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de Electrónica
Capítulos 1 a 4
Versão 1.0
IST
Novembro de 2003
Índice
2
Lista de figuras
3
1.Conceitos Básicos de Electrónica
4
processamento analógico é uma lei linear. No segundo caso, o
processamento é realizado segundo uma lei não linear. Em qualquer dos
casos, este processamento é realizado por associação de fontes de energia e
de sinal e por dispositivos, alguns dos quais devem ser capazes de usar
energia para transformar quer a amplitude de sinais quer a sua forma.
5
2.1 Leis Fundamentais da Análise de Circuitos
i R i C i L i D
+ v - + vc - + vL - + vD -
6
a bobina, quando descritos por parâmetros constantes R, C e L,
respectivamente, são dispositivos lineares. O díodo (realizado com material
semicondutor e designado usualmente por díodo de junção) é um dispositivo
passivo não linear, descrito por uma relação tensão/corrente como a que se
indica na Figura 2-1, na qual i=ID é a corrente no díodo, vD é a tensão aos
terminais do díodo, Is é a corrente de saturação, VT é a tensão térmica e η
é um parâmetro dependente da tecnologia de fabricação, e que varia entre 1
e 2. Assume-se η = 1 em circuitos integrados e η = 2 em circuitos discretos.
Is, a corrente inversa, é tipicamente uma corrente muito reduzida, da ordem
de grandeza de 10-10 - 10-16 A. Em díodos de junção, IS é proporcional à área
da junção. A tensão térmica é dada por
VT = kT/q
em que k é a constante de Boltzmann, T é a temperatura absoluta e q a
carga do electrão. À temperatura ambiente (27oC), a tensão térmica vale
aproximadamente VT ≈ 25mV.
Is e vD variam com a temperatura de acordo com as seguintes leis de
variação aproximadas:
Is duplica em cada 10º C
∆vD / ∆T = - 2mV / oC.
+
IS vS _
RS
+
IS RS vS _
7
Qualquer das representações dos componentes é um modelo do
componente. Com efeito, o recurso a modelos é crucial na Electrónica. Os
modelos permitem simplificar o que é complexo, retendo os aspectos que,
para um dado domínio de aplicação, são os relevantes, e desconsiderando
todos os outros. Analisam-se na secção seguinte os aspectos fundamentais
da modelação em Electrónica.
8
3.1.1 Modelos Formais
vD/ηVT
i = Is (e - 1)
v1 X1 X2 v2
b d
9
O circuito da Figura 3-1 representa quaisquer 4 nós de um circuito, dois dos
quais são comuns, e comuns ao terminal de referência do circuito, b=d.
Representa, pois, uma rede eléctrica de dois acessos. Ligar dois dos
terminais ao nó de referência não altera em nada a generalidade do que vai
ser exposto. Simplifica somente o raciocínio, na medida em que, em vez de
referir diferenças de potencial entre o nó a e o nó b e o nó c e o nó d, se
consideram as tensões v1 e v2 respectivamente. Não se conhece à partida a
natureza de X1 e de X2. Assim, suponhamos que
V1 = X1 i1 equação 3-1
Neste caso, X1 descreve um efeito capacitivo e pode ser modelado por uma
capacidade C1=X1.
Se se admitir que
X’’1
X’1
X1
10
Suponhamos, contudo, que :
V1 = X1 i2
+
_ vS
vs= v2 = Rtr i2
Dado que vs= Rtr i2. Rtr diz-se uma trans-resistência, porque relaciona a
forma como uma corrente actua sobre um outro ramo do circuito.
Se se admitir que
i2 = X2 i1
11
iS
is = i2 = Gi i1
i2 = X2 v1
X2 tem dimensão de condutância mas não pode ser representado por uma
resistência porque a corrente que a percorre é independente da tensão aos
seus terminais. Ou seja, comporta-se como uma fonte de corrente
controlada por tensão. X2 é designada por transcondutância, Gtr. O
símbolo é o representado na Figura 3-5.
iS
is = i2 = Gtr v1
v2 = X2 v1.
Neste caso, X2 é adimensional e representa a relação entre a tensão em dois
nós, ou seja o ganho de tensão entre eles, Gv, neste caso, entre v2 e v1. O
símbolo é representado na
Figura 3-6.
+
_ vS
vs= v2 = Gv v1
12
Os modelos de circuito são pois constituídos, genericamente, por elementos
passivos, resistências, por elementos armazenadores de energia,
condensadores e/ou bobinas e por fontes de tensão ou de corrente
controladas por tensão ou por corrente.
