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LABORATÓRIO DE MÁQUINAS ELÉTRICAS – TÉCNICO EM ELETROMECÂNICA – CEFET-MG

Transistor Bipolar de Junção de Potência


Ian Camargo, Igor borges, Gabriel Medeiros, Geraldo Henrique, Lorenzo Mágno, Raul Vieira

INTRODUÇÃO Ao conduzir a corrente entre o coletor e o emissor, que é a


corrente controlada, o transistor apresenta certa
Com base em pesquisas, foi estudado o princípio de resistência. Ele se comporta como um resistor cuja
funcionamento dos transistores bipolares ou transistores resistência pode ser variada por uma corrente de base. No
de junção (BJT = Bipolar Junction Transistors), analisando entanto, mesmo na saturação, a resistência entre coletor e
sua estrutura e também dando circuitos práticos de emissor não é nula, o que significa que calor é gerado. Esse
aplicação. Além de uma análise dos transistores usados em calor é dado pelo produto da corrente que circula pelo
circuitos de potência. componente entre o coletor e o emissor (Ice) pela tensão
que aparece entre o coletor e o emissor (Vce).
1 - TRANSISTOR BIPOLAR DE POTÊNCIA:
Se esse calor gerado não for dissipado, o transistor se
O que diferencia um transistor de potência, do tipo bipolar
aquece para além da temperatura máxima que suporta e
de junção, de um transistor comum, é a sua capacidade de
com isso ele queima. O calor deve ser transferido para o
trabalhar com correntes intensas ou com tensões elevadas,
meio ambiente. Dois tipos de invólucro se destacam:
e em alguns casos com ambos.
metálico e plástico.
Transistores com correntes de coletor acima de 1 A são
O metálico mais comum é o TO-3 mostrado na figura 2, que
normalmente considerados transistores de potência, e as
tem recursos para fixação em um grande dissipador de
tensões de operação, ou seja, tensões máximas que
calor, normalmente usado por transistores com dissipações
suportam entre coletor e emissor podem superar os 1000V.
acima de 100 W.
Nas aplicações industriais encontramos estes componentes
em diversos tipos de equipamentos. Eles são utilizados em
fontes de alimentação tanto do tipo linear como chaveado,
na excitação de relés, solenoides e no controle de outros
tipos de cargas, em comutação, etc.

A figura 1 mostra que os transistores são dotados de


Figura 2. Invólucro TO-3
invólucros que facilitem a dissipação do calor que geram.
Estes transistores normalmente têm o terminal de coletor
diretamente conectado ao invólucro para ajudar na
transferência de calor, conforme mostra a figura 3.

Figura 1. Transistores de Potência Figura 3. Coletor conectado ao invólucro


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1.1 - LIGAÇÃO DARLINGTONS: 1.2 - MATERIAS:

Uma forma de se obter maior ganho e também maior Atualmente, os transistores de potência mais
capacidade de corrente para os transistores bipolares é comuns encontrados nas aplicações industriais e de
fazendo sua ligação com uma forma de acoplamento controle são os de silício. De fato, as características
denominada Darlington. Nela, dois transistores são ligados do silício como o baixo custo, facilidade de obtenção
em acoplamento direto, de modo que o emissor do e outras facilitam sua construção, e isso observamos
primeiro seja conectado à base do segundo e os coletores na indústria eletrônica de uma forma mais ampla.
interligados.
No entanto, no início da indústria dos
Em funcionamento, o sinal é aplicado na base do primeiro semicondutores, outro material foi amplamente
transistor e retirado do emissor do segundo ou do coletor utilizado na construção de transistores, incluindo os
em comum, conforme mostra a figura 4. transistores de potência. Trata-se do germânio.
Assim, em aplicações mais antigas poderemos
eventualmente encontrar um transistor de potência
de germânio, como os mostrados na figura 6.

Figura 4. Acoplamento Darlington Figura 6. Transistores de potência de germânio

Na prática, em lugar de usarmos dois transistores Na nomenclatura europeia, a letra “A” no início da
separados para obter esta configuração, podemos usar designação do tipo indica que o transistor é de germânio.
transistores Darlington prontos que na verdade são Por exemplo, AD161 e AD162 são conhecidos transistores
formados por dois transistores já ligados nessa de potência de germânio antigos até hoje encontrados
configuração, num único invólucro e até contendo em alguns equipamentos em etapas de amplificação de
resistores de polarização como o mostrado na figura 5. áudio, pequenos inversores, drivers, etc.

