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Universidad Nacional

Autónoma de México.

Facultad de Estudios
Superiores Cuautitlán.

Laboratorio de: Dispositivos y Circuitos


Electrónicos. Grupo: 2509-D

Profesor: Petra Medel Ortega

Alumno: Reyes Mejorada Axel.

No. Práctica: 10

Nombre de la práctica: “El transistor de efecto


de campo de unión (JFET) ”.

Fecha de Realización: 09- Mayo - 2019


Fecha de Entrega: 14- Mayo - 2019

Semestre: 2019-2.

Objetivos:
-Identificar las terminales de un JFET así como examinar los métodos de polarización de un
JFET y Determinar que produce su punto Q estable.
Introducción:

¿Qué es un JFET?
El transistor JFET (Junction Field Effect Transistor, que se traduce como transistor de efecto
de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar.
Funcionamiento básico[

Esquema interno del JFET

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una


familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de
un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET
son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión
positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción,
respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las
zonas de deplexión que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexión se
hacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga más
dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor
es la tension inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y
drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los
electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de deplexión van al drenaje,
por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente

Polarización y curvas características


Polarización de un transistor JFET

Curvas características de un JFET canal n

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal de


drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta
se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del
terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal
queda cerrado se llama pinch-off y es diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla
cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El JFET
es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta a fuente modifican la
región de rarefacción (deplexión) y causan que varíe el ancho del canal.
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas características del transistor
JFET. Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran en la imagen,
nótese que se distinguen tres zonas importantes: la zona óhmica, la zona de corte y la zona
de saturación.
Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas ellas
normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos programas de
simulación (como SPICE) permiten hacen barridos de CD básicos para obtener las curvas,
en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes.
El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (más
adelante se verá) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de señal, sin embargo
no son las únicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la configuración para
formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados, etc.
Procedimiento experimental:

1-. Primeramente se armó el siguiente circuito en la tabla de conexiones y se midieron los


datos que pide la tabla siguiente:
JFET Idss Vgs (off)

1 10.38 mA 9.1 V

2 8.90 mA 3.5 V

3 7.80 mA 2.9 V

2-. Posteriormente, colocando los diferentes JFET en el circuito midiendo Vgs, Id, y Vds:

JFET Vgs Id Vds

1 -1.436 V 21.54 mA 10.058 V

2 -1.480 -1.2 uA 8.702 V

3 -1.481 -1.4 uA 9.040 V

3-. Se repitieron las mediciones anteriores, con la diferencia que se cambio el circuito.

JFET Vgs Id Vds

1 -2.122 V 3.14 mA 6.473 V

2 -1.622 V 2.41 mA 7.301 V


3 -1.472 V 2.17 mA 7.573 V

4-. Cambiando los diferentes JFET , se midieron nuevamente la tabla anterior.

JFET Vgs Id Vds

1 -2.455 V 2.27 mA 4.066 V

2 -1.772 V 1.95 mA 4.899 V

3 -1.566 V 1.85 mA 5. 149 V

5-. Por último, de igual forma se cambio el circuito (obviamente variando los JFET) y se
midieron los siguientes parámetros:

JFET Vgs Id Vds

1 -3.034 V 1.19 mA 6.472 V


2 -2.104 V 1.18 mA 7.406 V

3 -1.863 V 1.17 mA 7.647 V

Cuestionario :
1-. Explique la diferencia entre un transistor TBJ y un transistor JFET:
BJT

Controlado por corriente de base.


Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.
IC es una función de IB.
ß (beta factor de amplificación)
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Relación lineal entre Ib e Ic.

JFET

Controlado por tensión entre puerta y fuente.


Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) ó
electrones (canal n).
ID es una función de Vgs.
gm (factor de transconductancia.
Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los
TBJ.

2-. Indique los elementos que determinan el punto de trabajo de un JFET:

En región de corte

En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensión
entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión bloquean y
estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las hojas técnicas se
denomina a esta tensión como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS
(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS (off) = -2V.

En región lineal

En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en
muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensión. El
fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes
valores de VGS

En región de saturación

En esta región, de similares características que un BJT enla región lineal, el JFET tiene
unas características lineales que son utilizadas en amplificación. Se comporta como una
fuente de intensidad controlado por la tensión VGS cuya ID es prácticamente independiente
de la tensión VDS. La ecuación que relaciona la ID con la VGS
En región de ruptura

Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a través
de la unión de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensión de ruptura
entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensión se designa
por BVDSS y su valor está comprendido entra 20 y 50 V.

3-. Enuncie tres ejemplos de aplicación de los JFET:

4-. Anote el tipo de


polarización de cada
uno de los circuitos
que se indican en la tabla 10.6

Circuito Tipo de Rango Teórico de Id Rango obtenido de Id


polarización
. Baja Alta Baja Alta

Figura 10.3 7.80 mA 10.38 mA

Figura 10.4 .64 mA 20 mA -1.4 uA 21.54 mA

Figura 10.5 .64 mA 20 mA 2.42 mA 3.14 mA

Figura 10.6 1.85 mA 2.27 mA

5- Explique por qué el JFET tiene una alta impedancia de entrada:


Significa que tiene un efecto despreciable respecto a los componentes o circuitos externos
conectados a su terminal de puerta.

6-. Enuncie los tipos de JFET que conoce:


Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V.
Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de
tensiones drenaje-fuente de 1 a 200 de voltaje(V).
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante
(normalmente SiO2).
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una
puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN
iguales.
7-. Anote los valores máximos y mínimos de la corriente de drenado en la tabla del
punto 4.
8-.En función de Id , compare y comente los resultados de cada circuito mostrado en
la tabla del punto 4.
Claramente existen diferencias ya que los datos teóricos son otros valores los que se nos
asignan para poder sacar las diferentes Id.

Conclusiones:
1--. Se adquirió el conocimiento sobre un nuevo tipo de transistor, el JFET.
2-. Se conocieron las diferentes polarizaciones del JFET.
3-.Se conocio la linea de polarizacion de un JFET.

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