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CircuitoCircuito dede ComandoComando comcom UJTUJT

Nikolas Libert

de de Comando Comando com com UJT UJT Nikolas Libert Aula 9 Manutenção de Sistemas Eletrônicos

Aula 9 Manutenção de Sistemas Eletrônicos Industriais ET54A Tecnologia em Automação Industrial

UJT UJT Nikolas Libert Aula 9 Manutenção de Sistemas Eletrônicos Industriais ET54A Tecnologia em Automação Industrial
UJT UJT Nikolas Libert Aula 9 Manutenção de Sistemas Eletrônicos Industriais ET54A Tecnologia em Automação Industrial

Transistor Unijunção (UJT)

Transistor Unijunção (UJT)

Barra de semicondutor tipo N com uma ilha tipo P.

Possui 3 terminais: Duas bases e um emissor.

Também chamado de transistor de dupla base.

emissor. – Também chamado de transistor de dupla base. Emissor E B 2 P N B

Emissor

– Também chamado de transistor de dupla base. Emissor E B 2 P N B 1

E

B 2

Também chamado de transistor de dupla base. Emissor E B 2 P N B 1 Base
P N
P N
P N
P
P
P
P N
P N
P N

N

P N

B 1

de transistor de dupla base. Emissor E B 2 P N B 1 Base 2 Emissor

Base 2

transistor de dupla base. Emissor E B 2 P N B 1 Base 2 Emissor E
transistor de dupla base. Emissor E B 2 P N B 1 Base 2 Emissor E

Emissor

E

B 2

transistor de dupla base. Emissor E B 2 P N B 1 Base 2 Emissor E

Base 1

B 1

transistor de dupla base. Emissor E B 2 P N B 1 Base 2 Emissor E

DAELT ● Nikolas Libert ●

transistor de dupla base. Emissor E B 2 P N B 1 Base 2 Emissor E

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Transistor Unijunção (UJT)

 Circuito Equivalente B 2 Rb2 Rb1 0,7 V B E 2 E v v
 Circuito Equivalente
B
2
Rb2
Rb1
0,7 V
B
E
2
E
v
v
Rb1
BB
v
BB
v
EE
v
EE
B
1
B
1

E

B 2

P N
P N
P N
P
P
P
P N
P N
P N

N

P N

B 1

A junção E-B 1 funciona como um diodo, que só conduzirá se v EE for maior que 0,7 V + v Rb1 .

Se o diodo não estiver conduzindo (no corte), a região de semicondutor N, entre B 1 e B 2 , se comporta como um resistor de valor R BB = R b1 + R b2 .

e B 2 , se comporta como um resistor de valor R B B = R

DAELT ● Nikolas Libert ●

e B 2 , se comporta como um resistor de valor R B B = R

3

Transistor Unijunção (UJT)

B 2 0,7 V E v v Rb1 BB v EE B 1 Rb2 Rb1
B
2
0,7 V
E
v
v
Rb1
BB
v
EE
B
1
Rb2
Rb1

No corte, a tensão v Rb1 é dada por:

v

Rb 1 = v BB R b 1

R b 1 + R b 2

= v BB ⋅η

η=

R b 1

R b 1 + R b 2

O termo η (éta) é chamado de razão intrínseca de disparo, sendo um parâmetro de fabricação do UJT.

O valor de η costuma estar entre 0,4 e 0,9.

um parâmetro de fabricação do UJT. – O valor de η costuma estar entre 0,4 e

DAELT ● Nikolas Libert ●

um parâmetro de fabricação do UJT. – O valor de η costuma estar entre 0,4 e

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Transistor Unijunção (UJT)

Quando a tensão no emissor atinge v P , o diodo interno entra em condução e a resistência entre E e B 1 se torna baixa.

E

B 2
B
2

B 1

O UJT volta ao corte quando o diodo deixa de estar diretamente polarizado.

Resistência V E Negativa Corte V P Saturação v P = v BB ⋅η +
Resistência
V
E
Negativa
Corte
V P
Saturação
v P = v BB ⋅η + 0,7
V V
I

Tensão entre E e B 1 inferior a v V .

