.
TIPOS DE ACOPLAMIENTO:
El acoplamiento establece la forma en la cual se
conectan las distintas etapas amplificadores,
dependiendo de la naturaleza de la aplicación y
las características de respuesta que se desean.
Existen distintos tipos de acoplamiento:
Acoplamiento directo, capacitivo y por
transformador.
 ACOPLAMIENTO CAPACITIVO:
El acoplamiento capacitivo o por
condensador se usa para interconectar
distintas etapas, en las cuales sólo se
desea amplificar señal. La presencia
del capacitor anula las componentes de
CC, permitiendo sólo la amplificación
de señales en CA. Los amplificadores
de CA usan acoplamiento capacitivo.
Permite mayor libertad en el diseño,
pues la polarización de una etapa no
afectar· a la otra.
CAPACITORES DE DESVÍO O
DESACOPLE:
Estos capacitores se utilizan mayormente para
amplificar la ganancia de voltaje de un circuito
con transistores ya que la configuración de
colector común se usa mayormente para acoplar
una onda y no se espera mucha ganancia con
ella, no se utiliza en esta configuración.
Los capacitores de desvío no están conectados
ni en la salida, ni en la entrada del amplificador
y van a tierra; (El condensador CE se denomina
condensador de desacople, proporciona un
camino de baja impedancia para la corriente
alterna del emisor que va a masa).
OBJETIVO GENERAL
Diseñar un amplificador multietapa con
transistores BJT.
OBJETIVOS ESPECIFICOS
 Ganancia de 500
 Fuente de alimentación +/-12V
 Manejo de señal de salida: 12 pico
a pico medido a 10KHz
 Resistencia de entrada mayor o
igual a 100K Ohms.
 Resistencia de salida igual a 510
Ohms
 EL amplificador debe estar
compensado a variaciones de
temperatura y con carga de 510
ohms conectada.
ELABORACION DEL DISEÑO
Se realizó el diseño de un amplificador
mediante la implementación de 4 etapas, las
cuales se componen por 3 circuitos inversores
(emisor común) y un circuito seguidor (colector
común) las cuales fueron primordiales para
obtener la ganacia deseada junto con la
impedancia de entrada y salida.
Cada una de las etapas diseñadas se conforma
por transistores BJT tipo NPN de referencia
2N2222A, con valores de Betas cercanos a 300.
Las tres primeras etapas conformadas por los
inversores me generarán la ganancia deseada,
con la particularidad de que mi salida estará
desfasada 180° teniendo en cuenta la
configuración de elmisor común.
Se realizaron las respectivas simulaciones en el
Software Orcad, para realizar las verificaciones
y comprobaciones para el montaje de nuestro
circuito.
Se verificó la estabilidad del circuito, simulando
variaciones de temperatura de 0 a 120°,
confirmando que nuestra ganancia no sobre pase
el margen de error de +/-5% al igual que la
comprobación de su rango de excursión.
PRIMERA ETAPA DE INVERSOR
(EMISOR COMÚN)
Para poder cumplir con los parámetros de
diseño, debemos tener en cuenta que la
impedancia de entrada debe ser mayor o igual a
100KOhms, para esto se realizaron
configuraciones de divisor de voltaje y
resistencias Thevenin, esta configuración se
utiliza para garantizar una alta impedancia de
entrada.
Para mejorar la ganancia a obtener será útil la Rpi: 7.28 Kohms
conexión de un capacitor de desvío en el
ZIn: 89.746K Ohms
terminal común de la etapa, permitiendo
disminuir Re sin que afecte la polarización de ZOut: Rc: 4.7K Ohms
dicha etapa y que la ganancia esté dad por
RC/RE; El Zout para esta etapa viene siendo la
resistencia de colector RC para obtener nuestra
ganancia de cada etapa
R1: 820K Ohms R3: 6.8K Ohms R5: 680 Ohms
R2: 270K Ohms R4: 680 Ohms
Donde nuestra Rthv: 203.119K Ohms
I: 24v/820K+270K = 22.018 uA
Vthev: (270K*I)-12 : -6.055V

Rpi: 2.929Kohms
ZIn: 102.669K Ohms
ZOut: Rc: 6.8K Ohms

TERCERA ETAPA DE INVERSOR

SEGUNDA ETAPA DE INVERSOR
(EMISOR COMÚN)
Para nuestra segunda etapa inversora
aplicaremos los mismos conceptos que para la
segunda etapa, pero esta vez teniendo en cuenta
las caídas de ganancia por acoplamiento de las
etapas. En esta etapa es muy importante obtener
un rango de excursión correcto debido a la
presencia de mis 2 capacitores, desvío y acople.
(EMISOR COMÚN)
Para nuestra última etapa inversora realizamos
los ajustes pertinentes con nuestras resistencias
fijas y agregamos un potenciómetro linear para
ajustar nuestra ganancia respecto a variaciones
en nuestro circuito.
R1: 820K Ohms R3: 6.8k Ohms R5: 1.8k Ohm
R2: 270K Ohms R4: 860 Ohms
Donde nuestra Rthv: 203.119K Ohms
Vthev: (270K*12)/(270k+820k) : -6.055v
Rpi: 4.8K ohms
ZIn: 114.73K Ohms
ZOut: Rc: 6.8K Ohms

