Eletrônica Analógica I

Aluno: _____________________________
Turma: __________
Ano: ____________
• SEMICONDUTORES
• DIODO RETIFICADOR Professor: GODOY
• DIODO ZENER
• TRANSISTOR BIPOLAR
• AMPLIFICADOR OPERACIONAL
120217
ELETRÔNICA ANALÓGICA I
1 Semicondutor
A eletrônica se desenvolveu espantosamente nas últimas décadas. A
cada dia, novos componentes são colocados no mercado, simplificando o
projeto e a construção de novos aparelhos, cada vez mais sofisticados. Um
dos fatos que contribuiu de forma marcante para esta evolução foi a
descoberta e a aplicação dos materiais semicondutores.
O primeiro componente fabricado com materiais semicondutores foi
o diodo semicondutor que é utilizado até hoje para o entendimento dos
circuitos retificadores, ou seja, aqueles que transformam CA em CC.
1.1 Materiais semicondutores

Materiais semicondutores são aqueles que apresentam características
de isolante ou de condutor, dependendo da forma como se apresenta sua Átomo de Silício e de Germânio
estrutura química. O exemplo típico do material semicondutor é o carbono
(C). Dependendo da forma como os átomos se interligam, o material formado Os átomos que têm quatro elétrons na última camada têm tendência
pode se tornar condutor ou isolante. a se agruparem segundo uma formação cristalina. Nesse tipo de ligação, cada
Dois exemplos bastante conhecidos de materiais formados por átomo se combina com quatro outros. Isso faz com que cada elétron pertença
átomos de carbono são o diamante e o grafite. simultaneamente a dois átomos.
O diamante é um material de grande dureza que se forma pelo
arranjo de átomos de carbono em forma de estrutura cristalina. É
eletricamente isolante.
O grafite é um material que se forma pelo arranjo de átomos de
carbono em forma triangular. É condutor de eletricidade.
1.2 Estrutura química dos materiais semicondutores

Os materiais considerados semicondutores se caracterizam por serem
constituídos de átomos que têm quatro elétrons (tetravalentes) na camada Esse tipo de ligação química é denominado de ligação covalente. As
de valência. Veja na figura a seguir a representação esquemática de dois ligações covalentes se caracterizam por manter os elétrons fortemente
átomos (silício e germânio) que dão origem a materiais semicondutores. ligados em dois núcleos associados. Por isso, as estruturas cristalinas puras,
COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 2

compostas unicamente por ligações covalentes, adquirem características de

isolação elétrica.
O silício e o germânio puros são materiais semicondutores com
características isolantes quando agrupados em forma de cristal.
1.3 Dopagem
A dopagem é o processo químico que tem por finalidade introduzir
átomos estranhos (impureza) na estrutura cristalina de uma substância pura
como o germânio e o silício, por exemplo. Esses átomos estranhos a estrutura
cristalina são denominados impurezas. Esse elétron isolado tem a característica de se libertar facilmente do
A dopagem, que é realizada em laboratórios, introduz no interior da átomo e de vagar livremente dentro da estrutura do cristal, constituindo-se
estrutura de um cristal uma quantidade controlada de uma determinada um portador livre de carga elétrica.
impureza para transformar essa estrutura num condutor. A forma como o É importante notar que, embora o material tenha sido dopado, seu
cristal conduzirá a corrente elétrica e a sua condutibilidade dependem do tipo número total de elétrons e prótons é igual, de forma que o material continua
de impureza utilizado e da quantidade de impureza aplicada. eletricamente neutro.
Nesse cristal, a corrente elétrica é conduzida no seu interior por
1.4 Cristal N cargas negativas. Veja representação esquemática a seguir.
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma Observe que o cristal N conduz a corrente elétrica
quantidade de átomos com mais de quatro elétrons na última camada, como independentemente da polaridade da bateria.
o fósforo (P), que é pentavalente, forma-se uma nova estrutura cristalina
denominada cristal N.
Dos cinco elétrons externos do fósforo, apenas quatro encontram um
par no cristal. Isso possibilita a formação covalente. O quinto elétron do
fósforo não forma ligação covalente porque não encontra, na estrutura, um
elétron que possibilite essa formação. No cristal semicondutor, cada átomo
de impureza fornece um elétron livre dentro da estrutura.

1.5 Cristal P Observações

A utilização de átomos com três elétrons na última camada, ou seja,  A banda de valência é a camada externa da eletrosfera na qual os elétrons
trivalentes, no processo de dopagem, dá origem à estrutura chamada de estão fracamente ligados ao núcleo do átomo.
cristal P. O átomo de índio (In) é um exemplo desse tipo de material.  Banda de condução é a região da eletrosfera na qual se movimentam os
Quando os átomos de índio são colocados na estrutura do cristal elétrons livres que deixaram a banda de valência quando receberam uma
puro, verifica-se a falta de um elétron para que os elementos tetravalentes se certa quantidade de energia.
combinem de forma covalente. Essa ausência de elétron é chamada de
lacuna, que, na verdade, é a ausência de uma carga negativa.
Os cristais dopados com átomos trivalentes são chamados cristais P
porque a condução da corrente elétrica no seu interior acontece pela
movimentação das lacunas. Esse movimento pode ser facilmente observado
quando se analisa a condução de corrente elétrica passo a passo. Átomo de Índio
Quando se aplica uma diferença de potencial aos extremos de um
cristal P, uma lacuna é ocupada por um elétron que se movimenta, e força a A condução de corrente por lacunas no cristal P independe da
criação de outra lacuna atrás de si. Veja figura a seguir na qual a lacuna está polaridade da fonte de tensão. Assim, os cristais P e N, isoladamente,
representada por uma carga positiva. conduzem a corrente elétrica qualquer que seja a polaridade de tensão
A lacuna é preenchida por outro elétron gerando nova lacuna até que aplicada às suas extremidades.
esta seja preenchida por um elétron proveniente da fonte. Os cristais P e N são a matéria prima para a fabricação dos
componentes eletrônicos modernos tais como diodos, transistores e circuitos
integrados.
As lacunas se movimentam na banda de valência dos átomos e os

elétrons livres que as preenchem movimentam-se na banda de condução.

1.6 Condutibilidade dos materiais semicondutores 1.8 Temperatura

Há dois fatores que influenciam a condutibilidade dos materiais Quando a temperatura de um material semicondutor aumenta, a
semicondutores. Eles são: energia térmica adicional faz com que algumas ligações covalentes da
 a intensidade da dopagem e estrutura se desfaçam. Cada ligação covalente que se desfaz pelo aumento da
 a temperatura. temperatura permite o aparecimento de dois portadores livres de energia a
mais na estrutura do cristal. A presença de um maior número de portadores
1.7 Intensidade da dopagem aumenta a condutibilidade do material, permitindo a circulação de correntes
Os cristais dopados mais intensamente se caracterizam por maiores no cristal.
apresentar maior condutibilidade porque sua estrutura apresenta um número Assim, o comportamento de qualquer componente eletrônico
maior de portadores livres. fabricado com materiais semicondutores depende diretamente de sua
Quando a quantidade de impurezas introduzidas na estrutura temperatura de trabalho. Essa dependência é denominada de dependência
cristalina é controlada, a banda proibida pode ser reduzida a uma largura térmica e constitui-se de fator importante que deve ser considerado quando
desejada. Essa faixa está localizada entre as bandas de valência e condução. se projeta ou monta circuitos com esse tipo de componente.
2 Diodo semicondutor
O diodo semicondutor é um componente que se comporta como
condutor ou isolante elétrico, dependendo da forma como a tensão é
aplicada aos seus terminais.
Uma das aplicações mais comuns do diodo é na transformação de
corrente alternada em corrente contínua como, por exemplo, nos
eliminadores de pilhas ou fonte CC.
A ilustração a seguir mostra o símbolo do diodo, de acordo com a
norma NBR 12526.
O terminal da seta representa um material P e é chamado de anodo e

o terminal da barra representa um material N e é chamado de catodo.

A identificação dos terminais (anodo e catodo) no componente pode

aparecer de diversas formas. A seguir estão representadas duas delas:
 o símbolo do diodo impresso sobre o corpo do componente;
 barra impressa em torno do corpo do componente, indicando o catodo.
Como conseqüência da passagem de cargas de um cristal para o

outro, cria-se um desequilíbrio elétrico na região da junção. Os elétrons que
2.1 Junção PN
se movimentam do material N para o material P geram um pequeno
O diodo se constitui da junção de duas pastilhas de material
potencial elétrico negativo.
semicondutor: uma de material N e outra de material P. Essas pastilhas são
As lacunas que se movimentam para o material N geram um pequeno
unidas através de aquecimento, formando uma junção entre elas. Por essa
potencial elétrico positivo.
razão o diodo semicondutor também é denominado de diodo de junção PN.
Esse desequilíbrio elétrico é denominado de barreira de potencial. No
funcionamento do diodo, esta barreira se comporta como uma pequena
bateria dentro do componente. A tensão proporcionada pela barreira de
potencial no interior do diodo depende do material utilizado na sua
fabricação. Nos diodos de germânio (Ge), a barreira tem aproximadamente
Após a junção das pastilhas que formam o diodo, ocorre um processo 0,3 V e nos de silício (Si), aproximadamente 0,7 V.
de acomodação química entre os cristais. Na região da junção, alguns elétrons
livres saem do material N e passam para o material P onde se recombinam
com as lacunas das proximidades.
O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para
a material N e se recombinam com os elétrons livres.
Assim, forma-se na junção, uma região na qual não existem
portadores de carga porque estão todos recombinados, neutralizando-se.
Esta região é denominada de região de depleção.

Observação
 Não é possível medir a tensão da barreira de potencial utilizando um
voltímetro nos terminais de um diodo porque essa tensão existe apenas
dentro do componente.
 O diodo continua neutro, uma vez que não foram acrescentados nem
retirados portadores dos cristais.
2.2 Polarização do diodo

A aplicação de tensão sobre o diodo estabelece a forma como o A polarização direta faz com que o diodo permita a circulação de
componente se comporta eletricamente. A tensão pode ser aplicada ao diodo corrente elétrica no circuito através do movimento dos portadores livres.
de duas formas diferentes, denominadas tecnicamente de polarização direta Assim, quando o diodo está polarizado diretamente, diz-se que o
e polarização inversa. diodo está em condução.
A polarização é direta quando a tensão positiva é aplicada ao
material P (anodo) e a tensão negativa ao material N (catodo).
Na polarização direta, o pólo positivo da fonte repele as lacunas do

A polarização é inversa quando a tensão positiva é aplicada no
material P em direção ao pólo negativo, enquanto os elétrons livres são
material N (catodo) e a negativa no material P (anodo).
repelidos pelo pólo negativo em direção ao pólo positivo.
Se a tensão da bateria externa é maior que a tensão da barreira de
potencial, as forças de atração e repulsão provocadas pela bateria externa
permitem aos portadores adquirir velocidade suficiente para atravessar a
região com ausência de portadores, ou seja, a barreira de potencial. Nesta
condição, existe na junção um fluxo de portadores livres dentro do diodo.

Nesta situação, os portadores livres de cada cristal são atraídos pelos • quando em condução (polarização direta) conduzisse a corrente elétrica
potenciais da bateria para as extremidades do diodo. Isso provoca um sem apresentar resistência, comportando-se como um interruptor
alargamento da região de depleção porque os portadores são afastados da fechado.
junção.
• quando em bloqueio (polarização inversa), ele se comportasse como um
isolante perfeito, ou um interruptor aberto, impedindo completamente a
passagem da corrente elétrica.
Todavia, devido às imperfeições do processo de purificação dos
cristais semicondutores para a fabricação dos componentes, essas
características de condução e bloqueio ficam distantes das ideais.
Na condução, dois fatores influenciam nessas características: a
barreira de potencial e a resistência interna.
A barreira de potencial, presente na junção dos cristais, faz com que
Como não existe fluxo de portadores através da junção, a polarização
o diodo entre em condução efetiva apenas a partir do momento em que a
inversa faz com que o diodo impeça a circulação de corrente no circuito
tensão da bateria atinge um valor maior que a tensão interna da barreira de
elétrico. Nesse caso, diz-se que o diodo está em bloqueio.
potencial.
A resistência interna faz com que o cristal dopado não seja um
condutor perfeito. O valor dessa resistência interna é geralmente menor que
1Ω nos diodos em condução.
Um circuito equivalente do diodo real em condução apresenta os
elementos que simbolizam a barreira de potencial e a resistência interna.
2.3 Características de condução e bloqueio do diodo

semicondutor
Nas condições de condução e bloqueio, seria ideal que o diodo
apresentasse características especiais, isto é,

Na maioria dos casos em que o diodo é usado, as tensões e O circuito equivalente do diodo real em bloqueio apresenta esta
resistências externas do circuito são muito maiores que os valores internos do característica.
diodo (0,7V; 1Ω ). Assim, é possível considerar o diodo real igual ao diodo
ideal no que diz respeito à condução, sem provocar erros significativos.
No circuito a seguir, por exemplo, a tensão e a resistência externa ao
diodo são tão grandes se comparadas com os valores do diodo, que a
diferença entre eles se torna desprezível.
Erro = 0,0333 - 0,0328 = 0,0005 A, correspondente a 1,53 %

(desprezível face à tolerância do resistor).
Na condição de bloqueio, devido à presença de portadores
minoritários (impurezas) resultantes da purificação imperfeita, o diodo real
não é capaz de impedir totalmente a existência de corrente no sentido
inverso. Essa corrente inversa é chamada de corrente de fuga e é da ordem
de alguns microampères.
Como essa corrente é muito pequena se comparada com a corrente
de condução, a resistência inversa do diodo pode ser desprezada na análise
da grande maioria dos circuitos.
𝑉 49,3 𝑉 50
𝐼= = = 0,0328𝐴 𝐼= = = 0,0333𝐴
𝑅 1501 𝑅 1500

2.4 Curva característica A curva característica do diodo em condução mostra o

O comportamento dos componentes eletrônicos é expresso através comportamento da queda de tensão em função da corrente que flui no
de uma curva característica que permite determinar a condição de circuito.
funcionamento do componente em um grande número de situações. A curva
característica do diodo mostra seu comportamento na condução e no
bloqueio.
A curva característica de condução mostra que a tensão no diodo

sofre um pequeno aumento quando a corrente aumenta. Ela mostra também
que enquanto o diodo está abaixo de 0,7 V (no caso do silício), a corrente
circulante é muito pequena (região C da curva). Isso é consequência da
oposição ao fluxo de cargas feito pela barreira de potencial. Por isso, a região
típica de funcionamento dos diodos fica acima da tensão característica de
condução.
2.6 Região de bloqueio

No bloqueio, o diodo semicondutor não atua como isolante perfeito e
permite a circulação de uma corrente de fuga da ordem de microampères.
2.5 Região de condução Essa corrente aumenta à medida que a tensão inversa sobre o diodo
Durante a condução, a corrente do circuito circula no cristal. Devido à aumenta.
existência da barreira de potencial e da resistência interna, aparece um
pequeno valor de tensão sobre o diodo.

TIPO IF [A]
1N4001 1,0
MR504 3,0
Quando polarizado inversamente, toda tensão aplicada ao circuito

fica sobre o diodo.
2.7 Regimes máximos do diodo em CC

Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado
Os regimes máximos do diodo em CC estabelecem os limites da
valor de tensão inversa. Quando se aplica a um diodo um valor de tensão
tensão e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de
inversa máxima (VR) maior que o especificado, a corrente de fuga aumenta
corrente contínua, sem provocar danos em sua estrutura.
excessivamente e danifica o componente.
Analisando o comportamento do diodo em condução e bloqueio,
O valor característico de VR que cada tipo de diodo suporta sem sofrer
verifica-se que os fatores que dependem diretamente do circuito ao qual o
ruptura é fornecido pelos fabricantes. Veja a seguir exemplos de valores
diodo está conectado são:
característicos de tensão máxima inversa de alguns diodos comerciais.
 corrente direta nominal (IF, do inglês "intensity forward");
 tensão inversa máxima (VR, do inglês "voltage reverse"). TIPO VR [V]
1N4001 50
A corrente direta nominal (IF) de cada tipo de diodo é dada pelo 1N4002 100
fabricante em folhetos técnicos e representa o valor máximo de corrente que MR504 400
o diodo pode suportar, quando polarizado diretamente. Veja a seguir, as BY127 800
características de corrente máxima (IF) de dois diodos comerciais.

3 Circuitos Retificadores
3.1 Retificação
Retificação é o processo de transformação de corrente alternada em
corrente contínua, de modo a permitir que equipamentos de corrente
contínua sejam alimentados por corrente alternada.
A retificação ocorre de duas formas: Durante o primeiro semiciclo, a tensão é positiva no ponto A e
1. Retificação de meia onda; negativa em B. Essa polaridade da tensão de entrada coloca o diodo em
2. Retificação de onda completa. condução e permite a circulação da corrente.
3.2 Retificação de meia-onda

De todos os circuitos retificadores que existem, o mais simples é o
circuito retificador de meia-onda. Ele permite o aproveitamento de apenas
um semiciclo da tensão de entrada de carga e são usados em equipamentos
que não exigem tensão contínua pura, como os carregadores de bateria.
A tensão sobre a carga assume a mesma forma da tensão de entrada.
Esse circuito utiliza um diodo semicondutor, pois suas características

de condução e bloqueio são aproveitadas para a obtenção da retificação.
Tomemos como exemplo o circuito retificador da figura a seguir. O valor do pico de tensão sobre a carga é menor que o valor do pico
da tensão de entrada. Isso acontece porque o diodo durante a condução
apresenta uma pequena queda de tensão.

