UNIVERSIDADE FEDERAL DO ABC

Relatório 8 – Cálculos de Primeiros Princípios

Elton Ogoshi de Melo

R.A.: 11025010
Prof. Dr. Caetano Miranda

Santo André
2013
Sumário
1. Introdução .................................................................................................... 3

2. Objetivos ...................................................................................................... 3

3. Densidade de estados ................................................................................. 3

3.1. Densidade de estados do Si ................................................................. 4

3.2. Densidade de estados do Al ................................................................. 7

4. Módulo bulk ................................................................................................. 9

4.1. Módulo bulk do Si .................................................................................. 9

4.2. Módulo bulk do Al ................................................................................ 10

5. Conclusão .................................................................................................. 10
 1. Introdução

Entende-se como cálculos de primeiros princípios como a fixação dos

parâmetros teóricos de equações da mecânica quântica. Embasada na teoria do
funcional da densidade eletrônica (DFT) e utilizando a aproximação da
densidade de spin local (LDA) ou de gradiente generalizado (GGA), este método
é uma ferramenta poderosa na descrição de sistemas na escala manométrica.

Neste método, o primeiro teorema de Hartree-Fock pode simplificar muito

os cálculos e, consequentemente, reduzir bastante o tempo computacional. Este
define que o estado fundamental dos elétrons pode ser dado exclusivamente em
função da densidade eletrônica. Assim, o sistema passa de várias equações de
onda de N (números de elétros) vetores espaciais, para o valor de densidade
(dependente de apenas um vetor). Define-se assim o método de funcional de
densidade eletrônica (DFT).

2. Objetivos

Determinar e analisar os resultados de densidade de estados e módulo

de bulk para as estruturas cristalinas do Si e do Al obtidos pelos cálculos de
primeiros princípios.

3. Densidade de estados

Foi utilizado o programa Quantum Espresso para realizar as simulações.

Há dois arquivos de input: o script de entrada e o de pseudopotencial. No script
de entrada são determinados:

 Variáveis que definem o sistema;

 Formato da célula unitária;
 Massa de cada espécie atômica;
  Pseudopotencial de cada espécie atômica;
 Coordenada de cada átomo dentro da célula unitária;
 Pontos k utilizados.

No arquivo de pseudopotencial são definidos todos os parâmetros de

energia potencial efetiva de um elétron em relação ao núcleo considerado
estacionário.

3.1. Densidade de estados do Si

Para aproximar o pseudopotencial com o potencial real do elétron no

átomo de Si, primeiramente é necessário determinara energia de corte ecutwfc
e os pontos-k mínimos.

Na determinação de ecutwfc foi necessário utilizar diferentes valores de

ecutoff. Ainda nesta parte, o sistema foi definido como cúbico e com parâmetro
de rede de 5,4307 Angstrom. Além disso, foram determinadas as posições
atômicas dentro da célula unitária de forma a representar uma estrutura cristalina
do tipo diamante, como a da figura abaixo.

Figura 1 – Estrutura do tipo diamante.

Foram testados valores de 15 a 40 eV, com passo de 5 eV a cada teste.

Abaixo está o resultado obtido de energia total do sistema para cada valor
utilizado.
Figura 2 – Gráfico de energia total do sistema em função da energia de corte do elétron no sistema
cristalino de Si.

Nota-se pelo gráfico que a energia total do sistema se estabiliza a partir

da energia de corte de 25 eV. Dessa forma, esse valor foi o utilizado nas
simulações posteriores.

Para determinar os pontos k do Si, utilizou-se o mesmo método utilizado

para achar a energia de corte. Foram testados valores de k de 1 a 5 com passo
de 1 a cada simulação. Foi gerado um gráfico da energia total do sistema em
função dos pontos k. O resultado está apresentado abaixo.
Figura 3 - Gráfico de energia total do sistema em função dos pontos k no sistema cristalino de Si.

Analisando o gráfico é possível perceber que a energia total do sistema

se estabiliza a partir dos pontos k 3 3 3. Dessa forma, esse valor foi o utilizado
nas simulações posteriores.