Genericamente, numa fonte de corrente controlada por corrente ou por
tensão is é dado por: is = gm vk ou por is = β ij sendo ij uma corrente
noutro ramo do circuito e vk uma tensão entre dois nós do circuito distintos
dos nós de entrada e de saída da fonte de corrente.
Do mesmo modo, numa fonte de tensão controlada por corrente ou por
tensão vs é dado por : vs = rm ik ou por vs = α vj sendo ik uma corrente
noutro ramo do circuito e vj uma tensão entre dois nós do circuito distintos
dos nós de entrada e de saída da fonte de corrente.
Com estas primitivas de modelação, isto é, resistências, condensadores,
bobinas e fontes controladas de tensão e de corrente pode modelar-se o
comportamento de qualquer dispositivo electrónico cujas relações entre
tensões e correntes aos terminais são descritas por equações mais ou menos
complexas.
Os modelos de circuito correspondem, necessariamente, a somas de tensões
ou/e de correntes, na medida em que qualquer circuito, como se viu, pode ser
descrito, do ponto de vista topológico, pelas leis de Kirchhoff.
i = dQ / dt equação 3-4
i = C dv / dt equação 3-6
13
3.1.6 Análise de Circuitos Electrónicos com Modelos de
Dispositivos
Dispositivos
HIP. (operação)
Modelos Analíticos
Analíticos
Simulação
Simulação
Experimentação
Experimentação
Análise do Circ.
Função (operação)
N
Modelos: OK?
fim
.
14
condução, e a ordem de grandeza da corrente que o percorre, pode definir-
se, à partida um modelo linear por troços.
Modelos lineares por troços (PWL, Piecewise Linear) são modelos
aproximados (isto é, com menor precisão) que descrevem, para cada região
de operação, o comportamento do dispositivo através de um comportamento
regional linear. Assim, para o díodo, é possível identificar um modelo linear
correspondente ao troço de condução. Tal modelo, como se verá no Capítulo
4, é caracterizado por dois parâmetros, Vγ e Rγ. Tal modelo simplificado
permite uma análise de um circuito não linear através de uma rede eléctrica
linear.
Se a função do circuito não for conhecida a priori, ainda assim torna-se
recompensador fazer uma hipótese quanto à região de operação do
dispositivo. O conhecimento aprofundado do comportamento do dispositivo e
uma análise preliminar do efeito restritivo do circuito exterior sobre o
dispositivo permitem guiar a escolha do região de operação mais provável em
que o dispositivo, no circuito em análise, deve operar. Assim, a definição da
hipótese de operação não é aleatória, nem equi-provável, mas antes pode ser
guiada, de modo inteligente, por forma a que, tanto quanto possível, se
realize uma escolha right first time – isto é, a escolha acertada na sua
primeira tentativa.
Uma vez feita uma escolha (baseada na hipótese de operação mais provável),
o modelo mais adequado à técnica de análise pode ser seleccionado. Se a
análise for manual, a fim de se identificar a função realizada e as
características essenciais do circuito, o modelo deve ser tão simples quanto
a precisão da análise o consinta. Se a análise for realizada por simulação
em computador, usualmente os programas de simulação possuem em
biblioteca modelos elaborados, que permitem uma análise de grande
precisão.
Naturalmente, a complexidade do circuito pode condicionar a complexidade
dos modelos utilizados, e o nível de abstracção em que o circuito (e os seus
elementos constituintes) é descrito. Finalmente, as representações
abstractas do dispositivo e do circuito electrónico podem ser confrontadas
com a realidade que modelam, através da experimentação laboratorial.
Tendo realizado a análise do circuito real, através de um circuito
equivalente, que utiliza os modelos dos dispositivos, há que demonstrar que
a solução encontrada é consistente com a hipótese feita, no início, quanto à
região de operação do dispositivo. É a fase de verificação. Por exemplo, um
circuito com um transistor MOS de canal N, de reforço, e para o qual se
admitiu que operava na região de saturação, há que verificar (de acordo com
o modelo de primeira ordem que iremos utilizar, descrito no Capítulo 5) que
vDS > vGS –Vt. Em caso afirmativo, os resultados obtidos são válidos. Em caso
contrário, há que estabelecer uma hipótese diferente quanto à região de
operação do dispositivo, e repetir a análise do circuito (agora um circuito
equivalente diverso).
