FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA

Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

“Año del Diálogo y la Reconciliación Nacional”

SÍLABO

ASIGNATURA: DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS CÓDIGO: 8F0026

I. DATOS GENERALES

1.1. Departamento Académico : Ingeniería Electrónica e Informática

1.2. Escuela Profesional
1.3. Carrera Profesional
1.4. Ciclo de Estudios
1.5. Créditos
1.6. Duración
1.7. Horas semanales
1.7.1 Horas de teoría
1.7.2 Horas de práctica
1.8. Plan de estudios
1.9. Inicio de clases
1.10. Finalización de clases
1.11. Requisito
ELECTRICOS I / FISICA DEL ESTADO SOLIDO
: Ingeniería de Telecomunicaciones.
: Ingeniería de Telecomunicaciones.
: IV ciclo
: 04
: 17 semanas
: 05 Horas semanales
: 03 Horas semanales
: 02 Horas semanales
: 2001
: Agosto 2019
: Diciembre 2019
: ANALISIS DE CIRCUITOS

1.12. Docente : Ing. Cesar A. Geronimo Mayor

1.13. Semestre Académico : 2019-II

II. SUMILLA
Bandas de energía, cristales de (silicio), materiales extrínsecos e intrínsecos, la
juntura PN y el diodo semiconductor, introducción a la teoría de los transistores
BJT. Tipos, configuraciones, recta de carga, parámetros híbridos, parámetros pi.
Los transistores fet, diversas configuraciones, propiedades, rectas de carga.
III. COMPETENCIA DE LA ASIGNATURA

Define y explica los conceptos y teorías más importantes y generales acerca de

los dispositivos electrónicos, demostrando una actitud crítica con respecto a la
información producida y recibida.
Utiliza la teoría de los dispositivos electrónicos para aplicarlos a cualquier
sistema eléctrico y en diversas situaciones prácticas.
Argumenta e identifica con comentarios a favor o en contra acerca de los
conocimientos adquiridos mostrando actitudes de familiarización con la
asignatura y con la carrera profesional.

IV. CAPACIDADES

➢ C1: BANDAS DE ENERGÍA

Describe la teoría de las bandas de energía y las propiedades de los materiales
intrínsecos, extrínsecos y las impurezas trivalentes y pentavalentes.

➢ C2: DIODO SEMICONDUCTOR

Diseña circuitos con diodos utilizando herramientas en el laboratorio.

➢ C3: TRANSISTORES BJT

Analiza el transistor BJT y su punto de trabajo así como su funcionamiento como
conmutador.

➢ C4: TRANSISTORES FET

Elabora circuitos aplicativos con transistores FET utilizando los conceptos
teóricos aprendidos.
V. PROGRAMACIÓN DE CONTENIDOS