Com os valores de energia de corte e de pontos k estabelecidos para o

Si, foi possível simular a densidade de estados dos(E) de sua estrutura cristalina.
Assim, simulou-se com um valor de energia mínima de -6 eV, energia máxima
de 15 ev e passo de 0,2 eV.

O resultado obtido de densidade de estados para o Si em função da

energia está apresentado abaixo.
Figura 4 – Gráfico de densidade de estados em função da energia total do sistema para o sistema
cristalino de Si.

Analisando o gráfico, pode-se identificar a energia de Fermi (E ~ 6,0 eV),

que é definida como a região nula (bandgap) de mais alta energia. Além disso,
pela largura dessa bandgap que é em torno de 1 eV, pode-se inferir que o Si no
seu estado cristalino se trata de um semicondutor, uma vez que para materiais
isolantes essa valor é muito maior.

3.2. Densidade de estados do Al

Foram realizadas as mesmas simulações para o Al nesta parte do

experimento. Os parâmetros utilizados foram os seguintes:

 Estrutura cúbica;
 Parâmetro de rede: 4,0496 Angstrom;
 Posições atômicas de acordo com uma estrutura CFC.
 Figura 5 – Estrutura CFC.

Em seguida, simulou-se o sistema otimizado para obter a densidade de

estados em função da energia. O resultado obtido está apresentado abaixo.

Figura 6 - Gráfico de densidade de estados em função da energia total do sistema para o sistema
cristalino de Al.

Pode-se notar pela análise do gráfico acima que o sistema de Al puro se

trata de um material condutor. Tal fato já era esperado pelo fato do Al se tratar
de um metal. Ainda, pelo gráfico pode-se definir o nível de Fermi do Al em ~7,5
eV (ponto máximo da curva).
 4. Módulo bulk

Através da determinação do módulo bulk, pode-se entender o

comportamento de materiais expostos a esforços de compressão, uma vez que
este estabelece a resistência do material a este tipo de esforço.

Desse modo, foi utilizado o Quantum Espresso para simular os valores de

energia total do sistema em função de diversos valores de volume de célula
unitária para o Si e para o Al.

4.1. Módulo bulk do Si

Abaixo está apresentado os resultados de energia total do sistema para

diferentes valores de volume de célula unitária de Si do tipo cúbica simples.

Figura 7 – Gráfico de energia total do sistema em função do volume de célula unitária cúbica simples de
SI.
 Analisando os resultados, o ponto mínimo da curva indicou um valor de V
de aproximadamente 1125 au³, indicando um parâmetro de rede de 10,4 au.

Com o software Grace, foi encontrada uma equação de E(V) por

regressão linear.

𝐸(𝑉) = 2,4968𝑥10−6 𝑉 2 − 0,0056456𝑉 − 59,775

Utilizou-se a seguinte equação para determinar o módulo de bulk.

𝑑2𝐸
𝐵0 = 𝑉0
𝑑𝑉 2

Desse modo, obteve-se um módulo de bulk para a estrutura cristalina do

Si de 86,5 GPa. Comparando-se com dados da literatura (~76 GPa), obtêm-se
um erro relativo de 12,14%.

Devido a problemas de execução do programa ev.x no computador

pessoal do aluno, infelizmente esse experimento se limitou a determinar o
módulo de bulk apenas pela regressão linear do software Grace.

4.2. Módulo bulk do Al

Mais uma vez, devido a algum problema relacionado à execução dos

programas no computador pessoal do aluno, infelizmente, não foi possível o
estudo e determinação do módulo de bulk do Al.

5. Conclusão

O método de cálculos de primeiros princípios mostra-se como um

poderoso meio de simulação de sistemas atômicos, fornecendo resultados
aproximados com os experimentais. Aliado à otimização por simulação
computacional de certos parâmetros, é possível assim obter características
prévias de propriedades físicas do sistema atômico antes de se aplicar um
projeto científico ou de engenharia.