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ELECTRONICA APLICADA I
Respuestas de los Ejercicios de Amplificadores Monoetapa
ELECTRÓNICA APLICADA I
INDICE
Ej. 1. Resolución..................................................................................................... 3
Circuito a .................................................................................................................. 3
Análisis Estático .................................................................................................... 3
Análisis Dinámico.................................................................................................. 4
Excursión............................................................................................................... 5
Simulación............................................................................................................. 5
Tabla comparativa de valores ................................................................................. 7
Circuito b .................................................................................................................. 7
Análisis Estático .................................................................................................... 7
Análisis Dinámico.................................................................................................. 9
Excursión............................................................................................................. 12
Simulación........................................................................................................... 13
Tabla comparativa de valores ............................................................................... 14
Tabla comparativa con los resultados de ambos circuitos....................................... 14
Ej. 2. Resolución................................................................................................... 15
Análisis estático ...................................................................................................... 15
Análisis Dinámico................................................................................................... 16
Cálculos............................................................................................................... 17
Excursión................................................................................................................ 18
Cálculos............................................................................................................... 18
Simulación .............................................................................................................. 19
Tabla comparativa de valores ................................................................................. 20
Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
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Ej. 4. Resolución................................................................................................... 23
Análisis Estático...................................................................................................... 23
Análisis Dinámico................................................................................................... 24
Cálculos............................................................................................................... 24
Excursión................................................................................................................ 25
Simulación .............................................................................................................. 25
Tabla comparativa de valores ................................................................................. 27
Ej. 7. Resolución................................................................................................... 32
Análisis Estático...................................................................................................... 32
Análisis Dinámico................................................................................................... 34
Excursión................................................................................................................ 35
Tabla comparativa de valores ................................................................................. 35
Cuestionario............................................................................................................ 35
Simulación del circuito a) ....................................................................................... 36
Simulación del circuito b) ....................................................................................... 38
Simulación del circuito c) ....................................................................................... 39
Tabla comparativa de las características de cada circuito ...................................... 40
Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
2-50
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Ej. 1. Resolución
Circuito a
El circuito a resolver se puede apreciar debajo:
Figura 1.
Análisis Estático
Asumiendo que se conoce bien la forma de resolver el circuito mostrado, procedemos a
utilizar las ecuaciones correspondientes del amplificador, entonces:
Vcc − Vbe
Icq =
R
Re+ 1
hFE
18V − 0,7V
Icq =
2,2 MΩ
3,3KΩ +
550
Icq = 2,37 mA
De la malla de salida obtenemos Vceq, esto es:
Vceq = Vcc − Icq ⋅ Re = 18V − 2,37 mA ⋅ 3,3KΩ
Vceq = 10,18V
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Análisis Dinámico
El circuito dinámico aparece debajo:
Figura 2.
Al igual que en el análisis estático, asumimos que es bien conocida la forma hallar los
parámetros dinámicos de éste circuito, por lo tanto empleamos directamente las
ecuaciones correspondientes, entonces:
gm = 40 ⋅ Icq ⋅ [1 / V ]
gm = 40 ⋅ 2,37 mA ⋅ [1 / V ] = 94,8mS
1
ro ≅
η ⋅ gm
1
ro ≅ −4
= 42 KΩ
2,5 ⋅ 10 ⋅ 94,8mS
Rd = ro // RL // Ra
Rd = 42 KΩ // 20 KΩ // 3,3KΩ = 2,65 KΩ
hfe
hie ≅
gm
600
hie ≅ = 6,3KΩ
94,8mS
Ri = hie + hfe ⋅ Rd
Ri = 6,3KΩ + 600 ⋅ 2,65 KΩ ≅ 1,59MΩ
Ria = Ri // R1
Ria = 1,59 MΩ // 2,2 MΩ = 923KΩ
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Ria
At =
Rs + Ria
923KΩ
At = 0,82
200 KΩ + 923KΩ
gm ⋅ Rd
Av =
1 + gm ⋅ Rd
94,8mS ⋅ 2,65 KΩ
Av = ≅1
1 + 94,8mS ⋅ 2,65 KΩ
Avs = Av ⋅ At
Avs = 0,82
Excursión
Las expresiones de las excursiones son:
Vˆo + = Vceq − VceSAT
Vˆo − = Icq ⋅ Rd
En éste caso nos da:
Vˆo + = 10,18V − 0,5V = 9,68V
Vˆo − = 2,37 mA ⋅ 2,65 KΩ = 6,28V
VˆoMAX = 6,28V
Simulación
Figura 3. Niveles de tensión y corriente de polarización. Circuito a)
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Circuito b
Análisis Estático
El circuito de polarización aparece debajo:
Figura 7.
