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Electrónica de Potencia

Ing. Msc Dario Jaramillo

email: mjaramillo@ups.edu.ec
CAPITULO I

DIODOS DE POTENCIA Y CIRCUITOS

Electrónica de Potencia - Ing. Dario Jaramillo Msc.


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BIBLIOGRAFIA BASE

[1] E. BALLESTER; R. PIQUÉ, "Electrónica de


Potencia: Principios Fundamentales y Estructuras
Básicas", México, Alfaomega, 2012.

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BIBLIOGRAFÍA COMPLEMENTARIA

[2] A.M. Trzynadlowski, Introduction To Modern Power


Electronics, John Wiley & Sons, 2010.
[3] H. Yoshihide, Handbook Of Power Systems
Engineering With Power Electronics Applications,
Wiley, 2013.
[4] G. Enriquez Harper, Electrónica De Potencia
Básica, Limusa, 2010

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Potencia
Características de los diodos de

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Introducción

Los diodos semiconductores de potencia juegan


un papel significativo en los circuitos electrónicos
de potencia.

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1. Un diodo funciona como un interruptor
(rectificadores, transferencia de energía entre
componentes, aislamiento de voltaje, entre otras).

2. Para la mayor parte de de las aplicaciones, se


puede suponer que los diodos de potencia son
INTERRUPTORES IDEALES, pero los diodos
reales difieren de las características ideales y
tienen ciertas limitaciones.
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3. Se puede decir que los diodos de potencia son
similares a los diodos de señal de unión pn.

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Sin embargo, los diodos de potencia tienen
mayores capacidades en el manejo de la energía,
el voltaje y la corriente, que los diodos de señal
ordinarios .

4. La respuesta a la frecuencia (o velocidad de


conmutación) es baja en comparación con los
diodos de señal.
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Características de los diodos

Un diodo de potencia es un dispositivo de unión


pn de dos terminales.

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Cuando el potencial del ánodo es positivo con
respecto al cátodo, se dice que le diodo tiene
polarización directa o positiva y el diodo conduce.

- Un diodo en conducción tiene una caída de


voltaje directa relativamente pequeña a
través de si mismo; la magnitud de eta caída
de voltaje depende del proceso de
manufactura 8
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Cuando el potencial del cátodo es positivo con
respecto al ánodo, se dice que le diodo tiene
polarización inversa o negativa y el diodo NO
conduce.
- Bajo condiciones de polarización inversa,
fluye una pequeña corriente inversa
(también conocida como corriente de fuga)

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- La corriente de fuga producida esta dentro
de los rangos de los miliamperios, cuya
magnitud crece lentamente en función del
voltaje inverso , hasta llegar al voltaje de
avalancha o zener.

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Las características V – I mostradas en la figura
anterior, se pueden expresar mediante una ecuación
conocida como ecuación de Shockley, para las
regiones de polarización en directa y en inversa:

𝑉𝑑

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𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑛𝑉𝑡 − 1) (A)
donde :

• 𝐼𝑠 es la corriente de saturación en inversa

• 𝑉𝐷 es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo

• 𝑛 es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones


de operación y construcción física; varía entre I y 2 según una amplia
diversidad de factores.

(se supondrá n = I en todo este texto a menos que se indique de otra


manera).
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• Elvoltaje VT en la ecuación (1. 1) se llama
voltaje térmico y está determinado por

𝑘𝑇

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𝑉𝑡 = (𝑉)
𝑞

Donde
𝑘 es la constante de Boltzmann =1.38𝑥10−23 𝐽/𝐾
𝑇es la temperatura absoluta en Kelvin = 273 + la temperatura en º𝐶.
𝑞 es la magnitud de la carga del electrón = 1.6𝑥10−19 𝐶..

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A una temperatura ambiente de 2 grados
centígrados, el voltaje VT será?

𝑘𝑇 1.3806𝑥10−23 𝑥(273 + 25)


𝑉𝑇 = = −19
≈ 25.8 𝑚𝑉
𝑞 1.6022𝑥10

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Como cambia el voltaje VT si se incrementa el
valor de la temperatura a 27 grados centígrados?
Es el valor de VT directa o inversamente
proporcional a la temperatura?
𝑇 = 273 + º𝐶 = 273 + 27 = 300𝑘

𝑘𝑇 (1.38𝑥10−23 𝐽/𝐾)𝑥(300)
𝑉𝑇 = =
𝑞 1.6𝑥10−19 𝐶

=25.875 ≈26 mV 13
Sin embargo las características del diodo se
pueden dividir en tres regiones:

1. Región de polarización
directa, donde VD > 0.

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2. Región de polarización
inversa, donde VD < 0.

3. Región de ruptura, donde


VD < -VZ.

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REGION DE POLARIZACION DIRECTA

• En la región de polarización
directa, VD > 0.

• La corriente del diodo ID es


muy pequeña si el voltaje del

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diodo VD es menor que VTD
(típicamente 0.7)

• El diodo conduce totalmente si


VD es mayor que este valor
VTD, que se conoce como el
voltaje umbral, voltaje de
corte o voltaje de activación.

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REGION DE POLARIZACION DIRECTA

𝑉𝑑
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑛𝑉𝑡 − 1)
𝑉𝑑
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑡 − 𝐼𝑠

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Con valores positivos de VD
el primer término de la
ecuación anterior crecerá
con rapidez y anulará por
completo el efecto del
segundo término

𝑉𝑑
𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑡 (𝑉𝐷 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜)

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REGION DE POLARIZACION INVERSA

• En la región de polarización
inversa, VD < 0.

• La corriente del diodo ID


aparentemente permanece

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constante, a pesar que se
incremente el voltaje en inversa.

• Cuando el existe la transición de


directa a inversa y el VD = 0, la
corriente del diodo será 0.

𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 0 −1) = 𝐼𝑠 (1 − 1) = 0 𝑚𝐴

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REGION DE POLARIZACION INVERSA
𝑉𝑑
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑛𝑉𝑡 − 1)
𝑉𝑑
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑡 − 𝐼𝑠

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Con valores negativos de VD
el término exponencial se
reduce con rapidez por
debajo del nivel de I y la
ecuación resultante para ID
es:

𝐼𝐷 ≅ −𝐼𝑠 (𝑉𝐷 𝑛𝑒𝑔𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜)

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REGION DE POLARIZACION INVERSA

• En la región de ruptura, el voltaje


inverso es alto, por lo general
mayor a 1000V.

• La magnitud del voltaje inverso

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excede un voltaje especificado
conocido como voltaje de ruptura,
VBR.
• La corriente inversa aumenta
rápidamente con un pequeño
cambio en voltaje inverso mas allá
del VBR.

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REGION DE POLARIZACION INVERSA

• La operación en la región de
ruptura no será destructiva,
siempre y cuando la disipación de
la potencia este dentro del nivel

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seguro especificado en la hoja de
datos del fabricante.

• A menudo es necesario limitar la


corriente inversa en la región de
la ruptura, a fin de mantener la
disipación de la energía dentro de
valores permisibles.

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