I V

v P = v BB ⋅η + 0,7 V V I – Tensão entre E e

DAELT ● Nikolas Libert ●

v P = v BB ⋅η + 0,7 V V I – Tensão entre E e

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E

Transistor Unijunção (UJT)

Parâmetros do UJT.

I P : corrente no início do disparo.

I V : corrente de vale.

η: razão intrínseca de disparo.

R BB0 : resistência entre bases.

de disparo. – R B B 0 : resistência entre bases. Ex.: UJT 2N2646 Min. Max.

Ex.: UJT 2N2646

Min.

Max.

I P

-

5 μA

I V

4 mA

-

η

0,56

0,75

R BB0

4,7 kΩ

9,1 kΩ

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UJT 2N2646 Min. Max. I P - 5 μA I V 4 mA - η 0,56
UJT 2N2646 Min. Max. I P - 5 μA I V 4 mA - η 0,56

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RB 1

Oscilador de Relaxação

Oscilador de Relaxação

RB 1 Oscilador de Relaxação Oscilador de Relaxação v BB RB2 R C  Principal aplicação

v BB

RB2 R C
RB2
R
C
de Relaxação Oscilador de Relaxação v BB RB2 R C  Principal aplicação do UJT. 
de Relaxação Oscilador de Relaxação v BB RB2 R C  Principal aplicação do UJT. 

Principal aplicação do UJT.

Operação na região de resistência negativa.

Circuito base para disparo de tiristores.

v RB1

 Circuito base para disparo de tiristores. v RB1 Não confundir R B 1 (R B

Não confundir R B1 (R B2 ) com R b1 (R b2 ).

tiristores. v RB1 Não confundir R B 1 (R B 2 ) com R b 1

DAELT ● Nikolas Libert ●

tiristores. v RB1 Não confundir R B 1 (R B 2 ) com R b 1

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Oscilador de Relaxação

Oscilador de Relaxação

v BB v BB RB 1RB 2 Rb1Rb2 0,7 V v RB1 C C R
v
BB
v BB
RB 1RB
2
Rb1Rb2
0,7 V
v RB1
C
C
R
RB 2
RB1
R

v

v

x

RB1

2 Rb1Rb2 0,7 V v RB1 C C R RB 2 RB1 R v v x

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R B2 dá estabilidade térmica ao UJT.

Normalmente R B2 e R B1 são pequenos, comparados com R b1 e R b2 .

No corte:

v x =

v BB ( R b 1 + R B 1 )

( R b 1 + R B 1 + R b 2 + R B 2 )

v BB R b 1

( R b 1 + R b 2 ) = v BB η

B 1 + R b 2 + R B 2 ) ≃ v BB ⋅ R

8

Oscilador de Relaxação

Etapa 1

v BB 0,7 V v C C RB1RB2 Rb1Rb2 R
v
BB
0,7 V
v
C
C
RB1RB2
Rb1Rb2
R

Inicialmente o capacitor está descarregado e o diodo cortado.

O capacitor se carrega por meio do resistor R e sua tensão tende a v BB .

v

v

x

RB1

v C v BB
v C
v BB

t

se carrega por meio do resistor R e sua tensão tende a v B B .

DAELT ● Nikolas Libert ●

se carrega por meio do resistor R e sua tensão tende a v B B .

9

Oscilador de Relaxação

Etapa 2

v BB 0,7 V v C C Rb2 RB1RB2 R
v
BB
0,7 V
v
C
C
Rb2 RB1RB2
R

Antes da tensão no capacitor chegar a v BB , o limiar v P é atingido e o UJT entra em condução.

v

v

x

RB1

v C v BB v P
v C
v BB
v P

t

, o limiar v P é atingido e o UJT entra em condução. v v x

DAELT ● Nikolas Libert ●

, o limiar v P é atingido e o UJT entra em condução. v v x

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Oscilador de Relaxação

Etapa 3

v BB 0,7 V v C C Rb2 RB1RB2 R
v
BB
0,7 V
v
C
C
Rb2 RB1RB2
R

v

v

x

RB1

O capacitor começa a ser descarregado por meio do diodo.

Com a condução do diodo, a resistência R b1 fica muito pequena (como a resistência interna de um diodo).