Neste ponto, pode resumir-se o conjunto de modelos de dispositivos
electrónicos que servem como “ferramentas” na identificação da função
realizada pelo circuito real que os contém. Tal resumo é ilustrado na Figura
3-8.
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Lineares
Lineares(R,
(R, L,C)
L,C)
PWL
PWL
equações
equações
Não Lineares (D, T, AMPOP)
Não Lineares (D, T, AMPOP)
Estáticos
Estáticos(DC)
(DC)
Modelos
Modelos
Analíticos
Analíticos Análise no tempo (dig.)
Dinâmicos
Dinâmicos ou na frequência (analog.)
Circuitos
Circuitos PWL
PWL
equivalentes Não
equivalentes NãoLineares
Lineares(sinais
(sinaisfortes)
fortes) Quasi-estáticos
Quasi-estáticos
Lineares
Lineares(sinais
(sinaisfracos)
fracos) Variação
VariaçãoRápida
Rápida
Figura 3-8 – Tipos de modelos de dispositivos electrónicos
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electrónicos são dispositivos não lineares, importa identificar sub-domínios
para os quais o comportamento do dispositivo seja linearizável.
Deste modo, para modelos estáticos, a forte não linearidade das suas leis
características permite, usualmente, definir modelos lineares por troços
(PWL). Tais modelos descrevem, para cada região de operação, o
comportamento do dispositivo através de um comportamento regional linear.
No caso de regimes dinâmicos de operação, que obrigam à utilização de
modelos dinâmicos, duas situações podem ocorrer:
Quando a amplitude dos sinais é elevada (sinais fortes), os dispositivos,
ao longo do tempo, percorrem mais do que uma região de operação. Dado
o carácter fortemente não linear das suas leis características, essa
circunstância inviabiliza a definição de modelos lineares; quando muito,
permite uma descrição aproximada em que modelos PWL percorrem mais
de um troço linear. Este é o caso de circuitos digitais, em que as variáveis
Booleanas são descritas por tensões eléctricas, próximas de dois valores
extremos de tensão – usualmente as tensão de alimentação.
Quando a amplitude dos sinais é reduzida (sinais fracos), os dispositivos
operam sempre na mesma região, observando-se apenas variações
limitadas das tensões e correntes em torno de valores fixados pelas
tensões de alimentação estática. Nestas circunstâncias, os valores
instantâneos totais das grandezas eléctricas podem ser calculados
através da sobreposição linear de duas componentes, uma estática
(normalmente calculada a partir de modelos estáticos não lineares) e
outra dinâmica, com sinais de amplitude reduzida. Para as componentes
dinâmicas das tensões e correntes no dispositivo (componentes
incrementais), é de novo possível definir modelos lineares – o que facilita
em muito a análise dos circuitos equivalentes incrementais.
Se as variações forem lentas, a partir dos modelos quasi-estáticos podem
derivar-se (ver Capítulo 6) modelos incrementais (isto é, modelos que
descrevem as relações entre os incrementos das tensões e correntes).
Estes são modelos lineares resistivos, descritos por sistemas de equações
algébricas nas componentes dinâmicas das tensões e correntes.
Se as variações forem rápidas, os modelos incrementais dos dispositivos
são lineares reactivos, contendo elementos de circuitos capazes de
armazenar energia (condensadores, bobinas) e são descritos por sistemas
de equações diferenciais. Como se verá adiante, a análise no domínio da
frequência e o recurso à variável complexa permite transformar os
sistemas de equações diferenciais, no domínio do tempo, em sistemas de
equações algébricas, no domínio da frequência, o que novamente
simplifica muito a análise dos circuitos equivalentes.
17
e coloquial, visa explicar, a traços largos, os fenómenos de condução em
semicondutores e o seu impacto sobre o comportamento terminal.
Recomenda-se ao leitor que deseje aprofundar estes tópicos a consulta a
uma obra de referência neste domínio.
1 Cargas eléctricas do mesmo sinal repelem-se; assim, no seu movimento no material, quando dois
electrões se aproximam a sua força de repulsão fá-los trocar energia (perder ou ganhar) e mudar de
direcção. Designa-se usualmente este acidente de percurso como “colisão inelástica”.
18
temperatura (energia de agitação térmica) e do campo eléctrico aplicado ao
material.
Para os metais, basta uma energia reduzida para quebrar a ligação de
valência dos electrões da última camada. Para os isolantes, é necessário
fornecer uma energia muito elevada. É o que acontece quando, na presença
de campos eléctricos muito elevados, se produz um fenómeno de disrupção
do dieléctrico, originando uma corrente eléctrica.
