Elementos de física de estado sólido

ELEMENTOS DE FÍSICA DE ESTADO

SÓLIDO
Semiconductores

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Introducción

Antes de empezar a adentrarse en la explicación de los distintos tipos de

semiconductores y cómo estos pueden formar diodos, es necesario definir qué es un
semiconductor y como se diferencian de los conductores y aislantes.

Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente eléctrica mejor que
otros. Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la
corriente eléctrica son conductores. Analógicamente, los que ofrecen mucha resistencia al
paso de esta, son llamados aislantes. Existe un tercer grupo de materiales denominados
semiconductores que, como su nombre lo indica, conducen la corriente bajo ciertas
condiciones. Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atómica. Los conductores son,
generalmente, metales esto se debe a que dichos poseen pocos átomos en sus últimas órbitas
y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios
átomos de un metal, se acercan los electrones de su última órbita se desprenden y circulan
desordenadamente entre una verdadera red de átomos. Este hecho (libertad de los
electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente eléctrica. Los aislantes, en
cambio, están formados por átomos con muchos electrones en sus últimas órbitas (cinco a
ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fácilmente y a no establecer una corriente
de electrones. De ahí su alta resistencia.

Los semiconductores, tienen como característica principal la de conducir la corriente sólo

bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras.

Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrónica de estado sólida
está basada. La estructura atómica de dichos materiales presenta una característica común:
está formada por átomos tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su última órbita),
por lo que les es fácil ganar cuatro o perder cuatro.

Desarrollo

El elemento semiconductor más usado es el silicio, seguido del germanio, aunque

presentan un idéntico comportamiento las combinaciones de elementos de los grupos 12 y

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13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente. En esta monografía se estudiará el

semiconductor de silicio.

Como se muestra en la Fig. 1 los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto
con sólo cuatro electrones, denominados electrones de valencia.

Figura 1. Representación del átomo de Silicio.

El último nivel de energía (n = 3) tiene ocho estados posibles y cuatro electrones. Este
nivel es llamado nivel de valencia y posee los electrones con mayor energía. La cantidad de
electrones de valencia (cuatro para el Silicio) determina cómo un elemento se relaciona e
interactúa con otros. Si se considera un conjunto de N átomos aislados de Silicio, en los niveles
más altos de energía potencial hay 8N estados posibles y solo 4N de ellos están ocupados. Si
se imagina un experimento con una cantidad lo suficientemente grande de átomos, en el cual
la distancia entre átomos se fuese reduciendo, gradualmente los 2N estados s y los 6N estados
p irían convergiendo a 4N estados vacíos y 2N + 2N estados ocupados. Cuando N es lo
suficientemente grande, se puede considerar que en lugar de niveles discretos hay dos
bandas continuas de energía. De la Fig. 2, se puede observar que la banda inferior (completa
con electrones) alcanza un mínimo energético para un valor particular de espaciamiento. Este
valor es la separación atómica de una red de Silicio en estado cristalino (2,35 Å, donde 1 Å =
0,1nm). La banda inferior se denomina banda de valencia y la superior se denomina banda de
conducción. También es importante notar que, entre estas dos bandas de energía, existe una
banda intermedia donde no hay estados disponibles; esta banda se denomina banda
prohibida. El nivel inferior de la banda prohibida se denomina EV y el nivel superior se
denomina EC. La diferencia entre ambos se denomina EG y es la energía requerida por un
electrón para pasar de la banda de valencia a la banda de conducción. Esta diferencia de
energía es, por lo tanto, un indicador de la conducción del material. En los materiales
aislantes, EG es grande; por ejemplo, para dióxido de Silicio: EG(SiO2) = 8eV ; y para diamante:
EG(diamante) = 5eV . En los materiales conductores, EG es muy pequeño o negativo (en cuyo

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caso las bandas de conducción y valencia se encuentran solapadas). En los materiales

semiconductores, los valores de EG son intermedios; por ejemplo, en Silicio: EG(Si) = 1,12eV ;
en Germanio: EG(Ge) = 0,66eV ; en Arseniuro de Galio: EG(GaAs) = 1,42eV .

Figura 2. Bandas de energía y distribución de estados.

Al combinarse los átomos de Silicio para formar un sólido, lo hacen formando una
estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las
uniones entre átomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se
crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los átomos de Silicio. Vamos a representar
un cristal de silicio de la siguiente forma: Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones de
valencia con los átomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la órbita de valencia,
como se muestra en la Fig. 2. La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los
electrones que quedan (aunque sean compartidos) con cada átomo, gracias a esta
característica los enlaces covalentes son de una gran solidez. Los 8 electrones de valencia se
llaman electrones ligados por estar fuertemente unidos en los átomos. El aumento de la
temperatura hace que los átomos en un cristal de silicio vibren dentro de él, a mayor
temperatura mayor será la vibración. Con lo que un electrón se puede liberar de su órbita, lo
que deja un hueco, que a su vez atraerá otro electrón, y así sucesivamente. A 0 K, todos los
electrones son ligados, esto se denomina red cristalina ideal, esto significa que no hay
impurezas, en tal caso, al Silicio se lo denomina intrínseco. A esta temperatura se puede

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observar que no hay portadores disponibles para conducción, con lo cual el material es un
aislante.

A medida que la temperatura aumenta, la energía térmica produce la rotura de algunos

enlaces covalentes. Cuando esto sucede, un electrón en banda de valencia obtiene la energía
suficiente para pasar a la banda de conducción y moverse, y a su vez, deja un hueco en la
banda de valencia que también posee la capacidad de moverse, este suceso se describe en la
Fig. 3. Esta unión de un electrón libre y un hueco se llama "recombinación", y el tiempo entre
la creación y desaparición de un electrón libre se denomina "tiempo de vida". Para que la
recombinación ocurra se necesita de un electrón y un hueco. Por lo tanto, si una población
de portadores es alta y la otra baja, la tasa de recombinación será baja. En efecto, la tasa de
recombinación resulta proporcional al producto de las poblaciones de portadores positivos y
negativos.