A descarga é rápida pois R B1 é pequeno.

v

C

v P
v
P

t

interna de um diodo). – A descarga é rápida pois R B 1 é pequeno. v

DAELT ● Nikolas Libert ●

interna de um diodo). – A descarga é rápida pois R B 1 é pequeno. v

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Oscilador de Relaxação

Etapa 4

v BB 0,7 V v C C RB 1RB 2 Rb1Rb2 R
v
BB
0,7 V
v
C
C
RB 1RB
2
Rb1Rb2
R

Quando a tensão no capacitor atinge o limiar de vale v V , o UJT corta.

O capacitor volta a se carregar por meio do resistor R.

v

v

x

RB1

v

C

v P v V t
v
P
v
V
t
– O capacitor volta a se carregar por meio do resistor R. v v x RB1

DAELT ● Nikolas Libert ●

– O capacitor volta a se carregar por meio do resistor R. v v x RB1

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Oscilador de Relaxação

Oscilador de Relaxação

v C v P v V
v C
v P
v V

t

v BB v RB1 C RB2 RB 1 R
v BB
v RB1
C
RB2
RB 1
R

O circuito gera um sinal pulsante.

No ponto v RB1 , haverão pulsos estreitos de tensão apenas nos momentos em que o UJT conduz (descarga do capacitor).

Os pulsos em v RB1 podem ser utilizados para disparo de um tiristor.

v RB1

t 1 T = R⋅C⋅ln ( 1− η )
t
1
T = R⋅C⋅ln (
1− η )

O período de oscilação é dado por:

v RB1 t 1 T = R⋅C⋅ln ( 1− η ) O período de oscilação é

DAELT ● Nikolas Libert ●

v RB1 t 1 T = R⋅C⋅ln ( 1− η ) O período de oscilação é

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Disparo de Tiristor com UJT

Disparo de Tiristor com UJT

O UJT pode gerar o trem de pulsos necessário para disparo de um Tiristor.

RB2 RB 1 R v BB RL C
RB2
RB 1
R
v BB
RL
C
gerar o trem de pulsos necessário para disparo de um Tiristor. RB2 RB 1 R v

DAELT ● Nikolas Libert ●

gerar o trem de pulsos necessário para disparo de um Tiristor. RB2 RB 1 R v

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Disparo de Tiristor com UJT

Cálculo de R B2

Alguns fabricantes aconselham um valor de R B2 igual a 15 % de R BB .

Outros fornecem equações:

a 15 % de R B B . – Outros fornecem equações: R B 2 ≃

R B 2 10000 η⋅v BB

(para 2N2646 e 2N2647)

R B 2 0,4R BB + ( 1 − η )⋅R B 1

η⋅V BB

η

(para 2N1671 e 2N2160)

DAELT ● Nikolas Libert ●

RB2 RB 1 R v BB RL C
RB2
RB 1
R
v BB
RL
C
1 − η )⋅ R B 1 η⋅ V B B η (para 2N1671 e 2N2160)

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Disparo de Tiristor com UJT

Cálculo de R B1

Enquanto o capacitor se carrega e o UJT está no corte, haverá uma tensão sobre R B1 .

Essa tensão é dada pelo divisor resistivo de R B1 , R B2 e R BB , e deve ser menor que a tensão de disparo da porta do tiristor (v GT ).

Caso contrário, o tiristor poderá disparar na hora errada.

RB 2 RB1 R v BB RL C
RB 2
RB1
R
v
BB
RL
C

R B 1 v BB

R BBmin v GT

R B 1 + R B 2 +

v BB RL C R B 1 ⋅ v BB R BBmin ≤ v GT R

DAELT ● Nikolas Libert ●

v BB RL C R B 1 ⋅ v BB R BBmin ≤ v GT R

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Disparo de Tiristor com UJT

Cálculo de R.

O resistor R é um dos responsáveis pela frequência de oscilação, mas sua resistência deve estar numa faixa dada por:

v BB v P

I P

R v BB v V I V

A tensão de saturação entre emissor e base1, v EB1(sat) , pode ser utilizada como aproximação para v V .