Por outro lado, BD136 e BD135 indicam que são


transistores de potência de silício.

Um dos problemas do silício como material semicondutor


básico usado na fabricação de transistores (e de circuitos
integrados) é a velocidade dos portadores de carga.

No silício e no germânio os portadores de carga (elétrons


e lacunas) são lentos em relação a outros materiais como
o GaAs (Arseneto de Gálio) e GaN. Assim, transistores de
alta potência com a capacidade de operar em altas
frequências, como os usados em transmissores de rádio,
osciladores em aplicações industriais, fazem uso desses
Figura 5. Transistor Darlington de potência
transistores.
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1.3 - SOAR ou SOA: Conforme podemos ver, a região de corrente máxima de


15 A só é aplicada para baixas tensões entre coletor e
Estes acrônimos são de vital importância para quem emissor, até aproximadamente uns 6 ou 7 V. (curva
trabalha com transistores de potência. SOAR significa inferior). Depois disso, a corrente máxima começa a cair
Safe Operating Area Region ou Região da Área de e em torno de 100 V ela já é inferior a 1 A.
Operação Segura, enquanto SOA significa Safe Operating
Area ou Área de Operação Segura. É por isso motivo que muitos leitores nos escrevem “não
entendendo” por que numa simples fonte de 12 V x 10 A
Quando dizemos que um transistor, como o 2N3055 tem usamos três 2N3055 em paralelo (3,3 A para cada um)
uma corrente máxima de coletor de 15 A e suporta uma quando um deles poderia ser suficiente.
tensão máxima de 100 V entre o coletor e o emissor, isso
não significa que podemos usar este componente nestes Veja pelo gráfico que, em 12 V, a corrente máxima que
limites. um 2N3055 poderia operar não é muito maior do que uns
5 A.
Isso pode levar os menos avisados a pensar que se
ligarem este componente a uma carga apropriada que Dando uma tolerância, para que o limite de dissipação
receba os 100 V e 15 A do transistor, eles terão uma não seja alcançado, isso justifica o uso de três transistores
potência disponível de 1 500 W (15 x 100). na fonte.

Não é verdade, pois além do transistor só poder dissipar No Gráfico temos uma segunda curva que serve para
115 W, existem limites a serem respeitados. Os 15 A indicar o comportamento do componente sob regime
máximos só estão disponíveis numa determinada faixa de pulsante (num controle PWM, ou numa fonte chaveada,
tensão de operação do transistor. Da mesma forma, só por exemplo).
poderemos ter 100 V entre o coletor e emissor (Vcbomax)
Com pulsos de 100 us, por exemplo, o transistor pode ir
em condições especiais.
além em termos de corrente máxima, chegando mais
Para saber utilizar o transistor na corrente e tensão perto dos 10 V para uma corrente de 15 A, mas vemos
desejadas, os fabricantes, em seus datasheets fornecem que em torno de 12 V essa corrente já cai para algo em
um gráfico denominado SOA ou SOAR que indica torno de 10 A.
justamente as condições operacionais do transistor de
1.4 - SEGUNDA RUPTURA:
forma segura.
Para os transistores de potência, existe um fenômeno que
Na figura 7 temos justamente esse gráfico elaborado de
ocorre quando a junção está polarizada no sentido direto
forma simplificada para o 2N3055. É importante observar
(em condução) e que é mostrado em algumas curvas SOA,
que o gráfico é feito para uma temperatura máxima do
sendo denominado TU ou Segunda Ruptura ou em inglês
componente de 70º C. Isso significa que acima dessa
“second breakdown”. Na figura 8 temos uma curva SOA
temperatura o componente tem suas características
em que esta segunda ruptura é mostrada.
deteriorando-se rapidamente.

