Variação da Condutividade e da

Concentração de Portadores de
Carga com a Temperatura
Materiais Elétricos - Slavson
GRUPO: Andressa Alves, Carlos Vitor Lopes, Juliana
Costa, Laura Cordeiro, Liana Alvarenga, Zulkner Viana
Condutividade Elétrica

CLASSIFICAÇÃO DO MATERIAL
CONDUTIVIDADE ELÉTRICA QUANTO À CONDUTIVIDADE
1
𝜎= ◆ Metais (Condutores)
𝜌
𝜎 ≥ 107 (Ω ∗ 𝑚)−1
Onde:
◆ Isolantes
𝜎 = 𝐶𝑜𝑛𝑑𝑢𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒 Ω ∗ 𝑚 −1 10−20 ≤ 𝜎 ≤ 10−10 (Ω ∗ 𝑚)−1
𝜌 = 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒[(Ω ∗ 𝑚)]
◆ Semicondutores
10−6 ≤ 𝜎 ≤ 104 (Ω ∗ 𝑚)−1
 Variação da
Condutividade
com a
Temperatura
Relação entre a Condutividade e a Temperatura

◆ Regra de Matthiessen
𝜌𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝜌𝑑 +𝜌𝑖 +𝜌𝑡

Onde:
𝜌𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙
𝜌𝑑 = 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒 𝑒𝑚 𝑓𝑢𝑛çã𝑜 𝑑𝑎 𝑑𝑒𝑓𝑜𝑟𝑚𝑎çã𝑜
𝜌𝑖 = 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒 𝑒𝑚 𝑓𝑢𝑛çã𝑜 𝑑𝑎𝑠 𝑖𝑚𝑝𝑢𝑟𝑒𝑧𝑎𝑠
𝜌𝑡 = 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒 𝑒𝑚 𝑓𝑢𝑛çã𝑜 𝑑𝑎 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎
Condutividade x Temperatura

◆ Equação da parcela da
Resistividade em função da
Temperatura

𝜌𝑡 = 𝜌0 + 𝑎𝑇

1
𝜎 𝑇 =
𝜌 𝑇
Conclusão

Onde:
𝜎 𝑇 = Condutividade em
função da temperatura
◆ Condutividade como função
da temperatura 𝜌 𝑇 = Resistividade em função
da temperatura
1 𝑛 𝑇 = Número de elétrons
𝜎 𝑇 = =𝑛 𝑇 𝜇 𝑇 𝑒 livres em função da
𝜌 𝑇 temperatura
𝜇 𝑇 = Mobilidade eletrônica
em função da temperatura
e= Carga elementar
Semicondutores

Semicondutores Intrínsecos Semicondutores Extrínsecos

Comportamento elétrico está As características elétricas são ditadas
baseado na estrutura eletrônica pelo átomos de impurezas, que são
inerente ao material puro. adicionados pelo método de dopagem.

Exemplo: Silício (Si) e Germânio Exemplo: Silício dopado com Fósforo

(Ge). (P).
 Concentração
de Portadores
de Carga com a
Temperatura
Concentração de Cargas Portadoras

◆ Em materiais condutores, apenas os elétrons são

considerados portadores de cargas.

◆ Em materiais semicondutores, os elétrons e buracos são

considerados como portadores de cargas.

◆ Em semicondutores intrínsecos e extrínsecos a variação da

concentração de cargas portadoras varia de acordo com a
temperatura.
Concentração de Portadores de Cargas x
Temperatura

SEMICONDUTOR INTRÍNSECO
Análise do gráfico:
◆ Concentração de elétrons e
buracos aumentam com a
temperatura
◆ Concentração de portadores
de Ge é maior que de Si.

Figura 1: Concentração de cargas portadoras intrínsecas

para germânio e silício.
Concentração de Portadores de Cargas x
Temperatura

SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO
Análise do gráfico:
◆ Região de Temperatura
Extrínseca;
◆ Região de Temperatura de
Congelamento;
◆ Região de Temperatura
Intrínseco.
Figura 3: Concentração de elétrons em função da temperatura para silício
dopado de átomos de uma impureza doadora e para silício intrínseco.