I P , I V , η e v EB1(sat) são fornecidos no datasheet.

v P = v BB ⋅η + 0,7

RB 2 RB1 R v BB RL C
RB 2
RB1
R
v BB
RL
C
fornecidos no datasheet . v P = v B B ⋅η + 0,7 RB 2 RB1

DAELT ● Nikolas Libert ●

fornecidos no datasheet . v P = v B B ⋅η + 0,7 RB 2 RB1

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Disparo de Tiristor com UJT

Cálculo de C.

Conhecendo-se a faixa de valores aceitáveis para o resistor R, pode ser escolhida uma combinação de R e C que gere a frequência de oscilação desejada:

de R e C que gere a frequência de oscilação desejada: T = R ⋅ C

T = RCln (

f = 1

T

1− η )

1

DAELT ● Nikolas Libert ●

RB 2 RB1 R v BB RL C
RB 2
RB1
R
v BB
RL
C
desejada: T = R ⋅ C ⋅ ln ( f = 1 T 1 − η

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Disparo de Tiristor com UJT

Exemplo. Projete um oscilador para disparo de um TIC106D, com um UJT 2N2646. Dados: f=500 Hz,

v BB =20 V, v GT (pior caso) = 0,2 V, v EB1(sat) = 2,5 V.

RB2?

RB1?

R e C?

B 1 ( s a t ) = 2,5 V. – RB2? – RB1? – R

DAELT ● Nikolas Libert ●

RB 2 RB1 R v BB RL C
RB 2
RB1
R
v BB
RL
C
B 1 ( s a t ) = 2,5 V. – RB2? – RB1? – R

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Oscilador com UJT Sincronizado com a Rede

Oscilador com UJT Sincronizado com a Rede

Para que o UJT possa ser utilizado para disparo de tiristores, é importante o sincronismo com a rede.

Alimentação do circuito com diodo zener.

RB2 RB 1 R RZ + C -
RB2
RB 1
R
RZ
+
C
-
com a rede.  Alimentação do circuito com diodo zener. RB2 RB 1 R RZ +
com a rede.  Alimentação do circuito com diodo zener. RB2 RB 1 R RZ +

DAELT ● Nikolas Libert ●

com a rede.  Alimentação do circuito com diodo zener. RB2 RB 1 R RZ +

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Oscilador com UJT Sincronizado com a Rede

No semiciclo positivo da rede elétrica, o diodo zener limita a tensão da rede em v BB , alimentando o circuito oscilador.

No semiciclo negativo, o diodo conduz, colocando em curto a entrada do oscilador e descarregando C.

É como se o oscilador estivesse desligado.

v E v BB v C t v RB1 t
v
E
v
BB
v
C
t
v
RB1
t

v

RB 2 RB 1 R RZ + v BB E C -
RB 2
RB 1
R
RZ
+
v
BB
E
C
-
desligado. v E v BB v C t v RB1 t v RB 2 RB 1

DAELT ● Nikolas Libert ●

desligado. v E v BB v C t v RB1 t v RB 2 RB 1
desligado. v E v BB v C t v RB1 t v RB 2 RB 1

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Oscilador com UJT Sincronizado com a Rede

No lugar do resistor R pode ser inserido um potenciômetro para controle do ângulo de disparo.

O primeiro pulso gerado é o que efetivamente disparará o tiristor.

A adição de uma ponte retificadora antes do zener possibilitaria o disparo nos dois semiciclos.

v E v BB v C t v RB1 t
v
E
v
BB
v
C
t
v
RB1
t

v

RB 2 RB 1 R RZ + v BB E C -
RB 2
RB 1
R
RZ
+
v
BB
E
C
-
dois semiciclos. v E v BB v C t v RB1 t v RB 2 RB

DAELT ● Nikolas Libert ●

dois semiciclos. v E v BB v C t v RB1 t v RB 2 RB
dois semiciclos. v E v BB v C t v RB1 t v RB 2 RB

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Transistor de Unijunção Programável (PUT)

Transistor de Unijunção Programável (PUT)

Dispositivos que desempenham o mesmo papel do UJT.

Principais diferenças com relação ao UJT:

Tensão de disparo controlável.

Maior rapidez e sensibilidade.