Com o bloqueio do diodo que está funcionando como um interruptor

aberto, a tensão na carga é nula porque não há circulação de corrente.
Observação
A queda de tensão (VD) é de 0,7 V em circuitos com diodos de silício e
0,3 V em circuitos com diodos de germânio.
Na maioria dos casos, essa queda de tensão pode ser desprezada
porque seu valor é muito pequeno em relação ao valor total do pico de
tensão sobre a carga. Ela só deve ser considerada quando é aplicado no
circuito retificador tensões de baixos valores, menores que 10 V.
Durante o segundo semiciclo, a tensão de entrada é negativa no
ponto A e positiva no ponto B. Nessa condição, o diodo está polarizado
inversamente, em bloqueio, impedindo a circulação da corrente.

Os gráficos a seguir ilustram a evolução de um ciclo completo. 3.3 Tensão de saída

A tensão de saída de uma retificação de meia-onda é contínua, porém
pulsante porque nela alternam-se períodos de existência e inexistência de
tensão sobre a carga.
Assim, ao se conectar um voltímetro de CC na saída de um circuito
retificador de meia-onda, a tensão indicada pelo instrumento será a média
entre os períodos de existência e inexistência de tensão.
Por isso, o valor da tensão CC aplicada sobre a carga fica muito abaixo
do valor efetivo da CA aplicada à entrada do circuito.
A tensão média na saída é dada pela equação:
𝐕𝐏 − 𝐕𝐃
𝐕𝐜𝐜 =
𝛑
Onde: VCC é a tensão contínua média sobre a carga;

• VP é a tensão de pico da CA aplicada ao circuito (𝑉𝑃 = 𝑉𝐶𝐴 ∗ √2);
• VD é a queda de tensão típica do diodo (0,2 V ou 0,7 V).
Pelos gráficos, é possível observar que a cada ciclo completo da
Quando as tensões de entrada (VCAef) forem superiores a 10 V, pode-
tensão de entrada, apenas um semiciclo passa para a carga, enquanto o outro
se eliminar a queda de tensão do diodo que se torna desprezível,
semiciclo fica sobre o diodo.
reescrevendo a equação da seguinte maneira:

𝐕𝐏 𝐕𝐂𝐀 ∗√𝟐
𝐕𝐜𝐜 = 𝛑
 𝐕𝐜𝐜 = 𝛑
√2
Simplificando os termos 𝜋
, obtém-se 0,45. Logo,
𝐕𝐂𝐂 = 𝐕𝐂𝐀 ∗ 𝟎, 𝟒𝟓 Esse valor é determinado a partir dos valores de tensão média e da
resistência de carga, ou seja,
Exemplo 𝐕𝐂𝐂
𝐈𝐂𝐂 =
𝐑𝐋
Observação
O cálculo da corrente média de saída determina os parâmetros para a
escolha do diodo que será utilizado no circuito.
3.5 Dimensionamento do diodo

Dados: VCA = 6 V (menor que 10 V) Os principais limites elétricos encontrados em um datasheet de diodo
D1 = diodo retificador de silício são:
• VRRM = Máxima Tensão de Pico Reversa;

VP − VD �VCA ∗ √2� − VD (6 ∗ 1,41) − 0,7
Vcc = = = = 2,47 𝑉 • VRMS = Máxima Tensão Eficaz;
π π 3,14
• VCC = Máxima Tensão Contínua Reversa;
VCC = 2,47 V • IAV = Máxima Corrente Contínua;
Para a mesma forma de onda, o valor da tensão eficaz é dado por: Para este retificador de meia-onda, os valores das tensões e corrente do
𝑉𝑃 𝑉𝑃 − 0,7
𝑉𝑅𝑀𝑆 = 𝑜𝑢 𝑉𝑅𝑀𝑆 = diodo devem ter no mínimo os seguintes limites:
2 2
• VRRM > VP
3.4 Corrente de Saída
• IAV > VP/(RL*π)
Como na retificação de meia-onda a tensão sobre a carga é pulsante, a
• VRMS > VP/2
corrente de saída também é pulsante.
• VCC > VP/π
Assim, a corrente de saída é a média entre os períodos de existência e
inexistência de corrente.

3.6 Inconvenientes  Por meio de um transformador com derivação central (C.T.) e dois diodos;
A retificação de meia-onda apresenta os seguintes inconvenientes:  Por meio de quatro diodos ligados em ponte.
 Tensão de saída pulsante;
3.8 Retificação de onda completa com transformador
A retificação de onda completa com transformador é o processo de
retificação realizado por meio de um circuito com dois diodos e um
transformador com derivação central (ou "center tap").
 Baixo rendimento em relação à tensão eficaz de entrada;

 Mau aproveitamento da capacidade de transformação nas retificações com
transformador porque a corrente circula em apenas um semiciclo.
3.7 Retificação de onda completa

A retificação de onda completa é o processo de conversão de
corrente alternada em corrente contínua que aproveita os dois semiciclos da
tensão de entrada.
Esse tipo de retificação pode ser realizado de dois modos:

3.9 Funcionamento
Para explicar o funcionamento desse circuito, vamos considerar
separadamente cada semiciclo da tensão de entrada.
Inicialmente, considerando-se o terminal central do secundário do
transformador como referência, observa-se a formação de duas polaridades
opostas nas extremidades das bobinas.
Observe que no circuito apresentado, a condição de condução de D1

permite a circulação de corrente através da carga, do terminal positivo para o
terminal negativo.
A tensão aplicada à carga é a tensão existente entre o terminal

central do secundário e a extremidade superior do transformador (VS1).
Em relação ao ponto neutro, as tensões VCD e VED estão defasadas

180º
Durante o semiciclo positivo de VENT, entre os pontos C e E, o ponto C
está positivo em relação ao ponto D. Nessa condição, o diodo D1 está
polarizado diretamente e, portanto, em condução.
Por outro lado, o ponto D está positivo em relação a E. Nessa No segundo semiciclo, há uma inversão da polaridade no secundário
condição, o diodo D2 está polarizado inversamente e, portanto, em corte. do transformador.
No ponto A aparece uma tensão positiva de valor máximo igual a
VMÁX.

Assim, o ponto D está negativo em relação ao ponto E. Nessa Durante todo semiciclo analisado, o diodo D2 permanece em
condição, o diodo D2 está polarizado diretamente e, portanto, em condução. condução e a tensão na carga acompanha a tensão da parte inferior do
Por outro lado, o ponto D está positivo em relação a C. Nessa secundário.
condição, o diodo D1 está polarizado inversamente, e, portanto, em corte.
A corrente que passa por D2 circula pela carga no mesmo sentido que
circulou no primeiro semiciclo.
As formas de onda das tensões no circuito são mostradas nos gráficos

a seguir.
A tensão aplicada à carga é a tensão da bobina inferior do secundário

do transformador (VS2).

As formas de onda das correntes são:
Analisando um ciclo completo da tensão de entrada, verifica-se que o

circuito retificador entrega dois semiciclos de tensão sobre a carga:
 um semiciclo da extremidade superior do secundário através da condução de
D1;
 um semiciclo da extremidade inferior do secundário através da condução de
D2.

3.10 Tensão de saída

Calcula-se a tensão contínua na carga por:
2 ∗ 𝑉𝑃
𝑉𝐶𝐶 =
𝜋
Note que ela é o dobro da tensão média no caso de meia-onda.
A corrente média na carga é dada por:
2 ∗ 𝑉𝑃 Funcionamento
𝐼𝐶𝐶 =
𝑅𝐿 ∗ 𝜋
Considerando a tensão positiva (primeiro semiciclo) no terminal de
O valor eficaz é calculado por: entrada superior, teremos as seguintes condições de polarização dos diodos:
𝑉𝑃
𝑉𝑅𝑀𝑆 =  D1  anodo positivo em relação ao catodo (polarização direta) - em
√2
condução;
3.11 Dimensionamento do diodo  D2  catodo positivo em relação ao anodo (polarização inversa) - em
Para este circuito, o diodo deve ter no mínimo os seguintes limites: bloqueio;
 D3  catodo negativo em relação ao anodo (polarização direta) - em
• VRMS > 2*VP condução;
• IAV > VP/(RL*π) metade da corrente na carga  D4  anodo negativo em relação ao catodo (polarização inversa) - em
• VRMS > VP/√2 bloqueio.
• VCC > (2*VP)/π Eliminando-se os diodos em bloqueio, que não interferem no
funcionamento, verifica-se que D1 e D3 (em condução) fecham o circuito
3.12 Retificação de onda completa em ponte elétrico, aplicando a tensão do primeiro semiciclo sobre a carga.
A retificação de onda completa em ponte utiliza quatro diodos e
entrega à carga uma onda completa sem que seja necessário utilizar um
transformador de derivação central.

Nessa condição, a polaridade dos diodos apresenta a seguinte

configuração:
 D1  anodo negativo em relação ao catodo (polarização inversa) - em
bloqueio;
 D2  catodo negativo em relação ao anodo (polarização direta) - em
condução;
 D3  catodo positivo em relação ao anodo (polarização inversa) - em
bloqueio;
 D4  anodo positivo em relação ao catodo (polarização direta) - em
condução.
Observe no circuito a seguir, como a corrente flui no circuito no
primeiro ciclo.
Eliminando-se os diodos em bloqueio e substituindo-se os diodos em
condução por circuitos equivalentes ideais, obtém-se o circuito elétrico
fechado por D2 e D4 que aplica a tensão de entrada sobre a carga. Isso faz a
corrente circular na carga no mesmo sentido que no primeiro semiciclo.
No segundo semiciclo, ocorre uma inversão da polaridade nos

terminais de entrada do circuito. Recolocando-se os diodos no circuito, observa-se a forma como a
corrente circula.

3.13 Tensão de saída

Calcula-se a tensão contínua na carga por:
2 ∗ (𝑉𝑃 − 1,4)
𝑉𝐶𝐶 =
𝜋
O valor eficaz é calculado por:

Os gráficos a seguir mostram as formas de onda do circuito.
𝑉𝑃 − 1,4
𝑉𝑅𝑀𝑆 =
√2
3.14 Dimensionamento do diodo

Para este circuito, o diodo deve ter no mínimo os seguintes limites:
• VRMS > VP
• IAV > VP/(RL*π)
• VRMS > VP/√2
• VCC > (2*VP)/π
3.15 Fator de Ripple

Como já vimos, a tensão contínua fornecida por um circuito
retificador é pulsante, ou seja, não possui um nível constante no tempo. Isso
acontece porque a tensão de saída é resultante da soma de uma componente
contínua (VCC) e uma componente alternada (VRMS) responsável pela
ondulação do sinal.
Essa ondulação é denominada de fator de ripple (que significa
“ondulação” em inglês). Ela corresponde a quantas vezes o valor eficaz da
componente alternada é maior que a componente contínua sobre a carga.
Esse valor é dado por:
𝑽𝑹𝑴𝑺
𝒓=
𝑽𝑪𝑪

Onde : retificação e a carga. Eles atuam sobre a tensão de saída dos circuitos
r : fator de ripple; VRMS: tensão alternada eficaz; VCC: tensão contínua. retificadores aproximando tanto quanto possível a sua forma de onda a uma
tensão contínua pura.
Para a retificação de meia-onda, o fator de ripple é:
r% = 120%
Para a retificação de onda completa, o fator de ripple é:

r% = 48%
Esses dados mostram que a porcentagem de ondulação é muito alta e

A presença de tensão sobre a carga durante todo o tempo, embora
esse é um dos grandes inconvenientes desse tipo de circuito.
com valor variável, proporciona a elevação do valor médio de tensão
fornecido.
4 Circuito Retificador com Filtro
4.1 Função do filtro

As tensões fornecidas pelos circuitos retificadores, tanto de meia
onda quanto de onda completa são pulsantes. Embora tenham a polaridade
definida, essas tensões sofrem constantes variações de valor, pulsando de
acordo com a tensão senoidal aplicada ao diodo. 4.2 Capacitor como filtro
A capacidade de armazenamento de energia elétrica dos capacitores
é utilizada para realizar o processo de filtragem da tensão de saída de
circuitos retificadores.
O capacitor é conectado diretamente nos terminais de saída do
circuito retificador como mostra a figura a seguir.
Nas fontes de alimentação, os filtros têm a função de permitir a

obtenção de uma CC mais pura. Isso é obtido colocando-se filtros entre a

Nos intervalos de tempo em que o diodo conduz, circula corrente

através da carga e também no capacitor. Neste período, o capacitor A corrente absorvida pela carga é fornecida pelo capacitor. Com o
armazena energia. passar do tempo, a tensão do capacitor diminui devido a sua descarga.
O capacitor permanece descarregado até que o diodo conduza

novamente, fazendo uma recarga nas suas armaduras.
Nos intervalos de bloqueio do diodo, o capacitor tende a descarregar
a energia armazenada nas armaduras.
Como não é possível a descarga através da retificação, porque o
diodo está em bloqueio, a corrente de descarga se processa pela carga.

Com a colocação do capacitor, a carga passa a receber tensão durante

todo o tempo. Isso aumenta o valor da tensão média de saída do circuito
retificador. Deve ser observado que o diodo conduz apenas durante o quarto de
ciclo inicial. Depois disso, a tensão sobre ele será igual a zero, enquanto que a
4.3 Retificação de meia onda com filtro a capacitor tensão reversa será o dobro da tensão máxima de entrada.
O circuito a seguir mostra um retificador de meia onda com filtro a
capacitor.
Durante o primeiro quarto de ciclo, o capacitor se carrega até o valor

máximo da tensão de entrada.
Quando a tensão de entrada começa a diminuir, o capacitor deveria
se descarregar. Todavia, o diodo não permite a passagem da corrente em
sentido contrário. Assim, a carga no capacitor é mantida. Veja gráficos a
seguir:

Quando o diodo pára de conduzir, o capacitor se descarrega em R1 de O funcionamento do circuito retificador de onda completa com filtro
acordo com a constante de tempo R1C. Veja gráfico a seguir: a capacitor é semelhante ao do retificador de meia onda. A forma de onda
obtida é a mostrada no gráfico a seguir.
 td - tempo de descarga do capacitor na carga;
 tc - tempo de carga do capacitor;
 c - tempo de condução do diodo.
Observe que td (tempo de carga do capacitor) vai de t2 a t1 quando a
tensão no catodo do diodo tende a se tornar menor do que a tensão no
anodo. A partir desse instante, o diodo volta a ser diretamente polarizado e,
portanto, volta a conduzir, repetindo o processo.
Compare nos gráficos a seguir a diferença dos níveis de tensão

4.4 Retificação de onda completa com filtro a capacitor contínua nos circuitos retificadores já estudados. Os gráficos pertencem a
Os circuitos a seguir exemplificam retificadores de onda completa circuitos com a mesma resistência de carga e um mesmo capacitor.
com derivação central e em ponte com filtro a capacitor.
O tempo de carga do capacitor influencia na ondulação, pois, quanto

mais tempo o capacitor levar para descarregar, menor será a tensão em

suas armaduras. Por isso, para uma mesma carga e mesmo capacitor de
filtro, os circuitos de onda completa têm menor ondulação.
Em onda completa, o capacitor é carregado duas vezes a cada ciclo de

entrada. 4.5 Tensão de ondulação
O capacitor colocado em um circuito retificador está sofrendo
sucessivos processos de carga e descarga.
Nos períodos de condução do diodo o capacitor sofre carga e sua
tensão aumenta, enquanto que, nos períodos de bloqueio se descarrega e a
sua tensão diminui, como pode ser observado no gráfico a seguir:

Observação
Onde: A tensão de ondulação na saída de uma fonte também é denominada
t1 = Tempo em que o capacitor sofre carga (sua tensão aumenta); de componente alternada.
t2 = Tempo em que o capacitor se descarrega parcialmente sobre a carga (sua
4.6 Determinação do capacitor de filtro
tensão diminui).
Devido a grande tolerância de valor dos capacitores eletrolíticos (até
A forma de onda da tensão de saída não chega a ser uma contínua
50%), pode-se formular uma equação simplificada para o cálculo do valor do
pura, apresentando uma variação entre um valor máximo e um mínimo, essa
capacitor. A equação é:
variação é denominada ondulação ou ripple.
𝑰𝑴Á𝑿
𝑪=𝑻∗
𝑽𝑶𝑵𝑫𝑷𝑷
Onde:
• C : capacitor de filtro em [F];
• T : período aproximado de descarga do capacitor:
o 0,0167 [s] para 60 Hz - meia onda;
o 0,0083 [s] para 60 Hz - onda completa;
• IMÁX é a corrente de carga máxima em [A];
• VONDPP é a tensão pico a pico de ondulação em [V].
A diferença de tensão entre o valor máximo e mínimo que a
ondulação atinge é denominada de tensão de ondulação de pico a pico,
representada por VONDPP.