UNIDAD I
BANDAS DE ENERGÍA
C1: Describe la teoría de las bandas de energía y las propiedades de los materiales intrínsecos, extrínsecos y las impurezas
trivalentes y pentavalentes.
ACTIVIDADES DE
CONTENIDOS CONTENIDOS CONTENIDOS
SEMANA APRENDIZAJE/ HORAS
CONCEPTUALES PROCEDIMENTALES ACTITUDINALES
EVALUACIÓN
Teoría de bandas de Determina las bandas
Explicación de la Guía
Semana N°01 energía en los cristales de energía en 03
de Laboratorio.
(Si, Ge). cristales.
Conoce conductividad,
Conductividad,
resistividad y Participa activamente Desarrollo grupal de los
Semana N°03 resistividad y movilidad, 03
movilidad, en los en clase. casos prácticos.
en los metales.
metales.
Materiales extrínsecos, Maneja los materiales Entrega Informe de
Explicación de la Guía
Semana N°03 e intrínsecos, extrínsecos, e Laboratorio en forma 03
de Laboratorio.
conductividad. intrínsecos oportuna.
Determina la
Resistividad y movilidad resistividad y movilidad Desarrollo grupal de los
03
Semana N°04 en los semiconductores. en los casos prácticos.
semiconductores.
PRIMERA EVALUACIÓN: CORRESPONDIENTE A LA UNIDAD I
Referencias Bibliográficas: MALVINO ”Principios de Electronica”. Editorial McGraw Hill España 2000
 UNIDAD II
DIODO SEMICONDUCTOR
C2: Diseña circuitos con diodos utilizando herramientas en el laboratorio.
ACTIVIDADES DE
CONTENIDOS CONTENIDOS CONTENIDOS
SEMANA APRENDIZAJE/ HORAS
CONCEPTUALES PROCEDIMENTALES ACTITUDINALES
EVALUACIÓN
La juntura PN y el diodo
semiconductor, Describe las
explicación de su aplicaciones de la Explicación de la Guía
Semana N°05 03
funcionamiento desde el electrónica en la de Laboratorio.
punto de vista de los electricidad.
semiconductores.
Describe la teoría de
El diodo ideal,
las bandas de energía Participa activamente Desarrollo grupal de los
Semana N°06 aproximaciones del 03
y las propiedades de en clase. casos prácticos.
diodo.
los materiales
El diodo como Diseña circuitos con Entrega Informe de
recortador, función de diodos utilizando Laboratorio en forma
Explicación de la Guía
Semana N°07 transferencia, ejemplos, herramientas de las oportuna. 03
de Laboratorio.
resolución de problemas ciencias básicas y
con diodos. Pspice de Orcad
Enclavadores, Diseña en laboratorio
Multiplicadores de circuitos aplicativos
Desarrollo grupal de los
tensión. El diodo zener. con diodos 03
Semana N°08 casos prácticos.
Características y zener y de propósito
aplicaciones. general.
EXAMEN PARCIAL: CORRESPONDIENTE A LA UNIDAD I Y II
Referencia Bibliográfica: Horestein “Microelectrónica, Circuitos y Dispositivos”. Editorial Prentice Hall. EEUU 2003
 UNIDAD III
TRANSISTORES BJT

C3: Analiza el transistor BJT y su punto de trabajo así como su funcionamiento como conmutador.

ACTIVIDADES DE
CONTENIDOS CONTENIDOS CONTENIDOS
SEMANA APRENDIZAJE/ HORAS
CONCEPTUALES PROCEDIMENTALES ACTITUDINALES
EVALUACIÓN
Describe sus
Clasificación, Teoría de características y Explicación de la Guía
Semana N°09 03
los BJT. configuraciones de Laboratorio.
principales.
Variaciones de la Analiza el efecto que
Desarrollo grupal de los
Semana N°10 ganancia de corriente. produce la ganancia Participa activamente 03
casos prácticos.
La recta de carga de corriente en clase.
El transistor en Analiza el transistor
conmutación. BJT y su punto de Entrega Informe de
Explicación de la Guía
Semana N°11 Polarización de emisor. trabajo así como su Laboratorio en forma 03
de Laboratorio.
Excitadores para los funcionamiento como oportuna.
LEDS. conmutador.
Polarización por divisor Resuelve problemas
de tensión. Polarización aplicativos sobre los Desarrollo grupal de los
03
Semana N°12 de emisor con dos diferentes tipos de casos prácticos.
fuentes de alimentación. polarización.
SEGUNDA EVALUACIÓN: CORRESPONDIENTE A LA UNIDAD III
Referencias Bibliográficas: RASHID “Circuitos Microeletrónicos”. Editorial McGraw Hill. España 2002
 UNIDAD IV
TRANSISTORES FET

C4: Elabora circuitos aplicativos con transistores FET utilizando los conceptos teóricos aprendidos.

ACTIVIDADES DE
CONTENIDOS CONTENIDOS CONTENIDOS
SEMANA APRENDIZAJE/ HORAS
CONCEPTUALES PROCEDIMENTALES ACTITUDINALES
EVALUACIÓN
Análisis teórico, Analiza el
funcionamiento, tipos, funcionamiento, tipos y Explicación de la Guía
Semana N°09 03
características características de Laboratorio.
principales. principales.
Conoce las
Configuraciones Desarrollo grupal de los
Semana N°10 configuraciones Participa activamente 03
importantes. casos prácticos.
importantes. en clase.

