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STM AFM Apostila PDF
STM AFM Apostila PDF
TUNELAMENTO COM
VARREDURA (STM) E
MICROSCÓPIO DE
FORÇA ATÔMICA (AFM)
2 – INTRODUÇÃO
! 2 d 2ψ (x )
− 2
+ V ( x)ψ ( x) = Eψ ( x) Eq. 1
2 m dx
h
Onde: ! = : é a constante de Planck normalizada;
2π
m : é a massa do elétron;
x : é a variável unidimensional;
ψ(x) : é a função de onda (|ψ(x)|2, define a densidade de probabilidade de
presença da partícula m em x);
V(x) : é a energia potencial.
Neste caso (Fig. 1), a solução é específica para cada região da energia potencial, dada
por:
Desde sua invenção, o STM encontrou uma imediata aceitação como uma poderosa
ferramenta de análise superficial. As atuais e futuras aplicações desta tecnologia dependem de
nossa compreensão da técnica de medida.
A conceituação básica de STM é o princípio físico do tunelamento eletrônico. A maior
parte da literatura sobre tunelamento é voltada para este efeito quântico, previsto na década de
20, que ocorre entre dois eletrodos planos ou rugosos, separados por uma camada isolante
suficientemente fina (como óxidos ou mesmo vácuo), ou seja, na presença de uma barreira de
potencial; existem tratamentos para eletrodos metálicos e/ou semicondutores, etc.
Inicialmente, Binning e Rohrer [2,13,14,15], aceitaram resultados prévios teóricos da
dependência exponencial da corrente de tunelamento I com a distância d:
I = Ve(− Aφ )
1/ 2
d
Eq. 2
No STM, o sensor de tunelamento mede a corrente I que passa entre a amostra e a sonda
metálica, posicionada quase tocando a superfície da amostra (que deve ser condutora).
Quando a distância sonda-amostra é aproximadamente de 10Å, os elétrons da amostra
começam a tunelar na direção da sonda ou vice versa, dependendo da polaridade de uma
voltagem aplicada entre a sonda e a amostra. A corrente varia com a distância entre elas,
sendo diretamente proporcional à voltagem V aplicada (alguns milivolts de contínua) e
exponencialmente proporcional à distância d de separação entre a amostra e a sonda, ou seja,
a resolução do STM reduz com o aumento de d.
Fundamental para a operação do STM é a extrema sensibilidade da corrente de
tunelamento à separação entre os eletrodos. No STM, uma sonda muito fina, e muito próxima
da amostra, varre a sua superfície, retirando elétrons, levantando assim a topografia dos
átomos na superfície da amostra, ou seja, registrando o seu relevo (potencial) [16].
Sua realização, simples em princípio, depende de considerável astúcia experimental. O
STM é aplicável a amostras condutoras podendo ser utilizado tanto no vácuo como na
atmosfera. Porém quando usado no ar, tem-se uma “contaminação” da superfície da amostra,
fazendo com que a imagem obtida não seja uma imagem pura.
3.3 - O INSTRUMENTO
Os ajustes mecânicos grossos e finos, em quase todos os casos, são feitos por cerâmicas
com propriedades piezoelétricas, em que obtém o deslocamento mecânico aproximadamente
proporcional á diferença de potencial aplicada entre dois eletrodos da cerâmica [30].
Fig. 7 - Forças entre a ponteira e a amostra em função da distância entre elas, com
os respectivos regimes de operação.
Na fig. 7 estão representadas as duas regiões que determinam os modos de operação do
AFM, onde, a área abaixo da linha de força nula, as forças são atrativas e acima da linha do
zero, as forças são repulsivas.
Os efeitos de uma variedade de forças atuando entre ponta-amostra podem ser
analisados, essas forças incluem as forças atrativas de van der Waals, forças magnéticas, e
forças Coulombianas, de média para grandes distâncias, tipicamente ≥ 100 Å [33].
