GENERADOR DE ONDA DIENTE DE SIERRA

INTRODUCCIÓN
La onda diente de sierra (d.d.s.) es una señal de aspecto triangular, que encuentra grandes aplicaciones
en electrónica, como en circuitos que requieren señales periódicas, pero de aumentos y disminuciones
lineales; algunas de ellas son utilizadas en el control de barrido de tubos de rayos catódicos, como los
de osciloscopios, televisores, etc.

En este laboratorio se propone un circuito generador de onda diente de sierra básico a partir de la
onda cuadrada obtenida del acople de los 3 circuitos anteriores. Existen componentes avanzados
capaces de generar ondas en d.d.s., además de diversas técnicas con distintos elementos electrónicos,
pero se ha optado por hacer un diseño simple basado en transistores.

DESCRIPCIÓN
En la fig. 1 se puede observar las características básicas de la onda diente de sierra: La amplitud
aumenta desde un valor inicial y proporcionalmente en el tiempo hasta un valor máximo, a partir del
cual comienza a decrecer, también en forma proporcional hasta el valor mínimo. Generalmente los
tiempos de ascenso t1 y descenso t2 son distintos, siendo t1>> t2. En la mayoría de los casos t2 es muy
corto, representando un descenso muy rápido.

fig. 1. Señal diente de sierra.

Los circuitos generadores de ondas d.d.s. basan su funcionamiento en someter un capacitor a un

proceso de carga parcial y de descarga en un tiempo muy corto, de tal forma que permitan
manipular las ondas típicas de carga y descarga de un condensador y llevarlas a la forma deseada.

La fig. 2 muestra la curva de carga de un capacitor.

fig. 2. Carga de un capacitor.

Como es sabido, la tensión en sus extremos crece en forma exponencial con relación al tiempo. Si se
considera t2 como el tiempo que se gasta el capacitor para adquirir el 99% de carga máxima, t2 ≅ 5RC
(Dado que un capacitor nunca llega a cargarse totalmente) y t1 como otro tiempo tal que t1 <<t2,
durante el cual el capacitor se somete al proceso de carga; La carga adquirida por él en t1 será mucho
menor que la máxima. Así la curva de carga en este período puede ser considerada como una recta.
Si alcanzado el instante t1, se interrumpe la carga y se conecta en serie con el capacitor una resistencia
de pequeño valor, en comparación a la conectada durante la carga, habrá una descarga inmediata, o
para ser más exacto, en un tiempo muy corto con relación al tiempo de carga (t 1); Si estas dos
operaciones fueren repetidas de forma continua y se observa las forma de onda en los extremos del
condensador, la señal resultante tendrá un aspecto similar al presentado en la fig. 3.

fig. 3. Señal diente de sierra resultante.

En la fig. 4 se representa esquemáticamente el circuito propuesto para crear la onda d.d.s., donde esta
se genera partir de una onda cuadrada que hace conmutar al transistor que a su vez controla la carga
y descarga de 𝐶1 .

fig. 4. Generador de onda diente de sierra a partir de una onda cuadrada.

El circuito de la fig. 4 funciona de la siguiente manera:

Durante el nivel bajo de la señal cuadrada el transistor está en corte por lo tanto el circuito equivalente
será una fuente DC (𝑉𝐶𝐶 ) en serie con 𝑅2 y 𝐶1 . El capacitor se carga durante un tiempo t1 de igual
duración del nivel inferior (nulo) de la onda cuadrada de entrada.

Durante el nivel alto de la señal cuadrada el transistor se satura por lo que 𝐶1 encuentra una baja
resistencia a través del colector - emisor, facilitando su descarga. Una vez termina el nivel superior
de la señal de entrada, el transistor pasa al corte nuevamente y todo el proceso se repite, obteniendo
en los terminales de 𝐶1 una forma de onda d.d.s.
Por lo expuesto, 𝐶1 se carga por medio de 𝑅2 cuando T está cortado y teniendo en cuenta que un
capacitor es considerado cargado totalmente después de cinco constantes de tiempo, esto es:

𝑡𝑐 = 5 ∗ 𝑅2 ∗ 𝐶1

Se debe someterlo a un tiempo máximo de carga inferior a 10% de 𝑡𝑐 , asegurando así una forma de
onda lo más recta posible. De este modo T debe permanecer en corte durante este tiempo, en
consecuencia el nivel bajo aplicado a 𝐶1 debe tener esta duración máxima.

