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Estos dispositivos utilizan una barrera Schottky para evitar que el transistor
se sature.
Transistores de avalancha:
Transistores Darlington:
Transistor de difusión:
Estos son los transistores controlados por voltaje.que son tri-terminales en donde
la terminal de la puerta controla el flujo de corriente entre la fuente y las terminales
de drenaje. Estos también se denominan dispositivos unipolares, ya que su
corriente de conducción solo se debe a la mayoría de los portadores de carga,
según los cuales pueden ser de canal n (la mayoría de los portadores de carga
son electrones) FET o P-canal (la mayoría de los portadores de carga son
orificios) . Además, los FET pueden clasificarse como
Estos dispositivos tienen una capa aislante debajosu terminal de puerta que
resulta en una impedancia de entrada muy alta. Estos pueden ser de modo
de agotamiento o mejora en la naturaleza dependiendo de si tienen un
canal preexistente o no, lo que influye en su comportamiento en presencia y
ausencia de voltaje de compuerta.
FinFETs:
UMOS FET:
TrenchMOS:
Los FET basados en esta tecnología poseen una estructura vertical con los
terminales Source y Drain en sus partes superior e inferior,
respectivamente.
Estos son FET ultra rápidos con capacidad de apagado rápido para el diodo
del cuerpo.
HEXFETs:
Estos son los FET con su área de matriz que consiste en celdas básicas de
forma hexagonal que, a su vez, reducen el tamaño de la matriz al tiempo
que aumenta la densidad del canal.
Nanotubos de carbono FET (CNTFET):
Estos son FET de dos puertas con una ranura de silicona vertical, nada
más que un paso estrecho de silicona entre dos regiones de silicona más
grandes.
Estos tienen una parte del dispositivo que se extiende verticalmente desde
el plano horizontal.
Transistores balísticos:
3. Transistores de poder:
5. Foto-transistor:
Estos son dispositivos sensibles a la luz de dos terminales que no son más
que los transistores estándar que tienen una región fotosensible como
sustituto de la región base.
6. Transistores Unijunction:
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño
de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de
control.
Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen también
3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero
(Sink), que igualmentedependiendo del encapsulado que tenga el
transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
Fototransistor
Encapsulado de Transistores
BD:PUENTE RECTIFICADOR
Fusibles SMD (montaje
superficial)
Super-Quick-Acting FF / Surface Mount Fuse
Type USF 0603 32 V (AC/DC)
·Miniatura
· Cerámicos
· Corte ultra rápido.
· Máxima tensión de trabajo: 32 V
· Baja caída de tensión.
· Alta capacidad de interrupción:
35A @ 32V (AC/DC)Dimensiones: 0.8 x 0.6 x 1.6 mm
RESISTENCIA CAIDA DE
LETRA CORRIENTE
CODIGO GM EN FRIO TENSION
ESKA (A)
(Ohms) (mV)
· Miniatura
· Cerámicos
· Corte lento
· Máxima tensión de trabajo: 125 V
· Baja caída de tensión
· Alta capacidad de interrupción:
50A / 35A @ 125 VAC
Dimensiones: 2.5 x 2.5 x 6.1 mm
CORRIENTE
CODIGO GM
(A)
2410T0.75 0.75
2410T1 1
2410T1.5 1.5
2410T2 2