Para os semicondutores observa-se uma situação intermédia: é preciso
fornecer uma energia considerável, mas não comparável à necessária para
os isolantes. Este aspecto será explicado mais em detalhe na descrição da
condução nos materiais semicondutores, em que se recorre-se a um modelo
de bandas de energia.
19
v=µ.E
e designa-se essa constante de proporcionalidade como mobilidade de
deriva2. Quanto maior for o percurso médio entre colisões, maior a velocidade
de deriva imprimida à carga móvel, ou maior a sua “mobilidade”.
A densidade de corrente de deriva, J, pode obter-se como o produto da carga
móvel por unidade de volume pela sua velocidade de deriva, v. A carga será
(q.N), se N for a densidade de portadores de carga móvel. Pode então
escrever-se
J = (q.N).v = (q.µ.N).E = σ . E
σ=q.µ.N
ρ=1/σ=1/ q.µ.N
2
Para valores elevados do campo eléctrico, a proporcionalidade entre a velocidade e o campo deixa de
ser constante e observa-se um fenómeno de saturação da velocidade de deriva. Essa saturação traduz-
se por uma redução efectiva da mobilidade, µ, e pode ser modelada como um efeito de modulação da
mobilidade.
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Figura 3-10, o valor da corrente eléctrica que resulta da aplicação de uma
tensão eléctrica V aos seus terminais pode, finalmente escrever-se
Donde se obtém
I=V/R
R = L / σ.A = ρ . L/A = (ρ
ρ/t). (L/W)
I ρ t
→
A A = W.t
W
L
R = ρ. (L/W.t)
ρ/t)
RS = (ρ
21
homogéneos3 estão alistados na coluna IV, que se caracteriza por os seus
elementos terem quatros electrões na última camada, ou órbita.
Num semicondutor cristalino, a estrutura regular em que se dispõem os
átomos (em forma de tetraedro com um átomo adicional, no centro do
tetraedro) faz com que os 4 electrões da última camada, quando ainda
ligados aos átomos, partilhem cada um a sua ligação de valência com um
átomo vizinho, naquilo que se designa por “ligação de co-valência”.
22
se assim de uma banda de valência (E < EV), uma banda de condução (E >
EC) e de uma banda proibida, de “altura”
EG = EC - EV.
Para o Si, EG = 1.11 e.V (electrão.Volt). O Germânio exibe uma altura da
banda proibida menor: EG = 0.67 e.V. Materiais isolantes apresentam valores
de energia, para a banda proibida, muito mais elevados: por exemplo, para o
óxido de silício (SiO2), EG = 8.5 e.V (ver Figura 3-12).
EG
EV EG
Banda de Valência
semicondutor
EV
Banda de
isolante Valência
23
necessária para um electrão ligado passar de uma ligação de co-valência, em
torno de um átomo, para outra ligação de co-valência de um átomo vizinho,
é bem menor que EG. Assim, se se aplicar um campo eléctrico que forneça
alguma energia, é possível produzir um movimento de deriva de electrões
livres, e um movimento de deriva de electrões ligados, de ligação de co-
valência em ligação de co-valência, ou, dito de outro modo, de buraco em
buraco.
Nestas condições, diz-se que cada electrão que recebe energia para quebrar
a sua ligação de co-valência gera um par electrão-buraco (
Figura 3-13). Na realidade, haverá electrões a deslocarem-se livremente na
banda de condução e electrões a deslocarem-se entre ligações de co-valência
na banda de valência. Assim, para um semicondutor intrínseco, a
concentração de electrões livres, n, e a concentração de buracos, p, são
iguais, isto é,
n = p = ni(T)
Banda de Condução
-
EC
EG
EV
Banda de Valência
+
semicondutor
2
g = R = r.n. p = r. ni
24
movimento de electrões ligados, de ligação de co-valência em ligação de co-
valência. Na realidade, os portadores de carga - quem se desloca - são
sempre electrões. Todavia, as duas correntes (a de cargas móveis “positivas”
e negativas) somam-se. Surge assim, no semicondutor, o conceito de
condução bipolar (de cargas “positivas” e negativas). Por contraste, a
condução em metais é uma condução unipolar.
σ = q . (µ
µn . n + µp . p)
Por razões que se tornarão evidentes mais adiante, pode suceder que a
concentração de portadores de carga móveis não seja homogénea – isto é,
que possa variar no volume do semicondutor.
