Universidad Nacional Federico Villarreal

Facultad de Ingeniería Electrónica e Informática

Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES”

OBJETIVOS:
1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores BJT.
2. Analizar un transistor bipolar, respecto de la medición de sus terminales.
3. Verificar la polarización y Zonas de trabajo del transistor BJT.
4. Medir el punto Q de operación del transistor.
5. Observar el comportamiento del transistor en las zonas de corte y saturación.
6. Polarizar un transistor BJT npn para ubicar su punto de operación en la región activa,
utilizando los circuito de polarización fija y divisor de voltaje.
7. Comprobar experimentalmente el nivel de estabilidad del punto de operación Q de un
transistor BJT npn debido a los cambios de temperatura y los parámetros internos del
dispositivo.

PREGUNTAS PREVIAS:
1. ¿Explique el procedimiento a seguir para determinar el estado, tipo de transistor e Identificar
cada uno de los terminales de los transistores bipolares?
2. ¿Cuáles son las zonas de trabajo que tiene el transistor?
3. ¿De qué depende la corriente de colector en la FIG 2?
4. ¿De qué depende la corriente de colector en la FIG 3?
5. ¿Por qué se utiliza una resistencia en emisor (Re) para estabilizar el punto Q?
6. Determine la ICSAT o ICmax y VCE max . Calcule los valores para ICQ y VCEQ en cada uno de lo
circuitos.
7. ¿Al aumentar la temperatura en el transistor qué efecto se produce sobre la corriente de
colector, y sobre la corriente de base?.

EQUIPO NECESARIO:
1 Protoboard
1 Fuente de voltaje Regulada
1 DVM
1 Punta de prueba para DVM
1 Generador de señal con su respectiva punta de prueba
1 Osciloscopio cos sus respectivas puntas de prueba

COMPONENTES NECESARIOS:
1 Resistencias de 100, 1k, 6.8k, 8.2k, 36k, 56k, 100K, otras de 1/2 de watt
1 2n3904, 2n3906, Tip 41, Tip 42
3 Transistor 2n2222
1 Potenciómetro de 50K y 100K para montaje en protoboards

Al inicio de la práctica deben presentar la solución de las preguntas previas.

Es necesario que tenga presente la forma en que vienen interconectados los diferentes
contactos de los "protoboards" y cómo realizar conexiones en ellos.

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PROCEDIMIENTO:

TERMINALES DE TRANSISTORES NPN y PNP

1. Mida el transistor con tester en escala de diodo. Concluya finalmente el tipo de transistor y el
nombre de cada uno de los terminales para cada uno de los transistores listados en la tabla de
elementos.

Transistor 2N2222:

Al poner el multímetro en la escala de diodo o continuidad, colocaremos las dos puntas del
multímetro en diferentes posiciones hasta encontrar la base del transistor, cuando un terminal
del transistor este conectado a la punta positiva del multímetro y la otra punta presente
continuidad con los otros dos terminales del transistor entonces el terminal de la punta positiva
es la base del transistor.

Haciendo la prueba del reconocimiento de los terminales del transistor 2N2222 encontramos
que la base es el terminal del centro, por entre es un transistor del tipo NPN.

Transistor 2N3904:

Tip 41:

Colocaremos el multímetro en la posición de resistencia y procederemos a medir la resistencia

entre la base y el emisor y luego entre la base y el colector. Debemos asegurarnos de tener la
punta positiva del multímetro en la base para polarizar directamente. La resistencia debe ser
casi la misma siendo ligeramente mayor entre emisor y base. También mide la continuidad,
porque si hay continuidad en las mediciones anteriores el transistor está dañado.

Tip 42:

(COMPLETAR)

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2. Utilizando el Multímetro determine el β de cada uno de los elementos. De que otra forma se
puede determinar este parámetro.

Transistor 2N2222:

β mínima = 100.

β máxima = 300.

Transistor 2N3904:

β mínima = 100.