Figura 7. Gráfico SOA para o 2N3055


Figura 8. Segunda ruptura
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Trata-se de um fenômeno que ocorre numa junção de um 1.5 – ALGUMAS ESPECIFICAÇÕES:


transistor de potência quando a tensão, corrente e a
dissipação de potência são altas, mas ainda abaixo dos 1)Código Pro-Electron:
limites admitidos para um funcionamento seguro. A primeira letra indica o material usado na confecção do
componente, conforme a seguinte tabela:
O que ocorre é que em um transistor ideal, quando em
condução espera-se que a corrente de coletor se distribua A = Material com largura de faixa proibida de 0,6 eV a 1,0 eV,
uniformemente na área correspondente da pastilha de como exemplo mais comum o germânio (Ge)
silício, e com isso a potência gerada também se distribua B = Material com largura de faixa proibida de 1,0 a 1,3 eV como
de modo uniforme. o silício (Si)

No entanto, na prática não é isso que ocorre. Podem C = Material com largura de faixa proibida acima de 1,3 eV
existir pequenas áreas em que a corrente é maior como o arseneto de gálio (GaAs)
formando assim pontos quentes ou “hot spots” se D = Material com largura de faixa proibida menor que 0,6 eV
adotarmos o termo em inglês. como o InSb

Quando o componente é comutado, tanto no momento E – Materiais compostos como os utilizados em sensores de
em que liga como desliga, estes pontos quentes que se efeito Hall, sensores, diversos, etc.
formam podem causar a sua queima, A segunda letra indica a aplicação do dispositivo:
O fenômeno deve-se ao fato de que os portadores A: Diodo detector, comutador ou misturador de RF
minoritários de carga do material semicondutor possuem
B: Varicap
um coeficiente negativo de resistência em relação à
temperatura, ou seja, sua resistência diminui quando a C: Transistor, AF, pequenos sinais
temperatura aumenta. D: Transistor, AF, potência

Para se evitar a segunda ruptura existem cuidados E: Diodo Tunnel


importantes a serem observados no uso dos transistores,
F: Transistor de alta frequência, pequeno sinal
e outros componentes que podem manifestar o
problema. G: Multichips

K: Dispositivo de efeito Hall


Os principais cuidados são:
L: Transistor, HF, potência
a) Manter a dissipação dentro dos limites determinados
pelas características do componente M: Dispositivos Hall

b) Usar um snubber para evitar a dissipação excessiva nos N: Acoplador óptico


momentos em que o componente é comutado P: Dispositivo sensível à radiação

c) Cuidar para que o componente opere dentro da área Q: Dispositivo que produz radiação (LED, por exemplo)
de operação segura. R: Tiristor, Baixa potência
d) Observar na qualidade do transistor se ele é fabricado S: Transistor para comutação
com uma tecnologia que permita uma distribuição
T: Tiristor, Potência
uniforme da corrente para se evitar o problema
U: Transistor, potência, comutação
e) Trabalhar no projeto com uma polarização de base que
ajude a reduzir rapidamente a corrente no componente X: Diodos múltiplos, varistores, recuperação rápida
no desligamento. Y: Retificador

Z: Zener, ou diodo regulador de tensão

A terceira letra indica que o dispositivo é indicado para


aplicações industriais ou profissionais, assim como
comerciais. O sufixo é usualmente W,X,Y ou Z.
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O número de série vai de 100 a 9999. Um sufixo adicional hFE – ganho estático de corrente ou a relação entre a corrente
normalmente determina a faixa de ganho, como nas DC de coletor e a corrente de emissor. Veja que, para as
normas JEDEC. especificações estáticas as siglas são dadas em maiúsculo “FE”.
(também dado por Beta – β)
Exemplos:
BC548A – Transistor de silício de baixa potência com faixa A de
hfe – ganho de sinal para pequenos sinais ou a relação entre a
intensidade de uma corrente AC de coletor e a corrente AC de
ganhos
base, para pequenos sinais. Veja o “fe” minúsculo para indicar
BAW68 – Diodo para aplicações profissionais em RF que se trata uma grandeza para sinal, ou uma intensidade que
varia com o tempo.
BD135 – transistor de silício de potência