Recorriendo la malla por donde circula I1
obtenemos la siguiente ecuación:
VR1 Vdd = VR1 + VR2 + VRb
Vdd = I1 ⋅ ( R1 + R2 ) + ( Idq + I1 ) ⋅ Rb
Idq
Al reagrupar nos queda:
Vdd = I1 ⋅ ( R1 + R2 + Rb) + Idq ⋅ Rb (1)
Por otro lado:
Vgsq
VR2 = VRa + Vgsq
I1 ⋅ R2 = Idq ⋅ Ra + Vgsq
VR2 VRa
Despejando I1 de la ecuación (1) y
sustituyendo el resultado en la última nos
queda:
Vdd − Idq ⋅ Rb
I1 I1 =
R1 + R2 + Rb
VRb
Vdd − Idq ⋅ Rb
⋅ R2 = Idq ⋅ Ra + Vgsq
R1 + R2 + Rb
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Análisis Dinámico
El circuito a resolver es éste:
Figura 8.
Vgs
VR2
VRa
Ri
Vo
VRb
Vi
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Pero, en general el segundo término suele ser bastante pequeño si lo comparamos con el
primero, ya que Rg en casi todos los casos prácticos es mucho mayor que Rb, por lo
tanto:
Rd = Rd ' //( Ra + Rb)
M ≅ gm ⋅ Rd
Mientras, en la entrada podemos plantear:
Vi = Vgs + Vo
Y si reemplazamos Vgs por su relación con Vo:
Vo 1
Vi = + Vo = Vo ⋅ 1 +
M M
Despejando nos queda:
Vo 1 M
= Av = = ∴
Vi 1+
1 1+ M
M
gm ⋅ Rd
Av =
1 + gm ⋅ Rd
Ecuación idéntica a la de cualquier seguidor, como el colector común o el fuente común.
En cuanto a la resistencia de entrada tenemos:
Vi
Ri = ∴
IR2
Vi Vi Vi
Ri = = R2 ⋅ = R2 ⋅
VR2 Vgs + VRa Vi − Vo + Vo ⋅
Ra
R2 Ra + Rb
1 1
Ri = R2 ⋅ = R2 ⋅
Ra Vo Ra + Rb − Ra
Vo ⋅ 1 − 1− ⋅
Ra + Rb Vi Ra + Rb
1−
Vi
1
Ri = R2 ⋅
Vo Rb
1− ⋅
Vi Ra + Rb
1
Ri = R2 ⋅
1 − Av ⋅ K
Donde:
Rb
K=
Rb + Ra
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Cálculos
rd ≅ 74 KΩ
Rd = 74 KΩ //(3,3KΩ + 1KΩ) // 20 KΩ = 3,38 KΩ
2 ⋅ Idss
gm0 =
Vp
2 ⋅ 15mA
gm0 = = 10mS
3V
Idq
gm = gm0 ⋅
Idss
2,81mA
gm = 10mS ⋅ = 4,3mS
15mA
4,3mS ⋅ 3,38 KΩ
Av = = 0,94
1 + 4,3mS ⋅ 3,38 KΩ
1KΩ
K= = 0,23
1KΩ + 3,3KΩ
1
Ri = 3,3MΩ ⋅ = 4,2MΩ
1 − 0,23 ⋅ 0,94
Ria = 4,2 MΩ // 3,3KΩ = 1,85MΩ
1,85MΩ
At = = 0,9
1,85MΩ + 200 KΩ
Avs = 0,9 ⋅ 0,94 = 0,85
Excursión
Como en los demás casos, las ecuaciones para la excursión son:
Vˆo + = Vdsq − Vp
Vˆo − = Idq ⋅ Rd
Si reemplazamos por los valores conocidos nos queda:
Vˆo + = 6,58V − 3V
Vˆo + = 3,58V
Vˆo − = 2,81mA ⋅ 3,38 KΩ
Vˆo − = 9,5V
Por lo tanto:
VˆoMAX = 3,58V
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Simulación
Figura 11. Circuito b)
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Ej. 2. Resolución
Análisis estático
El circuito a analizar es el clásico de autopolarización en el JFET. Para hallar el punto Q
debo plantear las ecuaciones de la malla de entrada y la característica del dispositivo, y
entre ambas encontrar los valores de Idq y Vgsq que satisfagan las dos ecuaciones, es
decir:
Figura 15. Circuito Estático Vgsq = − Idq ⋅ Rs
2
Vgsq
Idq = Idss ⋅ 1 −
Vp
Idq VRD La primer ecuación se obtine de la
malla de entrada del JFET, donde no se
consideró la caída de tensión en Rg, ya
que la corriente Ig es despreciable.