Observação Onde:
Esta equação pode ser usada para cálculo de capacitores de filtros
para até 20% de ondulação de pico a pico (fator de ripple), sem introduzir um o VM  Tensão Média na carga;
erro significativo. o VP  Tensão de Pico;
o RL  Resistência da carga;
Exemplo o f  Frequência.
Determinar um capacitor para ser usado em uma fonte retificadora
4.8 Tensão de isolação
de meia onda para tensão de saída de 12 V, corrente de 150 mA com
Além da capacitância, deve-se determinar também a tensão de
ondulação de 2 VPP (ou 17%).
isolação do capacitor.
Essa tensão deve ser sempre superior ao maior valor de tensão sob a
𝐼𝑀Á𝑋 0,15
𝐶 =𝑇∗ = 0,0167 ∗ = 0,001252 𝐹 qual o capacitor irá realmente funcionar. Veja exemplo a seguir.
𝑉𝑂𝑁𝐷𝑃𝑃 2
Tensão de saída (sobre o capacitor) Tensão de isolação (capacitor utilizado)
12V 16V
C = 1252 µF ou C = 1500 µF
17V 25V
4.7 Cálculo aproximado do capacitor de filtro 28V 40V
• Retificador de Meia-onda:
𝑽𝑴
𝑪= 4.9 Corrente de Surto
𝟐 ∗ 𝑹𝑳 ∗ 𝒇 ∗ (𝑽𝑷 − 𝑽𝑴 )
Instantes antes de energizar o circuito retificador, o capacitor do filtro
Onde:
está descarregado. No momento em que o circuito é ligado, o capacitor se
o VM  Tensão Média na carga; aproxima de um curto. Portanto, a corrente inicial circulando no capacitor
o VP  Tensão de Pico; será muito alta. Este fluxo alto de corrente é chamado corrente de surto.
o RL  Resistência da carga; Neste momento o único elemento que limita a carga é a resistência dos
o f  Frequência. enrolamentos e a resistência interna dos diodos. O pior caso, é o capacitor
estar totalmente descarregado e o retificador ser ligado no instante em que a
• Retificador de Onda Completa: tensão da linha é máxima. Assim a corrente será:
𝑽𝑴
𝑪= 𝑉𝑀Á𝑋
𝟒 ∗ 𝑹𝑳 ∗ 𝒇 ∗ (𝑽𝑷 − 𝑽𝑴 ) 𝐼𝑆𝑈𝑅𝑇𝑂 =
𝑅𝐸𝑁𝑅𝑂𝐿𝐴𝑀𝐸𝑁𝑇𝑂 + 𝑅𝐷𝐼𝑂𝐷𝑂

Esta corrente diminui tão logo o capacitor vá se carregando. Em um continuamente até que a tensão sobre ele seja igual ao valor de pico ou VMÁX.
circuito retificador típico, a corrente de surto não é uma preocupação. Mas, Uma vez alcançado esse valor, a corrente deixa de fluir. Assim, ao ligar
quando a capacitância for muito maior do que 1000uF, a constante de tempo resistências de carga muito elevadas ao circuito, a tensão de saída será
se torna muito grande e pode levar vários ciclos para o capacitor se carregar aproximadamente VMÁX.
totalmente. Isto tanto pode danificar os diodos quanto o capacitor. Ao reduzir a resistência, a corrente que flui pela indutância aumenta.
Um modo de diminuir a corrente de surto é incluir um resistor entre Devido ao atraso apresentado pela indutância, essa corrente nunca se anula,
os diodos e o capacitor. Este resistor limita a corrente de surto porque ele é o que mantém os diodos sempre em condução. Veja gráficos a seguir.
somado ao enrolamento e à resistência interna dos diodos. A desvantagem
dele é, naturalmente, a diminuição da tensão de carga cc.
4.10 Outros filtros para retificadores de onda completa

A ilustração a seguir mostra um circuito retificador no qual a filtragem
é realizada por um capacitor e um indutor.
O indutor L em série com a célula LC garante uma filtragem melhor

que a obtida nos circuitos retificadores que usam somente capacitor.
Isso acontece porque o atraso apresentado pela indutância em
relação às variações de corrente faz com que a corrente de saída não sofra Observação
variações bruscas, mesmo que entre os terminais da indutância apareçam A corrente de pico nos diodos dos retificadores com filtro que usam
tensões variáveis de grande amplitude. indutores é menor que nos diodos dos retificadores que usam filtros a
Se analisar o circuito dado, sem a resistência de carga, a corrente IL só capacitor.
pode passar no sentido indicado. No circuito, o capacitor se carrega

4.10.1 Limitação para o valor do indutor

Num circuito retificador com filtro de indutor e capacitor, o fator de
ripple é dado por:
𝟎, 𝟖𝟑
𝒓=
𝑳∗𝑪
Nessa fórmula, L é dado em Henry e C em F.

Nesse mesmo tipo de circuito, o valor da tensão contínua na carga é A tensão de saída fornecida é de aproximadamente VMÁX.
𝝅
dado por: 𝑽𝑪𝑪 = 𝑽𝑴Á𝑿 ∗ (𝟏 − )
𝒁∗𝟐∗𝝅∗𝒇∗𝑹∗𝑪
𝑽𝑪𝑪 = 𝟐 ∗ 𝑽𝑴Á𝑿
Nesse tipo de circuito, o fator de ondulação é bem pequeno:

𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪𝑪 = 𝟑, 𝟑 ∗ 𝟏𝟎𝟑
𝑹𝑳 𝒓=
𝑪𝟏 ∗ 𝑪𝟐 ∗ 𝑳 ∗ 𝑹𝑳
𝟒 ∗ 𝑽𝑴Á𝑿 𝟐 ∗ 𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑷𝑰𝑪𝑶 = = Por economia, pode-se usar em alguns casos um resistor em lugar de
𝟑 ∗ 𝑿𝑳 𝟑 ∗ 𝑿𝑳
um indutor, o que resultará num filtro CRC ou com resistor.
Na prática há limitações para o valor do indutor. Assim, para 60 Hz,
temos:
𝑹𝑳
𝑳𝑪𝑹Í𝑻𝑰𝑪𝑶 =
𝟏𝟏𝟏𝟑
𝑳Ó𝑻𝑰𝑴𝑶 = 𝟐 ∗ 𝑳𝑪𝑹Í𝑻𝑰𝑪𝑶
Nesse caso, o fator de ondulação é calculado por:

4.10.2 Filtro RLC
O retificador com filtro RLC, ou seja, com dois capacitores e um 𝟐, 𝟓 ∗ 𝟏𝟎𝟔
indutor, fornece uma tensão CC na saída maior do que o retificador com filtro 𝒓=
𝑪𝟏 ∗ 𝑪𝟐 ∗ 𝑹 ∗ 𝑹𝑳
LC.

4.10.3 Regulação Quadro comparativo

Regulação é a porcentagem de variação da tensão de saída de uma A seguir está um quadro comparativo entre os vários circuitos
fonte. A regulação é representada em um gráfico que relaciona a tensão retificadores com filtro estudados neste capítulo.
média (VCC) com os valores de resistência. Tipo VCC Ripple IPico Circuito
RC ≅ 𝑉𝑀Á𝑋 grande grande
2 ∗ 𝑉𝑀Á𝑋
L ≅ pequeno baixa
𝜋
Em termos ideais, a regulação deve ser de 100%, porém na prática muito

isso não acontece. Ela é calculada por: 𝜋 ≅ 𝑉𝑀Á𝑋 grande
pequeno
𝑽𝒄𝒄 𝒆𝒎 𝒗𝒂𝒛𝒊𝒐 − 𝑽𝑪𝑪 𝒄𝒐𝒎 𝒄𝒂𝒓𝒈𝒂

% 𝒅𝒆 𝒓𝒆𝒈𝒖𝒍𝒂çã𝒐 = 𝜋 com
𝑽𝑪𝑪 𝒄𝒐𝒎 𝒄𝒂𝒓𝒈𝒂 < 𝑉𝑀Á𝑋 pequeno grande
R

5 Diodo Zener Destas especificações podemos especificar o máximo valor de

dissipação do diodo:
𝑃𝑧
𝐼𝑧𝑚á𝑥 =
5.1 Descrição 𝑉𝑧
Os diodos retificadores e de pequeno sinal nunca devem operar
intencionalmente na região de ruptura porque isto pode danificá-lo. Um Ou no caso do diodo BZX79C4V7 teremos:
0,4
diodo zener é diferente: é um diodo de silício otimizado para trabalhar na 𝐼𝑧𝑚á𝑥 = = 85𝑚𝐴
região de ruptura. 4,7
5.2 Simbologia 5.4 Regra de cálculo do diodo zener
5.4.1 Tensão Thevenin (VTH)

5.3 Especificação da tensão de zener É a tensão que aparece sobre os terminais do zener, imaginando que o
Existem diodos zener comerciais com tensões de zener variando de diodo está aberto. Neste instante tem-se um divisor de tensão formado por
alguns volts até centenas de volts. RS e RL.
Normalmente um diodo zener é especificado por 3 parâmetros:
𝑹𝑳
• Tensão de zener : Vz; 𝑽𝑻𝑯 = ∗ 𝑽𝑬
𝑹𝑳 + 𝑹𝑺
• Potência máxima : Pz;
• Corrente mínima: Izmín.
Assim temos por exemplo o diodo BZX79C4V7:

• Vz = 4,7V ±5%
• Pz = 400mW
• Izmín = 10mA
Ou resumidamente Vz = 4,7V @ Iz = 10mA
A relação que satisfaz o funcionamento do zener na região de ruptura
é:
𝑽𝑻𝑯 > 𝑽𝒁

5.4.2 Corrente Quiescente em RS (IRSQ) 5.4.5.1 Regulador com Fonte Fixa e Carga Fixa (FFCF)
𝑽𝑬 − 𝑽𝒁
𝑰𝑹𝑺𝑸 = 𝒐𝒖 𝑰𝑹𝑺𝑸 = 𝑰𝑹𝑳 + 𝑰𝒁
𝑹𝑺
5.4.3 Corrente Quiescente na carga RL (IRLQ)
𝑽𝒁 𝑃𝑍 0,5
𝑰𝑹𝑳𝑸 = 𝒐𝒖 𝑽𝑹𝑳 = 𝑽𝒁 𝐼𝑍𝑀Á𝑋 = = = 41,66𝑚𝐴 𝐼𝑍𝑀Í𝑁 = 𝐼𝑍𝑀Á𝑋 ∗ 0,1 = 4,17𝑚𝐴
𝑹𝑳 𝑉𝑍 12
5.4.4 Corrente Quiescente no diodo zener (IZQ) 𝑉𝑍 12
𝐼𝑅𝐿 = = = 24𝑚𝐴
𝑅𝐿 500
𝑰𝒁𝑸 = 𝑰𝑹𝑺𝑸 − 𝑰𝑹𝑳𝑸 • Dimensionamento de RS:
o Menor valor que RS pode assumir (RSmín):
5.4.5 Cálculo do resistor RS
Para o dimensionamento do resistor RS, necessitamos conhecer as 𝑉𝐸 − 𝑉𝑍 16 − 12
𝑅𝑆𝑀Í𝑁 = = = 65Ω
características da fonte de alimentação a ser regulada e das condições 𝐼𝑅𝐿 + �𝐼𝑍𝑀Á𝑋 ∗ 0,9� 0,024 + (0,04166 ∗ 0,9)
operativas que o regulador deverá atuar.
Exemplificando: o Maior valor que RS pode assumir (RSmáx):
• Fonte Fixa e Carga Fixa (FFCF); 𝑉𝐸 − 𝑉𝑍 16 − 12

𝑅𝑆𝑀Á𝑋 = = = 142Ω
• Fonte Fixa e Carga Variável (FFCV); 𝐼𝑅𝐿 + 𝐼𝑍𝑀Í𝑁 0,024 + 0,00417
• Fonte Variável e Carga Fixa (FVCF);
o Valor ôhmico ideal que RS pode assumir (RSide):
• Fonte Variável e Carga Variável (FVCV).
𝑉𝐸 − 𝑉𝑍 16 − 12
𝑅𝑆𝐼𝐷𝐸 = = = 89,22Ω
𝐼𝑍𝑀Á𝑋 0,024 + 0,02083
𝐼𝑅𝐿 + 2
Podemos então escolher uma valor entre 65Ω e 142Ω  RS=91Ω

• Cálculo dos parâmetros elétricos quiescentes por componente: 5.4.5.2 Regulador com Fonte Fixa e Carga Variável (FFCV)
o Resistor série RS:
𝑉𝐸 − 𝑉𝑍 16 − 12
𝐼𝑅𝑆𝑄 = = = 43,96𝑚𝐴
𝑅𝑆 91
2
𝑃𝑅𝑆𝑄 = 𝑅𝑆 ∗ �𝐼𝑅𝑆𝑄 � = 91 ∗ (0,04396)2 = 175,85𝑚𝑊
o Carga RL:
𝑉𝑍 12
𝐼𝑅𝐿𝑄 = = = 24𝑚𝐴
𝑅𝐿 500
𝑃𝑍 0,5
𝐼𝑍𝑀Á𝑋 = = = 41,66𝑚𝐴 𝐼𝑍𝑀Í𝑁 = 𝐼𝑍𝑀Á𝑋 ∗ 0,1 = 4,17𝑚𝐴
2 𝑉𝑍 12
𝑃𝑅𝐿𝑄 = 𝑅𝐿 ∗ �𝐼𝑅𝐿𝑄 � = 500 ∗ (0,024)2 = 288𝑚𝑊
𝑉𝑍 12
o Diodo zener: 𝐼𝑅𝐿 = = = 24𝑚𝐴
𝑅𝐿 500
𝐼𝑍𝑄 = 𝐼𝑅𝑆𝑄 − 𝐼𝑅𝐿𝑄 = 0,04396 − 0,024 = 19,96𝑚𝐴
• Dimensionamento de RS:
𝑃𝑍𝑄 = 𝑉𝑍 ∗ 𝐼𝑍𝑄 = 12 ∗ 0,01996 = 239𝑚𝑊 o Menor valor que RS pode assumir (RSmín):
𝑉𝐸 − 𝑉𝑍 16 − 12
Podemos observar no projeto que suas características atendem 𝑅𝑆𝑀Í𝑁 = = = 106,68Ω
�𝐼𝑍𝑀Á𝑋 ∗ 0,9� (0,04166 ∗ 0,9)
plenamente a carga e não sobrecarrega o diodo zener, pois sua potência
máxima é de 500mW e no circuito opera próxima a 50% da mesma.
o Maior valor que RS pode assumir (RSmáx):
• Cálculo da tensão Thevenin: 𝑉𝐸 − 𝑉𝑍 16 − 12
𝑅𝑆𝑀Á𝑋 = = = 142Ω
𝑅𝐿 500 𝐼𝑅𝐿 + 𝐼𝑍𝑀Í𝑁 0,024 + 0,00417
𝑉𝑇𝐻 = ∗ 𝑉𝐸 = ∗ 16 = 13,54𝑉
𝑅𝐿 + 𝑅𝑆 500 + 91
VTH > VZ , portanto os cálculos garantem que o zener trabalha na região de

ruptura.