β máxima = 300.

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Tip 41 y 42:

(COMPLETAR)

3. Mediante el manual técnico consulte la asignación de terminales y compruebe con lo

obtenido en forma práctica e indique además las características más importantes de cada uno
de ellos.

ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR BJT

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4. Implemente el circuito de la Fig 1. Ajuste el voltaje Vbb (entre 0 Volts y 10 Volts) y con el
multimetro mida los voltajes entre colector y emisor Vce; el voltaje en la resistencia RB, el
voltaje en la resistencia RC para completar la siguiente tabla (agregue las filas necesarias para
completar hasta 10V).
[Capte la atención de los lectores mediante una cita importante extraída del documento o utilice este espacio para
resaltar un punto clave. Para colocar el cuadro de texto en cualquier lugar de la página, solo tiene que arrastrarlo.]

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5. Con los valores obtenidos en la tabla anterior, determine el estado o zona en que está
trabajando el transistor (Activa, saturación o corte) para cada fila de la tabla, indicando las
razones de cada una de ellas además del estado de la unión base emisor y base colector.

La ecuación de la recta de carga viene a estar dada por:

Vcc 𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 = −
𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 𝑅𝑐 + 𝑅𝑒
Pero como vemos el circuito no cuenta con 𝑅𝑒, provocando que la ecuación de la recta de
carga varié quedando finalmente de la siguiente forma:

Vcc 𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐 = −
𝑅𝑐 𝑅𝑐
A continuación, se ve la gráfica obtenida de acuerdo con los datos hallados de forma práctica
en el laboratorio. En la tabla de abajo vemos como varia VCE, esta variación se produce al
variar el voltaje de una fuente variable de forma progresiva (Vbb).

Gráfica IC VS VCE
0.06
0.08,
0.09,
0.11,
0.14,0.0492
0.0491
0.23,0.0489
0.0486
0.0477 VCE (V) IC (A)
0.05
0.08 0.0492
1.3, 0.037
0.04 0.09 0.0491
0.11 0.0489
0.03 2.73, 0.0227
IC 0.14 0.0486
0.02 0.23 0.0477
4.14, 0.0086
0.01 1.3 0.037
4.99, 0.0001 2.73 0.0227
0
4.14 0.0086
0 1 2 3 4 5 6
4.99 0.0001
VCE

Zona de corte: Cuando no circula corriente por el emisor del transistor, mejor dicho es cuando
no ay una circulación de corriente en el colector y la base (Ib = Ic = Ie = 0).

Zona de saturación: En esta zona se verifica que la tensión colector-emisor es muy pequeña
(VCE ≤ 0.2 V, zona próxima al eje de coordenadas).

Zona de activa: El resto del primer cuadrante corresponde a la zona activa.

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6. Para todos los casos en que el transistor trabaja en la zona activa, determine el valor de la
relación Ic / Ib. ¿A que parámetro del transistor corresponde dicho valor?; (Las corrientes Ic e Ib
se puede obtener utilizando la ley de Ohm, esto es, I = V / R en cada caso).

Estos son los casos en donde el transistor trabaja en la zona activa:

VCE (V) IC (A)

0.23 0.0477
1.3 0.037
2.73 0.0227
4.14 0.0086
4.99 0.0001

Parámetro β:

El parámetro Beta (β), nos indica la eficiencia del transistor, relacionando la corriente de
colector con la corriente de base, cuanto mayor es el número de Beta más eficiente es el
transistor, es decir que con una corriente de base pequeña es capaz de entregar una corriente
de colector grande (ganancia de corriente del transistor).

Calculando β: (VCE = 0.23 V)

IC = VRC / RC = 4.65 V / 100 Ω = 46.5 mA

IB = VRB / RB = 3.47 V / 10 KΩ = 0.347 mA

β = IC / IB = 46.5 mA / 0.347 mA = 134

β = 134.