Considere-se um modelo uni-dimensional (dimensão espacial x), como se
ilustra na Figura 3-14, para o caso de uma concentração de electrões livres,
n, variável com x.
25
n
θ
x
Figura 3-14 – Gradiante de concentração de portadores de carga (electrões) na direcção x.
A ocorrência de um gradiente de concentração produz um movimento
coerente de electrões da região onde existem em maior concentração para a
região onde escasseiam. A corrente eléctrica resultante é tanto maior,
quanto maior for o gradiente de concentração. Este é um fenómeno de
difusão de portadores, que tende a uniformizar a sua concentração. Assim,
a densidade de corrente de electrões, Jn, pode escrever-se
dn
Jn = q Dn
dx
em que se define a constante de proporcionalidade entre a densidade de
corrente e o gradiente da concentração, Dn, designando-a como coeficiente
de difusão de electrões, ou difusibilidade de electrões.
dp
J p = −q D p
dx
em que o coeficiente de difusão de buracos, Dp, exprime essa
proporcionalidade. Os coeficientes de difusão e as mobilidades de deriva
estão relacionados entre si pela relação de Einstein,
D n = D p = KT =
VT
µn µp q
Este processo de condução por difusão desempenha um papel crucial em
dispositivos semicondutores que contém concentrações de impurezas, que
variam bruscamente no interior do dispositivo.
26
diverso. Como se referiu, na rede cristalina de Si, a concentração de átomos
é de 5x1022 cm-3. Os valores típicos de concentrações de impureza em
semicondutores extrínsecos variam entre 1015-1016 cm-3 (dopagem fraca) até
1020 cm-3 (dopagem forte). Deste modo, a substituição de átomos na rede
cristalina é efectuada de tal forma que a rede seja perturbada de forma
ligeira – 1 em cada 107 a 103 átomos de Si são substituídos. A estrutura da
rede cristalina é mantida praticamente intacta.
O silício é um material do grupo 4 da tabela de classificação periódica de
elementos químicos, de Mendeleiev, como se mostra na Figura 3-11. Tem 4
electrões na última órbita.
Impurezas aceitadoras são elementos do grupo 3 da tabela, que possuem 3
electrões na última órbita. O Boro (B) é a impureza aceitadora mais comum.
Quanto se adaptam à estrutura cristalina do silício, fica uma ligação de co-
valência da última camada vazia, originando um buraco. Ou seja, a sua
introdução na rede cristalina aumenta a concentração de buracos, ou
ligações de co-valência não preenchidas, originando um excesso de buracos,
relativamente à situação observada no semicondutor intrínseco. Este
aumento da concentração de buracos desequilibra a igualdade (que se
observa no semicondutor intrínseco) n=p. Com efeito, uma densidade de
buracos muito elevada facilita a recombinação de pares electrão-buraco, o
que reduz a concentração de electrões, n, a valores inferiores aos que exibe
no semicondutor intrínseco, à mesma temperatura. Neste caso, os buracos
tornam-se portadores de carga maioritários (pcM) e os electrões,
portadores de carga minoritários (pcm).
Se a impureza for um elemento do grupo 5, com 5 electrões na última órbita,
então, quando se adapta à estrutura cristalina do silício, liberta o seu quinto
electrão, sem lhe corresponder nenhum buraco na zona de valência. Uma
vez que “dão” portadores de carga (electrões na banda de condução), são
designadas como impurezas dadoras. Impurezas dadoras comuns são o
fósforo (P) e o arsénio (As). Adicionar a um semicondutor intrínseco
impurezas dadoras origina um excesso de electrões (na banda de condução),
relativamente à situação observada no semicondutor intrínseco. Novamente
se desequilibra a igualdade (que se observa no semicondutor intrínseco) n=p.
Agora, a densidade elevada de electrões livres facilita a recombinação de
pares electrão-buraco, o que reduz a concentração de buracos a valores
muito limitados. Neste caso, os electrões tornam-se portadores de carga
maioritários (pcM) e os electrões, portadores de carga minoritários (pcm).
À temperatura ambiente, tanto impurezas dadoras como aceitadoras já
adicionaram portadores de carga ao semicondutor (respectivamente,
electrões e buracos), um portador por átomo de impureza.
