Transistor de efecto campo

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Transistor de efecto campo
ATI Radeon X1650 Pro - Alpha & Omega Semiconductor D414-4362.jpg
Un transistor de efecto campo en una tarjeta de video.
Tipo Semiconductor
Principio de funcionamiento Efecto de campo
Invenci�n Julius Edgand(1951)
S�mbolo electr�nico
JFET N-dep symbol (case).svg JFET P-dep symbol (case).svg

Canal N (izquierda) Canal P (derecha)

Terminales Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S)
[editar datos en Wikidata]
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en ingl�s) es un transistor
que usa el campo el�ctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo
que tambi�n suele ser conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que
posee tres terminales, denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente
(source). La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor BJT
(Bipolar Junction Transistor), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el
FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que
circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal-n y los de canal-p,
dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.

�ndice
1 Historia
2 Tipo de transistores de efecto campo
3 Caracter�sticas
4 Aplicaciones
5 V�ase tambi�n
6 Enlaces externos
7 Referencias
Historia
Art�culos principales: Transistor e Historia del transistor.
El f�sico austro-h�ngaro Julius Lilienfeld solicit� en Canad� en el a�o 19251? una
patente para "un m�todo y un aparato para controlar corrientes el�ctricas" y que se
considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo. Lilienfeld
tambi�n solicit� patentes en los Estados Unidos en los a�os 19262? y 19283?4? pero
no public� art�culo alguno de investigaci�n sobre sus dispositivos, ni sus patentes
citan alg�n ejemplo espec�fico de un prototipo de trabajo. Debido a que la
producci�n de materiales semiconductores de alta calidad a�n no estaba disponible
por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado s�lido no
encontraron un uso pr�ctico en los a�os 1920 y 1930.5?

En 1948, fue patentado el primer transistor de contacto de punto por el equipo de

los estadounidenses Walter Houser Brattain y John Bardeen6? y de manera
independiente, por los alemanes Herbert Matar� y Heinrich Welker, mientras
trabajaban en la Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la
estadounidense Westinghouse, pero al darse cuenta �stos �ltimos de que los
cient�ficos de Laboratorios Bell ya hab�an inventado el transistor antes que ellos,
la empresa se apresur� a poner en producci�n su dispositivo llamado "transistron"
para su uso en la red telef�nica de Francia.7?

En 1951, Wiliam Shockley solicit� la primera patente de un transistor de efecto de

campo,8? tal como se declar� en ese documento, en el que se mencion� la estructura
que ahora posee. Al a�o siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los
Laboratorios Bell, tuvieron �xito al fabricar este dispositivo,9?cuya nueva patente
fue solicitada el 31 de octubre de 195210? El primer transistor MOSFET fue
construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla,
ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.11?12?

Tipo de transistores de efecto campo

Comparativa de las gr�ficas de funcionamiento (curva de entrada o caracter�stica I-

V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo
P. El drenaje y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el
caso del MOSFET de enriquecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso
del MOSFET de agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambi�n son
distinguidos por el m�todo de aislamiento entre el canal y la puerta.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo seg�n el m�todo de aislamiento

entre el canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante

(normalmente SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una uni�n p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la uni�n PN del
JFET con una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambi�n denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante
entre la puerta y el cuerpo del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de
potencia. Son com�nmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est�
entre los 200 a 3000V. Aun as� los Power MOSFET todav�a son los dispositivos m�s
utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200 de voltaje(V).
Los FREDFET es un FET especializado dise�ado para otorgar una recuperaci�n ultra
r�pida del transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que act�a como biosensor, usando una
puerta fabricada de mol�culas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN
iguales.
Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo o de silicio policristalino.