Em resumo, quando a ponteira se aproxima da amostra, é primeiramente atraída pela
superfície, devido a uma ampla gama de forças atrativas existentes na região, como as forças
de van der Waals. Esta atração aumenta até que, quando a ponteira aproxima-se muito da
amostra, os átomos de ambas estão tão próximos que seus orbitais eletrônicos começam a se
repelir. Esta repulsão eletrostática enfraquece a força atrativa à medida que a distância
diminui. A força anula-se quando a distância entre os átomos é da ordem de alguns angstroms
(da ordem da distância característica de uma união química). Quando as forças se tornam
positivas, podemos dizer que os átomos da ponteira e da amostra estão em contato e as forças
repulsivas acabam por dominar.
4.2 – O INSTRUMENTO
No AFM, a ponta de prova é varrida sobre a superfície de uma amostra, onde esta ponta
esta acoplada a um cantilever flexível, forças entre a ponteira e a amostra causam deflexões
muito pequenas deste suporte (cantilever), que são detectados e apresentados como imagens.
O AFM usa muitos dos elementos originalmente desenvolvidos para o STM. Esses
equipamentos comuns são: os sistemas de varredura, de aproximação ponta-amostra, de
controle e de aquisição e processamento de dados, por esse motivo, as vezes, é considerado
como um modo de operação, e em alguns casos uma simples troca de cabeças (de
tunelamento ou força atômica) irá caracterizar um ou outro equipamento [30].
A ponteira é apoiada num suporte chamado cantilever que pode ter forma de V ou de
haste, em geral retangular. A força que a amostra exerce sobre a ponteira é determinada pela
deflexão do cantilever, dada pela lei de Hooke F = -k x , sendo x o deslocamento do cantilever
e k a sua constante de mola própria, determinada pelas características de construção. O
cantilever possui duas propriedades importantes: a constante de mola e sua freqüência de
ressonância. A primeira determina a força entre a ponteira e a amostra quando estão próximas
e é determinada pela geometria e pelo material utilizado na construção do cantilever.
O componente mais importante do AFM é, sem dúvida, o cantilever. São necessárias
grandes deflexões para atingir alta sensibilidade. Portanto, a mola deve ser tão macia quanto
possível. Por outro lado, é preciso uma alta freqüência de ressonância para minimizar a
sensibilidade a vibrações mecânicas, especialmente quando se está fazendo a varredura. Como
a freqüência de ressonância do sistema da mola é dada por:
ω0 = (k/m)1/2 Eq. 3
onde m é a massa efetiva que carrega a mola, é claro que um grande valor de ω0 para uma
mola relativamente mole (k pequeno) pode ser conseguido mantendo pequena a massa m e,
portanto, a dimensão do sensor deve ser tão pequena quanto possível. Estas considerações
levam diretamente à idéia de utilização de técnicas de micro fabricação para produção de
cantilevers. Abaixo, a fig.8 mostra a imagem de um cantilever obtida com um SEM da
COPPE (UFRJ). Trata-se de um cantilever de Si3N4 (nitreto de silício) de aproximadamente
210 µm de comprimento no eixo maior, com ponteira piramidal integrada.
Fig. 8 - Cantilever com ponteira
A ponteira pode ser colada ou solidária, isto é, o cantilever pode ser diretamente
fabricado com uma ponteira aguçada em sua extremidade.
Fig. 10 – (a) cantilever de SiO2 com ponta de diamante. (b) cantilever de Si com
ponta integrada [34].
Fig. 11 – Imagens SEM de cantilevers de Si3N4 com pontas piramidais integradas.
(a) imagem de quatro cantilevers em forma de V acoplados em um bloco. (b) quatro
pontas piramidais no cantilever em formato V. (c) as pontas piramidais são ocas vistas
por cima. (d) visão de uma ponta individual, com aproximadamente 30 nm de raio [27].
2 - Ponteiras por deposição química de vapor. Ponteiras muito finas e de alto aspect
ratio podem ser feitas com um feixe de elétrons combinado com deposição química de
vapor. Estas ponteiras são crescidas na extremidade de uma ponteira standard piramidal
e possuem diamante em sua composição, o que as torna muito rígidas. Dimensões
típicas são: 1,5 a 2 µm de comprimento, aspect ratio > 10:1 e raio de 100 Å.
