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DE CD DE LOS BJT
FIG. 4.107
Verificación de los resultados del ejemplo 4.4 con Multisim.
Aun cuando la etiqueta puede decir Bf 50, el transistor seguirá teniendo los parámetros prees-
tablecidos guardados en la memoria. Para cambiar los parámetros, el primer paso es hacer clic en
el dispositivo para establecer sus límites. Luego seleccione Edit, seguido por Properties, para des-
plegar el cuadro de diálogo BJT_NPN. Si ya no esta presente, seleccione Value y luego Edit
Model. El resultado será el cuadro de diálogo Edit Model en el cual puede ajustar beta e Is a 50 y
1 nA, respectivamente. Luego seleccione Change Part Model para obtener otra vez el cuadro de
diálogo BJT_NPN y seleccione OK. El símbolo de transistor en la pantalla ahora tendrá un aste-
risco para indicar que se modificaron los parámetros preestablecidos. Haga un clic más para que
desaparezcan los cuatro marcadores y el transistor se ajusta con sus nuevos parámetros.
El amperímetro en la red se ajusta seleccionando la opción Indicador (la décima tecla hacia
abajo en la primera barra de herramientas vertical) para obtener el cuadro de diálogo Select a
Component. Bajo Family seleccione AMMETER, y bajo Component seleccione AMME-
TER H. Haga clic en OK y aparecerá en la pantalla con etiquetas adicionales. Pueden eliminar
las etiquetas mediante la secuencia Edit-Properties-Display. Si se quitan todas las marcas, haga
un clic más en OK para que aparezca el amperímetro que se muestra en la figura 4.107. Para los
voltímetros, seleccione la opción VOLTMETER V.
Por último, la red se debe simular con uno de los métodos descritos en el capítulo 2. En este
ejemplo, el conmutador se puso en la posición 1 y luego se regresó a la posición 0 una vez que
se estabilizaron los valores Indicator. Los niveles de corriente relativamente bajos fueron en
parte responsables del bajo nivel de este voltaje.
Los relativamente pocos comentarios requeridos aquí para analizar redes de transistores son
una clara indicación de que el análisis se puede ampliar dramáticamente sin tener que aprender
un nuevo conjunto de reglas: una muy bien recibida característica de la mayoría de paquetes de
software de tecnología.
PROBLEMAS
●
*Nota: Los asteriscos indican los problemas más difíciles.
4.3 Configuración de polarización fija
1. Para la configuración de polarización fija de la figura 4.108, determine:
a. IBQ.
b. ICQ.
c. VCEQ.
d. VC.
e. VB.
f. VE.
PROBLEMAS 233
ICQ
VC
+
VB
VCEQ
IBQ _
VE
FIG. 4.108
Problemas 1, 4, 11, 52
y 56 a 58.
12 V VCC
IC IC
RC
RB RB
VC = 6 V
+
VCE β = 80 B
I B = 40 μA –
4. Encuentre la corriente de saturación 1ICsat2 para la configuración de polarización fija de la figura 4.108.
*5. Dadas las características del transistor BJT de la figura 4.111:
a. Trace una recta de carga en las características determinadas por E 21 V y RC = 3 kÆ para una
configuración de polarización fija.
b. Seleccione un punto de operación a la mitad entre el corte y la saturación. Determine el valor de
RB para establecer el punto de operación resultante.
c. ¿Cuáles son los valores resultantes de ICQ y VCEQ?
d. ¿Cuál es el valor de b en el punto de operación?
e. ¿Cuál es el valor de a definido por el punto de operación?
f. ¿Cuál es la corriente de saturación 1ICsat2 para el diseño?
g. Trace la configuración de polarización fija resultante.
h. ¿Cuál es la potencia de cd disipada por el dispositivo en el punto de operación?
i. ¿Cuál es la potencia suministrada por VCC?
j. Determine la potencia disipada por los elementos resistivos tomando la diferencia entre los resul-
tados de las partes (h) e (i).