Ahora, si reacomodamos las dos
ecuaciones anteriores nos queda:
Vdsq
Vgsq = − Idq ⋅ Rs
Idq
Vgsq Vgsq = Vp ⋅ 1 − Idss
VRg
Si proponemos valores de Idq
Idq podremos hallar las Vgsq de cada
VRa
ecuación, y si tratamos de hacer
coincidir los resultados de ambas
ecuaciones, habremos hallado la
corriente del punto de polarización del
transistor, entonces:
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Análisis Dinámico
El circuito a estudiar es el siguiente:
Figura 16. Circuito Dinámico
Vi Vgs
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Excursión
Debido a las similitudes existentes desde el punto de vista de salida entre los circuitos
con JFET y los que utilizan bipolares, se puede demostrar que las ecuaciones que se
utilizan para la excursión son muy parecidas, es decir:
Vˆo + = Idq ⋅ Rd
Vˆo − = Vdsq − Vds *
Aquí, Vds* cumple la misma función que la Vcesat del transistor bipolar, solo que en los
bipolares la tensión de saturación es casi constante cuando las corrientes son pequeñas,
mientras que en los JFET dicha tensión varía mucho más con la corriente. Sin embargo,
admitiendo un cierto porcentaje de error es posible simplificar los cálculos si se toma la
peor condición, esto es, Vds* = |Vp|, y entonces nos quedan las siguientes ecuaciones:
Vˆo + = Idq ⋅ Rd
Vˆo − ≅ Vdsq − Vp
Cálculos
Vˆo + = 4,5mA ⋅ 1,08 KΩ = 4,86V
Vˆo − ≅ 8,52V − 3V = 5,52V
VˆoMAX = 4,86V
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Simulación
Figura 18. Niveles de tensión y corriente de polarización.
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Ej. 3. Simulación
Figura 22. Niveles de tensión y corriente de polarización.
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Ej. 4. Resolución
Análisis Estático
Para realizar el análisis estático deberemos plantear las ecuaciones del siguiente circuito:
Figura 26. Circuito Estático De la malla de polarización de entrada tenemos:
VRg = Vgsq + VRa
Pero como VRg es prácticamente 0V, nos queda:
Vdsq Vgsq
Idq = −
Ra
VRg Observe que la resistencia Rb no interviene en la
Vgsq
ecuación de Idq.
Para hallar Idq deberemos proceder como en los
casos anteriores, es decir, debemos resolver el
sistema de 2 ecuaciones con dos incógnitas. Las
VRa ecuaciones son:
Vgsq = − Idq ⋅ Ra
Idq
Vgsq = Vp ⋅ 1 − Idq
Idss
VRb
Si utilizamos como parámetros característicos
una Vp = -3V e Idss = 15mA, y le damos valores
a Idq tenemos:
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Análisis Dinámico
El circuito dinámico es el siguiente:
Figura 27. El circuito dinámico es similar
al del ejercicio 1-b, donde se
analiza al amplificador y se
despejan todas las ecuaciones
principales. Debido a ello, solo
nos limitaremos a utilizar dichas
ecuaciones.
