UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, Decana de América)

Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica

Escuela: Ingeniería Eléctrica

Curso: Laboratorio de Circuitos Electrónicos 1
Profesor: Medina Calderon, Alfredo
Alumno: Rojas Cajaleón, Esteban Alex
Horario: Martes 8pm-10pm
 UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

APLICACIÓN CON DIODOS

I. Marco teórico
Transistor BJT
Un transistor BJT en un dispositivo electrónico capas de entregar una señal
eléctrica de salida proporcional a una señal de entrada. Un transistor es un
dispositivo semiconductor que consta de tres capas de semiconductor. Las
capas de semiconductor se dopan de acuerdo a la estructura del mismo. El
transistor de unión bipolar o transistor BJT, puede configurarse como NPN o
PNP de acuerdo al orden de sus capas.
Las terminales de un transistor BJT son E de emisor, B de base y C de
colector. El término bipolar hace referencia a que los huecos y los electrones
participan en el proceso de inyección hacia el material opuestamente
polarizado. Se puede modelar como la unión de 2 diodos.
La figura muestra el símbolo de un transistor bipolar o BJT con la nomenclatura
habitual de sus terminales.

Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, según la

configuración mostrada en la figura.

Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al

sentido de la corriente en polarización directa del diodo BE. En principio,
parece una estructura simétrica, en la que es imposible distinguir el emisor del
colector. Sin embargo la función que cumple cada uno es completamente
distinta, y en consecuencia, se fabrican con diferentes características. Por lo
tanto no es un componente simétrico.
Para que opere en la región de activa, el diodo base emisor tiene que estar
polarizado en forma directa y el diodo base colector tendrá que estar polarizado
en forma inversa; cuando el transistor bipolar se prepara para que opere en la
región activa, se cumple que la corriente que ingrese por la base IB va a
controlar la cantidad de corriente que circulará por el colector IC, este control
es en forma lineal, se cumple una relación matemática a la cual se le llama
ganancia del transistor y se le simboliza con β, esto es β=IC/IB, este valor en la
hoja de datos se le encuentra como hFE.
En un transistor bipolar siempre se va cumplir, que si se encuentra operando
en la región de saturación o en la región activa, la tensión que existirá entre la
base y el emisor VBE=0,7V ya que el diodo existente entre la base y el emisor
está polarizado en forma directa
Los símbolos utilizados para representar el transistor bipolar o bjt tanto para el
npn y el pnp.

Son los que se muestran, la flecha indica que el diodo base emisor se tiene que
polarizar en forma directa para hacer operar el transistor en la región activa.
Por ejemplo para polarizarlo en la región activa, se tiene que hacer que la
tensión de la base VB sea mayor a la tensión del colector VC en al menos
0,7V, ya que el diodo se activa a partir de esta tensión cuando se polariza en
forma directa, esta tensión quedará en forma constante entre la base y el
emisor mientras el transistor esté polarizado en la región activa, esto es
VBE=0,7V para el caso del transistor npn, ademas debe cumplirse que la VC
tiene que ser mayor que la tensión de la base VB, para que el diodo base
colector se polarice en forma inversa; mientras que para el pnp la tensión de la
base VB tiene que ser menor en al menos 0,7V a la tensión del emisor VE,
para que el diodo emisor base esté polarizado correctamente es decir en forma
directa, esto hace que VBE=-0,7V; ademas debe cumplirse que la VC tiene
que ser menor que la tensión de la base VB, para que el diodo colector base se
polarice en forma inversa,
En lo que sigue se comentará para el caso del transistor bipolar npn, pero se
cumplirá lo mismo para el pnp, con la diferencia que las tensiones y las
corrientes tendrán valores inversos con respecto al npn, en la imagen que
sigue

se
Aprecia los sentidos de las tensiones y las corrientes en los transistores cuando
estos se polarizan para que operen en la región activa.
Aplicando ley de corrientes de Kirchhoff, se tiene que:

IE=IC+IB
La corriente de la base IB es pequeña comparada con la corriente del colector
IC, por eso muchas veces se la puede ignorar, con lo cual la corriente del
emisor IE se puede asumir como:

IE=IC

II. Materiales
- Osciloscopio
- Multímetro, amperímetro digital
- Diodos 1N4004
- Resistencias RB= 120.1KΩ, Rc= 552.4Ω≈560Ω, RL=1962Ω≈2KΩ
- Condensadores
- Transformador 12-0-12 y Protoboard
- Cables coaxiales y cables cocodrilos
- Transistor 2N2222A
III. Procedimiento

-Procedemos a armar el circuito que se nos indicó, en el protoboard.

-Medimos IB e IC en corriente continua y nos dan los siguientes valores

IB= 113.1µA IC= 26.02mA

-Medimos el voltaje en RB y Rc en continua, y nos dan los siguientes valores

VRB= 14.09V VRC= 14.50V

14.09 14.50
𝐼𝐵 = = 117.31µ𝐴 Y 𝐼𝐶 = = 26.24𝑚𝐴
120.1×103 552.4
-Medimos el voltaje VBE y nos da 0.807V
-Medimos el voltaje Vcc y nos da 15.78V
-Medimos el voltaje VcE y nos dA 364.3mV y como se puede observar el VCE
no esta ni aproximado a la mitad del Vcc.

-Para poder ver otros tipos de resultados simulamos el circuito usando multisim
y nos dio los siguientes valores, los cuales siguen siendo aproximados a lo que
hicimos experimentalmente y vemos que el VCE sigue siendo muy bajo y sin
aproximarse a la mitad del Vcc.
-procedimos a simular otro circuito con resistencias distintas y en el cual
podemos observar que el valor VCE esta en un valor aceptable el cual debe ser
aproximadamente la mitad del VCC.

-Luego simulamos con los osciloscopios del multisim

-Como podemos observar con el circuito que hemos simulado la onda se
amplifica como debería pasar experimentalmente pero esto no se puede dar
experimentalmente por nuestro valor VCE es muy bajo.

Bibliografía
■ http://mrelbernitutoriales.com/transistor-bjt/transistor-bipolar-conociendolo/
■ https://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-y-
aplicaciones/transistores-bjt-y-aplicaciones.shtml
■ https://www.electrontools.com/Home/WP/2016/03/08/transistores-bipolares-
conceptos-basicos/