234 POLARIZACIÓN IC (mA)
DE CD DE LOS BJT
110 µA
100 µA
10 90 µA
80 µA
9
70 µA
8
60 µA
7
50 µA
6
40 µA
5
30 µA
4
3 20 µA
2
10 µA
1
IB = 0 µA
0 5 10 15 20 25 30 VCE (V)
FIG. 4.111
Problemas 5, 10, 19, 35 y 41.
RC
ICQ RB
VC
+ +
VB VB
VCEQ VCE
IBQ _ _
VE
RE
VCC
RB
β
B
FIG. 4.114
Problema 8.
g. En cada una de las partes anteriores, la magnitud de b se incrementó 50%. Compare el porcen-
taje de cambio de IC y VCE para cada una de las configuraciones y comente sobre cuál parece ser
menos sensible a los cambios en b .
R1 IC
ICQ
VC VB
VB +
VCEQ
VE
IBQ
VE
FIG. 4.116
Problema 13.
FIG. 4.115
Problemas 12, 15, 18, 20, 24,
54, 56, 57 y 60.
R1
IC
+
VCE
VB
VE
FIG. 4.117
Problema 14.
IC
IB +
VCE
VB
VE
FIG. 4.118
Problemas 16, 17 y 21.
c. Compare las soluciones y comente sobre si la diferencia es suficientemente grande como para que
opte por la ecuación (4.33) cuando se determine que método emplear.
*19. a. Utilizando las características de la figura 4.111, determine RC y RE para una red de divisor de
voltaje que tiene un punto Q de ICQ = 5 mAy VCEQ = 8 V. Use VCC = 24 V y RC = 3RE.
b. Encuentre VE.
c. Determine VB.
d. Encuentre R2 si R1 = 24 kÆ suponiendo que bRE 7 10R2.
e. Calcule b en el punto Q.
f. Pruebe la ecuación (4.33) y observe si la suposición de la parte (d) es correcta.
*20. a. Determine IC y VCE para la red de la figura 4.115.
b. Cambie b a 120 (50% de incremento) y determine los nuevos valores de IC y VCE para la red de
la figura 4.115.
c. Determine la magnitud del cambio de porcentaje de IC y VCE utilizando las siguientes ecuaciones:
IC1parte b2 - IC1parte a2 VCE1parte b2 - VCE1parte a2
%¢IC = ` ` * 100%, %¢VCE = ` ` * 100%
IC1parte a2 VCE1parte a2
d. Compare la solución para la parte (c) con las soluciones obtenidas para las partes (c) y (f) del
problema 11. Si no se realizaron, vea las soluciones en el apéndice E.
e. Con base en los resultados de la parte (d), ¿cuál configuración es la menos sensible a las varia-
ciones en b?
*21. a. Repita las partes de (a) a (e) del problema 20 con la red de la figura 4.118. Cambie b a 180 en
la parte (b).
b. ¿Qué conclusiones generales sobre redes en las que se satisface la condición bRE 7 10R2 y las
cantidades IC y VCE se tienen que determinar en respuesta a un cambio en b?
VC
IC
IB
FIG. 4.119
Problemas 22 y 61.
238 POLARIZACIÓN 23. Para la red de realimentación de voltaje de la figura 4.120, determine:
DE CD DE LOS BJT a. IC.
b. VC.
c. VE.
d. VCE.
VC
IC +
VCE
_
VE
FIG. 4.120
Problema 23.
IC
VCE
FIG. 4.121
Problema 24.
c. Determine la magnitud del cambio en porcentaje de IC y VCE por medio de las siguientes ecua-
ciones:
IC1parte b2 - IC1parte a2 VCE1parte b2 - VCE1parte a2
%¢IC = ` ` * 100%, %¢VCE = ` ` * 100%
IC1parte a2 VCE1parte a2
d. Compare los resultados de la parte (c) con los del problema 11(c), 11(f) y 20(c). ¿Cómo se com-
para la red de realimentación de colector con las demás configuraciones en cuanto a sensibilidad
a cambios de b?