Cálculos
rd ≅ 66 KΩ
Rd = 66 KΩ //( 220Ω + 1,5 KΩ) // 20 KΩ = 1,55 KΩ
2 ⋅ Idss
gm0 =
Vp
2 ⋅ 15mA
gm0 = = 10mS
3V
Idq
gm = gm0 ⋅
Idss
5,4mA
gm = 10mS ⋅ = 6mS
15mA
6mS ⋅ 1,55 KΩ
Av = = 0,9
1 + 6mS ⋅ 1,55 KΩ
1,5 KΩ
K= = 0,87
1,5 KΩ + 220Ω
1
Ria = 3,3MΩ ⋅ = 15,37 MΩ
1 − 0,9 ⋅ 0,87
15,22 MΩ
At = = 0,987
15,22 MΩ + 200 KΩ
Avs = 0,987 ⋅ 0,9 = 0,89
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Excursión
Como en los demás casos, las ecuaciones para la excursión son:
Vˆo + = Vdsq − Vp
Vˆo − = Idq ⋅ Rd
Si reemplazamos por los valores conocidos nos queda:
Vˆo + = 8,71V − 3V
Vˆo + = 5,71V
Vˆo − = 5,4mA ⋅ 1,47 KΩ
Vˆo − = 7,9V
Por lo tanto:
VˆoMAX = 5,7V
Simulación
Figura 28. Niveles de tensión y corriente de polarización
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Ej. 5. Simulación
Figura 32. Niveles de tensión y corriente de polarización.
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Ej. 6. Simulación
Figura 36. Niveles de tensión y corriente de polarización.
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Ej. 7. Resolución
Análisis Estático
Para hallar el punto de polarización debemos estudiar el siguiente circuito:
Figura 40. Circuito Estático
VRD
IRg
VRg1 VRg3
Vgsq
Idq
VRs
VRg2
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Idq = 18mA ⋅ 1 −
1,5V
1
Idq = 1,45mA + 0,19 ⋅ Vgsq ⋅ KΩ
Como se puede observar, Vp = -1,5V e Idss = 18mA en éste transistor.
Con éstas ecuaciones empezamos a iterar, entonces:
Vgsq Idq (1) Idq (2)
1V 2mA 1,64mA
1,2V 0,72mA 1,68mA
1,05V 1,62mA 1,65mA
1,045V 1,656mA 1,648mA
En base a las iteraciones adoptamos como valores correctos de polarización:
Vgsq ≅ 1,046V
Idq ≅ 1,65mA
Ahora, de la malla de salida planteamos la ecuación de la cual despejamos la Vdsq,
entonces:
Vdsq = Vdd − Idq ⋅ ( RD + Rs)
Al reemplazar obtenemos:
Vdsq = 18V − 1,65mA ⋅ (4,7 KΩ + 3,3KΩ)
Vdsq = 4,8V
El punto Q queda:
Idq = 1,65mA
Q:
Vdsq = 4,8V
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Análisis Dinámico
El circuito ha analizar es el siguiente:
Figura 41.
Como se puede apreciar, el circuito es un Rs sin puentear, por lo tanto, las ecuaciones
para éste caso son:
Ri → ∞
Ria = Ri // Rg1 // Rg 2 = Rg1 // Rg 2
Rd = RD // Rg3 // RL // Ro
Donde:
Ro = rd ⋅ (1 + gm ⋅ Rs )
Y la ganancia es:
gm ⋅ Rd
Av = −
1 + gm ⋅ Rs
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Ria
At =
Ria + Rgg
Avs = At ⋅ Av
Reemplazando valores obtenemos:
Ria = 3,3MΩ // 3,3MΩ = 1,65MΩ
2 ⋅ 18mA
gm0 = = −24mS
− 1,5V
1,68mA
gm = 24mS ⋅ = 7,33mS
18mA
Ro = 40 KΩ ⋅ (1 + 7,33mS ⋅ 3,3KΩ ) ≅ 1MΩ
Rd = 4,7 KΩ // 1MΩ // 50 KΩ // 1MΩ = 4,26 KΩ
7,33mS ⋅ 4,26 KΩ
Av = − = 1,29
1 + 7,33mS ⋅ 3,3KΩ
1,65MΩ
At = = 0,97
1,65MΩ + 50 KΩ
Avs = 0,97 ⋅ 1,29 = 1,25
Excursión
De la misma forma que antes:
Vˆo + = Idq ⋅ Rd = 1,68mA ⋅ 4,26 KΩ = 7,16V
Vˆo − ≥ Vdsq − Vp = 4,8V − 3V = 1,8V
Cuestionario
1. Indique porqué el valor de la máxima excursión negativa calculada es tan
diferente a la simulada.
2. Observe el oscilograma donde aparece la excursión, y en base a éste explique
porqué razón las tensiones de fuente y drenaje llegan a solaparse.
3. ¿Puede haber consecuencias por lo sucedido en la excursión?