BF494 – transistor de silício de baixa potência para RF


IB – Corrente dc no terminal de base o transistor

2)Código JIS: IC - Corrente dc no terminal de coletor do transistor


JIS é o acrônimo para Japanese Industrial Standard, sendo IE – Corrente dc no terminal de emissor do transistor
a norma adotada pelos fabricantes japoneses de
semicondutores. A norma que fixa a designação de Ib – Valor rms da corrente AC no terminal de base do transistor.
semicondutores é a JIS-C-7012 onde o primeiro dígito
Ic – Valor rms corrente AC no terminal de coletor do transistor
indica o número de junções (2 para transistores e 3 para
FETs de dupla comportam por exemplo). Em seguida Ie – Valor rms corrente AC no terminal de emissor do transistor
temos a letra S e depois novamente uma letra com o
significado dada pela tabela a seguir: iB – Valor instantâneo corrente AC no terminal da base do
transistor

iC – Valor instantâneo da corrente AC no terminal de base do


transistor

iE – Valor instantâneo da corrente AC no terminal de emissor


do transistor

ICBO – Corrente entre coletor e base com o emissor aberto


ICEO – Corrente entre coletor e emissor com a base aberta
ICER – Corrente entre coletor e emissor com uma resistência
entre base e emissor.

ICES – Corrente entre coletor e emissor com a base


curtocircuitada ao emissor.

ICEV – Corrente entre coletor e emissor com uma tensão


especificada aplicada entre a base e o emissor.

3)Grandezas elétricas: ICEX – Corrente entre o coletor e o emissor com um circuito


especificado ligado entre a base e o emissor.
Cibo – Capacitância de entrada com a base aberta (já vimos que
a letra”o” no final do símbolo indica que o circuito está aberto. ICM – Corrente de pico de coletor
Para os transistores é a capacitância entre a base e o emissor,
com o coletor desligada. Esta capacitância influi bastante na PTOT – Dissipação total de potência. Normalmente especificada
velocidade de comutação do dispositivo. para uma temperatura ambiente de 25° C. É a potência máxima
que o componente dissipar de forma segura.
ft – Frequência de transição – Há uma definição complexa desta
especificação, mas para os leitores que ainda estão estudando, Vbb, Vcc, Vee – Tensão de alimentação
podemos dizer que se trata da frequência na qual o ganho do
transistor se torna unitário, ou seja, a máxima frequência em Vbc, Vbe , Vce – Tensão entre os terminais indicados – valor
que ele pode ser usado como amplificador. positivo quando na ordem indicada e negativo na ordem
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inversa. Assim, um valor negativo indica normalmente um Vbe(Sat) – Tensão de saturação entre base e emissor – é a
transistor PNP. tensão que faz com que a junção base-emissora conduza a
corrente a ponto de saturar o transistor

2 – PRINCIPAIS INFORMAÇÕES DO CATÁLOGO On Semiconductor :


TRANSISTOR DE POTÊNCIA DE JUNÇÃO NPN – SILÍCIO
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3 – CONCLUSÃO

Este relatório abordou aspectos importantes acerca do dispositivo denominado transistor bipolar de junção (BJT) e teve como
base, pesquisas realizadas pelos alunos, assim como o conteúdo absorvido nas aulas de Eletrônica de Potência. Dessa forma,
citou-se sobre o princípio de funcionamento desse dispositivo e análises de sua estrutura e aplicações. Sendo assim
concluímos que o Transístor de Junção Bipolar, (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de
Semicondutores dopados e separadas por Junções. Essa Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V0)
de 0,6 V, que é um parâmetro importante do BJT. O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e elétrons
participarem do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, elétron ou lacuna, o transistor é
denominado unipolar (FET). O (BJT) opera em três modos diferentes: modo de Corte, modo de Amplificação Linear e modo
de Saturação. Para que um transistor funcione é necessário polarizar corretamente as suas junções, da seguinte forma: 1 -
Junção base-emissor: deve ser polarizada diretamente 2 – sendo que a Junção base-coletor deve ser polarizada reversamente
(esse tipo de polarização deve ser utilizado para qualquer transistor de junção bipolar, seja ele npn ou pnp). Os (BJT) são
muito importantes no mundo da eletrônica. São bastante utilizados em outras Demonstrações, especialmente como
Amplificadores, nos circuitos analógicos, e como Interruptores Electrónicos, nos circuitos digitais.

3 – REFERÊNCIAS:
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N5191-D.PDF
http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/eletronica-de-potencia/15358-curso-de-eletronica-de-
potencia-parte-3-transistores-bipolares-de-potencia-cur3003