Circuitos Electrónicos Amplificadores

Serie 1 - Problemas Amplificadores de Potencia

Prof.: Ing. L. Christian Farro

Ciclo: 2019-2

Prob.1: En el circuito, el transistor tiene las siguientes características: 𝑖𝐶𝑚á𝑥 = 300𝑚𝐴,

𝑉𝐵𝐶𝐸𝑂 = 40𝑉, Pcmax= 1W, 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0.5𝑉, 𝛽 = 50, 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉. Considerar que las perdidas
𝑅
en Re no sean muy altas, elegir 𝑅𝐸 ≪ 𝑅𝐿 , 𝑅𝐸 = 20𝐿 y para una buena estabilidad en el punto
𝑅
de operación emplear: 𝑅𝑏 = (1 + 𝛽) 𝐸 . Calcular:
10
a) El pto. Q para máxima excursión simétrica.
b) 𝑅𝐸 , 𝑉𝐶𝐶 , 𝑅1 y 𝑅2 .
c) 𝑃𝐿𝑚á𝑥 , 𝑃𝐶𝐶 , 𝑃𝐶𝑚í𝑛 , 𝑃𝐶𝑚á𝑥 .
d) Eficiencia.

Solución
a) Punto de operación para máxima excursión simétrica
Recta DC: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

Recta AC: 0 = 𝑣𝐶𝐸 + 𝑖𝐶 𝑅𝐿 → 𝑣𝐶𝐸 = −𝑖𝐶 𝑅𝐿 = −100𝑖𝐶

Recta de máxima excursión simétrica: 𝑣𝐶𝐸 = 𝑖𝐶 𝑅𝐿 + 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 100𝑖𝐶 + 0.5

Como esta recta contiene al punto de operación, debe cumplirse: 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 100𝐼𝐶𝑄 + 0.5

Reemplazando en la recta DC: 𝑉𝐶𝐶 ≅ 100𝐼𝐶𝑄 + 0.5 + 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐸

Para el máximo aprovechamiento del transistor debe cumplirse:

𝑃𝐶𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 𝐼𝐶𝑄 = 1𝑊

Con las dos ecuaciones anteriores y despreciando 𝑅𝐸 , podemos obtener una ecuación de
segundo grado para hallar 𝐼𝐶𝑄 :
 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 𝑃𝐶𝑚á𝑥 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 2
𝐼𝐶𝑄 =− + √ +( )
2𝑅𝐿 𝑅𝐿 2𝑅𝐿

Reemplazando valores y efectuando: 𝑰𝑪𝑸 = 𝟗𝟕. 𝟓𝒎𝑨

Reemplazando en la recta de M.E.S. obtenemos: 𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝟏𝟎. 𝟐𝟓𝑽

b) Obtención de 𝑅𝐸 , 𝑉𝐶𝐶 , 𝑅1 y 𝑅2
Para que las pérdidas en 𝑅𝐸 no sean muy altas, elegimos: 𝑅𝐸 ≪ 𝑅𝐿
𝑅
Entonces: 𝑅𝐸 = 20𝐿 = 5Ω
De la recta de carga estática: 𝑽𝑪𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 + 𝑰𝑪𝑸 𝑹𝑬 = 𝟏𝟏𝑽

Obtención de 𝑅1 y 𝑅2 :
Para buena estabilidad del punto de operación empleamos:
𝑅𝐸
𝑅𝑏 = (1 + 𝛽) = 25.5Ω
10
Luego: 𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸𝑄 𝑅𝐸 = 1.24𝑉
𝑽 𝑹𝒃
𝑹𝟏 = (𝑽 𝑪𝑪 ) 𝑹𝒃 = 𝟐𝟐𝟔𝛀 𝑹𝟐 = 𝑽 = 𝟐𝟖. 𝟕𝛀
𝑩𝑩 𝟏− 𝑩𝑩
𝑽𝑪𝑪
c) Cálculo de 𝑃𝐿𝑚á𝑥 :
𝟐
𝑰𝟐𝑪𝑸 𝑹𝑳 (𝑽𝑪𝑬𝑸 − 𝑽𝑪𝑬,𝒔𝒂𝒕 )
𝑷𝑳𝒎á𝒙 = = = 𝟒𝟕𝟓𝒎𝑾
𝟐 𝟐𝑹𝑳

