Circuito de Comando com UJT

Nikolas Libert

Aula 9
Manutenção de Sistemas Eletrônicos Industriais ET54A
Tecnologia em Automação Industrial
Transistor Unijunção (UJT)

Transistor Unijunção (UJT)

 Barra de semicondutor tipo N com uma ilha tipo P.

 Possui 3 terminais: Duas bases e um emissor.
– Também chamado de transistor de dupla base.
B2 Base 2

B2
E
E P N Emissor
Emissor
B1

B1 Base 1

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Transistor Unijunção (UJT)
B2
 Circuito Equivalente B2

Rb2
0,7 V
B2 E E P N
E vRb1 vBB
vBB
vEE

Rb1
vEE
B1
B1
B1

– A junção E-B1 funciona como um diodo, que só

conduzirá se vEE for maior que 0,7 V + vRb1.
– Se o diodo não estiver conduzindo (no corte), a região
de semicondutor N, entre B1 e B2, se comporta como
um resistor de valor RBB = Rb1 + Rb2.

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Transistor Unijunção (UJT)
B2
– No corte, a tensão vRb1 é

Rb2
E
0,7 V dada por:
vRb1 vBB
v BB⋅R b 1
v Rb1 =
Rb1
vEE =v BB⋅η
Rb 1+ Rb 2
B1
Rb 1
η=
Rb 1+ Rb 2

– O termo η (éta) é chamado de razão intrínseca de

disparo, sendo um parâmetro de fabricação do UJT.
– O valor de η costuma estar entre 0,4 e 0,9.

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Transistor Unijunção (UJT)

 Quando a tensão no emissor atinge vP, o diodo interno

entra em condução e a resistência entre E e B 1 se
torna baixa. B2
VE
Resistência
Corte Negativa
VP Saturação
E

v P =v BB⋅η+0,7
B1
 O UJT volta ao corte quando
o diodo deixa de estar VV
diretamente polarizado. IE
IV
– Tensão entre E e B1 inferior a vV.

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Transistor Unijunção (UJT)

 Parâmetros do UJT.
– IP: corrente no início do disparo.
– IV: corrente de vale.
– η: razão intrínseca de disparo.
– RBB0: resistência entre bases.
Ex.: UJT 2N2646
Min. Max.
IP - 5 μA
IV 4 mA -
η 0,56 0,75
RBB0 4,7 kΩ 9,1 kΩ

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Oscilador de Relaxação

Oscilador de Relaxação

vBB

 Principal aplicação do UJT.

RB2
R
 Operação na região de resistência
negativa. vRB1
C
 Circuito base para disparo de

RB1
tiristores.

Não confundir RB1(RB2) com Rb1(Rb2).

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Oscilador de Relaxação

 Oscilador de Relaxação
vBB
– RB2 dá estabilidade térmica ao
vBB UJT.

RB2
– Normalmente RB2 e RB1 são
RB2

R
R

pequenos, comparados com

Rb2
0,7 V
Rb1 e Rb2.
vx
vRB1 – No corte:
C
C Rb1
v BB⋅( R b 1 + R B 1 )
RB1

vRB1
v x=
( R b1 + R B 1 + R b 2 + R B 2 )
RB1

v BB⋅Rb 1
≃ =v BB⋅η
( Rb 1+ Rb 2)

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Oscilador de Relaxação

 Etapa 1

vBB
– Inicialmente o capacitor está descarregado e o
diodo cortado.
RB2

– O capacitor se carrega por meio do resistor R e

R

sua tensão tende a vBB.

Rb2

0,7 V
vC
vx vC
vBB
C
Rb1

vRB1
RB1

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Oscilador de Relaxação

 Etapa 2

vBB
– Antes da tensão no capacitor chegar a vBB, o
limiar vP é atingido e o UJT entra em condução.
RB2
R

Rb2

0,7 V
vC
vx vC
vBB
C
vP
vRB1
RB1

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Oscilador de Relaxação

 Etapa 3
– O capacitor começa a ser descarregado por
vBB
meio do diodo.
– Com a condução do diodo, a resistência Rb1
fica muito pequena (como a resistência interna
RB2

de um diodo).
R

A descarga é rápida pois RB1 é pequeno.