Transcurrido este tiempo, el transistor deberá pasar a saturación para facilitar la descarga de 𝐶1 y
para conseguirlo la señal cuadrada de entrada debe asumir un nivel alto, pero durante un tiempo más
corto frente a 𝜏, con la finalidad de que una vez descargado 𝐶1 (circunstancia extremadamente
rápida debido al cortocircuito que representa T), se inicie un nuevo proceso de carga.

CÁLCULOS TEÓRICOS
A continuación, se describen los procedimientos matemáticos usados para la elección de los
elementos del montaje experimental. El transistor que se usará es el 2N2222, el cual es bipolar NPN
de baja potencia de uso general. Se considera que el voltaje base-emisor es de 0.7V.

Durante el proceso de carga del capacitor se tiene la siguiente ecuación:

−𝑡1
𝑉𝐶1 (𝑡1 ) = 𝑉𝐶𝐶 (1 − 𝑒 𝑅2 ∗𝐶1 ) (1)

Como el tiempo máximo de carga debe ser el 10% de 𝑡𝑐 :

𝑡1𝑀á𝑥 = 5 ∗ 𝑅2 ∗ 𝐶1 ∗ (0.1)

Se sabe que la frecuencia de la señal es de 1000 Hz, entonces:

1
𝑇=
1000 Hz

Además, se sabe que la señal es simétrica, es decir, el nivel alto y el bajo tienen la misma duración
𝑇
de 2

También se dijo que el proceso de carga debe durar todo el nivel bajo de la señal de entrada, es decir:

𝑇
𝑡1𝑀á𝑥 = 5 ∗ 𝑅2 ∗ 𝐶1 ∗ (0.1) = = 5𝑥10−4 𝑠 (2)
2

Se quiere que la amplitud de la onda d.d.s. sea igual a la de la onda cuadrada (4.4V), entonces
utilizando la ecuación (1):
−𝑡1𝑀á𝑥
𝑉𝐶1 𝑀á𝑥 (𝑡1 ) = 𝑉𝐶𝐶 (1 − 𝑒 𝑅2 ∗𝐶1 )

5∗𝑅2 ∗𝐶1 ∗(0.1)

4.4𝑉 = 𝑉𝐶𝐶 (1 − 𝑒 𝑅2 ∗𝐶1 )
 4.4𝑉 = 𝑉𝐶𝐶 (1 − 𝑒 −0.5 )

4.4𝑉
𝑉𝐶𝐶 = = 11.28𝑉
(1 − 𝑒 −0.5 )

Para hallar los valores de 𝑅2 y 𝐶1 se utiliza la ecuación (2):

5 ∗ 𝑅2 ∗ 𝐶1 ∗ (0.1) = 5𝑥10−4 𝑠

Se deben escoger valores de resistencia y capacitancia tal que se cumpla la igualdad. Por conveniencia
y usando valores comerciales se escogen los siguientes elementos:

𝑅2 = 1𝐾𝛺

𝐶1 = 1𝜇𝑓

Durante el proceso de descarga del capacitor se debe garantizar la saturación del transistor T para que
el voltaje en 𝐶1 sea aproximadamente 0. Para efectos de calcular corrientes de saturación se hace la
siguiente consideración:

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = = 11.28 𝑚𝐴
𝑅2

Se sabe que:

𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵

Entonces:

𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇
𝐼𝐵𝑆𝐴𝑇 =
𝛽

Para garantizar la saturación del transistor se usa el concepto de saturación fuerte, entonces:

𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇
𝐼𝐵𝑆𝐴𝑇 = = 1.128 𝑚𝐴
10

Entonces, se procede a calcular el valor de 𝑅1 que garantice la saturación:

4.4𝑉 − 0.7𝑉
= 1.128 𝑚𝐴
𝑅1

𝑅1 = 3280.14𝛺

Para el montaje experimental se usa el valor comercial mas cercano a 𝑅1 el cual es de 3.3KΩ
SIMULACIÓN
A continuación se muestra las señales de entrada y salida obtenidas en la simulación:

En verde se muestra la señal cuadrada de entrada y en rojo la señal d.d.s. de salida.

FOTOGRAFÍAS MONTAJE EXPERIMENTAL

En amarillo se muestra la señal cuadrada de entrada y en azul la señal d.d.s. de salida.