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ELECTRÓNICA DE POTENCIA
V Ciclo
Laboratorio N° 13
INFORME
Profesor:
2018-1
ÍNDICE
I. INTRODUCCIÓN ........................................................................................................................................ 5
II. OBJETIVOS ................................................................................................................................................ 6
III. MARCO TEÓRICO .................................................................................................................................... 6
IV. PREPARACIÓN ........................................................................................................................................ 7
V. EQUIPOS Y MATERIALES ..................................................................................................................... 8
VI. PROCEDIMIENTO .................................................................................................................................... 8
PARTE 1: ............................................................................................ Error! Bookmark not defined.
PARTE 2: ........................................................................................... Error! Bookmark not defined.
VII. OBSERVACIONES ................................................................................................................................ 10
VIII.RECOMENDACIONES ......................................................................................................................... 10
IX. CONCLUSIONES .................................................................................................................................. 11
X. APLICACIONES .................................................................................................................................... 11
XI. BIBLIOGRAFÍA ..................................................................................................................................... 11
XII. APLICACIÓN DE LO APRENDIDO ................................................................................................... 12
ÍNDICE DE ILUSTRACIONES
I. INTRODUCCIÓN
II. OBJETIVOS
CARACTERÍSTICAS
IV. Preparación
V. Equipos y Materiales
VI. PROCEDIMIENTO
Datos de placa
HP 3
VOLTS (V) 220V
AMPS (A) 10A
Frecuencia 60Hz
(Hz)
Fases 3Ø
RPM 1800
F.P
Tabla 1: Datos de placa del motor
6.1.2. VARIADOR
(2)Subida
ter
(1)Enter (5)Stop
/Salida
ter
(3)Run (4)Bajada
ter
ter
Para que se pueda realizar un control RUN/STOP desde la parte frontal del
variador se realiza los siguientes pasos:
Primero se tiene que buscar el parámetro dru con los botones bajada y subida,
luego infresar con el botón 1, luego con los botones 2 y 4 desplazarse al valor
0, para aceptar presionar el botón 1.
VII.OBSERVACIONES
VIII. RECOMENDACIONES
Tener claros los conceptos previos para poder realizar adecuadamente estas
experiencias.
Se recomienda que las clases teóricas se den primero, para asi poder realizar
de manera correcta el laboratorio, o que al inicio de cada laboratorio se de
una introducción breve
IX. CONCLUSIONES
Se concluye que las características dinámicas del diodo son las correctas, ya
que el laboratorio realizado el osciloscopio nos permitió ver cómo trabaja este
y realizas los cálculos matemáticos.
X. APLICACIONES
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión.
Se usan en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas
eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas
partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso:
Automóvil
Tren
Metro
Autobús
Avión
Barco
Ascensor
Electrodoméstico
Televisión
Domótica
Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS).
XI. BIBLIOGRAFÍA
- Leopoldo. Recuperado de:
http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_2.pdf
- Baliga, B. Jayant (2015). The IGBT Device: Physics, Design and Applications
of the Insulated Gate Bipolar Transistor (1 edición). Elsevier.
p. 12. ISBN 9781455731435. Consultado el 29 de abril de 2016.
- Recuperad de:
https://www.digikey.com/es/articles/techzone/2015/jan/semiconductor-rf-
switches-small-but-high-performing-circuit-components
- Datasheet de MOSFET:
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=Irf7413
- Datasheet de BJT
http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/2779/MOSPEC/TIP31C.html
t r (10%) 1,05us
Según las dos graficas mostradas de potencia, se puede deducir que el BJT
presenta mayor disipación de potencia que el MOSFET, también se puede deducir
que este responde con mayor velocidad que el BJT.