Cálculo de 𝑃𝐶𝐶 :
𝑷𝑪𝑪 = 𝟏𝟏 ∗ 𝟎. 𝟎𝟗𝟕𝟓 = 𝟏. 𝟎𝟕𝟐𝟓𝑾
Cálculo de 𝑃𝐶𝑚í𝑛 , 𝑃𝐶𝑚á𝑥 :
En clase A se tiene: 𝑷𝑪𝒎á𝒙 = 𝑽𝑪𝑬𝑸 𝑰𝑪𝑸 = 𝟏𝟎. 𝟐𝟓 ∗ 𝟎. 𝟎𝟗𝟕𝟓 = 𝟏𝑾
𝑷𝑪𝒎í𝒏 = 𝑽𝑪𝑬𝑸 𝑰𝑪𝑸 − 𝑷𝑳𝒎á𝒙 = 𝟏𝑾 − 𝟎. 𝟒𝟕𝟓𝑾 = 𝟓𝟐𝟓𝒎𝑾

d) Cálculo de la eficiencia:
𝑷𝑳𝒎á𝒙 𝟓𝟐𝟓𝒎𝑾
𝜼= = = 𝟒𝟖. 𝟗𝟓%
𝑷𝑪𝑪 𝟏𝟎𝟕𝟐. 𝟓𝒎𝑾

Prob.2: En el amplificador de la figura ¿Calcular la relación del nro. de espiras para entregar
una potencia máxima en la carga? Hallar PLmax, Potencia disipada en el transistor, la
potencia total entregada por la fuente de alimentación y la eficiencia.
Solución
Se asumen los datos: 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉. 𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜, 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0.5𝑉
Como las resistencias de polarización ya están definidas, el punto de operación ya está
definido y podemos calcularlo:
𝑅 𝑅 17(3) 𝑅2 3
𝑅𝑏 = 𝑅 1+𝑅2 = 17+3 = 2.55Ω 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 (𝑅 +𝑅 ) = 10 (17+3) = 1.5𝑉
1 2 1 2
En la malla base-emisor:
𝐼𝐶𝑄 1
𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + (1 + ) 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐸
𝛽 𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 1.5 − 0.7
𝐼𝐶𝑄 = 1 1
= 2.55 = 0.59𝐴
𝑅𝑏 + (1 + ) 𝑅 𝐸 + (1.1)1
𝛽 𝛽 10
1
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (1 + ) 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐸 = 10 − (1.1)0.59(1) = 9.35𝑉
𝛽
𝒏
Cálculo de la relación de espiras: 𝒏 = 𝒏𝟏
𝟐
La recta de máxima excursión simétrica es dada por:
𝑉𝐶𝐸𝑄 9.35𝑉
𝑣𝐶𝐸 = 𝑖𝐶 𝑛2 𝑅𝐿 → 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝐼𝐶𝑄 𝑛2 𝑅𝐿 → 𝑛2 𝑅𝐿 = = = 15.85Ω
𝐼𝐶𝑄 0.59𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 9.35𝑉 15.85𝛺
De donde: 𝑛2 𝑅𝐿 = 𝐼𝐶𝑄
= 0.59𝐴 = 15.85𝛺 → 𝑛2 = 8Ω
= 1.98 → 𝒏 ≅ 𝟏. 𝟒

Cálculo de 𝑷𝑳𝒎á𝒙
2 2 2
𝐼𝐶𝑄 𝑛 𝑅𝐿 (𝑉𝐶𝐸𝑄 − 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ) (9.35 − 0.5)2
𝑃𝐿𝑚á𝑥 = = = = 𝟐. 𝟒𝟕𝑾
2 2𝑛2 𝑅𝐿 2(15.85)

Cálculo de la potencia disipada en el transistor (𝑷𝑪𝒎á𝒙)

𝑃𝐶𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 𝐼𝐶𝑄 = 9.35 ∗ 0.59 = 𝟓. 𝟓𝟏𝟕𝑾

Cálculo de la potencia total entregada por la fuente de alimentación (𝑷𝑪𝑪 )

0.59 0.7 + (1.1)0.59(1)
𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 (𝐼𝐶𝑄 + 𝐼𝐵𝑄 + 𝐼1 ) = 10 (0.59 + + ) = (10)1.032 = 𝟏𝟎. 𝟑𝟐𝑾
10 3

Cálculo de la eficiencia (𝜼).