Rb2

–
0,7 V
vC
vx vC
C
vP
vRB1
RB1

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Oscilador de Relaxação

 Etapa 4

vBB
– Quando a tensão no capacitor atinge o limiar de
vale vV, o UJT corta.
RB2

– O capacitor volta a se carregar por meio do

R

resistor R.
Rb2

0,7 V
vC
vx vC
C
Rb1

vP
vRB1
RB1

vV
t

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Oscilador de Relaxação

 Oscilador de Relaxação
vC
vBB vP
– O circuito gera um sinal pulsante.
No ponto vRB1, haverão pulsos
RB2

–
R

estreitos de tensão apenas nos vV

momentos em que o UJT conduz t

C
vRB1 (descarga do capacitor). vRB1

Os pulsos em vRB1 podem ser

RB1

–
utilizados para disparo de um
tiristor.
t

O período de oscilação é dado por: T =R⋅C⋅ln

( )
1
1−η

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Disparo de Tiristor com UJT

Disparo de Tiristor com UJT

 O UJT pode gerar o trem de pulsos necessário para

disparo de um Tiristor.
vBB
RB2
R

RL

C
RB1

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Disparo de Tiristor com UJT

 Cálculo de RB2
– Alguns fabricantes aconselham um valor de RB2 igual a
15 % de RBB.
– Outros fornecem equações:
vBB
10000
RB 2≃
η⋅v BB

RB2
R
RL
(para 2N2646 e 2N2647)

C
0,4⋅R BB (1−η)⋅R B 1

RB1
RB 2≃ + η
η⋅V BB
(para 2N1671 e 2N2160)

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Disparo de Tiristor com UJT

 Cálculo de RB1
– Enquanto o capacitor se carrega e o UJT está no corte,
haverá uma tensão sobre RB1.
– Essa tensão é dada pelo divisor resistivo de RB1, RB2 e
RBB, e deve ser menor que a tensão de disparo da
porta do tiristor (vGT). vBB

– Caso contrário, o tiristor poderá

RB2
R
RL
disparar na hora errada.

R B 1⋅v BB C
≤v GT

RB1
R B 1 + R B 2 + R BBmin

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Disparo de Tiristor com UJT

 Cálculo de R.
– O resistor R é um dos responsáveis pela frequência de
oscilação, mas sua resistência deve estar numa faixa
dada por:
v P =v BB⋅η+0,7
v BB−v P v BB−vV
≥R≥
IP IV vBB

– A tensão de saturação entre

RB2
R
RL
emissor e base1, vEB1(sat), pode
ser utilizada como aproximação
para vV. C

RB1
– IP, IV, η e vEB1(sat) são fornecidos
no datasheet.

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Disparo de Tiristor com UJT

 Cálculo de C.
– Conhecendo-se a faixa de valores aceitáveis para o
resistor R, pode ser escolhida uma combinação de R e
C que gere a frequência de oscilação desejada:
vBB

T =R⋅C⋅ln ( )
1

RB2
1−η

R
RL

1
f= C
T

RB1
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Disparo de Tiristor com UJT

 Exemplo. Projete um oscilador para disparo de um

TIC106D, com um UJT 2N2646. Dados: f=500 Hz,
vBB=20 V, vGT (pior caso) = 0,2 V, vEB1(sat) = 2,5 V.
– RB2?
vBB
– RB1?
R e C?

RB2
–

R
RL

RB1
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Oscilador com UJT Sincronizado com a Rede

Oscilador com UJT Sincronizado com a

Rede

 Para que o UJT possa ser utilizado para disparo de

tiristores, é importante o sincronismo com a rede.
 Alimentação do circuito RZ

com diodo zener.