𝑉𝐸 − 𝑉𝑍 16 − 12 Podemos observar no projeto que suas características atendem
𝑅𝑆𝐼𝐷𝐸 = = = 121Ω
𝐼𝑍𝑀Á𝑋 + 𝐼𝑅𝐿 0,04166 + 0,024 plenamente a carga e não sobrecarrega o diodo zener independente da carga
2 2
estar ou não conectada.
Podemos então escolher uma valor entre 106,68Ω e 142Ω  RS=120Ω • Cálculo da tensão Thevenin:
• Cálculo dos parâmetros elétricos quiescentes por componente: 𝑅𝐿 500

𝑉𝑇𝐻 = ∗ 𝑉𝐸 = ∗ 16 = 12,9𝑉
o Resistor série RS: 𝑅𝐿 + 𝑅𝑆 500 + 120
𝑉𝐸 − 𝑉𝑍 16 − 12 VTH > VZ , portanto os cálculos garantem que o zener trabalha na região de

𝐼𝑅𝑆𝑄 = = = 33,33𝑚𝐴
𝑅𝑆 120 ruptura.
2
𝑃𝑅𝑆𝑄 = 𝑅𝑆 ∗ �𝐼𝑅𝑆𝑄 � = 120 ∗ (0,03333)2 = 133,33𝑚𝑊 5.4.5.3 Regulador com Fonte Fixa e Carga Fixa (FFCF)
o Carga RL:
𝑉𝑍 12
𝑅𝐿 500
2
𝑃𝑅𝐿𝑄 = 𝑅𝐿 ∗ �𝐼𝑅𝐿𝑄 � = 500 ∗ (0,024)2 = 288𝑚𝑊
o Diodo zener:
 Com a carga RL conectada:
𝐼𝑍𝑄 = 𝐼𝑅𝑆𝑄 − 𝐼𝑅𝐿𝑄 = 0,03333 − 0,024 = 9,33𝑚𝐴 𝑃𝑍 0,5

𝑉𝑍 12
𝑃𝑍𝑄 = 𝑉𝑍 ∗ 𝐼𝑍𝑄 = 12 ∗ 0,00933 = 111𝑚𝑊
𝑉𝑍 12
𝐼𝑅𝐿 = = = 24𝑚𝐴
 Com a carga RL desconectada: 𝑅𝐿 500
𝐼𝑍𝑄 = 𝐼𝑅𝑆𝑄 = 0,03333 = 33𝑚𝐴
𝑃𝑍𝑄 = 𝑉𝑍 ∗ 𝐼𝑍𝑄 = 12 ∗ 0,03333 = 399𝑚𝑊

• Dimensionamento de RS: 𝑉𝐸𝑄 − 𝑉𝑍 20 − 12

𝐼𝑅𝑆𝑄 = = = 61,54𝑚𝐴
o Menor valor que RS pode assumir (RSmín): 𝑅𝑆 130
2
𝑉𝐸𝑀Á𝑋 − 𝑉𝑍 20 − 12 𝑃𝑅𝑆𝑄 = 𝑅𝑆 ∗ �𝐼𝑅𝑆𝑄 � = 130 ∗ (0,06154)2 = 492𝑚𝑊
𝑅𝑆𝑀Í𝑁 = = = 130Ω
𝐼𝑅𝐿 + �𝐼𝑍𝑀Á𝑋 ∗ 0,9� 0,024 + (0,04166 ∗ 0,9)
o Carga RL:
o Maior valor que RS pode assumir (RSmáx):
𝑉𝑍 12
𝑉𝐸𝑀Í𝑁 − 𝑉𝑍 16 − 12 𝑅𝐿 500
𝑅𝑆𝑀Á𝑋 = = = 142Ω
𝐼𝑅𝐿 + 𝐼𝑍𝑀Í𝑁 0,024 + 0,00417 2
𝑃𝑅𝐿𝑄 = 𝑅𝐿 ∗ �𝐼𝑅𝐿𝑄 � = 500 ∗ (0,024)2 = 288𝑚𝑊
o Diodo zener:
𝑉𝐸𝑀Á𝑋 + 𝑉𝐸𝑀Í𝑁 20 + 16
2 − 𝑉𝑍 2 − 12 𝐼𝑍𝑄 = 𝐼𝑅𝑆𝑄 − 𝐼𝑅𝐿𝑄 = 0,06154 − 0,024 = 37,54𝑚𝐴
𝑅𝑆𝐼𝐷𝐸 = = = 133,84Ω
𝐼𝑍𝑀Á𝑋 0,004167
𝐼𝑅𝐿 + 2 0,024 + 2 𝑃𝑍𝑄 = 𝑉𝑍 ∗ 𝐼𝑍𝑄 = 12 ∗ 0,03754 = 450𝑚𝑊
Podemos então escolher uma valor entre 130Ω e 133Ω  RS=130Ω 2) Com a tensão mínima de entrada (VEQ = 16V):
Podemos observar nos cálculos que a faixa entre os resistores máximo e
𝑉𝐸𝑄 − 𝑉𝑍 16 − 12
mínimo é muito estreita e em alguns projetos onde a fonte de entrada 𝐼𝑅𝑆𝑄 = = = 30,77𝑚𝐴
assume uma grande faixa de variação, os valores calculados dos resistores 𝑅𝑆 130
máximo e mínimo tornam-se incoerentes (RSMÁX < RSMÍN); desta forma temos 2
𝑃𝑅𝑆𝑄 = 𝑅𝑆 ∗ �𝐼𝑅𝑆𝑄 � = 130 ∗ (0,03077)2 = 123𝑚𝑊
duas opções para prosseguir com o cálculo do projeto:
o Carga RL:
1. Aumentar a potência do zener utilizado e recalcular os resistores, fazendo
RSMÁX > RSMÍN; 𝑉𝑍 12
2. Manter a potência inicial do zener e fazer RSIDE = RSMÍN. 𝑅𝐿 500
• Cálculo dos parâmetros elétricos quiescentes por componente:
2
1) Com a tensão máxima de entrada (VEQ = 20V): 𝑃𝑅𝐿𝑄 = 𝑅𝐿 ∗ �𝐼𝑅𝐿𝑄 � = 500 ∗ (0,024)2 = 288𝑚𝑊

o Diodo zener: 5.4.5.4 Regulador com Fonte Fixa e Carga Fixa (FFCF)
𝐼𝑍𝑄 = 𝐼𝑅𝑆𝑄 − 𝐼𝑅𝐿𝑄 = 0,03077 − 0,024 = 6,77𝑚𝐴
𝑃𝑍𝑄 = 𝑉𝑍 ∗ 𝐼𝑍𝑄 = 12 ∗ 0,00677 = 81𝑚𝑊
Podemos observar nos cálculos dos parâmetros que, utilizando VEmáx e

VEmín, ambos atendem plenamente à carga e às características do diodo zener.
• Cálculo da tensão Thevenin:
𝑅𝐿 500
𝑉𝑇𝐻1 = ∗ 𝑉𝐸𝑄 = ∗ 20 = 15,87𝑉
𝑅𝐿 + 𝑅𝑆 500 + 130 𝑃𝑍 0,5
𝑉𝑍 12
𝑅𝐿 500
𝑉𝑇𝐻2 = ∗ 𝑉𝐸𝑄 = ∗ 16 = 12,69𝑉
𝑅𝐿 + 𝑅𝑆 500 + 130 𝑉𝑍 12
𝐼𝑅𝐿 = = = 24𝑚𝐴
𝑅𝐿 500
VTH > VZ , satisfaz a regra de cálculo para o regulador de tensão zener. Para o
regulador FVCF, quando RSmáx < RSmín e optamos pela opção RSide = RSmín, torna- • Dimensionamento de RS:
se necessa´rio o cálculo da tensão crítica de entrada (VEC), que equivale à o Menor valor que RS pode assumir (RSmín):
menor tensão de entrada no regulador sem que o mesmo perca suas
características de regulação. 𝑉𝐸𝑀Á𝑋 − 𝑉𝑍 20 − 12
𝑅𝑆𝑀Í𝑁 = = = 213Ω
�𝐼𝑍𝑀Á𝑋 ∗ 0,9� (0,04166 ∗ 0,9)
𝑉𝐸𝐶 = �𝐼𝑅𝐿𝑄 + 𝐼𝑍𝑀Í𝑁 � ∗ 𝑅𝑆 + 𝑉𝑍 = (0,024 + 0,004167) ∗ 130 + 12
= 15,66𝑉 o Maior valor que RS pode assumir (RSmáx):
Para que o regulador opere em toda a faixa de variação da tensão de 𝑉𝐸𝑀Í𝑁 − 𝑉𝑍 16 − 12

𝑅𝑆𝑀Á𝑋 = = = 142Ω
entrada, temos que fazer: 𝐼𝑅𝐿 + 𝐼𝑍𝑀Í𝑁 0,024 + 0,00417
𝑉𝐸𝑀Í𝑁 ≥ 𝑉𝐸𝐶 o Valor ôhmico ideal que RS pode assumir (RSide):
Para os reguladores FVCV, a potência exigida pelo diodo zener,

normalmente, é maior que a potência dos zeners utilizados nos outros tipos

de reguladores. Sendo assim, os cálculos do menor e maior valor ôhmico do • Cálculo dos parâmetros elétricos quiescentes por componente:
resistor RS podem mostrar valores incoerentes: RSmáx < RSmín.
Para o cálculo dos parâmetros elétricos, consultar a tabela abaixo, utilizando
1) Aumentar a potência do zener utilizado e recalcular os resistores, as mesmas fórmulas aplicadas no item 5.4.5.3:
fazendo RSMÁX > RSMÍN;
PZ = 1,0W PZ = 0,5W
Para o exemplo, substituindo o diodo zener de 0,5W para um de 1W, o PARÂMETROS OPÇÃO 1  RSide = 110Ω OPÇÃO 2  RSide = 200Ω
resistor RSmáx torna-se maior que RSmín VEmáx = 20V VEmín = 16V VEmáx = 20V VEmín = 16V
IRSQ 72,73mA 36,36mA 40mA 22,8mA
𝑉𝐸𝑀Á𝑋 + 𝑉𝐸𝑀Í𝑁 20 + 16
− 𝑉𝑍 − 12 PRSQ 528mW 145mW 320mW 104mW
𝑅𝑆𝐼𝐷𝐸 = 2 = 2 = 111,8Ω
𝐼𝑅𝐿 + 𝐼𝑍𝑀Á𝑋 0,024 + 0,08333 IRLQ 24mA 24mA 24mA 24mA
2 2 PRLQ 288mW 288mW 288mW 259mW
IZQ 48,73mA 12,36mA 16mA -X-
Podemos então escolher uma valor RS=110Ω
PZQ 585mW 148mW 192mW -X-
2) Manter a potência inicial do zener e fazer RSIDE ≤ RSMÍN. VEC 15,56V 17,53V
Na opção 1, com um aumento da potência do zener de 0,5W para 1W,
RSide ≤ 213Ω o regulador permite operara em toda a faixa de variações da tensão não
regulada.
Podemos então escolher uma valor RS=200Ω
Para a menor tensão de entrada, a carga recebe a corrente necessária
para o seu funcionamento e do zener uma corrente de trabalho > IZmín,
garantindo o seu funcionamento.
Para a maior tensão de entrada, a carga continua com sua tensão e

corrente estáveis e o zener recebendo uma corrente de trabalho < (IZmáx*0,9),
garantindo um funcionamento estável.
Calculando a tensão crítica de entrada, podemos observar que um

aumento de potência zener permite maior faixa de oscilação na tensão de
entrada:

𝑉𝐸𝐶 = �𝐼𝑅𝐿𝑄 + 𝐼𝑍𝑀Í𝑁 � ∗ 𝑅𝑆 + 𝑉𝑍 = (0,024 + 0,00833) ∗ 110 + 12 = 15,56𝑉 A tensão VECmín = 17,63V é a menor tensão que a fonte não regulada
pode fornecer, sem que o regulador zener perca suas características de
Na opção 2, o valor calculado da corrente no resistor RS, com VEmín = regulador estabilizado.
16V, demonstra que o regulador perde suas características de regulador
estabilizado, pois a tensão sobre os terminais da carga será inferior à VZ e a A tensão VECmáx = 21,116V é a maior tensão que a fonte não regulada
corrente disponível para a carga, aproximadamente 20mA: pode fornecer, sem que o regulador zener danifique e perca suas
características de regulador estabilizado.
𝑉𝐸𝑄 − 𝑉𝑍 16 − 12
𝐼𝑅𝑆𝑄 = = = 20𝑚𝐴 A perda da regulação de tensão em uma fonte de alimentação de
𝑅𝑆 200
circuitos eletrônicos ocasiona irregularidades em seu funcionamento,
Em uma segunda aproximação, considerando que o diodo zener tornando necessário um aumento da potência zener, para que as variações da
encontra-se fora de serviço, a corrente sobre o resistor RS com maior precisão carga e da tensão de entrada, não limite o funcionamento do regulador. Um
é: regulador estabilizado deve operar com o diodo zener na região de ruptura
𝑉𝐸𝑄 16 (VTH > VZ).
𝐼𝑅𝑆𝑄 = = = 22,8𝑚𝐴
𝑅𝑆 + 𝑅𝐿 200 + 500 Outra maneira de se projetar um regulador zener estabilizado, é
Como o cálculo do regulador foi feito através da segunda opção do conhecendo a impedância zener RZ, aplicando-se a relação:
item “Dimensionamento do resistor RS”, torna-se necessário calcular a tensão
𝑅𝑍 ≤ 0,01 ∗ 𝑅𝑆 𝑒 𝑅𝑍 ≤ 0,01 ∗ 𝑅𝐿
crítica de entrada, para garantir o funcionamento do zener:
Sendo impossível, em certos casos, satisfazer a regra de 100:1 usando
• Tensão de entrada crítica mínima (VECmín): um regulador zener, optamos por um regulador menos estabilizado ou um
regulador transistorizado.
𝑉𝐸𝐶𝑀Í𝑁 = �𝐼𝑅𝐿𝑄 + 𝐼𝑍𝑀Í𝑁 � ∗ 𝑅𝑆 + 𝑉𝑍 = (0,024 + 0,00417) ∗ 200 + 12
= 17,63𝑉 Os reguladores de tensão transistorizados, também conhecidos com
“Circuito Amplificador de tensão Zener”, tem como função básica aumentar
• Tensão de entrada crítica máxima (VECmáx):
a potência característica do diodo zener, isto é, com um diodo zener de 0,5W
𝑉𝐸𝐶𝑀Á𝑋 = �𝐼𝑍𝑀Á𝑋 ∗ 𝑅𝑆 � + 𝑉𝑍 = (0,08333 ∗ 110) + 12 = 21,116𝑉 podemos regular uma tensão para uma carga de 2W ou mais; este grau de
amplificação será definido pelo transistor utilizado no circuito regulador.

6 TRANSISTOR BIPOLAR
6.1 Introdução
No estudo de diodo, analisamos uma junção PN. Para o transistor,
estudaremos duas junções.
Para cada junção do transistor, existirá uma barreira de potencial. Temos 02
(dois) tipos de transistores, NPN e PNP, apresentando 03 (três) terminais: o emissor, a
base e o coletor, e duas junções: junção base-emissor e a junção base-coletor,
conforme a figura abaixo. Os elétrons que são portadores majoritários do material tipo N saem
do emissor e são injetados na região da base, devido à polarização direta da
junção base-emissor. Como a junção base-coletor possui polarização inversa,
os elétrons que saem do emissor são injetados na base, e são atraídos para o
coletor, devido a base ser fina e possuir uma quantidade pequena de lacunas.
A corrente do emissor (IE) é relativamente grande, dada em mili-
ampére (mA), a corrente da base (IB) é pequena, dada em micro-ampére (μA)
e a corrente do coletor (IC) também é grande, dada em mili-ampére (mA). A
corrente de base é pequena devido a ela ser praticamente resultante de
Neste caso, o emissor composto de um material tipo N, tem a função de poucas recombinações na base.
emitir elétrons. O coletor, que também é de material tipo N, coleta os elétrons. A Pela figura 2 podemos escrever a equação:
base, formada por material tipo P, é a parte comum. IE = IB + IC
e como a corrente da base IB é pequena, temos

6.2 Polarização do transistor
IE ≅ IC
No transistor, a junção base-emissor é polarizada diretamente, e a
junção base-coletor é polarizada inversamente, independente do tipo NPN ou
Outra equação que podemos escrever é a seguinte:
PNP.
VCE = VBE + VCB
Como sabemos, ao polarizar uma junção PN diretamente, teremos
uma redução na barreira de potencial e uma resistência de pequeno valor.
onde VCE é a tensão entre coletor e emissor.
Ao polarizar inversamente a junção PN, teremos um aumento na
barreira de potencial e uma resistência de valor elevado.

6.3 Convenções e simbologia Para relacionarmos IC e IE podemos introduzir um parâmetro α (ganho

Os símbolos convencionados para o transistor são os seguintes: em corrente contínua).
𝑰𝑪
𝜶=
𝑰𝑬
Como IC é menor que IE, teremos que α será sempre menor que 01
(um).
Podemos também relacionar IC com IB. Neste caso, temos o
parâmetro β (ganho em corrente contínua), que relaciona a corrente de saída
(IC), com a corrente de entrada (IB).
𝑰𝑪
𝜷=
𝑰𝑩
Então
Polarizando o transistor, teremos as tensões e corrente indicadas na 𝜷 𝜶
figura abaixo. 𝜶= 𝒐𝒖 𝜷 =
𝟏+𝜷 𝟏−𝜶
NOTA:
Algumas vezes, o ganho de corrente do transistor (β), é representado
por outro parâmetro que é denominado hFE.
6.5 Configuração em que se apresentam os transistores

Existem 03 (três) tipos de configurações em que podemos montar um
transistor: emissor comum, base comum e coletor comum.
O tipo de configuração está relacionado com o terminal de entrada e
saída, tendo um elemento comum à entrada e à saída.
6.4 Relações entre correntes no transistor

Sabemos que: IE = IB + IC; mas IB é muito menor que IC e representa a
parte do fluxo de elétrons atingiu o coletor.

a) Configuração emissor comum c) Configuração Coletor Comum

Dizemos que um transistor está na configuração de emissor comum, Dizemos que um transmissor está em configuração coletor comum
quando a entrada é na base e a saída é no coletor, tendo o emissor como (ou seguidor de emissor), quando a entrada é na base e a saída é no emissor,
elemento comum. tendo o coletor como elemento comum.
b) Configuração base comum

Dizemos que um transistor está na configuração base comum,
quando a entrada é no emissor e a saída é no coletor, tendo a base como
elemento comum.

6.6 Curvas características do transistor b) Característica VBE x IB

As curvas características do transistor estabelecem relações entre Fornece-nos a característica de entrada do transmissor na
entrada e saída para cada configuração, sendo a mais utilizada a configuração configuração emissor comum, quando VCE é constante.
emissor comum. As curvas são de grande importância para conseguirmos o
ponto de ótimo funcionamento do transistor, de acordo com o projeto
adotado.
a) Característica VCE x IC
Fornece-nos a característica de saída do transistor na configuração
emissor comum, sendo IB constante para cada variação de VCE e IC.