𝑃𝐿𝑚á𝑥 2.47
𝜂= = = 𝟐𝟑. 𝟗%
𝑃𝐶𝐶 10.32

Prob.3: En el amplificador de la figura, obtener la potencia máxima en la carga, la potencia

disipada por el transistor, la eficiencia y las especificaciones técnicas del transistor.
Considere la relación de transformación 𝑛 = 1, 𝑅𝐸 = 1Ω, 𝑅𝐿 = 8Ω.
Solución
Se asumen los datos: 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉. 𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜, 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0.5𝑉, 𝛽 = 50

La impedancia de carga reflejada al primario es: 𝑛2 𝑅𝐿 = 8Ω

La recta DC es: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 ≅ 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐸

La recta de máxima excursión simétrica es: 𝑣𝐶𝐸 = 𝑖𝐶 𝑛2 𝑅𝐿 + 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 8𝑖𝐶 + 0.5
De donde: 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝐼𝐶𝑄 𝑛2 𝑅𝐿 + 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 8𝐼𝐶𝑄 + 0.5
De la recta DC: 10 ≅ 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝐼𝐶𝑄 (1) ≅ 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝐼𝐶 𝑅𝐸 → 10 = 8𝐼𝐶𝑄 + 0.5 + 𝐼𝐶𝑄 (1)
10−0.5
Entonces: 𝐼𝐶𝑄 = 9
= 1.06𝐴 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 8(1.06) + 0.5 = 8.98𝑉

Máxima potencia en la carga:

2 2 2
𝐼𝐶𝑄 𝑛 𝑅𝐿 (𝑉𝐶𝐸𝑄 − 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ) (8.98 − 0.5)2
𝑃𝐿𝑚á𝑥 = = = = 𝟒. 𝟓𝑾
2 2𝑛2 𝑅𝐿 2(8)

Potencia disipada por el transistor:

𝑃𝐶𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 𝐼𝐶𝑄 = 8.98 ∗ 1.06 = 9. 𝟓𝟐𝑾

Eficiencia
𝑃𝐿𝑚á𝑥 4.5 4.5
𝜂= ≅ = = 4𝟐. 𝟒𝟓%
𝑃𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 (𝐼𝐶𝑄 ) 10(1.06)

Especificaciones técnicas del transistor

Se debe cumplir: 𝑖𝐶𝑚á𝑥 ≥ 2𝐼𝐶𝑄 = 2.12𝐴 𝐵𝑉𝐶𝐸𝑂 ≥ 2𝑉𝐶𝐶 = 20𝑉
𝑃𝐶𝑚á𝑥 ≥ 𝑉𝐶𝐸𝑄 𝐼𝐶𝑄 = 9.52𝑊

Prob.4: En el circuito mostrado, se utiliza un transistor de silicio junto con una resistencia
de carga de 8Ω. Las especificaciones máximas de este transistor son: Pc máx.=24W,
BVceo=80V, Vce sat=2V.
Determinar el punto de reposo (Q), la potencia máxima en la carga y el rendimiento.

Solución
Punto de operación para máxima excursión simétrica
Recta DC: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 → 15 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

Recta AC: 0 = 𝑣𝐶𝐸 + 𝑖𝐶 𝑅𝐿 → 𝑣𝐶𝐸 = −8𝑖𝐶

Recta de máxima excursión simétrica: 𝑣𝐶𝐸 = +8𝑖𝐶 + 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 8𝑖𝐶 + 2
Como esta recta contiene al punto de operación, debe cumplirse: 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 8𝐼𝐶𝑄 + 2
Reemplazando en la recta DC: 15 ≅ 8𝐼𝐶𝑄 + 2 + 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐸
𝑅 8
Eligiendo 𝑅𝐸 ≪ 𝑅𝐿 → 𝑅𝐸 = 20𝐿 = 20 = 0.4Ω
15−2
Obtenemos: 𝐼𝐶𝑄 = 8.4 = 𝟏. 𝟓𝟓𝑨
Luego: 𝑉𝐶𝐸𝑄 = +8𝐼𝐶𝑄 + 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 8(1.55) + 2 = 𝟏𝟒. 𝟒𝑽

Cálculo de 𝑷𝑳𝒎á𝒙:
𝟐
𝑰𝟐𝑪𝑸 𝑹𝑳 (𝑽𝑪𝑬𝑸 − 𝑽𝑪𝑬,𝒔𝒂𝒕 )
𝑷𝑳𝒎á𝒙 = = = 𝟗. 𝟔𝟏𝑾
𝟐 𝟐𝑹𝑳

Cálculo de la eficiencia:

Cálculo de 𝑃𝐶𝐶 :
𝑷𝑪𝑪 ≅ 𝟏𝟓 ∗ 𝟏. 𝟓𝟓 = 𝟐𝟑. 𝟐𝟓𝑾
Entonces:
𝑷𝑳𝒎á𝒙 𝟗. 𝟔𝟏𝑾
𝜼= = = 𝟒𝟏. 𝟑𝟑%
𝑷𝑪𝑪 𝟐𝟑. 𝟐𝟓𝑾

Prob.5: En el amplificador de la figura, calcular:

a) La potencia máxima en la carga
b) Pcc total
c) El rendimiento
𝒏 𝟏
Datos: 𝜷 = 𝟐𝟎𝟎, 𝒏 = 𝒏𝟏 =
𝟐 √𝟐

Solución
a) Cálculo de la potencia máxima en la carga
Las resistencia de polarización definen el punto de operación.
Hallamos el punto de operación:
Se asumen los datos: 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉. 𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜, 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0𝑉
𝑅 𝑅 600(600) 𝑅2 600
𝑅𝑏 = 𝑅 1+𝑅2 = 600+600
= 300Ω 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 (𝑅 ) = 10 (600+600) = 5𝑉
1 2 1 +𝑅2
En la malla base-emisor:
𝐼𝐶𝑄 1
𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝑒1 = 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + (1 + ) 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝑒1
𝛽 𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 5 − 0.7
𝐼𝐶𝑄 = 1 1
= 300 = 1.72𝐴
𝑅𝑏 + (1 + ) 𝑅𝑒1 200
+ (1.005)1
𝛽 𝛽
1
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝑒1 = 𝑉𝐶𝐶 − (1 + ) 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝑒1 = 10 − (1.005)1.72(1) = 8.27𝑉
𝛽

𝟐 𝟏 𝟐
𝑰𝟐𝑪𝑸 𝒏𝟐 𝑹𝑳 (𝟏. 𝟕𝟐) (√𝟐) 𝟒
𝑷𝑳𝒎á𝒙 = = = 𝟐. 𝟗𝟔𝑾
𝟐 𝟐

b) Cálculo de 𝑷𝑪𝑪 𝒕𝒐𝒕𝒂𝒍

1.72 0.7 + (1.005)1.72(1)
𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 (𝐼𝐶𝑄 + 𝐼𝐵𝑄 + 𝐼1 ) = 10 (1.72 + + ) = 𝟏𝟕. 𝟑𝟑𝑾
200 600

c) Cálculo del rendimiento

𝑃𝐿𝑚á𝑥 2.96
𝜂= = = 17. 𝟎𝟖%
𝑃𝐶𝐶 17.33

Prob.6: En el circuito de la figura, hallar el punto de funcionamiento (pto. Q), la disipación

de potencia del transistor, la potencia total suministrada por la fuente de alimentación y el
rendimiento del circuito, si la tensión de salida p-p es 18V. Considerar Ib=valor muy
pequeño (= 0).

Solución
Punto de operación:
Las resistencias de polarización definen el punto de operación.
Hallamos el punto de operación:
Se asumen los datos: 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉. 𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜, 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0𝑉
𝑅 𝑅 0.49𝐾(0.068𝐾) 𝑅2 0.068𝐾
𝑅𝑏 = 𝑅 1+𝑅2 = 0.49𝐾+0.068𝐾
= 60Ω 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 (𝑅 ) = 30 (0.49𝐾+0.068𝐾) = 3.66𝑉
1 2 1 +𝑅2
En la malla base-emisor:
𝐼𝐶𝑄 1
𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝑒1 = 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + (1 + ) 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝑒1
𝛽 𝛽
Como 𝐼𝐵 es despreciable, tendremos:
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 3.66 − 0.7
𝑰𝑪𝑸 ≅ = = 𝟎. 𝟏𝟒𝟖𝑨
𝑅𝑒1 20
𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝑒1 = 30 − (0.148)20 = 𝟐𝟕𝑽
Disipación de potencia del transistor
𝑷𝑪𝒎á𝒙 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 𝐼𝐶𝑄 = 27𝑉 ∗ 0.148𝐴 = 𝟒𝑾

Potencia total suministrada por la fuente de alimentación

30
𝑷𝑪𝑪 ≅ 𝑉𝐶𝐶 (𝐼𝐶𝑄 + 𝐼1 ) = 30 (0.148 + + ) = 𝟔. 𝟎𝟓𝑾
558

Rendimiento del circuito:

Si la tensión de salida es 18Vpp, podemos hallar la potencia en la carga.
(𝑽𝑳 )𝟐 (𝟗)𝟐
𝑷𝑳 = = = 𝟎. 𝟐𝟐𝟓𝑾
𝟐𝑹𝑳 𝟐(𝟏𝟖𝟎)
Luego:
𝑃𝐿 0.225
𝜼= = = 𝟓. 𝟔𝟑%
𝑃𝐶𝐶 4

Prob.7: En el circuito de la figura, hallar:

a) La potencia máxima disipada en la carga
b) La potencia total suministrada por la fuente de alimentación
c) La potencia máxima disipada en el colector
d) El rendimiento.

