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Materiais e Dispositivos Eletrˆonicos

Editora Livaria da Fı́sica


ii
iii

Materiais e Dispositivos Eletrˆonicos

SERGIO M. REZENDE
Departamento de Fı́sica
Universidade Federal de Pernambuco

Editora Livraria da Fı́sica


São Paulo - 2004 -2 a¯ edição
iv

Copyright 2004: Editora Livraria da Fı́sica


Editor: José Roberto Marinho
Capa: Miguel Pach´a
Revisão: Sergio Machado Rezende
Impressão: Gráfica Paym

Dados de cataloga¸cão na Publica¸cão (CIP) Internacional


( Câmara Brasileira do Livro, SP, Brasil )

Rezende, Sergio Machado


Materiais e Dispositivos Eletrˆonicos / Sergio M. Rezende
2a¯ edição - S˜ao Paulo: Editora Livraria da Fı́sica

Bibliografia

1. Fı́sica 2. Eletrônica 3. Materiais I . Tı́tulo

XX-XXXX CDD-XXX

Índices para cat´alogo sistemático


1. Materiais e dispositivos eletrˆonicos
ISBN: XXXXXXXXX
Editora Livraria da Fı́sica
Telefone: 0xx11 - 3816 7599
Fax: 0xx11 - 3815 8688
e-mail: livraria@if.usp.br
Página na internet: www.livrariadafisica.com.br
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Í N D I C E

Prefácio viii

Capı́tulo 1. Materiais para Eletrônica 1

1.1 Eletrônica e Fı́sica do Estado Sólido 2


1.2 Ligações Atômicas 5
1.3MateriaisCristalinos 8
1.4 Materiais para Dispositivos Eletrônicos 14

Capı́tulo 2. Ondas e Partı́culas na Matéria 27

2.1OndasEletromagnéticas 28
2.2 Ondas El´asticas em Sólidos 34
2.3 Efeito Fotoelétrico - Ondas e Partı́culas 40
2.4 O Elétron como uma Onda - Princı́pio da Incerteza 46
2.5 Fônons e outras Excita¸cõesElementares 50

Capı́tulo 3. Mecânica Quântica: O Elétron no Átomo 55

3.1 Os Postulados da Mecˆanica Quântica 56


3.2 A Equação de Schroedinger Independente do Tempo 60
3.3 Aplicações Simples da Mecˆanica Quântica 62
3.4 Elétron no ÁtomodeHidrogênio 73
3.5 ÁtomosdeMuitosElétrons 84
vi

Capı́tulo 4. Elétrons em Cristais 91

4.1BandasdeEnergiaemCristais 92
4.2 Condutores, Isolantes e Semicondutores 98
4.3MassaEfetiva 101
4.4 Comportamento dos Elétrons em T > 0 - Distribui¸cão de Fermi-Dirac 103
4.5 O Mecanismo da Corrente Elétrica em Metais 109

Capı́tulo 5. Materiais Semicondutores 117


5.1Semicondutores 118
5.2 Elétrons e Buracos em Semicondutores Intrı́nsecos 122
5.3Semicondutores Extrı́nsecos 135
5.4 Dinâmica de Elétrons e Buracos em Semicondutores 145

Capı́tulo 6. Dispositivos Semicondutores: Diodos 167

6.1 A Junção p-n 168


6.2 Corrente na Jun¸cãoPolarizada 180
6.3 Heterojunções 186
6.4 Diodo de Jun¸cão 192
6.5DiododeBarreiraSchottky 198
6.6 Ruptura na Polariza¸cão Reversa: Diodo Zener 200
6.7OutrosTiposdeDiodos 202

Capı́tulo 7. Transistores e
Outros Dispositivos Semicondutores 215

7.1OTransistor 217
7.2OTransistorBipolar 219
7.3 Correntes no Transistor Bipolar 225
7.4 AplicaçõesdeTransistores 237
7.5 Transistores de Efeito de Campo 241
7.6OTransistorMOSFET 251
7.7 Dispositivos de Controle de Potência: SCR e TRIAC 267
7.8CircuitosIntegrados 271
vii