Exemplos: Solução
Dadas as curvas características de entrada e saída de um transistor a) Para VBE = 0,8V , tem-se que IB = 300μA .
NPN, determinar:
b) A curva característica de entrada foi obtida para VCE = 5V. Entrando com
esse valor na curva característica de saída, juntamente com a corrente de
a) A corrente na base para VBE = 0,8V ; entrada IB obtida no item a, tem-se que a corrente de saída:
b) O ganho de corrente nas condições do item a ; IC = 110mA
c) O ganho de corrente na configuração BC ;
d) O novo ganho de corrente, caso IB dobre de valor, mantida a tensão VCE; Com os valores de IC e IB , tem-se que o ganho de corrente do
e) O novo ganho de corrente na configuração BC. transistor, nestas condições, vale:
𝐼𝐶 110 ∗ 10−3
𝛽= = = 367
𝐼𝐵 300 ∗ 10−6
𝜷 = 𝟑𝟔𝟕
c) Na configuração BC, o ganho de corrente vale:
𝛽 367
𝛼= = = 0,9973
1 + 𝛽 1 + 367
𝜶 = 𝟎, 𝟗𝟗𝟕𝟑
d) Se a corrente de base dobrar de valor, tem-se IB = 600μA.

Pela curva característica de saída (mostrada anteriormente), chega-se 6.7 Ponto de operação de um transistor
ao novo valor da corrente de coletor: Ao polarizarmos o transistor devemos verificar os limites de operação
do mesmo, ou seja, a tensão máxima coletor-emissor (VCEMÁX), a corrente
máxima de coletor (ICMÁX), a tensão máxima base-emissor (VBEMÁX), a tensão
máxima coletor-base (VCBMÁX), a Potência máxima (PCMÁX) e a temperatura
máxima. Se ultrapassarmos estes limites, poderemos danificar o transistor ou
fazê-lo trabalhar com distorções.
O ponto de operação de um transistor, também denominado ponto
de trabalho ou ponto quiescente, deve ser localizado na região de operação
limitada pelos valores máximos de tensão, corrente e potência.
IC’ = 280mA
Assim:
𝐼𝐶 ′ 280 ∗ 10−3
𝛽′ = = = 467
𝐼𝐵 ′ 600 ∗ 10−6
Além da região de operação (região ativa), onde o transistor trabalha
𝜷 = 𝟒𝟔𝟕
sem distorções, devem ser levadas também em consideração as regiões de
corte e de saturação. Na região de corte, a tensão VBE é menor que VBE de
e) Na configuração BC , o ganho de corrente vale:
𝛽′ 467 condução, logo não haverá corrente IB circulando, IC também será zero, e VCE
𝛼′ = = = 0,9979 estará com valor elevado. Na região de saturação, a tensão VBE é um pouco
1 + 𝛽′ 1 + 467
𝜶 = 𝟎, 𝟗𝟗𝟕𝟗 maior que VBE de condução. Neste caso, a corrente de entrada IB e

consequentemente IC são muito grandes, o que implica em VCE baixo, em

torno de 0,2 Volts (dependendo do transistor)
6.8 Corrente de fuga do transistor (ICBO)

Quando polarizamos uma junção PN inversamente, circulará pela
junção, portadores minoritários. A corrente de fuga (ICBO) circula do coletor
para a base com o emissor em aberto, conforme a figura abaixo.
Malha de entrada: 𝑹𝑩 ∗ 𝑰𝑩 + 𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑩𝑩

𝑽𝑩𝑩 −𝑽𝑩𝑬
Portanto, a equação de RB é: 𝑹𝑩 = 𝑰𝑩
Malha de saída: 𝑹𝑪 ∗ 𝑰𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪

𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑪𝑬
Portanto a equação de RC é: 𝑹𝑪 = 𝑰𝑪
Existem várias formas de simplificar este circuito, eliminando-se uma
A corrente ICBO varia com a temperatura. Para cada 10ºC de aumento das fontes de alimentação, como serão vistas a seguir.
na temperatura, a corrente ICBO dobra o valor.
6.10 Circuito de polarização EC com corrente de base

6.9 Circuito de polarização em emissor comum constante
Nesta configuração, a junção base-emissor é polarizada diretamente Para eliminar a fonte de alimentação da base VBB , pode-se fazer um
e a junção base-coletor reversamente. divisor de tensão entre o resistor de base RB e a junção base-emissor,
Para isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores para limitar as utilizando apenas a fonte VCC, como mostra a figura 7.8.
correntes e fixar o ponto quiescente do circuito. Para garantir a polarização direta da junção base-emissor, e reversa
Considerando apenas o transistor NPN, pode-se fazer a análise das da junção base-coletor, RB deve ser maior que RC.
malhas de entrada e saída.

Potência de RC :
2
𝑃𝑅𝐶 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑄 = 470 ∗ (15 ∗ 10−3 )2
𝑷𝑹𝑪 = 𝟎, 𝟏𝟎𝟔𝑾 (𝟏/𝟒𝑾)
Cálculo de RB :
𝐼𝐶𝑄 15 ∗ 10−3
𝐼𝐵𝑄 = =
𝛽 200
𝐼𝐵𝑄 = 75𝜇𝐴
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸𝑄 12 − 0,7
𝑅𝐵 = =
𝐼𝐵𝑄 75 ∗ 10−6
Reescrevendo-se as equações das malhas de entrada e saída, tem-se:
𝑹𝑩 = 𝟏𝟓𝟎𝟔𝟔𝟕𝛀
Malha de entrada: 𝑹𝑩 ∗ 𝑰𝑩 + 𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑪𝑪
𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑩𝑬
Valor comercial adotado: RB = 150 KΩ
Portanto, a equação de RB é: 𝑹𝑩 = Potência de RB:
𝑰𝑩
2
Malha de saída: 𝑹𝑪 ∗ 𝑰𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 𝑃𝑅𝐵 = 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵𝑄 = 150 ∗ 103 ∗ 75 ∗ 10−6
𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑪𝑬
Portanto a equação de RC é: 𝑹𝑪 = 𝑷𝑹𝑩 = 𝟎, 𝟖𝟒𝒎𝑾 (𝟏/𝟖𝑾)
𝑰𝑪
Neste circuito, como VCC e RB são valores constantes e VBE
Observação:
praticamente não varia, a variação da corrente de polarização da base é
Ao se adotarem os valores comercias para os resistores de
desprezível. Por isso, este circuito é chamado de polarização EC com corrente
polarização, impõe-se um pequeno deslocamento no ponto quiescente.
de base constante.
Porém este erro não é relevante, dado que todos os parâmetros do transistor
são, também, valores estimados pelos fabricantes, sem contar a tolerância
Exemplo: Polarização EC com corrente de base constante
dos resistores de polarização.
Dado um transistor com β = 200 e uma fonte de alimentação de 12V,
O circuito de polarização EC com corrente de base constante tem o
determinar os resistores de polarização ( valores comerciais ) para o ponto
inconveniente de ser muito sensível a variações de temperatura.
quiescente: VCEQ = VCC / 2, ICQ = 15mA e VBEQ = 0,7V .
Cálculo de RC : 6.11 Influência da temperatura no comportamento dos
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐸𝑄 12 − 6
𝑅𝐶 = = transistores.
𝐼𝐶𝑄 15 ∗ 10−3
O cristal semicondutor é um material sensível à temperatura, isto é,
𝑹𝑪 = 𝟒𝟎𝟎𝛀
seu aumento pode fornecer energia suficiente aos átomos do cristal, gerando
Valor comercial adotado: RC = 470Ω
novos portadores.

Assim sendo, os diodos e transistores sofrem influência da Analisando a malha de saída, formada por VCC, RC e VCE, observa-se
temperatura. No caso dos transistores, a variação da temperatura altera que o aumento da temperatura faz com que a corrente de coletor ICQ
principalmente o parâmetro β, VBE e corrente de fuga. aumente (aumento da corrente quiescente), aumentando a tensão VRC.
Na figura a seguir, está esboçada graficamente a influência da Sendo VCC constante, esse aumento de VRC tem que ser compensado pela
temperatura para o parâmetro β e VBE. diminuição de VCEQ ( diminuição da tensão quiescente ).
A diminuição de VCEQ provoca novo aumento de ICQ, resultando numa
realimentação positiva, ou seja, numa instabilidade do circuito.
Portanto, uma forma de contornar este problema, é forçar uma
realimentação negativa, sempre que houver uma tendência de instabilidade
no circuito.
A solução para isto é colocar em série com o emissor um resistor RE.
A variação de VBE com a temperatura é desprezível (por exemplo: o

aumento da temperatura de 25ºC para 50ºC causa uma diminuição 6.12 Circuito de polarização EC com corrente de emissor
aproximada de 0,05V em VBE). Porém, a corrente de fuga e o β podem ter constante.
variações acentuadas ( no caso de β , a mesma variação de temperatura pode Neste circuito de polarização, é inserido um resistor RE entre o
dobrá-lo ). Isto ocasiona uma grande variação na corrente de coletor, sem emissor e a fonte de alimentação, como mostra a figura seguinte, para
que haja variação na corrente de base, deixando o circuito instável. transistores NPN e PNP.
Com a determinação do ponto quiescente, o que se deseja é fixar a
corrente e a tensão de saída do circuito. No caso do circuito de polarização na
configuração EC , reproduzido na figura seguinte, o ponto quiescente deve
fixar os valores de ICQ e VCEQ.

Analisando o circuito de polarização do transistor NPN, percebe-se corrente de saída quiescentes, respectivamente, VCEQ e ICQ (esta última,
que, se ocorrer um aumento na corrente de coletor devido ao aumento da através de VRC). Normalmente, utiliza-se VRE = VCC/10 .
temperatura, a corrente de emissor também aumenta. Consequentemente,
aumentam VRC e VRE. Isto provocaria uma diminuição de VCEQ, dando início à Exemplo : Polarização EC com corrente de emissor constante
realimentação positiva (instabilidade). Dado um transistor com β = 250 e uma fonte de alimentação de 20V,
Porém, o aumento de VRE causa uma diminuição de VRB na malha de determinar os resistores de polarização ( valores comerciais ) para o ponto
entrada, já que VBEQ mantém-se praticamente constante. quiescente: VCE = VCC/2 , ICQ = 100mA e VBEQ = 0,7V .
A diminuição de VRB, por sua vez, provoca a diminuição de IBQ e, Cálculo de RC :
consequentemente, de ICQ, compensando o seu aumento inicial. 𝑉𝐶𝐶
Adotando-se 𝑉𝑅𝐸 = 2
= 2𝑉:
A resposta dada por RE para o aumento de ICQ chama-se 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 − 𝑉𝑅𝐸 20 − 10 − 2
realimentação negativa, e garante a estabilidade do circuito e do ponto 𝑅𝐶 = =
𝐼𝐶𝑄 100 ∗ 10−3
quiescente. 𝑹𝑪 = 𝟖𝟎𝛀
Como a realimentação negativa faz ICQ voltar ao seu valor original, o Valor comercial adotado : RC = 82Ω
mesmo acontece com IEQ, que mantém-se, portanto, constante. Por isso, esse Potência de RC:
circuito de polarização é conhecido por polarização EC com corrente de 𝑃𝑅𝐶 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑄2
= 82 ∗ (100 ∗ 10−3 )2
emissor constante.
𝑷𝑹𝑪 = 𝟎, 𝟖𝟐𝑾 (𝟏, 𝟓𝑾)
Equacionando o circuito de polarização NPN, tem-se: Cálculo de RB:
Malha de entrada : 𝑹𝑩 ∗ 𝑰𝑩 + 𝑽𝑩𝑬 + 𝑹𝑬 ∗ 𝑰𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 𝐼𝐶𝑄 10−3
Portanto, a equação de RB é: 𝑹𝑩 =
𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑩𝑬 −𝑹𝑬 ∗𝑰𝑬 𝐼𝐵𝑄 = = 100 ∗
𝑰𝑩 𝛽 250
Malha de saída : 𝑹𝑪 ∗ 𝑰𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 + 𝑹𝑬 ∗ 𝑰𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 𝐼𝐵𝑄 = 400𝜇𝐴
𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑪𝑬 −𝑹𝑬 ∗𝑰𝑬 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸𝑄 − 𝑉𝑅𝐸 20 − 0,7 − 2
Portanto, a equação de RC é: 𝑹𝑪 = 𝑰𝑪 𝑅𝐵 = =
𝐼𝐵𝑄 400 ∗ 10−6
Neste caso, tem-se duas equações para três incógnitas: RB , RC e RC .
𝑹𝑩 = 𝟒𝟑𝟐𝟓𝟎𝛀
Na prática este problema é resolvido, adotando-se um dos seguintes Valor comercial adotado: RB = 47KΩ
critérios: Potência de RB:
1º) Adota-se um valor para RE compatível com as tensões e correntes do 2
𝑃𝑅𝐵 = 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵𝑄 = 47 ∗ 103 ∗ (400 ∗ 10−6 )2
circuito, ou
𝑷𝑹𝑩 = 𝟕, 𝟓𝟐𝒎𝑾 (𝟏/𝟖𝑾)
2º) Adota-se uma tensão para VRE de valor pequeno em relação à VCC, para
que o resto da tensão possa ser utilizada para determinar a tensão e a

Cálculo de RE: O circuito de polarização por divisor de tensão na base é projetado de

𝐼𝐸𝑄 = 𝐼𝐶𝑄 + 𝐼𝐵𝑄 = 100 ∗ 10−3 + 400 ∗ 10−6 forma a fixar o valor de VRB2.
𝐼𝐸𝑄 = 100,4𝑚𝐴 Da malha de entrada, tem-se:
𝑉𝑅𝐸 2 VRB2 = VBE + VRE
𝑅𝐸 = =
𝐼𝐸𝑄 100,4 ∗ 10−3
𝑹𝑬 = 𝟏𝟗, 𝟗𝟐𝛀 Fixado o valor de VRB2, como VBE é praticamente constante com a
temperatura, VRE também permanece constante. Isto garante a estabilização
Valor comercial adotado : RE = 22Ω de IEQ e ICQ, independente da variação de β.
O valor de RB2 pode ser fixado a partir da sua corrente, adotando-se o
Potência de RE: seguinte critério:
2
𝑃𝑅𝐸 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸𝑄 = 22 ∗ (100,4 ∗ 10−3 )2 IB2 = 10 * IB
𝑷𝑹𝑬 = 𝟐𝟐𝟐𝒎𝑾 (𝟏/𝟐𝑾)
Equacionando este circuito, tem-se:
Malhas de entrada: 𝑅𝐵2 ∗ 𝐼𝐵2 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸
6.13 Circuito de polarização EC com divisor de tensão na 𝑅𝐵1 ∗ 𝐼𝐵1 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
base
Outra forma de solucionar o problema de instabilidade com a Portanto, as equações de RB2 e RB1:
temperatura é o circuito de polarização mostrado na figura abaixo, conhecido 𝑽𝑩𝑬 + 𝑹𝑬 ∗ 𝑰𝑬
𝑹𝑩𝟐 =
como polarização por divisor de tensão na base. 𝑰𝑩𝟐
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑩𝑬 − 𝑹𝑬 ∗ 𝑰𝑬
𝑹𝑩𝟏 =
𝑰𝑩𝟏
Malha de saída: 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸 = 𝑉𝐶𝐶

Portanto, a equação de RC é:
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑪𝑬 − 𝑹𝑬 ∗ 𝑰𝑬
𝑹𝑪 =
𝑰𝑪
Para este tipo de polarização, devido ao número de incógnitas, vale
A análise feita a seguir, refere-se ao transistor NPN. também o seguinte critério prático:
𝑽𝑪𝑪
𝑽𝑹𝑬 =
𝟏𝟎

Exemplo :Polarização EC com divisor de tensão na base 𝐼𝐵1 = 𝐼𝐵𝑄 + 𝐼𝐵2 = 80 ∗ 10−6 + 800 ∗ 10−6
Dado um transistor com β = 250 e uma fonte de alimentação de 9V, 𝐼𝐵1 = 880𝜇𝐴
determinar os resistores de polarização (valores comerciais) para o ponto Da malha inferior de entrada, tem-se:
quiescente: VCEQ = VCC / 2 , ICQ = 20mA e VBEQ = 0,65V. 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 0,65 + 0,9
𝑅𝐵2 = =
𝐼𝐵2 800 ∗ 10−6
𝑹𝑩𝟐 = 𝟏𝟗𝟑𝟕𝛀
Valor comercial adotado: RB2 = 2K2Ω
Potência de RB2:
2
𝑃𝑅𝐵2 = 𝑅𝐵2 ∗ 𝐼𝐵2 = 2,2 ∗ 103 ∗ (800 ∗ 10−6 )2
𝑷𝑹𝑩𝟐 = 𝟏, 𝟒𝟏𝒎𝑾 (𝟏/𝟖𝑾)
Da malha formada por VCC, RB1, VBE e VRE, tem-se:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝑅𝐸 9 − 0,65 − 0,9
𝑅𝐵1 = =
𝐼𝐵1 880 ∗ 10−6
𝑹𝑩𝟏 = 𝟖𝟒𝟔𝟔𝛀
Valor comercial adotado: RB1 = 8K2Ω
Cálculo de RC:
Potência de RB1:
Adotando-se VRE = VCC / 10 = 0,9V :
2
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 − 𝑉𝑅𝐸 9 − 4,5 − 0,9 𝑃𝑅𝐵1 = 𝑅𝐵1 ∗ 𝐼𝐵1 = 8,2 ∗ 103 ∗ (880 ∗ 10−6 )2
𝑅𝐶 = = 𝑷𝑹𝑩𝟏 = 𝟔, 𝟑𝟓𝒎𝑾 (𝟏/𝟖𝑾)
𝐼𝐶𝑄 20 ∗ 10−3
Cálculo de RE:
𝑹𝑪 = 𝟏𝟖𝟎𝛀
Valor comercial adotado: RC = 180Ω 𝐼𝐸𝑄 = 𝐼𝐶𝑄 + 𝐼𝐵𝑄 = 20 ∗ 10−3 + 80 ∗ 10−6
Potência de RC: 𝐼𝐸𝑄 = 20,08𝑚𝐴
2 𝑉𝑅𝐸 0,9
𝑃𝑅𝐶 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑄 = 180 ∗ (20 ∗ 10−3 )2 𝑅𝐸 = =
𝐼𝐸𝑄 20,08 ∗ 10−3
𝑷𝑹𝑪 = 𝟕𝟐𝒎𝑾 (𝟏/𝟖𝑾)
Cálculo de RB1 e RB2: 𝑹𝑬 = 𝟒𝟒, 𝟖𝛀
Valor comercial adotado: RE = 47Ω
𝐼𝐶𝑄 20 ∗ 10−3
𝐼𝐵𝑄 = = Potência de RE:
𝛽 250 2
𝐼𝐵𝑄 = 80𝜇𝐴 𝑃𝑅𝐸 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸𝑄 = 47 ∗ (20,08 ∗ 10−3 )2
𝐼𝐵2 = 10 ∗ 𝐼𝐵𝑄 = 10 ∗ 80 ∗ 10−6 𝑷𝑹𝑬 = 𝟏𝟗𝒎𝑾 (𝟏/𝟖𝑾)
Determinação da reta de carga:
𝐼𝐵2 = 800𝜇𝐴