R1: 820K Ohms R3: 4.7K Ohms R5: 1k Ohm

R2: 270K Ohms R4: 510 Ohms
Donde nuestra Rthv: 203.119K Ohms
I: 24v/820K+270K = 22.018 uA
Vthev: (270K*12)/(270k+820k) : 2.97 v
CUARTA ETAPA SEGUIDOR Vout/Vin: Av1* Av2* Av3*
(COLECTOR COMÚN) Av4*(Zin1/Zin1+Rs) *(Zin2/Zin2+Zo1)
*(Zin3/Zin3+Zo2) *(Zin4/Zin4+Zo3)=
En esta etapa nuestra ganancia es menor o igual
a 1, se utiliza esta configuración ya que es
G(v): -658.30* 0.8100: 533.22
resistente a variaciones de temperatura, baja
impedancia de salida, ya que debemos asegurar
la estabilidad del circuito teniendo en cuenta
nuestra resistencia de carga por valor de 510 ETAPA 1
Ohms, en esta se utilizó un TIP41C debido a la
corriente que circulará por el circuito y ITEM CALCULADO SIMULADO
necesitamos reducir la temperatura de los
componentes afectados por dicha corriente. ZIN 102.669K 106.45K
R1: 6.8k Ohms R3: 510 Ohms
ZOUT 6.8K 6.72K
R2: 220 Ohms
Rpi: 524.36 ohms G(V) -9.82 -9.53

ZIn: 66.74k Ohms VCE 3.11V 3.42V

ZOut: Rc: 21.97 Ohms
ETAPA 2

ITEM CALCULADO SIMULADO

ZIN 89.746K 91.36K

ZOUT 4.7K 4.67K

G(V) -8.769 -8.695

VCE 6.63V 5.75V

ETAPA 3

ITEM CALCULADO SIMULADO

ZIN 114.73K 110.5K

ZOUT 6.8K 6.72K

G(V) -7.73 -7.65

RED DE DOS PUERTOS VCE 9.24V 8.39V

V1: Vin* (Zin1/Zin1+Rs)
ETAPA 4

V2: AvnlV1*(Zin2/Zin2+Zo1) ITEM CALCULADO SIMULADO

ZIN 66.74K 67.02K

V3: AvnlV2*(Zin3/Zin3+Zo2)
ZOUT 21.97 20.85

V4: AvnlV3*(Zin4/Zin4+Zo3) G(V) 0.99 1

VCE 10.14V 10.14V

VOUT: AvnLV4
 BIBLIOGRAFÍA
1. Hambley, A (2001). Electronica.
Editorial Prentice halls, 2da Edición.
2. Horenstein,M.N.(1997) Circuitos y
Dispotitivos Microelectronicos, 2da
Edición. Editproal Prentice halls.
3. Boylestad,R (2003). Teorías de
circuitos y dispositivos
electrónicos. Editorial Pearson
Education, 8va Edición.

CONCLUSIONES

-Se evidenció la utilidad y eficiencia de

herramientas para comparar el margen de error
y/o diferencias con los resultados obtenidos en
la práctica.

-El parámetro de impedancia de salida es el

más sensible a variaciones en especial a
cambios en el VCE, sin embargo esta
impedancia es la menos sensible a cambios de
temperatura.

-Se logró dar una mejor interpretación de

conceptos tales como; impedancias, ganancia,
análisis de circuitos con transistores BJT y
confirmar la fundamentación a lo largo de la
materia.

-Haciendo uso de un potenciómetro lineal

implementado en nuestro circuito, se logró
ajustar nuestra ganancia.

-Una de las herramientas más útiles para el

diseño y prueba de nuestros circuitos es el
software Orcad, ya que podemos implementar
cualquier tipo de circuito y modificar los datos
caracteristicos de cada componente.
 ANEXOS

Figura 1. Diseño de multietapa

Figura 2. Simulación de ganancia total en Orcad

 Figura 3. Montaje de Circuito Multietapas

Figura 4. Ajuste y Prueba de Circuito Multietapas

Figura 5. Ganancia Real de multietapas en Osciloscopio