O AFM opera basicamente de dois modos: Força constante e Altura constante. Como no
STM, no modo Força constante o circuito de realimentação move a ponta (ou amostra), de
maneira que a aproxima ou a afasta, para tentar manter constante o espaçamento ponta-
amostra. No modo Altura constante, a ponta move-se somente sobre o plano xy e mantém
constante o eixo z[30].
5 – APLICAÇÕES
A primeira e mais importante aplicação para o STM e AFM, está relacionada com o
estudo de superfícies de metais e semicondutores, através da qual pode-se observar a
geometria da estrutura atômica, bem como a estrutura eletrônica das superfícies.
O STM pode também ser usado para investigar processos físicos e químicos que
ocorrem nas superfícies, dentre esses processos está a adsorvição em superfície de metais e
semicondutores, a adsorvição molecular, a observação de formação de aglomerados sobre
superfícies (aglomerados de metais e aglomerados de semicondutores), nucleação e
crescimento de filmes (por exemplo crescimento de filmes metálicos, crescimento de Si sobre
Si (001)), reações químicas nas superfícies de metais e semicondutores (estudo das reações
químicas que ocorrem nas superfícies, são importantes, pois algumas aplicações tecnológicas
utilizam corrosões e catálises) [27].
Pode-se utilizar o STM para criar uma técnica de análise superficial para o estudo das
propriedades das superfícies, podendo assim modificar ou fazer gravações em algumas
superfícies em escala nanométrica [27]. Vide figura abaixo:
Outra aplicação para o STM e AFM, está no estudo da estrutura superficial de materiais
biológicos, dentre eles: ácidos nucleicos (RNA e DNA), as proteínas e membranas biológicas
(membranas celulares e células) [27].
O AFM possui varias aplicações, dentre as quais a grande maioria se iguala às
aplicações para o STM [27] [34], porém para análises de materiais biológicos, o AFM
apresenta algumas vantagens, pois se trabalha em ar ou meio líquido e utiliza a força atômica
ao invés de corrente tunelamento para gerar imagens [30], pode ser usado em baixas
temperaturas para a observação de estruturas biológicas congeladas, entre outras [27] [34].
Algumas aplicações tecnológicas adicionais para o AFM incluem imagens de circuitos
integrados, componentes ópticos e de raio-x, elementos armazenados em meios de
comunicação e outras superfícies críticas [27].
Para a microeletrônica o STM foi e é de grande importância, pois foi possível a
caracterização de defeitos, inclusive pontuais em estruturas, deixando de ser apenas uma mera
análise estatística.
A fig. 14 mostra a superfície do Si (111) 7x7 feita por um STM operando no modo
corrente constante, que foi um segredo por mais de vinte anos, derrubando assim quase todos
os modelos previstos desta estrutura.
Fig. 14 - (a) Perspectiva STM da imagem de uma área (320Å Å x 360Å
Å) da
superfície Si(111)7x7, obtida através do modo de operação por corrente
constante. (b) Correspondente da visão aérea [31].
A fig. 15 mostra uma imagem obtida pelo STM operando no modo altura constante.
Fig. 15 - Vista aérea de uma imagem STM de área (70Å x 70Å) com
intercalação superficiais compostas por C8Cs-grafite, obtidas através
do modo de operação altura constante [31].
A fig. 16, mostra uma imagem 3D de um crescimento de InP (Fosfeto de Ìndio) sobre
um substrato de InP .
Abaixo, a figura mostra uma análise do perfil de uma linha sobre a superfície de InP
crescido sobre InP, onde a análise mostra um gráfico da altura do crescimento na superfície,
da proporção de crescimento, do perfil de crescimento e do espectro de freqüência.
Fig. 17 – Análise feita por software do perfil de uma linha sobre uma amostra de InP
crescido sobre InP.
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