4. Observe la tabla comparativa de los parámetros de cada circuito, e indique que
conclusiones se pueden sacar de éstos.
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Análisis Dinámico
El circuito dinámico a estudiar aparece debajo:
Figura 56. Circuito Dinámico
Vi
Vo
Ria
Vgs Vo
Vi
Ria
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Si se reemplaza por el valor de Idq se obtiene una resistencia del orden de las decenas de
ohms.
Más allá del pequeño valor de las resistencias dinámicas de los diodos, observe que nada
de señal llega a éstos, y por lo tanto la tensión en el gate es la de tierra. Bajo éstas
circunstancias, el circuito se comportará entonces como un Fuente Común.
Haciendo:
Rd = RD // Ro // RL
Ro = rd ⋅ [1 + gm ⋅ (Rgg // Rs )]
Las ganancias serán:
Vo gm ⋅ Vgs ⋅ Rd
Av = = = gm ⋅ Rd
Vgs Vgs
Vi Vgs Ria
At = = =
Vgg Vgg Rgg + Ria
Y la resistencia de entrada es:
Ria = Rs // Ri
Vi Vgs
Ri = =
Id gm ⋅ Vgs
1
Ri =
gm
Cálculos
2 ⋅ Idss 2 ⋅ 15mA
gm0 = = = −10mS
Vp − 3V
Idq 6,7 mA
gm = gm0 ⋅ = 10mS ⋅ = 6,68mS
Idss 15mA
1
Ri = = 149,7Ω
6,68mS
Ria = 330Ω // 149,7Ω = 103Ω
rd ≈ 64 KΩ
Ro = 64 KΩ ⋅ [1 + 6,68mS ⋅ (330Ω // 100Ω )]
Ro = 97 KΩ
Rd = 97 KΩ // 10 KΩ // 1KΩ = 900Ω
Av = 6,68mS ⋅ 0,9 KΩ = 6
103Ω
At = = 0,507
100Ω + 103Ω
Avs = 0,507 ⋅ 5,84 = 3,05
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Excursión
Como en los casos anteriores, tenemos:
Vˆo + = Idq ⋅ Rd = 6,7 mA ⋅ 900Ω = 6,03V
Sin embargo, la excursión del semiciclo negativo no es tan fácil de hallar. Como la
ganancia de tensión es demasiado baja (menor que 10), la tensión de entrada tendrá una
amplitud del mismo orden que la tensión de salida, haciendo que la Vds varíe no solo
por la excursión en la salida, sino también por la excursión en la entrada. Para hallar la
respuesta analicemos el siguiente oscilograma:
Figura 58.
Vdd
+
Vo
Vd
-
Vo
Vds*
Vs
-
Vs
Zona de
recorte
Gnd
Como se puede observar, la señal en la fuente está en fase con la señal de salida, y por
ello la excursión en el semiciclo negativo se incrementa respecto a la excursión del
fuente común. En la gráfica se puede ver como la zona de recorte determinada por la
región de resistencia variable del FET (en trazo punteado) acompaña a la tensión de
fuente, y como ésta se hace más cercana a cero volt en el semiciclo negativo, entonces la
excursión aumenta en dicho semiciclo.
Debido a ello el cálculo de la excursión se ve modificado de la siguiente forma:
Vdsq = Vˆo − + Vds * −Vˆs −
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Vˆo − = (Vdsq − | Vp |) ⋅
Av
Av − 1
Observe que cuando Av es mucho mayor que 1 (10 veces o más), la excursión se reduce
a la del fuente común. Ahora, si reemplazamos los valores tendremos:
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Ingeniero en Electrónica
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ELECTRONICA APLICADA I
Respuestas de los Ejercicios de Amplificadores Monoetapa
Simulación
Figura 59. Niveles de tensión y corriente de polarización para el circuito a).
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Cuestionario
1. En base a las últimas gráficas mostradas, ¿qué ventajas y desventajas tiene el uso
de los diodos en lugar de las resistencias para la polarización del Gate del
transistor?.
2. ¿Qué parámetros del circuito se modifican al variar la tensión de la fuente de
alimentación?
3. Con referencia a los mismos gráficos, ¿cuál es el camino principal tomado por la
señal de Ripple?, a través de la resistencia Rd o por el divisor de tensión de
polarización del gate?
4. De que otra forma se puede obtener una tensión de referencia fija que cumpla el
mismo propósito que los diodos.