Capı́tulo 8. Materiais e Dispositivos Opto-Eletrônicos 287

8.1 Propriedades ÓpticasdosMateriais 289


8.2 Interação da Radiação com a Matéria - Modelo Clássico 298
8.3 Teoria Quântica da Interação Radiação-Matéria 308
8.4Fotodetetores 323
8.5DiodoEmissordeLuz(LED) 342
8.6 EmissãoEstimuladaeLasers 348
8.7 OLaser de Diodo Semicondutor 359
8.8 AplicaçõesdosLasersdeDiodo 372

Capı́tulo 9. Materiais e Dispositivos Magnéticos 383

9.1 Magnetismo e Materiais Magnéticos 385


9.2 Propriedades Magnéticas da Matéria 390
9.3MateriaisMagnéticos 400
9.4 Materiais para Aplica¸cõesTradicionais 416
9.5 GravaçãoMagnética 425
9.6 Dispositivos de Ferrites para Microondas 442

Capı́tulo 10. Outros Materiais Importantes


para a Eletrônica 463

10.1MateriaisDielétricos 465
10.2 Materiais Dielétricos para Opto-Eletrônica 484
10.3 Materiais para Mostradores e Telas de Vı́deo 493
10.4MateriaisSupercondutores 514

Apêndice A. Teoria de Perturbação: Cálculo


da Probabilidade de Transição 535

Apêndice B. Constantes Fı́sicas e Tabela de


Conversão de Unidades Energia 539

Apêndice C. Tabela Periódica dos Elementos 540

Índice Analı́tico 541


viii

Prefácio

O advento da eletrˆonica e das tecnologias a ela relacionadas foi um dos


principais responsáveis pelas grandes transforma¸cões econômicas e sociais ve-
rificadas no final do Século XX. O desenvolvimento destas tecnologias resultou
de um enorme investimento em pesquisa básica e aplicada nos paı́ses industri-
alizados. Como conseqüência, estes pa´ıses passaram a concentrar a maior parte
do conhecimento cientı́fico e tecnológico e, por conseguinte, têm hoje grande
vantagem competitiva em relação aos demais numa economia globalizada.

O Brasil custou a criar condições para dominar as tecnologias relacionadas


à eletrônica. O primeiro curso de engenharia eletrônica só foi criado na década
de 1950, no Instituto Tecnol´ogico de Aeron´autica. Em 1958, e portanto dez
anos após a descoberta do transistor, haviam no Paı́s menos de dez fı́sicos do
Estado Sólido, a área da ciência que mais contribuiu para o desenvolvimento da
eletrônica. Todavia, a partir da década de 1960, foi desencadeado um grande
esforço de desenvolvimento cientı́fico e tecnológico no Paı́s. Foram criados gru-
pos de pesquisa e cursos de p´os-graduação em todas as ´areas do conhecimento.
Isto resultou numa melhoria consider´avel nos cursos de ciências e engenharia
e, conseqüentemente, na qualidade dos recursos humanos formados para as
universidades, as empresas e a sociedade em geral. A despeito do progress o
recente, ainda é necessário investir muito em ciência e tecnologia no Brasil.

Este livro tem como objetivo contribuir para o aumento da competência


do Paı́s na eletrônica, que sem d´uvida será uma tecnologia estratégica para
o século XXI. Sua proposta básica é introduzir os materiais e dispositivos
eletrônicos no est´agio inicial dos cursos de gradua¸cão de engenharia elétrica,
eletrônica e de computadores, fı́sica, informática e outros cursos de ciências e
engenharia. Todos sabemos que a compreensão da finalidade e da opera¸ cão
básica dos dispositivos é essencial para projetar equipamentos eletrônicos. En-
tretanto, as disciplinas de dispositivos, quando constam dos currı́culos, exigem
inúmeros pré-requisitos que acarretam sua apresentação em est´agio avançado
dos cursos universitários. Este livro possibilita o ensino de materia is e dispo-
sitivos eletrônicos a partir do 4 o¯ semestre dos cursos, pois apresenta também
os conceitos b´asicos de ondas e de mecˆ anica quântica em nı́vel acessı́vel aos
estudantes.