RB2
R
+

- C

RB1
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Oscilador com UJT Sincronizado com a Rede

 No semiciclo positivo da rede elétrica, o diodo zener

limita a tensão da rede em vBB, alimentando o circuito
oscilador.
 No semiciclo negativo, o diodo conduz, colocando em
curto a entrada do oscilador e descarregando C.
– É como se o oscilador estivesse desligado.
vE RZ
vBB

RB2
R
vC + vBB
t
vE
vRB1
- C

RB1
t

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Oscilador com UJT Sincronizado com a Rede

 No lugar do resistor R pode ser inserido um

potenciômetro para controle do ângulo de disparo.
 O primeiro pulso gerado é o que efetivamente
disparará o tiristor.
 A adição de uma ponte retificadora antes do zener
possibilitaria o disparo nos dois semiciclos.
vE RZ
vBB

RB2
R
vC + vBB
t
vE
vRB1
- C

RB1
t

DAELT ● Nikolas Libert ● 22

Transistor de Unijunção Programável (PUT)

Transistor de Unijunção Programável

(PUT)

 Dispositivos que desempenham o mesmo papel do

UJT.
 Principais diferenças com relação ao UJT:
– Tensão de disparo controlável.
– Maior rapidez e sensibilidade.
– Em temporizadores de período longo o desempenho
do PUT é superior (menor corrente de pico no disparo).

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Transistor de Unijunção Programável (PUT)

 Dispositivo formado por 4 camadas, semelhante a um

SCR.
– Difere com relação ao ponto de ligação do terminal de
gatilho.
A (ânodo)

A
P G
G (porta)
N
P
N K

K (cátodo)

DAELT ● Nikolas Libert ● 24

Transistor de Unijunção Programável (PUT)

 Modelo Equivalente
A A

P P A

G N G N N T1 G
P P P T2

N N
K
K K

+ +
0,7 0
+ - -
0,3 T1 T1
Condição para condução: -
vA > vG + 0,7 T2 T2
+
0,7
-
PUT Conduzindo PUT Cortado

DAELT ● Nikolas Libert ● 25

Transistor de Unijunção Programável (PUT)

 Circuito de Polarização

RL
G
Rth
RB2
vE A
vTh
RL
G vBB
A Thévenin
vE K
RB1

K
R B 1+ RB 2
RTh=R B 1 || R B 2=
R B 1+ RB 2
v BB⋅R B 1
v Th=
RB 1 + RB 2

RB 1
Por analogia, podemos dizer que v Th=v BB⋅η , onde η=
RB 1 + RB 2

DAELT ● Nikolas Libert ● 26

Transistor de Unijunção Programável (PUT)

 Circuito de Polarização A
RL v Th=v BB⋅η
G T1 G
A Rth
vE vTh
T2

K
K

● Considerando que T1 esteja cortado.

● Não flui corrente nem na base, nem no coletor de T1.

● A queda de tensão entre base e emissor é praticamente zero (menor que

0,7 V). Logo, VE = VTh

● Não entra corrente na base de T2.

● T2 também corta.

● O PUT só conduzirá se o valor de VE for elevado a um valor vP dado por

v P =v Th +0,7=v BB⋅η+0,7
● O PUT funciona como um UJT onde o parâmetro η pode ser
determinado por resistores externos.
DAELT ● Nikolas Libert ● 27
Referências

 ALBUQUERQUE, Rômulo Oliveira. Utilizando

Eletrônica com AO, SCR, TRIAC, UJT, PUT, CI 555,
LDR, LED, FET e IGBT, 2ª Edição, Érica, São Paulo,
2013.
 de ALMEIDA, J. L. A. Dispositivos Semicondutores:
Tiristores Controle de Potência em CC e CA, 12ª
Edição, Érica, São Paulo, 2010

DAELT ● Nikolas Libert ● 28