Rectas de carga, Resuelve problemas Entrega Informe de Explicación de la Guía

Semana N°11 03
problemas diversos. diversos. Laboratorio en forma de Laboratorio.
oportuna.
Resuelve problemas
Análisis de Problemas con transistores FET
Desarrollo grupal de los
mixtos de FET y BJT en utilizando los 03
Semana N°12 casos prácticos.
continua. conceptos teóricos
aprendidos
SEGUNDA EVALUACIÓN: CORRESPONDIENTE A LA UNIDAD III
Referencias Bibliográficas: SEDRA SMITH FAVIO DI LORENZO ”Circuitos Microelectrónicos”. EEUU. 2005.
VI. METODOLOGÍA

6.1 Estrategias centradas en el aprendizaje:

Durante el desarrollo de la asignatura se realizará
➢ Durante clase: El profesor expondrá y analizará los aspectos principales de
cada uno de los temas.
➢ Trabajos: con el objetivo de reforzar los conocimientos adquiridos y
discutidos en clase, se encargaran lecturas específicas y complementarias
de manera que los alumnos puedan ver la fundamentación de la teoría así
como aplicación de los temas estudiados.
➢ Propuesta de investigación: la asignatura es teórico-práctico por lo que es
necesario el desarrollo de un documento o propuesta de Investigación por lo
cual el alumno establecerá vínculos entre la teoría y la realidad.

6.2 Estrategias centradas en la enseñanza:

Las estrategias centradas en la enseñanza son de tener motivado al alumno de
haber llegado al séptimo ciclo de su carrera y con ello haber generado mecanismos
que le permitan entender, comprender, analizar los Fenómenos Económicos y
Sociales del País.
La presentación de monografías estimulará su aprendizaje y motivará que se
aprenda más, porque está utilizando la teoría para explicar, los acontecimientos de
país y del Resto del Mundo.
Las estrategias metodológicas empleadas en el proceso de enseñanza aprendizaje
de la asignatura son de tipo: Expositivo-participativo, trabajo individual, trabajo en
equipo y Análisis.

VII. RECURSOS PARA EL APRENDIZAJE

➢ Recursos convencionales: Impresos, separatas, materiales didácticos en

libros, revistas.
➢ Materiales audiovisuales: Imágenes fijas proyectadas, materiales
audiovisuales: presentaciones multimedia, retroproyector, videos y CD.
➢ Recursos tecnológicos, programas informáticos: Software Matlab.
VIII. EVALUACIÓN

De acuerdo al Compendio de Normas Académicas de esta Casa Superior de

estudios, en su artículo 13° señala lo siguiente: “Los exámenes y otras formas de
evaluación se califican en escala vigesimal (de 1 a 20) en números enteros. La nota
mínima aprobatoria es once (11). El medio punto (0.5) es a favor de estudiante”.

Del mismo modo, en referido documento en su artículo 16°, señala: “Los exámenes
escritos son calificados por los profesores responsables de la asignatura y
entregados a los alumnos y las actas a la Dirección de Escuela Profesional, dentro
de los plazos fijados”

Asimismo, el artículo 36° menciona: “La asistencia de los alumnos a las clases es
obligatoria, el control corresponde a los profesores de la asignatura. Si un alumno
acumula el 30% de inasistencias injustificadas totales durante el dictado de una
asignatura, queda inhabilitado para rendir el examen final y es desaprobado en la
asignatura, sin derecho a rendir examen de aplazado, debiendo el profesor,
informar oportunamente al Director de Escuela”

La evaluación de los estudiantes, se realizará de acuerdo a los siguientes criterios:

N° CÓDIGO NOMBRE DE LA EVALUACIÓN PORCENTAJE

01 EP EXAMEN PARCIAL 30%
02 EF EXAMEN FINAL 30%
03 TA TRABAJOS ACADÉMICOS 40%
TOTAL 100%

La Nota Final (NF) de la asignatura se determinará en base a la siguiente manera:

NF = EP*30% + EF*30% + TA*40%

100
IX. FUENTES DE INFORMACIÓN

1. SAVANT “Diseño Electrónico”.

University of Texas at Austin, USA 2002.

2. MALVINO ”Principios de Electronica”.

Editorial McGraw Hill, España 2000

3. HORESTEIN “Microelectrónica, Circuitos y Dispositivos”.

Editorial Prentice Hall, EEUU 2003.

4. RASHID “Circuitos Microeletrônicos”.

Editorial McGraw Hill. España 2002.

5. SEDRA SMITH FAVIO DI LORENZO ”Circuitos Microelectrónicos”.

EEUU. 2005.