O livro tem caráter introdutório e não entra nos detalhes técnicos mais es-
pecı́ficos dos dispositivos e dos métodos de fabricação de materiais. Preferi sa-
crificar o detalhe em favor da abrangência, apresentando dispositivos e materi-
ix

ais baseados numa grande variedade de fenômenos. A ênfase é na conceituação


fı́sica das propriedades dos materiais e dos princı́pios básicos de funcionamento
dos dispositivos. Procurei fazer uma apresentação bastante did´atica, visando
principalmente motivar estudantes, como também profissionais de outras áreas,
pela eletrônica. Esta abordagem d´a ao livro um car´ater srcinal.

O material é adequado para dois semestres tradicionais de aulas. Os


três primeiros capı́tulos apresentam a introdução b´asica de materiais para
eletrônica e a conceituação fı́sica necessária para a compreensão dos fenômenos
que neles ocorrem. Nesta parte o conceito de onda é bastante explorado, pois
ele desempenha papel fundamental na mecˆanica quântica e, por conseguinte,
nas propriedades de elétrons nos átomos e nos materiais. O Capı́tulo 4 é dedi-
cado ao estudo das principais propriedades dos elétrons nos materiais, sendo,
portanto, também básico para os capı́tulos seguintes.

A partir do Capı́tulo 5 os temas tornam-se mais especı́ficos. Neste


capı́tulo são apresentados as principais caracterı́sticas dos materiais semicon-
dutores. Os Cap´ıtulos 6 e 7 são dedicados aos princı́pios de funcionamento dos
dispositivos fabricados com estes materiais, diodos, transistores e dispositivos
correlatos, que hoje existem numa grande variedade de tipos e categorias. O
diodo de jun¸cão e o transistor de junção são estudados em maior detalhe, uma
vez que suas equa¸cões podem ser inteiramente deduzidas a partir das leis e
equações básicas, apresentadas nos capı́tulos iniciais.

O Capı́tulo 8 apresenta as propriedades básicas da interação da luz com a


matéria e uma variedade de dispositivos usados na convers˜ ao da luz em corrente
elétrica, ou vice-versa. Estes dispositivos são responsáveis pela viabilização da
opto-eletrônica e suas aplicações em diversas áreas da ciência, da medicina e da
engenharia. Nesta categoria encontram-se os fotodetetores, como os fotodiodos
e as células solares, os diodos emissores de luz (LED) e os lasers. Os princı́pios
básicos dos lasers de semicondutores e das fibras ´ opticas são estudados em
mais detalhe, em virtude de sua importância nas comunicações ópticas.

O Capı́tulo 9 é dedicado a materiais e dispositivos magnéticos, que de-


sempenham um papel fundamental na eletrˆonica e que normalmente n˜ao são
apresentados nos livros de dispositivos. Ênfase especial é dada aos processos
de gravação magnética, uma vez que esta tecnologia tem importância crescente
nos computadores e em in´umeras aplicações da vida di´aria. Os dispositivos de
ferrite para utilização nos sistemas de microondas também têm destaque neste
cap´ıtulo.

Finalmente, o Capı́tulo 10 apresenta uma variedade de materiais com


x

aplicações especı́ficas, porém muito importantes na gama cada vez maior de


dispositivos eletrônicos. Entre eles destacam-se os materiais piezoelétricos, os
dielétricos usados na opto-eletrônica, os eletretos e os materiais empregados
na fabricação de telas de v´ıdeo, as cerâmicas fosforescentes, os cristais lı́quidos
e os condutores orgˆanicos. A última seção apresenta as propriedades b´asicas
dos materiais supercondutores, que têm algumas aplicações práticas e têm
potencial de futuras aplica¸cões em eletrônica.