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Calculando β: (VCE = 1.30 V)

IC = VRC / RC = 3.49 V / 100 Ω = 34.9 mA

IB = VRB / RB = 2.43 V / 10 KΩ = 0.243 mA

β = IC / IB = 34.9 mA / 0.243 mA = 143.62.

β = 143.62

Calculando β: (VCE = 2.73 V)

IC = VRC / RC = 1.85 V / 100 Ω = 18.5 mA

IB = VRB / RB = 1.29 V / 10 KΩ = 0.129 mA

β = IC / IB = 18.5 mA / 0.129 mA = 143.41

β = 143.41

Calculando β: (VCE = 4.14 V)

IC = VRC / RC = 0.83 V / 100 Ω = 8.3 mA

IB = VRB / RB = 0.57 V / 10 KΩ = 0.057 mA

β = IC / IB = 8.3 mA / 0.057 mA = 145.61

β = 145.61

Calculando β: (VCE = 4.99 V)

IC = VRC / RC = 0 V / 100 Ω = 0 A
IB = VRB / RB = 0 V / 10 KΩ = 0 A

β = IC / IB = 0 A / 0 A = Indeterminado.

β = Indeterminado.

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CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA

7. Implemente el circuito de la FIG 2.

8. Mida los voltajes VCE, VBE, VC, VE, VB, VRB, VRE, VRC. Si no se encuentra en el punto medio de
la recta de carga varié la resistencia RB.

VCE = 6.16 V
VBE = 0.65 V
VC = 6.40 V
VE = 0.23 mV
VB = 0.68 V
VRB = 14 V
VRC = 5.79 V

9. Determine el β del transistor a partir de la corriente de colector y la corriente de base.

Calculando β:

IC = VRC / RC = 5.79 V / 100 Ω = 57.9 mA

IB = VRB / RB = 14 V / 36 KΩ = 0.388 mA

β = IC / IB = 57.9 mA / 0.388 mA = 149.23

β = 149.23

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10. Cambie el transistor por otro de la misma referencia, Mida nuevamente los voltajes en el
circuito y determine el β. Si existen diferencias explique la razón.

11. Al circuito polarizado en el punto medio de la recta de carga auméntele la temperatura de

forma progresiva y realice las mediciones de voltaje a diferentes temperaturas. ¿Qué sucede
con el punto Q?. ¿Cómo cambian los parámetro internos del transistor al aumentar la
temperatura?.

CIRCUITO DE POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

12. Implemente el circuito de la Fig 3 y repita los puntos 8, 9, 10 y 11.

VCE = 4.82 V
VBE = 0.61 V
VC = 5.72 V
VE = 0.89 V
VB = 1.52 V
VRB1 = 10.56 V
VRB2 = 1.52 V
VRE = 0.89 V
VRC = 6.35 V

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Calculando β:

IC = VRC / RC = 6.35 V / 6.8 KΩ = 0.93 mA

IE = VRE / RE = 0.89 V / 1 KΩ = 0.89 mA

IE / IC = (β+1) / β
1.05 = (β+1) / β
1.05 β = (β+1)
0.05 β = 1

β = 20.

13. Qué ventajas y desventajas tiene la implementación de esta configuración con respecto a la
anterior.

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14. Después de haber llevado a la práctica las configuraciones básicas para polarizar a un BJT
¿cuál considera más estable respecto a las variaciones de temperatura?

La configuración más estable con respecto a la temperatura es la segunda, ya que al estar

obteniendo los datos de las tensiones en la primera configuración notamos que había un
aumento en la tempera del transistor y también notamos que las medidas de algunas tensiones
tomadas con el multímetro no eran estables.

Al contrario de la segunda configuración, en la cual la temperatura del transistor se mantenía

estable al igual que las tensiones registradas en el multímetro.

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15. Diseñe un cuadro de datos y compare los resultados prácticos con los teóricos y los
obtenidos en la simulación. Que puede concluir a partir de esta tabla.

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