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[ Eletrônica Geral ] – [ Transistor Bipolar de Junção ]

ELETRÔNICA 1

Transistor Bipolar de Junção - TBJ


[ Parte 05 ]

Escola de Engenharia Elétrica, Mecânica e de


Computação

[ Prof. Dr. Marcos Antônio de Sousa ] [1]


[ Eletrônica Geral ] – [ Transistor Bipolar de Junção ]

Transistor Bipolar de Junção - TBJ


[ Parte 05 ]
Tópicos:

- Operação em Pequeno Sinal e Modelos


- Análise DC - Polarização
- Corrente de Coletor e Transcondutância
- Corrente de Base e Resistência de Entrada da Base
- Corrente de Emissor e Resistência de Entrada do Emissor
- Ganho de Tensão
- Separando o Sinal e as Quantidades DC
- O Modelo -hibrido
- O Modelo T
- Aplicação dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais
- Exemplo
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[ Eletrônica Geral ] – [ Transistor Bipolar de Junção ]
Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]

Operação em Pequeno Sinal e Modelos


- Tendo visto como polarizar o TBJ para operar como amplificador, deve-se olhar
agora a operação em pequenos sinais do transistor.
- Para isso, considere o circuito conceitual mostrado na figura abaixo.
- A junção emissor-base está diretamente polarizada por uma tensão DC, VBE
(bateria). Circuito conceitual: Análise DC - Polarização:
- A polarização reversa da
junção coletor-base é
estabelecida pela conexão do
coletor com outra fonte de
alimentação VCC pelo resistor Sinal
RC.
- O sinal de entrada a ser
amplificado está representado
Saída
pela fonte de tensão vbe que é
sobreposta a tensão de
polarização VBE, vBE = VBE + vbe
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Operação em Pequeno Sinal e Modelos


- Considerar primeiro as condições de polarização DC fazendo o sinal vbe = 0.
- Assim, pode-se escrever as seguintes relações para as correntes e tensões DC:

Análise DC - Polarização:
𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇

IC
I C  I E IB 

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

- Para a operação no modo ativo, VC > VB – 0,4 por


um valor que permita oscilações com amplitude
razoáveis no sinal de coletor.
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Operação em Pequeno Sinal e Modelos


Corrente de Coletor e Transcondutância:
vBE  VBE  vbe iC  I S evBE VT

Sinal
iC  I S e VBE VT
e vbe VT
 IC e vbe VT

• Se vbe << VT, vale a aproximação para pequenos sinais:


: v I
Saída iC  I C (1  be
)  IC  C
vbe
VT VT
Parte DC Parte AC
• Aproximação válida para vbe  10 [mV] (valor de pico) (Polarização) (Sinal)

• gm é a Transcondutância. IC iC IC
ic  vbe  g m vbe gm   gm 
Parte AC (componente de sinal): VT vBE iC  I C
VT

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Operação em Pequeno Sinal e Modelos


Corrente de Coletor e Transcondutância:
I i I
ic  C vbe  g m vbe gm  C  gm  C
V vBE i  I VT
T C C

- Deve ser observado que a transcondutância do TBJ é diretamente proporcional à


corrente de polarização do coletor, IC.
- Logo, para obter um valor previsível e constante para gm, necessita-se de um valor
IC constante e previsível.
- Os TBJs têm uma transcondutância relativamente alta ( quando comparada aos
MOSFETs).
- Uma interpretação gráfica para gm : gm é igual à inclinação da curva característica
iC − vBE para iC = IC (no ponto de polarização Q).
- A aproximação para pequenos sinais implica manter a amplitude do sinal
pequena, de modo que a operação fique restrita ao segmento quase linear da
curva exponencial de iC − vBE . Aumentar a amplitude do sinal resultará em uma
corrente de coletor com componentes não lineares relacionados a vbe.
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Corrente de Base e Resistência de Entrada da Base:

iB  I B  ib
Sinal

Saída
iC IC
1 IC 1 IC g
iB    vbe ib  vbe  m vbe
   VT  VT 
• A resistência de entrada para pequenos sinais entre a
base e o emissor, olhando para o terminal da Base,
é definida como rπ: vbe  VT
r   
ib gm IB
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Corrente de Emissor e Resistência de Entrada do Emissor:

Sinal

iE  I E  ie
Saída

iC1 IC IC 1 IC
iE    vbe ie  vbe
   VT  VT
• A resistência de entrada para pequenos sinais entre a • Relação rπ − re :
base e o emissor, olhando para o terminal do vbe  ib r  ie re
Emissor, é definida como re : vbe  1
re    r  (   1)re
ie gm gm
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Ganho de Tensão:
- O transistor é excitado pelo sinal vbe e faz com que Sinal
uma corrente proporcional gmvbe circule pelo terminal
de coletor em alta impedância.
- Desse modo o transistor age como uma fonte de
corrente controlada por tensão. Saída
- Para obter um sinal de tensão na saída, deve-se
forçar essa corrente a circular por um resistor RC.
• Ganho de Tensão:
Então, a tensão total no coletor, vC , vale:
vC  VCC  iC RC vC  VCC  ( I C  ic ) RC vc IC
  g m RC   RC
vbe VT
vC  (VCC  I C RC )  ic RC vC  VC  ic RC
- Onde: VC é a Componente de Polarização e vc é a Componente de Sinal, dada por:

vc  ic RC   g mvbe RC vc  ( g m RC )vbe


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Separando o Sinal e as Quantidades DC:

ic  g m vbe
ib  vbe / r
Sinal
vce

vbe vbe
ie  vbe / re
Saída

Os componentes DC e os Os componentes DC A representação da operação


componentes de sinal. (Polarização). com sinais do TBJ.
• As tensões DC - Vcc, VCE, VEE, VB, VC, VE - são substituídas por curto circuitos (anuladas)
• As correntes DC - Icc, IB, IC, IE - são substituídas por circuitos abertos (anuladas)
• Apenas as componentes de sinais de tensão e de corrente (ditas componentes CA, ou de
pequenos sinais ou incrementais, ic, ib, ie, vbe, vce, ve, vb, vs) são consideradas no circuito
equivalente.
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O Modelo -hibrido:

g m  I C / VT
r   / g m

Modelo -hibrido com fonte de Modelo -hibrido com fonte de


corrente controlada por tensão. corrente controlada por corrente.

ie 
vbe v
 g m vbe  be (1  g m r ) g mvbe  g m (r ib )  ( g m r )ib
r r g mvbe  ib
v  r 
ie  be (1   )  vbe    vbe r
r 1   ie  re 
re 1 
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O Modelo T:
Modelo T com fonte
Modelo T com fonte de de corrente controlada
corrente controlada por por corrente.
tensão.

g m  I C / VT
VT 
re  
I E gm

g mvbe  g m (reie )  ( g m re )ie


vbe vbe g mvbe  ie
ib   g m vbe  (1  g m re )
re re vbe vbe
ib=
𝑣𝑏𝑒
1−𝛼 =
𝑣𝑏𝑒 𝛽 ib   r  (1   )re
𝑟𝑒 𝑟𝑒 1 − (   1)re r
𝛽+1
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Operação em Pequeno Sinal e Modelos


Aplicação dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais:

Modelo T é mais apropriado


para ser usado quando existe
uma resistência (RE ou Rsig ou
RL) ligada em série com o
terminal de emissor do TBJ ,
na análise de sinal.

Modelo  é mais apropriado para Parâmetros:


ser usado quando não existe
 IC
nenhuma resistência ligada em r     r g m gm 
série com o terminal de emissor do gm
TBJ, na análise de sinal.
VT
VT 
- Desconsiderando o efeito Early: ro   re      g m re I C  I E
I E gm
- Considerando o efeito Early: ro  V A I C Onde: VT =25[mV] – Tensão Térmica