Os materiais e dispositivos apresentados neste livro s˜ ao essenciais para


o funcionamento dos equipamentos eletrônicos da atualidade e provavelmente
dos que serão utilizados nas pr´oximas décadas. Ao decidir escrevê-lo, no inı́cio
da década de 1990, a motivação principal era suprir uma lacuna na literatura
técnica em lı́ngua portuguesa. A primeira edi¸cão foi publicada pela Editora da
UFPE em 1996, com o tı́tulo A F´ısica de Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos.
Pela reação inicial positiva que percebi em professores e estudantes, fiquei
otimista com a possibilidade de vê-lo adotado como livro texto em diversos
cursos. Isto realmente aconteceu, pelo que tenho conhecimento, ele foi adotado
em pelo menos quinze universidades brasileiras e uma em Portugal. Isto exigiu
que a primeira edi¸cão fosse reimpressa duas vezes.

Nesta segunda edi¸cão retirei a palavra Fı́sica do tı́tulo, pois percebi que
em algumas livrarias o livro n˜ao era colocado nas se¸cões de Engenharia, mas
apenas nas de Fı́sica. Em relação à primeira edição, a atual tem diversas novi-
dades, como exemplos numéricos em todos os capı́tulos, seções com material
novo, principalmente nos últimos cap´ıtulos, além de uma revisão completa do
texto, com melhoria de algumas explica¸cões e extensa corre¸cão de pequenos
erros.
É com satisfa¸cão que agrade¸co a colabora¸cão de v´arios colegas profes-
sores do Departamento de Fı́sica da UFPE, feita por meio de sugestões diver-
sas, crı́ticas e revisões de textos. Sou grato em particular a Anderson Gomes,
Antônio Azevedo, Celso Melo, Cid Ara´ujo, Fernando Machado, Flávio Aguiar
e José Marcı́lio Ferreira. Sou muito grato a Gilvani Holanda pelo compe-
tente e dedicado trabalho de digita¸cão, a Carlos Marrocos e Joaquim Antˆonio
Soares pela confec¸cão das figuras, a Jairo Coutinho, pelo belo trabalho de di-
agramação, e a meu genro, o artista pl´ astico Miguel Pach´a, que fez a capa
do livro. Minhas atividades de pesquisa, e portanto as condi¸cões para a re-
alização deste livro, n˜ao seriam possı́veis sem o apoio financeiro do CNPq,
FINEP, CAPES, MCT e da UFPE. Desde já deixo os agradecimentos anteci-
pados a todos aqueles que, futuramente, me enviarem crı́ticas e sugestões para
a melhoria do livro (smr@df.ufpe.br).
xi

Não posso perder a oportunidade de deixar registrado o reconhecimento


a Leo e Elsa, meus pais, que me educaram e sempre souberam me estimu-
lar, e a Cl´audia, Isabel e Marta, minhas filhas, que ao se tornarem adultas,
compreenderam bem porque n˜ao dediquei a elas mais tempo quando eram
crianças.

Finalmente, meu maior agradecimento é para Adélia, que sempre me


incentivou nesta empreitada, ajudou a esclarecer inúmeras dúvidas ortográficas
e acompanhou com grande interesse cada uma das fases da elaboração das duas
edições do livro.

Recife, 29 de janeiro de 2004

O autor
Capı́tulo 1

Materiais para Eletrˆonica

1.1 Eletrônica e Fı́sica do Estado Sólido 2

1.2 Ligações Atômicas 5

1.3 Materiais Cristalinos 8

1.3.1RedesCristalinas 9
1.3.2 Estruturas Cristalinas Simples 11

1.4 Materiais para Dispositivos Eletrônicos 14

1.4.1Monocristais 14
1.4.2 CerâmicasVidros
e 17
1.4.3Polı́meros 19
1.4.4CristaisLı́quidos 20
1.4.5 Filmes Finos e Multicamadas 21