Figura 2. Modelo de enlace ideal a 0 K.

Figura 3. Fenómeno de liberación de e-.

Dopado:
La cantidad de portadores en Silicio existentes para conducción, a temperatura ambiente, es
baja. Para modificar la conducción se contamina o dopa el Silicio con átomos de otros
elementos que se denominan impurezas.

Dopado Tipo N:

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Una manera de modificar la conductividad del Silicio consiste en aumentar la

cantidad de electrones en la banda de conducción a costa de la reducción de huecos en la
banda de valencia, merced a la introducción de impurezas donadoras. Para ello se introducen
en el Silicio átomos del grupo 15 de la tabla periódica, por ejemplo: Arsénico, Fósforo o
Antimonio. Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma
un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco
electrones de valencia, se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio,
entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este
electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones
en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los
portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los
átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados
átomos donadores.

Figura 4. Estructura de bandas de un semiconductor tipo N.

En la Fig. 4 los círculos negros representan los electrones en la banda de conducción (naranja),
mientras que los blancos serían los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen muestra
que los electrones son los portadores de carga mayoritarios.

Dopado Tipo P:

La otra manera de incrementar la conductividad del Silicio es aumentar el número

de huecos en la banda de valencia, a costa de una reducción de los electrones de banda de
conducción, mediante la introducción de impurezas aceptoras, en otras palabras, crear
abundancia de huecos. Para ello se introducen en el Silicio átomos del grupo 13, por ejemplo:
Boro, Galio, Indio o Aluminio; siendo el Boro el más utilizado. Al Silicio se le une un átomo con
tres electrones de valencia, y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio,
entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará
en condición de aceptar un electrón libre.

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Figura 5. Estructura de bandas de un semiconductor tipo P.

En la Fig. 5 Los círculos negros representan los electrones en la banda de conducción

(naranja), mientras que los blancos serían los huecos en la banda de valencia (azul). La
imagen muestra que los huecos son los portadores de carga mayoritarios.

Juntura NP:
La juntura N-P es un elemento fundamental de los dispositivos semiconductores y
constituye el bloque constructivo de los diodos de juntura. Cuando dos piezas de Silicio, una
con un dopado P y la otra con dopado N, se ponen en contacto, la diferencia de
concentraciones produce un flujo de electrones desde el material dopado N hacia el P, y un
flujo de huecos desde el material dopado P hacia el N como se muestra en la Fig. 6. Los
electrones que migran del material N, dejan tras de sí átomos con carga neta positiva, es
decir, iones. En forma similar, los huecos que migran del material P, dejan tras de sí iones
negativos. Esta migración de portadores ocurre durante un lapso de tiempo transitorio y, a
medida que sucede, las cargas netas de los iones van desarrollando un campo eléctrico que
se opone a la corriente de difusión. Debido a este proceso se forma una zona sin portadores,
que se denomina “zona de vaciamiento” a ambos lados de la juntura (lugar exacto de unión
entre el material dopado P y el dopado N). A medida que esta zona crece, es mayor la carga
iónica y, por ende, el campo eléctrico resultante. Cuando la zona de vaciamiento tiene la
carga iónica suficiente para que el campo eléctrico cancele la corriente de difusión inicial, el
proceso se detiene y se alcanza un equilibrio. La zona de vaciamiento presenta entonces un
potencial neto, que es positivo en el material N con respecto al material P.

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Figura 6. Juntura semiconductora.

Si se aplica una tensión externa positiva en el lado N (cátodo) con respecto al lado P
(ánodo), el efecto neto será el aumento del campo eléctrico de la juntura, la tensión
disminuye la barrera de potencial de la zona de vaciamiento, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a través de la unión; es decir, la juntura NP conduce la electricidad.

El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal N, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión P-N. El polo positivo de la batería atrae a los electrones
de valencia del cristal P, esto es equivalente a decir que empuja los huecos hacia la unión P-
N. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de vaciamiento, los electrones libres del cristal N, adquieren la
energía suficiente para saltar a los huecos del cristal P, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unión P-N. Una vez que un electrón libre de la zona N salta a la zona P
atravesando la zona de vaciamiento, cae en uno de los múltiples huecos de la zona P
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el
polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal
P, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería. Este fenómeno es
llamado polarización directa de la juntura.

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Figura 7. Fenómeno de polarización directa.

Si se aplica una tensión externa, positiva en el ánodo con respecto al cátodo, el campo
eléctrico de la juntura se reduce lo que hace aumentar la zona de vaciamiento, y la tensión
en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica
a continuación:

El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona N, los cuales salen
del cristal N y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona N, los átomos pentavalentes
que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción,
adquieren estabilidad (4 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y
una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo
de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona P. Recordemos que
estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los
enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones
libres cedidos por la batería entran en la zona P, caen dentro de estos huecos con lo que los
átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga
eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos. Este proceso se repite una y otra
vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.
Este fenómeno se denomina polarización inversa de juntura.

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Figura 8. Fenómeno de polarización inversa.

En definitiva, el Diodo en DC es un dispositivo que permite la conducción en un sentido,

y se opone a la misma en el sentido contrario.

Bibliografía

“Introducción a los dispositivos semiconductores: principios y modelos”, Pedro Julián

http://www.etitudela.com/Electrotecnia/electronica/01d56993840f26d07/01d56994e30f
40632/index.html

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http://www2.uca.es/grup-
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