25. Determine el intervalo de valores posibles de VC para la red de la figura 4.122 por medio de un poten-
ciómetro de 1-MÆ .
PROBLEMAS 239
VC VC
IB IC +
VCE B
VE
VE
IE
FIG. 4.124
Problema 27.
4.8 Configuración en base común
*28. Para la red de la figura 4.125, determine:
a. IB.
b. IC.
c. VCE.
d. VC.
VC IC
IB +
VCE
FIG. 4.125
Problema 28.
240 POLARIZACIÓN *29. Para la red de la figura 4.126, determine:
DE CD DE LOS BJT a. IE.
b. VC.
c. VCE.
– 8V
2.2 kΩ
– VCE + VC
IE
1.8 kΩ
10 V
FIG. 4.126
Problema 29.
IC
IB VC
VCE IC
VE VCE B
IB
2.2 kΩ
I I
6 V RB
β = 120
100 kΩ
1.2 kΩ
IC VC
IB
VC
+
VCE
VC
FIG. 4.136
Problema 43.
4.15 Redes de conmutación con transistores
*44. Utilizando las características de la figura 4.111, determine la apariencia de la forma de onda de sali-
da para la red de la figura 4.137. Incluya los efectos de VCEsat, y determine IB, IBmáx, e ICsat cuando
Vi = 10 V. Determine la resistencia de colector a emisor en las situaciones de saturación y corte.
*45. Diseñe el inversor de transistor de la figura 4.138 para que opere con una corriente de saturación de
8 mA utilizando un transistor con una beta de 100. Use el nivel de IB igual al 120% de IBmáx y valo-
res de resistor estándar.
46. a. Utilizando las características de la figura 3.23c, determine tencendido y tapagado con una corriente de
8 mA utilizando un transistor con una beta de 100. Note el uso de escalas logarítmicas y la posi-
ble necesidad de recurrir a la sección 9.2.
b. Repita la parte (a) con una corriente de 10 mA. ¿Cómo cambian tencendido y tapagado con un incre-
mento de la corriente de colector?
c. Para las partes (a) y (b), trace la forma de onda de pulso de la figura 4.81 y compare los resultados.
10 V
Vi 2.4 kΩ
Vo
10 V
180 kΩ
Vi
0V
t
FIG. 4.137
Problema 44.
5V
Vi RC
5V Vo
RB
Vi b = 100
0V
t
FIG. 4.138
Problema 45.
4.16 Técnicas de solución de fallas
*47. Todas las lecturas de la figura 4.139 revelan que la red no está funcionando como es debido. Liste
tantas razones como pueda para las lecturas obtenidas.
*48. Las lecturas que aparecen en la figura 4.140 revelan que las redes no están funcionando correctamen-
te. Sea específico al describir por qué los niveles obtenidos reflejan un problema con el comporta-
miento esperado de la red. En otros términos, los niveles obtenidos reflejan un problema muy espe-
cífico en cada caso.
49. Para el circuito de la figura 4.141:
a. ¿Se incrementa o decrementa VC si RB se incrementa?
b. ¿Se incrementa o decrementa IC si b se reduce?
c. ¿Qué le pasa a la corriente de saturación si b se incrementa?
d. ¿Se incrementa o decrementa la corriente de colector si VCC se reduce?
e. ¿Qué le pasa a VCE si el transistor es reemplazado por uno con b más pequeña?
PROBLEMAS 243
20 V
+
20 V
–
0V 0.05 V
FIG. 4.139
Problema 47.
16 V 16 V
3.6 kΩ 3.6 kΩ
91 kΩ 91 kΩ
VB = 9.4 V
b = 100 2.64 V b = 100
4V
18 kΩ 18 kΩ
1.2 kΩ 1.2 kΩ
(a) (b)
FIG. 4.140
Problema 48.
VC
VB
VE
VC
VB
VE
FIG. 4.143
Problema 51.