REFERÊNCIAS 25

PROBLEMAS 25

1
2 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Materiais para Eletrônica

1.1 Eletrônica e Fı́sica do Estado Sólido

A Eletrônica é o ramo da tecnologia mais marcante do Século XX. Ela surgiu


em 1906 com a inven¸cão por Lee De Forest, nos Estados Unidos, da v´ alvula
triodo, um dispositivo que tornou possı́vel a amplificação de sinais elétricos. A
válvula triodo consiste de um tubo a v´acuo contendo três eletrodos: o catodo,
que aquecido emite elétrons, o anodo, no qual os elétrons são recebidos, e a
grade, situada entre o catodo e o anodo, que serve para controlar o fluxo de
elétrons e possibilitar a amplificação de sinais. Além do triodo, há outros tipos
de válvulas, como o diodo, que tem dois eletrodos (apenas catodo e anodo),
os pentodos com cinco, entre outras. O funcionamento de todas as v´ alvulas é
baseado no controle do movimento dos elétrons entre os eletrodos por meio
da a¸cão de um campo elétrico sobre sua carga elétrica. Esta é a srcem do
nome Eletrônica.

O principal produto da Eletrˆ onica na primeira metade do século XX


foi, o r´adio, que possibilitou a comunicação e a difus˜ ao de informações `a
distância através da voz e da música. Mais tarde foi dese nvolvido o sistema
para a transmissão à distância de imagens em movimento, a televisão. Depois
vieram os computadores e também uma grande variedade de equipamentos
para diversas finalidades. Porém, a Eletrônica baseada nas v´alvulas a v´acuo
tinha grandes limita¸cões e inconvenientes. As válvulas eram grandes, fr´ageis,
aqueciam muito, tinham vida curta e fabrica¸cão dispendiosa, além de várias
desvantagens técnicas. Por esta razão, desde antes da segunda Grande Guerra
procurava-se um dispositivo que pudesse substituir as válvulas nos equipamen-
tos eletrônicos. O grande passo nest a direção foi dado em 1947 por J. Bardeen,
W. Brattain e W. Shockley, três fı́sicos dos laboratórios da Bell Telephone que
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 3

estudavam propriedades de condução eletrônica em semicondutores. Naquele


ano eles descobriram o transistor, um dispositivo de três elementos que possi-
bilitava o controle da corrente elétrica no interior de um material semicondutor,
e que poderia substituir a v´ alvula triodo. Durante a década de 1950 o tran-
sistor foi aperfei¸coado, tornando-se um dispositivo confi´avel, com aplica¸cões
nos mais diversos equipamentos eletrˆonicos e com custos de fabrica¸ cão cada
vez mais baixos. Na década de 1960 assistimos à miniaturização da eletrônica,
com o desenvolvimento dos circuitos integrados, contendo inúmeros transis-
tores e diodos, interligados com resistores e capacitores, fabricados na mesma

pastilha
tos de semicondutor.
de dimensões A fabricação
da ordem de dos circuitos
alguns micrˆometros (10integrados
−6
metros)com elemen-
deu srcem `a
tecnologia da microeletrônica. Com a crescente miniaturização dos compo-
nentes, surgiram na década de 1970 os microprocessadores, com os quais foi
possı́vel fabricar os microcomputadores. A produção de circuitos integrados e
microprocessadores cada vez mais r´apidos e com maior n´umero de elementos
está produzindo uma constante evolu¸cão na Eletrônica. Esta evolu¸cão provo-
cou uma enorme mudan¸ca nos costumes da sociedade, proporcionada pelos
modernos sistemas de comunica¸cão, a ampla utiliza¸cão dos computadores, a
automação dos meios de produ¸cão e os mais variados equipamentos utilizados
em nossa vida diária. Por esta razão, a Eletrônica tornou-se um dos principais
fatores de desenvolvimento do final do século XX e provavelmente continuará
com este papel no século que inicia.