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Aplicação dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais:
Passos:
1) Determinar o ponto de operação DC, em particular IC.
2) Cálculo dos parâmetros:
IC  VT 
gm  r     r g m re      g m re
VT gm I E gm
3) Eliminar as fontes DC, substituindo fontes de tensão por curto-circuito e
fontes de corrente por circuito aberto.
4) Substituir o TBJ pelo modelo mais conveniente, dependendo do circuito a
ser analisado.
5) Analisar o circuito para determinar as grandezas de interesse, como por
exemplo, Ganho de Tensão, Resistência de Entrada, Ganho de
Corrente, Resistência de Saída, Rendimento, etc.
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Aplicação dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais:
Exemplo 5.14 – Sedra 5ª edição – pag. 279:
Deseja-se analisar o amplificador da figura abaixo para determinar seu Ganho de
Tensão. Suponha β=100. Desconsidere o Efeito Early.

Análise DC - Polarização:
VBB  VBE 3  0,7
IB    0,023 [mA]
RBB 100

I C   I B  100  0,023  2,3 [mA]

VC  VCC  I C RC  10  2,3  3  3,1 [V]

Modo Ativo? VC  3,1 [V]


VB  0,7 [V] VE  0,0 [V]

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Aplicação dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais:
Exemplo 5.14 – Sedra 5ª edição – pag. 279:
Deseja-se analisar o amplificador da figura abaixo para determinar seu ganho de
tensão. Suponha β=100. Desconsidere o efeito Early.

Modelo para Pequenos Sinais :

VT 25[mV ] I 2,3[mA]  100


re   gm  C  r  
I E (2,3 / 0,99)[mA] VT 25[mV ] gm 92
re  108 [] g m  92 [mA/V] r  1,09 [k]

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Aplicação dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais:
Exemplo 5.14 – Sedra 5ª edição – pag. 279:
Deseja-se analisar o amplificador da figura abaixo para determinar seu ganho de
tensão. Suponha β=100. Desconsidere o efeito Early.

Cálculo do Ganho de Tensão :

r vo
vbe  vi vo   g m vbe RC Av 
r  RBB vi
vo  92  0,01vi  3
1,09
vbe  vi  0,01vi vo  3,04vi Av  3,04 [V V]
1,09  100
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Aplicação dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais:
Exemplo 5.15 – Sedra 5ª edição – pag. 280 – Análise dos sinais:
Considere que o sinal de entrada a ser amplificado seja o vi da figura abaixo.
Especifique as formas de onda dos sinais: iB, vBE , iC e vC.
Sinal de entrada vi :

Sinal iB :

iB  I B  ib I B  0,023 [mA]
Vi 0,8
Ib  
r  RBB 1,09  100
I b  0,008 [mA]
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Aplicação dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais:
Exemplo 5.15 – Sedra 5ª edição – pag. 280 – Análise dos sinais:
Considere que o sinal de entrada a ser amplificado seja o vi da figura abaixo. Indique
as formas de onda dos sinais: iB, vBE , iC e vC.
Sinal de entrada vi :

Sinal vBE :

vBE  VBE  vbe VBE  0,7 [V]


r 1,09
Vbe  Vi  0,8
r  RBB 1,09  100
Vbe  8,6 [mV]
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Aplicação dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais:
Exemplo 5.15 – Sedra 5ª edição – pag. 280 – Análise dos sinais:
Considere que o sinal de entrada a ser amplificado seja o vi da figura abaixo. Indique
as formas de onda dos sinais: iB, vBE , iC e vC.

Sinal iC : Sinal vC :

iC  I C  ic I C  2,3 [mA]
I c   I b  100  0,008 vC  VC  vc VC  3,1 [V]

I c  0,8 [mA] Vc  Av  Vi  3,04  0,8


Vc  2,43 [V]
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Atividades para os alunos:

- Estudar o capítulo 5, seções 5.6.1, 5.6.2, 5.6.3, 5.6.4, 5.6.5, 5.6.6,


6.6.7, 5.6.8, 5.6.9 e 5.6.10.

- Fazer exercícios: páginas: 275 até 284.

- Fazer problemas de final de capítulo: 5.56, 5.57, 5.58, 5.59, 5.60 e 5.62.

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