Em temporizadores de período longo o desempenho do PUT é superior (menor corrente de pico no disparo).

de período longo o desempenho do PUT é superior (menor corrente de pico no disparo). DAELT

DAELT ● Nikolas Libert ●

de período longo o desempenho do PUT é superior (menor corrente de pico no disparo). DAELT

23

Transistor de Unijunção Programável (PUT)

Dispositivo formado por 4 camadas, semelhante a um SCR.

Difere com relação ao ponto de ligação do terminal de gatilho.

com relação ao ponto de ligação do terminal de gatilho. A (ânodo) P N P N

A (ânodo)

P

N

P

N

G (porta)

K (cátodo)

DAELT ● Nikolas Libert ●

A G
A
G

K

ponto de ligação do terminal de gatilho. A (ânodo) P N P N G (porta) K

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Transistor de Unijunção Programável (PUT)

Modelo Equivalente

G

A

P

N

P

N

K

 Modelo Equivalente G A P N P N K G Condição para condução: v A

G

Condição para condução:

v A > v G + 0,7

A

 

P

N

N

P

P

 

N

K

A T 1 T 2
A
T
1
T 2
P N N P P   N K A T 1 T 2 G K +

G

K + 0 - T 1 T 2 PUT Cortado
K
+
0
-
T 1
T 2
PUT Cortado
+ 0,7 + - 0,3 T 1 - T 2 + 0,7 - PUT Conduzindo
+
0,7
+
-
0,3
T 1
-
T 2
+
0,7
-
PUT Conduzindo
+ 0 - T 1 T 2 PUT Cortado + 0,7 + - 0,3 T 1

DAELT ● Nikolas Libert ●

+ 0 - T 1 T 2 PUT Cortado + 0,7 + - 0,3 T 1

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Transistor de Unijunção Programável (PUT)

Circuito de Polarização

RL G v BB A v E K RB 2 RB 1
RL
G
v
BB
A
v
E
K
RB 2
RB 1
Thévenin
Thévenin
RL G Rth A v E v Th K
RL
G
Rth
A
v E
v Th
K

R Th = R B 1 || R B 2 = R B 1 + R B 2

R B 1 + R B 2

v Th =

v BB R B 1

R B 1 + R B 2

Por analogia, podemos dizer que

v Th = v BB η

, onde

η=

dizer que v T h = v B B ⋅ η , onde η= DAELT ●

DAELT ● Nikolas Libert ●

que v T h = v B B ⋅ η , onde η= DAELT ● Nikolas

R B 1

R B 1 + R B 2

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Transistor de Unijunção Programável (PUT)

Circuito de Polarização

RL G Rth A v E v Th K
RL
G
Rth
A
v E
v Th
K

v Th = v BB ⋅η

RL G Rth A v E v Th K v T h = v B B
A T 1 T 2
A
T
1
T 2

K

G

Considerando que T1 esteja cortado.

Não flui corrente nem na base, nem no coletor de T1.

A queda de tensão entre base e emissor é praticamente zero (menor que 0,7 V). Logo, V E = V Th

Não entra corrente na base de T2.

T2 também corta.

O PUT só conduzirá se o valor de VE for elevado a um valor v P dado por

v P = v Th + 0,7 = v BB ⋅η + 0,7

O PUT funciona como um UJT onde o parâmetro η pode ser determinado por resistores externos.

funciona como um UJT onde o parâmetro η pode ser determinado por resistores externos. DAELT ●

DAELT ● Nikolas Libert ●

funciona como um UJT onde o parâmetro η pode ser determinado por resistores externos. DAELT ●

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Referências

ALBUQUERQUE, Rômulo Oliveira. Utilizando Eletrônica com AO, SCR, TRIAC, UJT, PUT, CI 555,

LDR, LED, FET e IGBT, 2ª Edição, Érica, São Paulo,

2013.

de ALMEIDA, J. L. A. Dispositivos Semicondutores:

Tiristores Controle de Potência em CC e CA, 12ª Edição, Érica, São Paulo, 2010

Tiristores Controle de Potência em CC e CA, 12ª Edição, Érica, São Paulo, 2010 DAELT ●

DAELT ● Nikolas Libert ●

Tiristores Controle de Potência em CC e CA, 12ª Edição, Érica, São Paulo, 2010 DAELT ●

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