EXPERIMENTO 3:

MEDICIÓN DE UN INTEGRADOR CON MULTIPLES ELEMENTOS

PROCEDIMIENTO:
PARTE 1:

1. Armar el circuito que se muestra en la figura con valor de capacitor y resistencia

propuesto por el equipo y alimentado primero con 5v CD y después por el generador con
pulso de 1KHz a 5V de amplitud

2. Realizar las mediciones de voltajes de VC, VR,VE del circuito armado así como las corrientes
en malla
VC 880 mV
VR(470Ω) 6.48mV
VR(47KΩ 29.2mV
VE 140mV

3. Medir con el osciloscopio la salida correspondiente La salida VOUT para cuando la entrada
es de 0 volts
VOUT= 144mV
4. Medir con el osciloscopio la salida correspondiente, la salida VOUT para cuando la entrada
es de 5 volts
VOUT = 304mV
5. Conectar, medir con el osciloscopio a la entrada correspondiente a la fuente de
alimentación
1ra fuente 120mV
2da fuente 120mV

6. Conectar, medir con el osciloscopio la salida, los voltajes de cada elemento del circuito

VC 880 mV
VR(470Ω) 6.48mV
 VR(47KΩ 29.2mV
VE 140mV

Desarrollar lo anterior para como si hubiera una resistencia en paralelo a la entrada

7. Realizar las impresiones correspondientes (fotos de las mediciones) y registrar los

resultados de las mediciones en una tabla
8. Reportar las diferentes gráficas y describir los resultados de cada una de ellas
9. La tabla deberá contener la información requerida (esta deberá contener información
relevante y especificaciones de cada circuito sujeto a medición)

PARTE 2:

10. Desarrollar mínimo tres mediciones más para diferentes transistores BJT, UJT con la
propuesta en el primer circuito armado, así como desarrollar las respectivas mediciones y
fotos de cada una

CONCLUSIONES

Con la realización de esta práctica se puede observar el comportamiento del transistor, los
cambios de saturación (cuando se tiene una corriente) a corte (cuando se tiene una corriente muy
pequeña), así como es que al cambiar el transistor se obtienen diferentes corrientes (IB, IC) y por lo
tanto un cambio en los valores de las resistencias, mostrando así los diferentes cambios de
saturación a corte, con los diferentes experimentos se observan los diferentes comportamientos
que tiene el transistor, como es que al agregar diferentes elementos como diodos o capacitor al
transistor varían sus voltajes de salida y de entrada.