Seja NA (ND) a concentração de átomos aceitadores (dadores) que são
adicionados ao semicondutor. Uma vez que NA (ND) << 5x1022 cm-3, a taxa de
geração de pares electrão-buraco mantém-se aproximadamente e, assim,
num semicondutor extrínseco pode estimar-se que o produto n.p se mantém
constante,
n.p ≈ ni2 (T)
Com concentrações NA (ND) muito superiores a ni (1.45x1010 cm-3), e
“gerando” cada átomo de impureza aceitadora (dadora) um portador de carga
móvel (buraco (electrão)), tem-se que:
27
num semicondutor ao qual se adicionam impurezas aceitadoras, a
concentração de buracos é, à temperatura ambiente,
p ≈ NA
n ≈ ni2(T) / NA
num semicondutor ao qual se adicionam impurezas dadoras, a
concentração de electrões é, à temperatura ambiente,
n ≈ ND
p ≈ ni2(T) / ND
Num semicondutor, particularmente numa dada região desse semicondutor,
podem adicionar-se impurezas dos dois tipos, aceitadoras e dadoras. Uma
vez que produzem efeitos contrários sobre a concentração de electrões e de
buracos, o que importa é o saldo, ND - NA, positivo ou negativo.
Se o saldo é positivo, numa dada região do semicondutor, a concentração de
electrões (cargas negativas) torna-se maioritária, e essa região diz-se do tipo
N. Se o saldo for negativo, os buracos (cargas positivas) tornam-se
maioritários, e essa região diz-se do tipo P.
Pode então concluir-se que, num semicondutor extrínseco, a mobilidade de
deriva é dominada pela população de portadores de carga maioritária (pcM).
Para uma região de semicondutor tipo P, tem-se
σ = q . µp . NA
enquanto que, para uma região semicondutora do tipo N, pode escrever-se
σ = q . µn . ND
Até que ponto varia a condutividade de um semicondutor extrínseco,
relativamente ao intrínseco? Um factor dominante é a concentração dos
portadores de carga maioriários, quando comparada com a concentração
intrínseca, à mesma temperatura. Sendo, para 300ºK, ni da ordem de 1010
cm-3 e de 1015-1016 cm-3 (dopagem fraca) até 1020 cm-3 (dopagem forte), pode
compreender-se que, mesmo para dopagem fraca, a concentração de pcM é
cerca de 105 vezes maior que ni.
A variação da concentração de impurezas introduzidas numa região de
semicondutor permite, assim, variar de muitas ordens de grandeza a
condutividade do material, nessa região.
O segundo factor que influencia a condutividade é a mobilidade de deriva
dos pcM. A existência de uma população de portadores de carga muito
diversa da que se observa no semicondutor intrínseco altera
substancialmente a velocidade de deriva dessas portadores e, assim, a sua
mobilidade. Com efeito, quanto maior a concentração de portadores de
carga, menor será o percurso médio entre colisões e, deste modo, a sua
mobilidade de deriva. Esse efeito pode observar-se na Figura 3-15.
28
Figura 3-15 - Mobilidade de deriva de portadores maioritários no Si em função da concentração
total de impurezas.
Assim, embora a redução da mobilidade de deriva contrarie o aumento da
concentração de pcM. Este último efeito é muito superior, e a condutividade
(ou resistividade) variam de ordens de grandeza, consoante o valor de NA ou
ND.
O que sucede, se introduzirmos, em regiões adjacente de semicondutor,
impurezas aceitadoras e dadoras? Esse processamento do semicondutor leva
à fabricação do que se designa por uma junção P-N.
29
p n
_ _ _
+ + + + _ _
+ + _ _ _
+ + _ _
+ + + + + + _ _ _ _
+ _ _ _
+ + + + _ _ _
+ + + + _
+ + _ _ _
+ + + + + _ _ _
30
concentração de cargas móveis do lado N, na vizinhança imediata da junção
metalúrgica, deixando “a descoberto” a carga iónica, fixa, ND+.
Surgem assim, na zona da junção, duas cargas iónicas fixas de sinais
contrários, não compensadas electricamente pelas populações de carga
móvel. E associado a essas cargas iónicas, fixas, está um campo eléctrico,
conforme se representa na Figura 3-17. Este campo eléctrico, em torno da
junção metalúrgica, estabelece uma estreita região de transição entre duas
regiões electricamente neutras, o volume das regiões P e N. Devido à
presença da carga iónica, fixa, esta região é também designada por região
de carga espacial (RCE).
E
- +
Que efeito produz este campo eléctrico interno, na RCE? Naturalmente, deve
actuar os portadores de carga móveis que se desloquem na sua zona de
influência, produzindo um processo de condução por deriva.