Para VCEsat = 0 7.2 Operação

𝑉𝐶𝐶 9 Para termos ambos os ganhos de corrente e de tensão, utilizaremos a
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 180 + 47 configuração emissor-comum para o chaveamento.
𝑰𝑪𝒔𝒂𝒕 = 𝟒𝟎𝒎𝑨
Para ICcorte = 0
𝑉𝐶𝐸𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 𝑉𝐶𝐶 = 9𝑉
𝑽𝑪𝑬𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆 = 𝟗𝑽
7 CHAVEAMENTO COM TRANSISTOR
7.1 Introdução
Veremos os transistores funcionando como chaves de estado sólido. As
7.3 Chave Ideal
chaves transistorizadas permite-nos chavear dispositivos rapidamente. Além
Uma chave ideal apareceria ou como um circuito completamente aberto
do chaveamento rápido, as chaves transistorizadas podem ser usadas para
ou completamente fechado. Além disso, não dissipa energia, não muda de
chavear um grande número de circuitos de controle com um único sinal de
estado instantaneamente e não requer potência para permanecer numa
controle.
condição.
Consideraremos aqui a operação do transistor quando o dispositivo
move-se da saturação para o corte.

7.4 Chave Real Exemplo:

O dispositivo de estado sólido exibe pequenas variações do ideal Determine a tensão de saída para o circuito abaixo.
devido à resistência interna, resistência e capacitância de fuga.
A resistência interna impede-o de tornar-se um curto-circuito e fato. A
resistência de fuga permite a circulação de corrente quando ele está aberto.
A capacitância de fuga impede o dispositivo de chavear instantaneamente.
7.5 Características
7.5.1 Corrente de Fuga (ICBO)
Solução:
Se ICBO=50nA, então IC=IRL=50nA
𝑉𝑅𝐿 = 𝑅𝐿 ∗ 𝐼𝑅𝐿 = 1 ∗ 10−3 ∗ 50 ∗ 10−9
𝑽𝑹𝑳 = 𝟓𝟎𝝁𝑨
Então:
𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐿 = 10 − 50 ∗ 10−6
𝑽𝑶𝑼𝑻 = 𝟗, 𝟗𝟗𝟗𝟗𝟓𝑽
Durante o corte, o transistor apresenta uma impedância de saída alta.
7.5.2 Tensão de Saturação (VSAT)
Apesar de não circular corrente na base, uma pequena quantidade de
corrente de coletor continua a circular. A corrente de fuga causa o fluxo de
corrente de coletor.
Esta corrente de fuga é chamada de ICBO (Corrente de Coletor com base
aberta (BO)), ICO ou ICEX e é altamente sensível a variação de temperatura.

Um transistor saturado apresenta uma corrente de base maior que a Para o circuito de chaveamento operar corretamente, devemos assegurar
normal e uma tensão VCE menor que a normal. Quando o transistor alcança a que existe corrente de base (IB) suficiente para o transistor saturar.
saturação, o coletor não funciona mais como uma fonte de corrente
constante. Internamente, ele apresenta apenas uma pequena quantidade de 2. Determine a corrente de base mínima requerida para saturar o transistor
resistência. do circuito a seguir:
A tensão de saturação, ou VCE(STA), usualmente será entre 0,2V e 0,3V,
porém quando IC aumentar VCE(SAT) também aumentará. Para o transistor
2N3904, VCE(SAT)=0,2V@IC=1mA e VCE(SAT)=0,3V@IC=50mA.
Exemplos:
1. Determine os efeitos que a tensão de saturação tem na operação do
circuito a seguir:
Solução:
Cálculo da tensão e corrente na carga:
𝑉𝑅𝐿 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 10 − 0,2
𝑽𝑹𝑳 = 𝟗, 𝟖𝑽
𝑉𝑅 9,8
𝐼𝐶 = 𝐼𝑅𝐿 = 𝐿 =
𝑅𝐿 1 ∗ 103
𝑰𝑪 = 𝟗, 𝟖𝒎𝑨 = 𝑰𝑹𝑳
Cálculo da corrente de base:
Solução:
𝐼𝐶 9,8 ∗ 10−3
𝑉𝑅𝐿 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 10 − 0,2 𝐼𝐵 = =
𝛽 100
𝑽𝑹𝑳 = 𝟗, 𝟖𝑽 𝑰𝑩 = 𝟗𝟖𝝁𝑨
A tensão na carga é menor que a ideal VRL=10V β mínimo fornecerá IB mínimo.
𝑉𝑅 9,8 Resp.: Se fornecermos um mínimo de 98µA de corrente de base,
𝐼𝐶 = 𝐼𝑅𝐿 = 𝐿 =
𝑅𝐿 1 ∗ 103 podemos garantir que o transistor saturará quando for ligado.
𝑰𝑪 = 𝟗, 𝟖𝒎𝑨 = 𝑰𝑹𝑳
A corrente na carga é menor que a ideal IRL=10mA

7.5.3 Velocidades de Chaveamento Vemos que a entrada é uma mudança em degrau. A forma de onda de saída
A velocidade que um transistor pode chavear de ligado para desligado (IC) é representada na figura (b).
é importante em aplicações digitais. Visto que ele não pode funcionar como Como podemos ver à medida que a corrente de base fica positiva, ela
uma chave ideal e chavear instantaneamente de uma condição para outra, polariza diretamente a junção base-emissor. Vemos também que há um
gera-se um atraso de tempo. atraso antes de a corrente de coletor de saída começar a subir. Definimos
Vamos analisar como um transistor manipula tensões em degraus e este atraso como tempo de atraso (delay time – td).
também veremos como otimizar um circuito de chaveamento de forma que O próximo intervalo de tempo é denominado tempo de subida (rise
ele gaste menos tempo quando chaveando de um nível para outro. time –tr). O tempo de subida é uma das medidas principais de uma
capacidade do circuito de mudar de estado.
O chaveamento do transistor para o estado desligado também requer
tempo. Temos o tempo de armazenamento (storage time – ts), o tempo de
descida (fall time – tf) e o tempo de decaimento - tdec. O tempo de
decaimento geralmente não é utilizado no cálculo das velocidades de
chaveamento.
Exemplo:
Determine o tempo mínimo para ligar e desligar um transistor
2N3904 (td = 35ns, tr = 35ns, ts = 200ns e tf = 50ns).
Solução:
A soma dos tempos nos fornece o tempo mínimo para chavear o
transistor:
𝑇𝑚í𝑛 = 𝑡𝑑 + 𝑡𝑟 + 𝑡𝑠 + 𝑡𝑓 = 35 + 35 + 200 + 50
𝑻𝒎í𝒏 = 𝟑𝟐𝟎𝒏𝒔
Como diretriz geral, para uma saída ser a reprodução razoável da
entrada, a largura do pulso (LP) deve ser no mínimo 10x maior que o tempo
Podemos comparar as formas de onda de entrada e de saída na figura mínimo de chaveamento.
anterior. A figura (a) representa a forma de onda de entrada teórica (IB). 𝑳𝑷 = 𝟏𝟎 ∗ 𝑻𝒎í𝒏

Para o exemplo anterior a largura do pulso de saída deverá ser então

de pelo menos 3200ns (3,2µs).
Consequentemente a tempo desligado mínimo deve ser igual ao
tempo ligado. Neste exemplo teremos mais 3200ns de tempo desligado.
Com isso o tempo total ou período (T) de um ciclo completo é a soma
dos tempos ligado e desligado.
𝑻 = 𝟐 ∗ 𝑳𝑷
Neste exemplo teremos T=6400ns (6,4µs).
Convertendo isto em frequência teremos: Quando uma tensão em degrau é aplicada à entrada, o capacitor
1 1
𝑓= = comporta-se com um curto sobre o resistor de base. Para tempo curto,
𝑇 6,4 ∗ 10−6
enquanto o capacitor se carrega, há um surto de corrente na base, sobre-
𝒇 = 𝟏𝟓𝟔, 𝟐𝟓 𝑲𝑯𝒛
excitando o transistor e ligando-o mais rápido. Depois de carregar-se, a
Esta informação nos diz que, se uma frequência maior que 156KHz for
corrente que entra na base cai para o valor calculado.
aplicada à este transistor, sua saída será distorcida.
7.6 Aumentando a Velocidade de Chaveamento

Uma forma simples de aumentar a velocidade de chaveamento seria
não acioná-lo na região de saturação. Entretanto o transistor não saturado,
conduzindo, apresentará uma tensão VCE(SAT) maior, consumindo maior
potência e esquentando.
Outra forma seria acionar o transistor numa saturação forte, forçando
a remoção mais rápida dos portadores de carga da junção BE. Porém o sobre-
excitamento afeta o tempo de armazenamento, tornando o desligamento
Quando a tensão de entrada é reduzida a zero, o capacitor acelerador
mais lento.
descarrega-se através do resistor da base e produz uma tensão negativa. Esta
Uma forma prática de solucionar este problema é a adição de um
tensão negativa acelera a remoção dos portadores de carga e diminui o
capacitor acelerador em paralelo com RB.
tempo de armazenamento.

A forma de onda superior é o sinal de entrada para a base, e a forma

de onda inferior é a tensão de saída no coletor. Como podemos ver a forma
de onda da saída está distorcida.
A figura a seguir mostra um sinal aplicado ao circuito com o capacitor
acelerador.
A figura a seguir mostra um sinal aplicado ao circuito sem o capacitor

acelerador.
O sinal de saída melhorou significamente.

Neste exemplo o tempo total do pulso é de 5µs. Metade deste tempo
é o tempo desligado do transistor e é chamado tempo de acomodação ou de
recuperação. Este é o tempo requerido para o capacitor retornar à sua
condição de descarregado.

Veremos com mais detalhes como é a carga do capacitor. d. o capacitor acelerador para uma frequência de 200kHz.
O tempo necessário para a tensão sobre o capacitor atingir 95% é

Solução:
igual a 3x a constante de tempo RC.
a)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸(𝑆𝐴𝑇) 5 − 0,2
𝑻 = 𝟑 ∗ 𝑹 ∗ 𝑪 𝑻𝒆𝒎𝒑𝒐 𝒅𝒆 𝒂𝒄𝒐𝒎𝒐𝒅𝒂çã𝒐 𝐼𝐶 = =
𝑅𝐶 1000
𝑰𝑪 = 𝟒, 𝟖𝒎𝑨
Este tempo também é utilizado na descarga do capacitor. Para atingir
5% do seu valor original o tempo é 3*R*C.
b)
Portanto o capacitor acelerador pode ser calculado por:
𝐼𝐶 4,8 ∗ 10−3
𝐼𝐵 = =
𝑻 𝛽 173
𝑪= 𝑰𝑩 = 𝟐𝟕, 𝟕𝟓𝝁𝑨
𝟑∗𝑹
c)
O exemplo a seguir mostra a seleção e o cálculo adequados do 𝑉𝑅𝐵 = 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 = 47 ∗ 103 ∗ 27,75 ∗ 10−6
capacitor acelerador. 𝑉𝑅𝐵 = 1,3𝑉
Exemplo: 𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 1,3 + 0,7

𝑽𝑰𝑵 = 𝟐𝑽
1. Para o circuito seguinte calcular:
a. a corrente de coletor IC;
d)
b. a corrente de base IB;
1 1
c. a tensão de entrada VIN para garantir a saturação; 𝑇= =
𝑓 200 ∗ 103

𝑇 = 5µ𝑠 𝑇𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑑𝑜 𝑝𝑢𝑙𝑠𝑜 capacitor tera reatância desprezivel (comporta-se como um curto-circuito)
𝑇𝐴𝐶𝑂𝑀 = 2,5µ𝑠 𝑇𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑎𝑐𝑜𝑚𝑜𝑑𝑎çã𝑜 diante de R1 + R2.
𝑇 2,5 ∗ 10−6 Para um bom acoplamento:
𝐶= =
3 ∗ 𝑅 3 ∗ 47 ∗ 103 𝑿𝑪 ≪ 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐
𝑪 = 𝟏𝟕, 𝟕𝟔𝒑𝑭 ou 18pF (comercial)
Ou
𝟏
8 Amplificador Transistorizado 𝑪≫
𝟐 ∗ 𝝅 ∗ 𝒇𝒎í𝒏 ∗ (𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 )
Existem basicamente dois tipos de amplificadores: os de pequenos sinais em que fmín e a menor frequência de operação do circuito.
e os de potencia. Na figura seguinte, considere que na entrada do circuito existe um
A função dos amplificadores de pequenos sinais, chamados de pré- gerador CC de 4V conectado em serie, alimentado por uma tensão alternada
amplificadores, e aumentar a amplitude do sinal da ordem de mV fornecido de 4 VPP e frequência de 10kHz.
por uma fonte, como um microfone, toca-CD etc. Esses amplificadores
operam na região linear das curvas características e, portanto, a distorção
(deformação) do sinal e minimizada. Outra característica desses modelos e
permitir a analise usando parâmetros com valores praticamente constantes,
pelo fato de o transistor estar operando na regiao linear. Esses sinais, mesmo
depois de amplificados, não possuem potencia suficiente para fazer um alto-
falante funcionar.
Os amplificadores de potência têm como finalidade ampliar o sinal
fornecido pelos pré-amplificadores o suficiente para fazer um alto-falante
funcionar.
8.1 Capacitores de acoplamento

Um capacitor de acoplamento faz a passagem de um sinal CA de um
ponto a outro, sem perda significativa do sinal. Por exemplo, no circuito da
figura 5.1a, se o capacitor estiver bem dimensionado (XC << R1 + R2), A figura seguinte mostra as formas de onda na entrada (Ve) e na saída
aparecera em R2 somente a parte alternada da tensao de entrada (Vg), cuja (Vs) do circuito, para um capacitor de acoplamento de 10μF cuja reatância em
amplitude e definida pelo divisor de tensao composto por R1 e R2, ou seja, o

10kHz vale 1,6Ω. Nessas condições, a amplitude de pico a pico na saída e

determinada pelo divisor de tensão de 2 VPP, constituído por R1 e R2.
A figura seguinte apresenta o mesmo circuito da figura anterior, mas

utilizando um capacitor de acoplamento com valor de 0,01μF. Esse valor de
capacitância e inadequado, pois sua reatância na frequência de 10kHz vale
1,6kΩ, que, ao ser somada (vetorialmente) a R1 e R2, resulta em um valor de
saída de 1,6VPP.
8.2 Capacitores de desacoplamento

Outro tipo de acoplamento existente em um amplificador e o de um
ponto não ligado ao terra. O capacitor que executa esse acoplamento e
chamado de capacitor bypass ou capacitor de desacoplamento. Na figura
seguinte, a amplitude do sinal em R2 (tanto em CC como em CA) e dada pelo
divisor de tensão quando o capacitor não esta conectado.