Solución
a) Potencia máxima disipada en la carga
Se asumen los datos: 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉. 𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜, 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0𝑉
El punto de operación ya está definido por las resitencias de polarización y podemos
calcularlo.
𝑅 𝑅 85(15) 𝑅 15
𝑅𝑏 = 1 2 = = 12.75Ω 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 ( 2 ) = 10 ( ) = 1.5𝑉
𝑅1 +𝑅2 85+15 𝑅1 +𝑅2 85+15
En la malla base-emisor:
𝐼𝐶𝑄 1
𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝑒 = 𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 + (1 + ) 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝑒
𝛽 𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 1.5 − 0.7
𝐼𝐶𝑄 =1 1
= 12.75 ≅ 0.6𝐴
𝑅 + (1 + ) 𝑅 + (1.025)1
𝛽 𝑏 𝛽 𝑒1 40
 1
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝑒 = 𝑉𝐶𝐶 − (1 + ) 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝑒1 = 10 − (1.025)0.6(1) ≅ 9.4𝑉
𝛽
Luego:
𝟐
(𝑽𝑪𝑬𝑸 ) (𝟗. 𝟒)𝟐
𝑷𝑳𝒎á𝒙 = = ≅ 𝟎. 𝟒𝟒𝟐𝑾
𝟐𝑹𝑳 𝟐(𝟏𝟎𝟎)

b) Potencia total suministrada por la fuente de alimentación

0.6 0.7 + (1.025)0.6(1)
𝑷𝑪𝑪 = 𝑉𝐶𝐶 (𝐼𝐶𝑄 + 𝐼𝐵𝑄 + 𝐼1 ) = 10 (0.6 + + ) = 𝟕. 𝟎𝟑𝑾
40 15

c) Potencia máxima disipada en el colector

𝑷𝑪𝒎á𝒙 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 𝐼𝐶𝑄 = 9.4𝑉 ∗ 0.6𝐴 = 𝟓. 𝟔𝟒𝑾

d) Rendimiento.
𝑃𝐿𝑚á𝑥 0.442
𝜼= = = 6. 𝟐𝟗%
𝑃𝐶𝐶 7.03

Prob.8: En el amplificador de potencia de la figura, β puede variar entre 6 y 20.

a) Calcular 𝑅𝑏 para obtener la máxima potencia en la carga.
b) El punto de reposo
c) Calcular el rendimiento máximo.

Solución
a) Cálculo de 𝑹𝒃 para obtener la máxima potencia en la carga.

Cálculo de 𝑹𝒃 :

b) El punto de reposo

c) Cálculo del rendimiento máximo.

Prob.9: Para el siguiente circuito, se tiene el amplificador con resistencia en colector,

determinar:
 a) El punto de operación
b) La máxima excursión simétrica del colector
c) La potencia suministrada por la fuente de alimentación
d) La eficiencia
Datos: Vcc= 15V, Rc (carga)=1K, Re=0.5K, Vce sat=0, β=100
VCC
15V
RC
R2 1K
C

+
+
Vi
R1 Re
- 0.5K

Solución
a) Punto de operación
Recta de carga DC
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝐼𝐸 𝑅𝑒
Como 𝛽 ≫ 1 → 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶
Entonces:
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝑒 ) → 15 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 (1.5𝐾)

Recta de carga AC
0 = 𝑣𝑐𝑒 + 𝑖𝑐 𝑅𝐶 + 𝑖𝑒 𝑅𝑒 → 𝑣𝑐𝑒 = −𝑖𝑐 (1.5𝐾)

Ambas rectas tienen la misma pendiente (-1/1.5kOhms) y coinciden (están superpuestas).