De facto, na junção, o campo eléctrico, E, tende a arrastar as cargas em
sentido contrário ao da difusão, isto é, arrasta os electrões e os buracos do
lado em que são minoritários para o lado em que são maioritários. Tira
assim dos pobres para dar aos ricos. É a lógica do Sheriff de Nottingham!
Uma vez que, sem tensão aplicada, isto é, em equilíbrio, o saldo de corrente
que atravessa a junção P-N é nulo, a forte corrente de difusão é exactamente
contrabalançada pela forte corrente de deriva, na RCE. Por tal motivo,
qualquer portador de carga móvel, nessa região, é actuado pelo campo e
retirado dessa região pelo mesmo.
Desta forma, a RCE caracteriza-se também por ser uma região esvaziada de
cargas móveis, razão porque esta região é também designada região de
deplecção (Figura 3-18). A igualdade de correntes de difusão e de deriva fixa
a intensidade do campo eléctrico, E, e desse modo a quantidade de carga a
descoberto, a um e outro lado da junção. Supondo que a junção é abrupta,
isto é, em x=0 saldo, ND - NA de concentração de impurezas (suposta
constante em cada lado da junção), varia de - NA para +ND Com este
pressuposto, a igualdade de correntes fixa a largura da região de carga
espacial, já que o total da carga iónica, que contribui para o campo, será
q . NA . xP = q . ND xN
W = x P + xN
31
Em função das concentrações de impurezas, a um e outro lado da junção, a
largura da RCE pode escrever-se
iões iões
negativos positivos
Figura 3-18 – Região de carga especial (RCE) e regiões neutras num díodo de junção.
1 ρ
E = ∫ dx
ε
em que ρ representa aqui a densidade volumétrica de carga. E campo E é
ainda o gradiante da função potencial que, no modelo uni-dimensional, se
escreve
Ψ = − ∫ Edx
Assim, a uma distribuição rectangular de carga iónica, fixa, não
compensada com carga móvel, na RCE, corresponde uma distribuição
triangular do campo eléctrico (máximo para x=0) e uma distribuição da
função potencial, como integral da distribuição triangular (ver Figura 3-19).
32
ρ (saldo de carga eléctrica)
→←
- xp + q.ND
+
- + xn x
- q.NA
E
Emax. x
Ψ
ψo
x
Figura 3-19 – Distribuição de carga, campo eléctrico e função potencial numa junção P-N.
33
minoritários. Neste caso, obtêm-se correntes elevadas e uma pequena
variação de tensão provoca uma variação considerável de corrente
(exponencial com a tensão aos terminais do díodo). Uma tensão vD positiva
corresponde ao que se designa por um regime de polarização directa.
A variação do campo eléctrico na RCE, por efeito da tensão exterior aplicada,
origina uma variação da carga iónica, fixa, posta a descoberto e, desse modo,
a uma variação da largura da RCE. Se a lei de variação de vD for rápida no
tempo, a variação de carga, dQ/dt põe em evidência um efeito capacitivo,
especialmente notório quando o díodo está operando com polarização
inversa. Designa-se essa capacidade parasita como capacidade de junção,
Cj. O seu valor corresponde essencialmente ao valor da capacidade
electrostática de um condensador plano, cujo dieléctrico é o Si, cujas placas
estão distanciadas de W (a largura da RCE) e cuja área é a área da junção:
Cj = A . εSi / W
Para uma junção plana, à qual se aplica uma tensão vD, a largura da sua
região de carga espacial pode escrever-se
W (vD) = [ (2 εSi / q) . (1 / NA + 1 / ND) (ψ
ψo - vD)]1/2
Assim, se se designar por Cj0 a capacidade de junção para vD = 0, pode
escrever-se
Cj = Cj0 . W (vD = 0) / W (vD) = Cj0 . [(1 + vD / ψo)] -1/2
Deste modo, a capacidade de junção varia com a tensão de polarização
inversa, (-vD), da forma como se ilustra qualitativamente na Figura 3-20.
Num regime de polarização directa, a injecção de pcM no lado onde são
minoritários causa um armazenamento de carga (pcm) nas regiões neutras,
a um e outro lado da RCE. Quando vD varia rapidamente no tempo, a
variação dessa carga, dq/dt, produz uma corrente que descreve um efeito
capacitivo que limita a resposta dinâmica do dispositivo. Designa-se essa
capacidade com capacidade de difusão, Cd.
Cj (fF) Cjo
VD < 0 VD (V) 0 ψo
Figura 3-20 – Dependência da capacidade de junção, Cj, com a tensão de polarização do díodo,
vD.
