POLARIZACION Y AMPLIFICACION CON FETs

JEFFERSON NONO
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

, Escuela Politécnica Nacional Quito, Ecuador

I. PREPARATORIO

1. Consultar las principales características

de los transistores de efecto de campo

Las características principales son:

 La potencia de control es nula, es decir,

no se absorbe corriente por el terminal
de control.
 Una señal muy débil puede controlar el
dispositivo.
 La tensión de control se emplea para
crear un campo eléctrico

2. Resolver los siguientes circuitos de

polarización, forma de la curva ID contra VDS y
forma de la curva ID contra VGS:.

3. Realizar las simulaciones de los circuitos

presentados en Proteus
 5. Consultar sobre el voltaje de pinch-off y
como calcularlo.

VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de

estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS,
presenta fuertes dispersiones en su valor.

1. VDD se mantiene fijo.

2. Aumentar VGG para que la corriente ID se

4. Realizar un resumen del datasheet haga cero, entonces el valor de VGG=VP.
perteneciente al JFET J304 y adquirir uno

6. .Implementar los circuitos de la Fig. 1, 2,

3 y calcular los voltajes de salida de cada uno de
ellos.
 Fig 1

Fig 3

IV. REFERENCIAS

7. Realizar las simulaciones de los circuitos

en Proteus; y, presentar los voltajes de [ |, «LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE
polarización y las gráficas correspondientes en 1 CAMPO,» [En línea]. Available:
papel milimetrado ] http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans
_campo.htm.
Graficas Anexo 1
Fig 2
[ FAIRCHILD, «mouser,» [En línea]. Available:
2 https://www.mouser.ec/datasheet/2/308/J304-
] 1124850.pdf.