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Semicondutores

Semicondutores intrínsecos: o comportamento


elétrico é baseado na estrutura eletrônica relacionada
com o material puro (sem impurezas).

Semicondutores extrínsecos: nesse caso as


características elétricas são determinadas pelos átomos
de impurezas.
Determinação da concentração de portadores intrínsecos
• Supondo que as bordas das bandas tem forma parabólica;
• Supondo que a banda de condução de um semicondutor

• Temos que a função de distribuição de Fermi-Dirac se reduz a

• Essa é a probabilidade de que um orbital da banda de condução seja


ocupado, uma aproximação válida para .

• Qual o número de elétrons excitados para a banda de condução?


• Energia de um elétron na banda de condução:

• Densidade de estados:

• Concentração de elétrons na banda de condução:

• Calculando a integral:
Cálculo da concentração de buracos, p.
• A função de distribuição de buracos e a função de distribuição de
elétrons se relacionam através da equação

• Daí,

• Se os buracos perto da borda da banda de valência se comportam


como partículas de massa efetiva mh a densidade de estados para
buracos é dada por
• E a concentração de buracos na banda de valência é dada por

• Multiplicando as expressões de n e p, obtemos a seguinte relação

• Esta expressão é importante porque não envolve o nível de Fermi.

• Isso vale para condutores Intrínsecos e dopados.


• Escala de energias para
cálculos estatísticos
SEMICONDUTORES DOPADOS
• A adição proposital de impurezas a uma semicondutor se chama
DOPAGEM

• Certas impurezas afetam as propriedades elétricas dos


semicondutores:
• Os átomos de impurezas que cedem elétrons à rede cristalina são
chamados de doadores
• Os átomos de impurezas que aceitam elétrons da banda de valência
são chamados de aceitadores
• A teoria de Bohr do átomo de hidrogênio deve ser modificada para
levar em conta a constante dielétrica do meio e a massa efetiva do
elétron no potencial periódico do cristal.
• Em um semicondutor de constante dielétrica , substituímos por
ASD e m pela massa efeteiva
• Cargas associadas a uma átomo de arsênio na rede cristalina no silício.
O átomo de arsênio é chamado de doador porque, ao se ionizar, doa
um elétron para a banda de condução.
• Cargas associadas a um átomo de boro na rede cristalina do silício. O átomo de arsênio
é chamado de aceitador porque, ao se ionizar, aceita um elétron da banda de valência.

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