Além dos diodos, transitores, circuitos integrados e microprocessadores,


cuja operação é baseada nas propriedades de transporte eletrˆ onico dos semicon-
dutores, existe um grande n´umero de outros dispositivos que d˜ao à eletrônica
uma enorme variedade de aplicações. Eles são baseados em diversas pro-
priedades de materiais s´olidos, ópticas, magnéticas, térmicas, etc. A desco-
berta desses dispositivos s´o foi possı́vel graças ao conhecimento acumulado
com as atividades de pesquisa em Fı́sica do Estado Sólido. Esta é a área da
Fı́sica que investiga as propriedades e os fenômenos que ocorrem em materiais
sólidos, e que ganhou um grande impulso com a descoberta do transistor. Até
a década de 1950, os trabalhos nesta área estavam concentrados nos s´olidos
cristalinos, que são aqueles cujos ´atomos ou ı́ons constituintes têm um arranjo
ordenado peri´odico. Nesses sólidos ocorrem fenˆomenos que n˜ao existem em
materiais amorfos. Além disso, como eles têm estrutura cristalina com pro-
priedades de simetria bem definidas, os fenˆ omenos podem ser interpretados
pelas leis da Fı́sica com mais facilidade. Com o progresso das técnicas experi-
mentais e teóricas de investigação, esta área se estendeu a materiais mais com-
plexos, como vidros, pol´ımeros orgânicos diversos, ligas amorfas e até mesmo
os lı́quidos, passando a ser conhecida como Fı́sica da Matéria Condensada.
4 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Nesta área da F´ısica trabalham atualmente mais de 40% dos fı́sicos em todo o
mundo e a cada ano surgem novas linhas de pesquisa, impulsionadas pela des-
coberta de novas propriedades, novos fenômenos e novos materiais artificiais.
Estes, por sua vez, abrem o potencial para o desenvolvimento de novos dis-
positivos que encontram aplicações nos mais variados segmentos tecnológicos,
e cujo interesse econˆomico impulsiona as pesquisas b´asica e aplicada. Foram
as descobertas em Fı́sica da Matéria Condensada que possibilitaram o desen-
volvimento do transistor, dos circuitos integrados e de in´ umeros dispositivos
que revolucionaram a eletrˆonica e os computadores. Os lasers encontraram

inúmeras aplicações
comunicações naOs
ópticas. ind´ustria e na
materiais medicina novos
magnéticos e propiciaram o advento
aveis das
são os respons´ pela
melhoria de dispositivos e de processos de grava¸ cão, que estão tendo enorme
impacto nos meios de comunica¸cão e nos computadores.

Entretanto, não foi apenas por causa de sua importˆancia tecnológica que
a nova ´area se desenvolveu rapidamente. A enorme variedade de fenômenos
que os elétrons e os núcleos apresentam coletivamente em sólidos deu srcem
a descobertas fundamentais excitantes. Esta é uma das razões para que cerca
de 50% dos prêmios Nobel nos últimos 30 anos tenham sido dados a fı́sicos
que trabalharam nesta área. Foram eles J. Bard een, L.N. Coope r e J.R.
Schrieffer (1972 - teoria de supercondutividade), L. Esaki, I. Giaever e B.
Josephson (1973 - efeito de tunelamento em s´ olidos), P.W. Anderson, N.F.
Mott e J.H. Van Vleck (1977 - estudos de s´ olidos amorfos e propriedades
magnéticas da matéria), P. Kaptisa (1978 - estudos em baixas temperatu-
ras), N. Bloembergen, A.L. Schawlow e K.M. Siegbahn (1981 - espectroscopia
com lasers e de fotoelétrons), K.G. Wilson (1982 - teoria de grupo de renor-
malização e transições de fase), K. von Klitzing (1985 - efeito Hall quˆ antico),
G. Binning, H. Rohrer e E. Ruska (1986 - inven¸ cão do microsc´opio de tunela-
mento e do microsc´opio eletrônico), K.A. M¨uller e G. Bednorz (1987 - des-
coberta da supercondutividade em altas temperaturas, P. de Gennes (1991 -
estudos de polı́meros e cristais lı́quidos), B.N. Brockhouse e C.G. Shull (1994
- desenvolvimento de técnicas de espalhamento de nêutrons para o estudo de
materiais), D.M. Lee, D.D. Osheroff e R.C. Richardson (1996 - descoberta da
superfluidez em Helio 3), R.B. Laughlin, H.L. Stormer e D.C. Tsui (1998 -
descoberta de fluido quˆantico com excita¸cões de carga fracion´aria), e no ano
2000, Z.I. Alferov e H. Kroemer pelo desenvolvimento de heteroestruturas de
semicondutores, juntamente com Jack Kilby, um dos maiores responsáveis pela
invenção dos circuitos integrados. Assim, o prêmio Nobel de Fı́sica da virada
do milênio marcou a importância da área para o desenvolvimento da eletrônica.
Foi interessante, também, o fato de o prêmio Nobel de Quı́mica em 2000 ter
sido agraciado aos fı́sicos A. Heeger, A. MacDiarmid e H. Shirakawa, pela des-
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 5

