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Autónoma de México.
Facultad de Estudios
Superiores Cuautitlán.
No. Práctica: 10
Semestre: 2019-2.
Objetivos:
-Identificar las terminales de un JFET así como examinar los métodos de polarización de un
JFET y Determinar que produce su punto Q estable.
Introducción:
¿Qué es un JFET?
El transistor JFET (Junction Field Effect Transistor, que se traduce como transistor de efecto
de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar.
Funcionamiento básico[
1 10.38 mA 9.1 V
2 8.90 mA 3.5 V
3 7.80 mA 2.9 V
2-. Posteriormente, colocando los diferentes JFET en el circuito midiendo Vgs, Id, y Vds:
3-. Se repitieron las mediciones anteriores, con la diferencia que se cambio el circuito.
5-. Por último, de igual forma se cambio el circuito (obviamente variando los JFET) y se
midieron los siguientes parámetros:
Cuestionario :
1-. Explique la diferencia entre un transistor TBJ y un transistor JFET:
BJT
JFET
En región de corte
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensión
entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión bloquean y
estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las hojas técnicas se
denomina a esta tensión como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS
(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS (off) = -2V.
En región lineal
En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en
muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensión. El
fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes
valores de VGS
En región de saturación
En esta región, de similares características que un BJT enla región lineal, el JFET tiene
unas características lineales que son utilizadas en amplificación. Se comporta como una
fuente de intensidad controlado por la tensión VGS cuya ID es prácticamente independiente
de la tensión VDS. La ecuación que relaciona la ID con la VGS
En región de ruptura
Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a través
de la unión de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensión de ruptura
entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensión se designa
por BVDSS y su valor está comprendido entra 20 y 50 V.
Conclusiones:
1--. Se adquirió el conocimiento sobre un nuevo tipo de transistor, el JFET.
2-. Se conocieron las diferentes polarizaciones del JFET.
3-.Se conocio la linea de polarizacion de un JFET.