Luego, graficando: 𝑖𝑐𝑚á𝑥 ocurre cuando 𝑣𝑐𝑒 = 0

15𝑉
En la primera ecuación: 𝑖𝑐𝑚á𝑥 = = 10𝑚𝐴
1.5𝐾Ω

i C
(mA)

10

pendiente = - 1 / 1.5K

ICQ = 5

vCE
(V)
VCEQ VCC
7.5 15

𝑣𝐶𝐸𝑚á𝑥 ocurre cuando: 𝑖𝐶 = 0

Luego: 𝑣𝐶𝐸𝑚á𝑥 = 15𝑉
Para lograr máxima excursión simétrica, se escoge el punto de operación (a partir del cual
se originan las variaciones de la señal que ocurren sobre la recta AC y que en este caso
coinciden con la DC), en el centro de la línea de carga dinámica.

Por lo tanto: 𝑰𝑪𝑸 = 𝟓𝒎𝑨

𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝟕. 𝟓𝑽 Punto de operación (punto Q)
b) La máxima excursión simétrica de la corriente de colector (pico a pico), será de 10mA
(La corriente pico será: 𝑰𝒄𝒎 = 𝟓𝒎𝑨)

c) La potencia suministrada por la fuente de alimentación

Despreciando la corriente en el circuito de base:
𝑷𝑪𝑪 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶𝑄 = 15𝑉(5𝑥10−3 𝐴) = 𝟕𝟓𝒎𝑾

d) La eficiencia
𝑃𝐿𝑚á𝑥
𝜼=
𝑃𝐶𝐶

Potencia de señal suministrada a la carga (RC):

En este caso:
1 𝑇
𝑃𝐿𝑚á𝑥 = ∫ 𝑖𝐶2 (𝑅𝐶 )𝑑𝑡
𝑇 0
En condiciones de máxima excursión simétrica (𝐼𝑐𝑚 = 𝐼𝐶𝑄 )
2
(5𝑥10−3 )
Por lo tanto: 𝑃𝐿𝑚á𝑥 = 1𝐾 2
= 12.5𝑚𝑊
Entonces:
𝑃𝐿𝑚á𝑥 12.5𝑚𝑊
𝜼= = = 16.67%
𝑃𝐶𝐶 75𝑚𝑊

Prob.10: El amplificador de potencia de la fig. entrega una potencia máxima de 5W a una

carga de 4 Ω. Se ajusta el punto de reposo para que la variación sea simétrica máxima y
la tensión de alimentación es de Vcc=20V. Sabiendo que una de las limitaciones del
transistor es de ic máx = 4 A.
Calcular: N=n1/n2, el punto de reposo IcQ, VceQ y el rendimiento.
Prob.11: El circuito de la figura es un amplificador clase A que puede suministrar una
potencia máxima sin distorsión de 2W a la carga de 10Ω. Hallar: IcQ, Pcc y n (%) e indicar
las especificaciones del transistor.

Prob.12: Hallar n de modo que en la carga pueda disiparse la potencia máxima. Calcular
PL máx., Pc máx., y Pcc total.

Prob.13: En la Figura se muestra un amplificador de emisor común, donde β =200. Al

realizar un ensayo se obtiene que la tensión pico a pico máxima en la salida sin
distorsión es de 2,34 V, siendo 50 mV la aplicada a la entrada. Determinar Av, Ai, Psal
(max) en la carga, Pcc total y la eficiencia (ƞ%).
Datos: R1=10K, R2=2.2K, Rc=3.6K, Re=1K, RL=0.75K.
Prob.14: En el circuito de la figura, obtener Pcc total, la potencia a través de la carga
(Rc), y la eficiencia del amplificador, para un voltaje de entrada que produce una
corriente (Ib) de 10 ma pico. Los valores para el circuito son: Rb=1K, Vcc=20V, Rc=20Ω y
β= 25.

Prob. 15: Un cierto transistor de potencia puede disipar hasta 10 W. Determine la

potencia de salida máxima que puede obtenerse de un amplificador push pull clase B,
como el de la figura, usando dos de estos transistores. Asuma que la excitación es
sinusoidal y que el amplificador tiene una eficiencia del 75%.

T1
T2
1:1
2 8 Q1 n:1
8 2

5 VCC
Vin 7 5
7 RL

11 6
Q2 6 11
1:1
n:1

Prob.16: Diseñar de un amplificador clase B acoplado por transformador, para

proporcionar una potencia máxima de salida (PLmáx) de 10W a una resistencia de carga
RL=4Ω. Suponer un voltaje de alimentación de cd de 15V y transistores con βF=hfe=100
y Vbe=0.7V. Obtener la máxima disipación de potencia en el colector, y la potencia
entregada por la fuente Vcc.