8.3 Amplificadores de potencia

As principais características desejáveis em um amplificador são:
linearidade, eficiência, potência na saída e ganho de tensão. Dificilmente
todas elas estão presentes ao mesmo tempo no amplificador, porque, em
geral, uma característica afeta outra (ou outras) – melhorar a linearidade, por
exemplo, pode comprometer a eficiência. Assim, o que o projetista deve fazer
e definir quais características devem ser atendidas em detrimento de outras.
Os amplificadores de potencia são usados no ultimo estagio de um
amplificador; por isso, normalmente tem como carga um alto-falante. Como
esses circuitos trabalham com sinais elevados, sua analise não será feita
Ao acionarmos a chave que interliga o capacitor ao circuito (figura usando os modelos utilizados.
acima), notaremos que a tensão em R2 terá apenas a componente continua e Os amplificadores de potencia se dividem em classes. As mais
seu valor será equivalente ao especificado pelo divisor de tensão. Atenção: conhecidas são:
essa observação é válida somente se o capacitor apresentar reatância muito • Classe A
menor que R1//R2. No caso da componente alternada, o valor da tensão CA • Classe B
será praticamente nulo, pois os terminais de R2 estarão em “curto-circuito” • Classe AB
para CA. • Classe C
• Classe D
Os amplificadores classes A, B e AB operam de forma linear; os classe
C, na ressonância; e os classe D, no modo de chaveamento. Cada modelo é
indicado para uma aplicação especifica: classes A, B e AB em amplificadores
de áudio de equipamentos de grande porte, classe C em radiofrequência (RF)
e classe D em equipamentos portáteis.
As classes são caracterizadas pela localização do ponto de operação e
duração da condução do transistor de saída em cada semiciclo. Um
amplificador apresenta linearidade se operar em uma região linear das curvas
características. Desse modo, a relação entre a saída e a entrada e linear e,
portanto, o sinal de saída terá a mesma forma do sinal de entrada, porem
com sinal amplificado.

Define-se a eficiência (η) ou rendimento de um amplificador como a 8.3.1 Amplificador classe A

relação entre a potência obtida na carga e a potencia CC fornecida pela fonte É a classe de amplificadores com a maior linearidade (menor grau de
ao circuito de saída. A eficiência ideal é 1, valor impossível de atingir, pois distorção), porém com o menor rendimento, de aproximadamente 25% no
nesse caso nenhuma potência seria dissipada no circuito amplificador. O máximo.
rendimento é calculado por: Isso significa que, para obter 10 W de potencia na carga, a fonte deve
𝑷𝑪𝑨 ter potencia de 40 W.
ɳ=
𝑷𝑪𝑪 A polarização no circuito de um amplificador classe A é feita de tal
modo que o transistor fica conduzindo enquanto tiver sinal de entrada,
em que:
portanto em 360° (figura a seguir).
• PCA: potência do sinal entregue à carga;
• PCC: potência CC fornecida ao circuito de saída.
A figura seguinte mostra, de maneira simplificada, o diagrama de blocos

de um amplificador genérico. A carga, representada por RL, pode ser um alto-
falante ou um motor.

8.3.2 Amplificador classe B

O amplificador classe B é polarizado no corte (correntes quiescentes
nulas); portanto, a potencia em CC é baixa e o rendimento alto. A figura
seguinte mostra um circuito classe B denominado push-pull com saída
complementar e as formas de onda de entrada (Ve) e saída (Vs). No semiciclo
positivo do sinal de entrada, a condução é feita pelo transistor TR1 (NPN) e,
no semiciclo negativo, pelo TR2 (PNP).
Observe que, para a configuração classe B, é necessário o uso de
fonte simétrica e os transistores devem estar na configuração coletor comum
(seguidor de emissor).
Note também que existe um intervalo em que os dois transistores
estão cortados; é nesse momento que a tensão de entrada é menor que 0,6V,
e isso causa distorção.
Essa distorção é chamada de distorção por cruzamento (crossover) e
aparece porque o transistor só começa a conduzir quando a tensão VBE
excede 0,6V aproximadamente.
Quanto menor a amplitude do sinal, maior a distorção.

8.3.3 Amplificador classe AB

Esse amplificador é um intermediário entre os classes A e B em
termos de eficiência e distorção. Nessa classe, os transistores são polarizados
um pouco acima do corte com uma tensão próxima de 0,6V. A partir desse
valor, quando a tensão de entrada (Ve) se torna positiva, o transistor TR1
conduz no semiciclo positivo e, quando a tensão de entrada fica negativa, TR2
conduz no semiciclo negativo, eliminando o crossover.
A figura seguinte mostra esse conceito com as baterias B1 e B2
polarizando os transistores TR1 e TR2, respectivamente. Na pratica, as
baterias são substituídas por tensões obtidas por meio do divisor de tensão
ou por diodo.

No circuito da figura seguinte, a tensão em R2 representa a bateria O ganho de corrente do estagio de saída pode ser aumentado se
B1, que polariza TR1, e a tensão em R3 representa a bateria B2, que polariza inserirmos um par Darlington no lugar de cada um dos transistores de saída
TR2. dos circuitos da figura anterior. Observe a necessidade de colocar quatro
diodos em vez de dois.
No circuito da figura seguinte, a tensão de polarização é obtida nos

diodos D1 e D2. A polarização por diodos é preferível, pois a tensão não
dependerá da alimentação VCC.
8.3.4 Amplificador classe C
Os amplificadores classe C tem rendimento maior que os classes A, B
e AB, pois o transistor conduz somente uma pequena parte do semiciclo
positivo. A diferença principal entre os classe C e os outros é que o ganho é
máximo em uma única frequência, chamada de ressonância. A figura seguinte
mostra o circuito e o comportamento do ganho de acordo com a frequência.
Quando o sinal de entrada atinge a frequência de ressonância estabelecida, o
transistor começa a conduzir e o circuito LC (chamado de circuito tanque)
passa a oscilar no ganho máximo.

A ideia básica consiste em converter o sinal de áudio (Vs) em um sinal

de onda quadrada modulado em PWM (modulação por largura de pulso) de
frequência muito maior que a de áudio. Depois, efetua-se a filtragem,
recuperando o sinal de áudio.
A tensão de saída do comparador (VC) é:
VC = +V, se Vs > VT, e

VC= –V, se Vs < VT
O ganho é máximo na frequência de ressonância (fo), que pode ser Essa tensão (VC) é aplicada na entrada de um amplificador fonte
calculada por: comum com um par complementar de transistores MOS, que operarão como
𝟏 chave (figura a seguir).
𝒇𝒐 =
𝟐 ∗ 𝝅 ∗ √𝑳 ∗ 𝑪
8.3.5 Amplificador classe D

Nessa classe de amplificadores, os transistores operam como chave.
No corte a corrente é zero e na saturação a tensão é zero. Desse modo, a
potência dissipada é muito baixa, a eficiência aumenta e, portanto, a fonte de
alimentação requer menor potência. Esse tipo de amplificador é largamente
usado em equipamentos portáteis.

Para VC = +V, o transistor TR1 corta e o TR2 conduz a saída V’S = –V, em que Ad é o ganho diferencial de tensão e Vd = V1 – V2 o sinal diferença ou
se a queda de tensão através de TR2 for desprezível. Similarmente, se VC = -V, sinal erro.
TR1 conduz e TR2 corta a saída V’S = +V. Então, se V1 = V2, Vd= 0 e, portanto, VS= 0.
Na prática, sempre existirá uma pequena tensão na saída mesmo
quando V1 = V2 (situação chamada de modo comum). No caso de um AD real,
9 Amplificador Operacional a expressão da tensão de saída em relação às entradas é dada por:
𝑉𝑠 = 𝐴𝑑 ∗ 𝑉𝑑 + 𝐴𝑐 ∗ 𝑉𝑐
9.1 Amplificador Diferencial em que
O amplificador diferencial (AD) é um circuito com duas entradas nas 𝑉1 − 𝑉2
quais são aplicadas tensões V1 e V2 e uma saída VS. É importante conhecer o 𝑉𝑐 =
2
amplificador diferencial, pois ele é o primeiro estágio de um amplificador é o sinal em modo comum e AC o ganho em modo comum.
operacional, assim, o AD estabelece algumas das principais características do É possível medir a qualidade de um amplificador diferencial utilizando
circuito. a figura de mérito conhecida por razão de rejeição em modo comum (RRMC),
Vamos considerar uma condição ideal, em que as tensões de entrada definida como:
apresentam os mesmos valores, ou seja, V1 = V2. Nesse caso, a tensão de 𝐴𝑑
𝑅𝑅𝑀𝐶 =
saída será nula. Isso acontece porque o AD é um circuito que apresenta uma 𝐴𝑐
tensão de saída proporcional à diferença entre os dois terminais de entrada, Figura de mérito é um parâmetro usado para avaliar o desempenho de
rejeitando os sinais de entrada quando estes forem iguais. um dispositivo ou procedimento em relação a outros de mesma finalidade.
Pelo exposto anteriormente, podemos concluir que, no caso de um
amplificador diferencial ideal, o valor de AC deve ser zero e seu RRMC infinito,
mas, na prática, os valores de Ad e Ac dependem dos componentes usados na
fabricação do AD.
9.2 Amplificador Operacional Integrado

O amplificador operacional (AO) foi desenvolvido na década de 1960.
De início montado em uma placa com componentes discretos (transistores,
resistores e capacitores), hoje, com o avanço da indústria eletrônica e o
desenvolvimento de dispositivos minúsculos, é construído em circuitos
No caso ideal:
integrados, conhecidos por chips (pastilhas de silício), com dezenas de
𝑉𝑠 = 𝐴𝑑 ∗ 𝑉𝑑 = 𝐴𝑑 ∗ (𝑉1 − 𝑉2 )
transistores e outros componentes de pequenas dimensões.

Os amplificadores operacionais têm diferentes aplicações em • Circuitos de amostragem e retenção – Esses circuitos são usados na
eletrônica, como: conversão de analógico para digital, e, por causa da impedância de entrada
• Amplificadores lineares – Trata-se de sua principal aplicação, nos casos em muito alta, os amplificadores operacionais são adequados, principalmente os
que é necessário obter ganho estável independentemente da temperatura, que têm entrada com FET.
tempo e mudanças no ganho de tensão em malha aberta. O amplificador operacional tem alto ganho de acoplamento direto
• Amplificadores não lineares – Amplificam o sinal de uma polaridade e não (não possui capacitor de acoplamento inter-estágios), alta resistência de
da outra – por exemplo, em retificadores de precisão. entrada e baixa resistência de saída.
• Comparadores – Por apresentarem altíssimo ganho, possibilitam que a A figura a seguir apresenta os vários estágios amplificadores
saída seja alterada de nível alto para baixo ou vice-versa, quando as tensões transistorizados, sua simbologia e o circuito equivalente.
de entrada estão em valores próximos a décimos de mV.
• Filtros – Permitem maior seletividade do filtro, pois é possível obter
atenuações maiores que 20 dB/década, impedância de entrada muito alta e
de saída muito baixa, não havendo, portanto, necessidade de efetuar
casamentos de impedância. Possibilidade de ganho de tensão.
• Amplificadores logarítmicos – Usados quando na malha de realimentação
há dispositivos não lineares, como diodos e transistores, proporcionando
relação logarítmica entre a saída e a entrada. Esses circuitos são chamados
muitas vezes de compressores e expansores (comuns em circuitos de áudio
ou vídeo).
• Multivibradores – São basicamente os circuitos biestável, monoestável e
estável. A grande vantagem em relação aos circuitos digitais é que a
alimentação pode ser maior, oferecendo, portanto, a possibilidade de
adicionar potência.
• Geradores de forma de onda – Geram diferentes formas de onda:
senoidais, quadradas (tempos alto e baixo, variáveis) e triangulares
(inclinações positiva e negativa variáveis).
• Reguladores – Podem ser utilizados para a montagem de reguladores de
tensão em série ou paralelo, com saída positiva ou negativa, com proteção
contra curto-circuito etc.

Como o circuito interno é extremamente complexo, as análises serão A principal forma de alimentar um AO é usando fonte simétrica ou
feitas com base no circuito equivalente indicado na figura acima (c). fonte dupla (+Vcc e –Vcc), que pode ser obtida com circuitos integrados
Observando-o, é possível definir os seguintes parâmetros de um amplificador específicos das famílias 78XX para a fonte positiva e 79XX para a negativa. A
operacional modelo LM741: tensão de saturação (máxima tensão de saída), determinada pelo valor da
• Resistência de entrada sem realimentação (Ri) – É a resistência equivalente fonte, é, na prática, cerca de 10% menor que a alimentação.
entre as duas entradas, uma das principais características de um AO. A entrada positiva (+) é chamada de não inversora, porque a tensão
Idealmente, deveria ser infinita; no caso do LM741, é da ordem de 2MΩ. nela aplicada apresenta resposta na saída sem alterar sua fase. A entrada
• Resistência de saída sem realimentação (Ro) – É a resistência do negativa (–) recebe o nome de inversora, porque a tensão nela aplicada tem
equivalente Thévenin que uma carga (RL) “enxerga” quando ligada à saída. resposta na saída defasada de 180°.
Idealmente, deveria valer 0Ω; na prática e no caso do LM741, é da ordem de
75Ω.
• Ganho de tensão em malha aberta (AV) – É o ganho de tensão em CC em
malha aberta. Idealmente, deveria ser infinito; para o LM741, é da ordem de
200.000V.
Outros parâmetros que não aparecem na figura XXX, ainda
considerando o LM741, são:
• Largura de faixa – É a faixa de frequências para as quais o ganho é
constante. Idealmente, deveria ser infinita; no caso do LM741, é da ordem de
10Hz.
Em relação às figuras, poderíamos generalizar escrevendo que:
• Slew rate – Especificado em V/µs, esse parâmetro dá uma medida de
• Se V+ > V–, a saída satura positivamente;
quanto a saída responde a um degrau de tensão na entrada. Idealmente,
• Se V+ < V–, a saída satura negativamente;
deveria ter valor infinito; no caso do LM741, é de cerca de 0,5V/µs.
• Se V+ = V–, a saída deveria ser nula, o que na prática não acontece por
• Tensão de offset de entrada – É a diferença entre as VBE dos transistores
causa dos erros de offset.
do primeiro par diferencial. Idealmente, essa diferença deveria ser zero; no
Quando o AO é configurado em malha aberta, como nas figuras
caso do LM741, é da ordem de 2mV.
anteriores, ele está sem realimentação (a saída não está ligada à entrada) e,
No circuito da figura acima (c), define-se o sinal diferença ou sinal
como a saída tende a saturar facilmente porque o ganho é extremamente
erro como:
elevado, não pode ser usado como amplificador. Para obter um amplificador
Vd = V2 – V1

com o ganho estabilizado, deve-se aplicar realimentação negativa no AO, e 9.3.1.1 Ganho de tensão em malha fechada
isso é feito ligando a saída à entrada inversora com uma rede de resistências. O ganho de tensão em malha fechada (Avf) ou com realimentação é
calculado por:
9.3 Amplificadores Básicos 𝑉𝑠
Esses circuitos servem de base para todas as outras aplicações lineares, 𝐴𝑣𝑓 =
𝑉𝑒
sempre com realimentação negativa (saída conectada com a entrada Podemos admitir que:
inversora). • Como a tensão em R1 é igual à tensão de entrada, as duas entradas estão
curto-circuitadas:
9.3.1 Amplificador não inversor
𝑉𝑒 = 𝑉1 = 𝑅1 ∗ 𝐼1
A figura a seguir mostra o circuito básico do amplificador não inversor
• A resistência de entrada infinita está com valor infinito, pois I1 = I2,
com realimentação negativa.
portanto:
𝑉𝑠 = 𝑅1 ∗ 𝐼1 + 𝑅2 ∗ 𝐼2
Substituindo essas duas condições na expressão anterior, temos:
𝑉𝑠 𝑅1 ∗ 𝐼1 + 𝑅2 ∗ 𝐼2 (𝑅1 + 𝑅2 ) ∗ 𝐼1 𝑅1 + 𝑅2 𝑅2
𝐴𝑣𝑓 = = = = =1+
𝑉𝑒 𝑅1 ∗ 𝐼1 𝑅1 ∗ 𝐼1 𝑅1 𝑅1
Como I+ é zero, a impedância de entrada desse circuito é infinita (na

prática, como I+ não é zero, e sim da ordem de nA, a impedância é da ordem
de centenas de MΩ). Essa configuração, por causa de sua alta resistência de
entrada, é muito utilizada em circuitos em que se deseja obter sinal de
sensores.
Para determinar a expressão do ganho desse circuito, é preciso
considerar:
Exemplo:
• Ganho em malha aberta infinito.
Determine a tensão na saída do circuito e a corrente na saída do AO no
𝑉𝑠 𝑉𝑠
𝐴𝑣 = = ∞ 𝑜𝑢 𝑉𝑑 = =0 circuito seguinte:
𝑉𝑑 𝐴𝑣
Não há diferença de potencial entre as duas entradas.
• Resistência de entrada infinita.
Se Ri= 0, então a corrente nas entradas é zero: I+ = I– = 0.