34
4. Díodo de Junção
vD/ηVT
i = Is (e - 1)
35
Electrões são transportados de P para N e buracos de N para P. Uma vez que
as corrente de deriva dependem directamente das concentrações dos
portadores de carga, portadores de carga minoritários só asseguram
correntes de carga residuais (tipicamente, da ordem de 10-10 A para díodos
discretos e de 10-15 A para díodos integrados). A corrente IS é obtida por:
iD iD
(mA) (fA)
10 0 vD(V)
0 1 vD(V)
(a) (b)
Figura 4-1 - Característica de um díodo de junção:
(a) polarização directa; (b) polarização inversa
36
4.1.1 Região de Corte
Quando vD > 0 e | vD| >> VT (por exemplo, para | vD| é = 4VT = 100mV,
donde resulta e vD/VT = 54,598...) ou e vD/VT >> 1 e
iD ≈ I S e vD/VT
IS=10e-15 IS=10e-16
37
IS=10e-15
1,2E+01
1,0E+01
8,0E+00
iD(mV)
6,0E+00 Series2
4,0E+00
2,0E+00
0,0E+00
0 200 400 600 800
vD(mV)
IS=10e-16
1,0E+01
8,0E+00
6,0E+00
iD(mA)
4,0E+00 Series1
2,0E+00
0,0E+00
-2,0E+00 0 200 400 600 800 1000
vD(mV)
38
4.1.3 Modelo Linear por Troços
IS=10e-15
1,2E+01
1,0E+01
8,0E+00
iD(mV)
6,0E+00 Series2
4,0E+00
2,0E+00
0,0E+00
0 200 400 600 800
vD(mV)
vD < 0 iD = IS ≈ 0
para
vD > 0
vD < 700mV 0 iD ≈ 0
39
vD ≥ 700mV ID = [vD – 700(mV)]/ RDON
vD < 700mV
VDON
RDON
vD ≥ 700mV
iD
+
vD
−
vD
Figura 4-6 – Símbolo e característica do díodo ideal
iD iD iD
→ →
+ +
vD vD ± V γ
− − Rγ
V γ vD
Figura 4-7 – Modelo de circuito, equivalente de um díodo (aproximação linear por troços)
40
O modelo exponencial, utilizado para descrever o comportamento de um
díodo de junção (isto é, a sua relação iD(vD)), em regime estático ou de
variação lenta no tempo é uma excelente aproximação da realidade,
enquanto o fenómeno físico do desequilíbrio entre os processos de condução
por difusão e por deriva (desequilíbrio causado pelo aplicar de uma tensão vD
aos terminais) é dominante. Todavia, no regime de operação com polarização
inversa, outro fenómeno pode tornar-se activo, e dominar a dependência
corrente-tensão. Referimo-nos ao mecanismo de disrupção na junção.
Que mecanismo se trata? Bom, até aqui observou-se que a região de carga
espacial (RCE), em torno da junção metalúrgica, é uma região depleccionada
de portadores de carga móveis, uma vez que a presença do campo eléctrico
interno obriga a movimentar tais cargas para fora da região onde o campo
exerce a sua influência. Tal campo eléctrico, na RCE, é, como se viu,
ψo - vD). Por efeito da tensão exterior
associado a uma diferença de potencial (ψ
aplicada, a carga iónica, fixa, posta a “descoberto” na RCE varia, a RCE
alarga com vD < 0 e o valor máximo do campo eléctrico, Emax., aumenta. A
largura da RCE de uma junção abrupta, W, varia com a diferença de
potencial e com as concentrações de impurezas a um e outro lado da junção,
através da equação
que se repete aqui por conveniência. Desta equação se nota que, quanto
mais forte for a dopagem de impurezas, NA e ND, mais estreita é a largura da
RCE. Quanto mais estreita for a RCE, mais elevado é o valor do campo
eléctrico interno.
41
suceda, então o efeito de disrupção não tem carácter destrutivo, antes é
reversível, quando a tensão aos terminais do díodo assumir outros valores.
42
iD
→
R Z
v ±
D Vγ V Z
Rγ
Figura 4-9 – Modelo de circuito (completo) de um díodo de Zener.
R1 R iD
→
+ +
VI vD
R2
− −
→
rede linear não
linear
Figura 4-10 – Circuito com um único dispositivo não linear.
43
R
+ + − +
v D1 D1 v D2
− + D2 vo Vγ =0 (Díodo ideal)
vI + −
−
V1 V2 Rγ = 0
− + −
44