No caso de um amplificador, tal relação é dada pelo ganho VS = Avf*Ve,

válida dentro da região linear.
Exemplo:
Dado o circuito da figura seguinte, desenhe a curva de transferência,
considerando VSAT(+)=+12V e VSAT(-)=–12V.
Solução:
O ganho do circuito vale:
𝑉𝑠 𝑅2 4000
𝐴𝑣𝑓 = = 1 + =1+ =5
𝑉𝑒 𝑅1 1000
Portanto:
𝑉𝑠 = 5 ∗ 2 = 10𝑉
9.3.1.2 Saturação da saída – curva de transferência Solução:

Como vimos, a máxima tensão que se pode obter na saída de um AO é A equação que relaciona a saída com a entrada é:
chamada de tensão de saturação (Vsat). Esse valor depende do valor da tensão 𝑉𝑠 = 5 ∗ 𝑉𝑒
de alimentação. Ela é válida para qualquer valor de entrada? Não, somente para os da
Na prática, a tensão de saturação é inferior à de alimentação e região linear, cujos limites são:
assimétrica, ou seja, se a alimentação for +12V/–12V, a saturação positiva é 𝑉𝑠(𝑚á𝑥) 12
𝑉𝑒(𝑚á𝑥) = = = 2,4𝑉
aproximadamente 11V e a negativa, –10,5V. Para facilitar a resolução do 𝐴𝑣𝑓 5
exercício a seguir, vamos considera-las iguais, em módulo, com o mesmo Para valores positivos e negativos, já que a saturação é simétrica.
valor da tensão da fonte. Portanto, para a primeira equação, temos:
A curva característica de transferência representa a relação entre as 𝑉𝑠 = 5 ∗ 𝑉𝑒 𝑝𝑎𝑟𝑎 2,4𝑉 ≥ 𝑉𝑒 ≥ −2,4𝑉
variáveis de saída e de entrada de um sistema, isto é, representado
graficamente por VS·Ve.

Graficamente Em que situações se usam um circuito desse tipo?

Basicamente, ele pode ser utilizado como interface entre um circuito
com alta resistência de saída e uma carga de valor pequeno ou como
reforçador de corrente.
Observe o exemplo a seguir.
Deseja-se transferir para a carga de 2kΩ a maior tensão possível de um
gerador de 12V e resistência interna de 10kΩ. Veja o que acontece se o
gerador for ligado diretamente à carga.
9.3.2 Buffer ou seguidor de tensão

O circuito buffer ou seguidor de tensão é um amplificador não inversor
em uma condição especial, R2 = 0 e R1 = ∞, como mostra a figura a seguir.
O ganho de tensão pode ser obtido pela análise do circuito ou pela

A tensão na carga (VL) será:
expressão do ganho do amplificador não inversor para essa condição.
Avf = 1; o ganho é, portanto, igual a 1 (tensão de saída igual à de 2000
entrada). 𝑉𝐿 = ∗ 12 = 2𝑉
10000 + 20000
Além disso, tal circuito tem outras duas características: a resistência de Como o buffer tem resistência de entrada muito alta, a tensão na
entrada é altíssima (centenas de megaohms) e a de saída é praticamente nula entrada não inversora é 12V (lembre que a corrente através do resistor de
(décimos de ohms).

10kΩ é nula). Uma vez que as duas entradas têm o mesmo potencial e a Nessa configuração, a corrente é fornecida à carga pelo buffer e não pelo
entrada inversora está ligada à saída, a tensão de saída será de 12V. microcontrolador.
Agora, vejamos um exemplo de aplicação do buffer como reforçador de
corrente. Uma carga consome 20mA, alimentada pelo terminal de saída de 9.3.3 Amplificador inversor
um microcontrolador, que fornece a corrente máxima de 1mA. Está claro que O amplificador inversor (figura seguinte) tem realimentação negativa
a carga não pode ser ligada diretamente à saída do microcontrolador. como o não inversor, porém o sinal a ser amplificado é aplicado na entrada
inversora.
O que devemos fazer?

Inserir um buffer entre a carga e a saída do microcontrolador.
A obtenção da expressão do ganho (Vs/Ve) é feita considerando
resistência de entrada e ganho em malha aberta infinitos:
𝑉𝑠 𝑅2
𝐴𝑣𝑓 = = −
𝑉𝑒 𝑅1
A expressão mostra que o ganho é estável, ou seja, não depende do AO,
mas apenas da relação entre as resistências R2 e R1. O sinal negativo significa
que a tensão de saída está defasada de 180° em relação à de entrada.
A resistência de entrada desse circuito é R1, por causa do terra virtual na
entrada inversora, isto é, a fonte de sinal Ve enxerga a resistência R1 ligada
entre seus terminais.

Exemplo 3. Considerando que a entrada é senoidal, qual a máxima amplitude

Qual a indicação do voltímetro na figura seguinte? que pode ter a tensão de entrada no circuito a seguir, para que a
saída não sature distorcendo a senóide de saída? Desenhe as formas
de onda Ve, VS1 e VS. Considere a fonte de alimentação de +12V/-
12V e VI=VP*sen(𝟂t).
O ganho do circuito vale:

4𝑘7
𝐴𝑣𝑓 = − = −4,7
1𝑘
Isso significa um valor de tensão de saída 4,7 vezes maior que a de
entrada e defasada de 180°; portanto, a saída vale –7,05 V. 9.3.3.1 Saída de potência
A máxima corrente na saída (entrando ou saindo) de um AO é da
Exercícios: ordem de mA (por exemplo, para o LM741, é de 25mA). Como vimos, caso
1. Determine a intensidade e o sentido da corrente na saída do AO. seja necessário alimentar uma carga com uma corrente maior, é preciso
colocar entre o AO e a carga um transistor de potência na configuração
coletor (buffer).
No circuito da figura seguinte, a corrente na saída do AO é de 202mA,
valor que o circuito integrado não tem condições de fornecer (no caso do
LM741, quando a corrente ultrapassar aproximadamente 25mA, a saída vai a
zero enquanto permanecer a condição de corrente elevada).
2. O que acontece com a corrente na saída do AO da questão anterior

se for invertida a polaridade da tensão de entrada (Ve=2V)?

AO. Como a tensão no resistor de 1kΩ vale 2V (os dois terminais têm mesmo
potencial), a corrente é de 2mA. Esse valor é o mesmo no resistor de 4kΩ, no
qual, portanto, a tensão vale 8V. A tensão na carga é a soma das duas
tensões; logo, 2+8 = 10V. Sabendo que a tensão na carga de 50Ω é de 10V,
podemos determinar a corrente na carga:
10
𝐼𝐿 = = 200𝑚𝐴
50
Portanto,
𝐼𝐸 = 200𝑚𝐴 + 2𝑚𝐴 = 202𝑚𝐴 = 𝐼𝐶
A corrente de base é igual a corrente de saída do AO, portanto:
𝐼𝐶 202𝑚𝐴
𝐼𝐴𝑂 = 𝐼𝐵 = = = 2,02𝑚𝐴
𝛽 100
A solução é colocar um transistor de potência entre a carga e o AO, que é um valor compatível com o AO.
conforme ilustrado na figura seguinte: 9.4 Características de um amplificador operacional real
Na prática, um AO apresenta limitações técnicas que devem ser
observadas para que os circuitos funcionem adequadamente.
9.4.1 Ganho de tensão e largura de faixa

Esses dois parâmetros estão interligados, como veremos a seguir. No
caso ideal, o ganho de tensão e a largura de faixa são infinitos. Na prática, o
ganho varia com a frequência e a temperatura. A figura seguinte apresenta
um exemplo de curva de resposta em frequência de um amplificador
operacional de ganho em malha aberta 100000. Note que a escala de
frequência utilizada no gráfico é logarítmica, possibilitando que sejam
representados valores distantes, como 1 Hz e 1 MHz. O eixo vertical, em que
está indicado o ganho, pode apresentar o valor em logaritmo ou em decibéis.
Se o ganho é dado pela relação entre a tensão de saída e a de entrada (VS/
Tomando o exemplo da figura acima, vamos considerar que o
VE), a escala é logarítmica, com valores de 1 à 100000. Na escala em decibéis,
transistor utilizado apresenta hfe = 100 e calcular os valores de corrente do
que é linear, os limites são 0dB e 100dB.

A taxa de variação ou slew rate da tensão na saída do AO é

determinada pela relação:
∆𝑉 5
𝑆𝑅 = = = 1𝑉⁄𝜇𝑠
∆𝑡 5𝜇
Isso significa que a tensão de saída não pode ser mais rápida que 1V/µs.
Caso contrário, a saída não responderá, resultando em um sinal com
distorção.
A distorção decorrente do slew rate será tanto maior quanto for a
frequência e/ou a amplitude do sinal. Para que um sinal de saída senoidal não
seja distorcido, é necessário que o AO tenha slew rate maior que
2*π*f*VMÀX*10-6, em que f é a frequência do sinal e VMÀX seu valor de
pico.
9.4.2 Slew rate Exemplo:
Slew rate (SR) é a taxa de variação da tensão de saída de acordo com o
Suponha um amplificador que amplifica um sinal de até 20kHz.
tempo em resposta a um degrau de tensão na entrada. Para entender essa
Determine a amplitude máxima do sinal de entrada para que o sinal de saída
definição, observe a figura a seguir, em que um pulso é aplicado na entrada
não tenha distorção. Considere um AO com SR=0,5V/µs.
de um seguidor de tensão.
Para não haver distorção,
𝑆𝑅 > 2 ∗ 𝜋 ∗ 20 ∗ 103 ∗ 𝑉𝑀Á𝑋 ∗ 10−6

Ou
0,5 ∗ 10−6
𝑉𝑀Á𝑋 < = 4𝑉
2 ∗ 𝜋 ∗ 20 ∗ 103 ∗ 10−6
9.5 Erros de Offset

Em razão dos descasamentos no primeiro estagio diferencial, quando
as entradas são nulas, surge na saída uma tensão CC (positiva ou negativa).
Em alguns circuitos, como amplificadores de áudio, basta colocar um
capacitor de acoplamento que esse problema e eliminado. No entanto,

quando se deseja amplificar pequenas tensões continuas, como as obtidas em A tensão CC (V+) utilizada para efetuar o ajuste de offset na saída e
alguns sensores, é importante efetuar o ajuste de offset. As principais causas obtida do divisor de tensão constituído pelos resistores de 100 kΩ e 100 Ω e
dos erros de offset são apresentadas a seguir. pelo potenciômetro de 33 kΩ. A tensão CC pode variar entre +15 mV e –15
mV e é aplicada na entrada não inversora.
9.5.1 Tensão de offset de entrada O circuito da figura “b” e usado quando se aplica o sinal na entrada
A tensão de offset de entrada (Vio) e gerada no primeiro estagio do não inversora. Portanto, a tensão CC de correção e aplicada na entrada
AO (figura a seguir). Ela pode ser calculada por VIO = VBE2 – VBE1, em que inversora, podendo variar entre +15 mV e –15 mV.
VBE2 e VBE1 são os valores de tensão base-emissor dos transistores do Se as duas entradas forem utilizadas para aplicar o sinal, e necessário
primeiro par diferencial. Na prática podemos encontrar o valor de tensão que o AO tenha terminais adequados para fazer o ajuste de offset. Para o
offset de 2 mV. modelo LM741, o ajuste e realizado com um milivoltímetro conectado na
saída ate obter Ve = 0, o que e feito por meio do potenciômetro.
9.5.2 Correção da tensão de offset de saída

Como as correntes de polarização nas entradas não são iguais, a
correção do erro de offset na saída e feita aplicando uma pequena tensão CC
em uma das entradas. A figura a seguir mostra três maneiras de fazer o
ajuste; a da figura “c” só pode ser realizada se o AO tiver terminais para
ajuste de offset.
O circuito da figura “a” e usado quando o sinal e aplicado na entrada
inversora.

(proporcional, integral e derivativo). Derivado do amplificador inversor, ele

tem mais de uma entrada. O numero de entradas e limitado a máxima
corrente de saída. A figura 7.38 mostra um amplificador inversor com três
entradas.
Observe que a tensão de saída do circuito da figura “a” está

relacionada com as tensões de entrada pela expressão:
9.6 Aplicações lineares 𝑅𝑓 𝑅𝑓 𝑅𝑓

Os circuitos aqui apresentados são baseados nos estudados na seção 𝑉𝑆 = − � ∗ 𝑉𝑒1 + ∗ 𝑉𝑒2 + ∗𝑉 �
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑒3
“Amplificadores básicos”.
Porém, se as resistências de entrada forem todas iguais, como
9.6.1 Amplificador somador inversor
ilustrado na figura “b”, a expressão passa a ser:
Esse circuito e utilizado para somar algebricamente as tensões. Entre
suas aplicações estão a conversão de analógico para digital e vice-versa, a
𝑅𝑓
construção de misturadores de sinais (mixers) e sistemas de controle PID 𝑉𝑆 = − ∗ (𝑉𝑒1 + 𝑉𝑒2 + 𝑉𝑒3 )
𝑅

Note que, nesse caso, a tensão de saída passa a ser proporcional a

soma das tensões de entrada.
Agora, se todas as resistências forem iguais, como apresentado na
figura “c”, a expressão da saída é:
𝑉𝑆 = −(𝑉𝑒1 + 𝑉𝑒2 + 𝑉𝑒3 )
Nesse caso, a saída será igual à soma das tensões de entrada, ou seja,
invertida.
O nome operacional vem de certas aplicações como essa, que efetua
aplicações matemáticas.
Solução:
Consideremos primeiramente a solução direta que usa a expressão:
𝑅𝑓 𝑅𝑓 𝑅𝑓
𝑉𝑆 = − � ∗ 𝑉𝑒1 + ∗ 𝑉𝑒2 + ∗𝑉 �
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑒3
em que Rf = 1 k, R1 = 1 kΩ, R2 = 2 kΩ, R3 = 4 kΩ e Ve1 = Ve2 = Ve3 = 5 V.
Então:
1𝑘 1𝑘 1𝑘
𝑉𝑠 = − � ∗ 5 + ∗5+ ∗ 5� = −8,75𝑉
1𝑘 2𝑘 4𝑘
Por análise de circuito:
5𝑉 5𝑣 5𝑣
Exemplo: 𝐼1 = = 5𝑚𝐴, 𝐼2 = = 2,5𝑚𝐴 𝑒 𝐼3 = = 1,25𝑚𝐴
1𝑘 2𝑘 4𝑘
1. Determine a tensão de saída (VS) do circuito da figura seguinte:
A corrente no resistor de realimentação e If = 5 + 2,5 + 1,25 = 8,75 mA
e, portanto, a tensão em Rf vale VRf = 1 kΩ * 8,75 mA = 8,75V.
A tensão de saída esta relacionada com a tensão em Rf por VS = –VRf,
então VS = –8,75V.
Exercícios:

1. Desenhe as formas de onda nas entradas (Ve1 e Ve2) e na saída (VS) do 9.6.2 Amplificador somador não-inversor
circuito: Uma alternativa ao circuito inversor é mostrada a seguir, que é
derivado do amplificador não inversor. Para simplificar a análise desse
circuito vamos considerar somente o caso em que as resistências de entrada
são iguais e a de realimentação é regulável possibilitando um valor de saída
igual à soma das entradas.
Para o circuito da figura acima, a tensão de saída em relação às

entradas é dada por:
𝑉𝑆 = 𝑉𝑒1 + 𝑉𝑒2 + 𝑉𝑒3
Nesse caso, a resistência de realimentação vale 2R e todas as outras,

R.

Exemplo:
Determine a tensão na saída do circuito:

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1.1 Materiais semicondutores

1.2 Estrutura química dos materiais semicondutores

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compostas unicamente por ligações covalentes, adquirem características de

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 3

1.5 Cristal P Observações

As lacunas se movimentam na banda de valência dos átomos e os

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 4

1.6 Condutibilidade dos materiais semicondutores 1.8 Temperatura

O terminal da seta representa um material P e é chamado de anodo e

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 5

A identificação dos terminais (anodo e catodo) no componente pode

Como conseqüência da passagem de cargas de um cristal para o

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 6

2.2 Polarização do diodo

Na polarização direta, o pólo positivo da fonte repele as lacunas do

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 7

2.3 Características de condução e bloqueio do diodo

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 8

Erro = 0,0333 - 0,0328 = 0,0005 A, correspondente a 1,53 %

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 9

2.4 Curva característica A curva característica do diodo em condução mostra o

A curva característica de condução mostra que a tensão no diodo

2.6 Região de bloqueio

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 10

Quando polarizado inversamente, toda tensão aplicada ao circuito

2.7 Regimes máximos do diodo em CC

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 11

3.2 Retificação de meia-onda

A tensão sobre a carga assume a mesma forma da tensão de entrada.

Esse circuito utiliza um diodo semicondutor, pois suas características

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 12

Com o bloqueio do diodo que está funcionando como um interruptor

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 13

Os gráficos a seguir ilustram a evolução de um ciclo completo. 3.3 Tensão de saída

Onde: VCC é a tensão contínua média sobre a carga;

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 14

3.5 Dimensionamento do diodo

• VRRM = Máxima Tensão de Pico Reversa;

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 15

 Baixo rendimento em relação à tensão eficaz de entrada;

3.7 Retificação de onda completa

Esse tipo de retificação pode ser realizado de dois modos:

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 16

Observe que no circuito apresentado, a condição de condução de D1

A tensão aplicada à carga é a tensão existente entre o terminal

Em relação ao ponto neutro, as tensões VCD e VED estão defasadas

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 17

As formas de onda das tensões no circuito são mostradas nos gráficos

A tensão aplicada à carga é a tensão da bobina inferior do secundário

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 18

As formas de onda das correntes são:

Analisando um ciclo completo da tensão de entrada, verifica-se que o

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 19

3.10 Tensão de saída

Note que ela é o dobro da tensão média no caso de meia-onda.

A corrente média na carga é dada por:

COLÉGIO POLITEC – TÉCNICO EM ELETRÔNICA 20

Nessa condição, a polaridade dos diodos apresenta a seguinte

No segundo semiciclo, ocorre uma inversão da polaridade nos