coberta e desenvolvimento dos polı́meros condutores, materiais que começam


a ter aplica¸cões comerciais na eletrˆonica.

Os materiais s´olidos investigados na Fı́sica da Matéria Condensada ou


utilizados em dispositivos eletrˆonicos, em geral n˜ao s˜ao encontrados na na-
tureza. Eles são produzidos artificialmente a partir de compostos quı́micos com
alto grau de pureza, através de processos diversos. Os processos de fabrica-
ção de materiais est˜ao tornando-se cada vez mais sofisticados, possibilitando a
obtenção de estruturas artificiais não imagináveis há duas décadas. É possı́vel,
por exemplo, utilizando a técnica de epitaxia de feixe molecular (MBE), de-
positar camadas atˆomicas individuais, uma ap´os outra, formando uma multi-
camada ou super-rede cristalina. O domı́nio das técnicas de preparação de ma-
teriais é então essencial para a investigação em Fı́sica da Matéria Condensada
e para a fabrica¸cão de dispositivos eletrˆonicos. A compreens˜ao dos fenˆomenos
que ocorrem nos s´olidos requer o domı́nio de vários conceitos fundamentais
que serão apresentados a partir da pr´oxima seção. Vamos iniciar discutindo
uma questão básica: por que e como os ´atomos dos diversos elementos formam
materiais sólidos?

1.2 Ligações Atômicas

Vamos considerar inicialmente o caso de s´olido do tipo do cloreto de s´ odio,


NaC. Por razões conhecidas da quı́mica, e que são explicadas em detalhe pela

mecânica
outro quântica,
elétron um átomo
extra para de cloro,
completar com seus
sua terceira 17 elétrons,
“camada” tende ea tornar-se
eletrônica capturar
estável. Por outro lado, um ´atomo de sódio com 11 elétrons tende a perder seu
único elétron da terceira camada para que as duas camadas interiores formem
um núcleo fechado. Então, quando um átomo de cloro est´a próximo de outro
de sódio, este passa seu elétron para o de cloro, dando srcem a dois ı́ons
com cargas elétricas opostas, que se atraem devido à interação eletrostática.
Em outras palavras, os ´atomos de cloro e de s´odio juntos formam um sistema
que tem menor energia do que quando est˜ao long e um do outr o. Entre-
tanto, quando os dois ı́ons se aproximam muito, a repulsão entre os elétrons
mais externos faz com que a energia aumente impedindo uma maior apro-
ximação. A Fig.1.1 mostra a variação da energia de intera¸ cão entre os dois
ı́ons em função da distância entre eles. Quando os ı́ons estão muito afastados,
a energia eletrost´atica diminui com o aumento da distˆ ancia r, aproximada-

mente como (1/r). Por outro lado, quando os ı́ons est˜ao muito pr´oximos,
a energia cresce exponencialmente `a medida que a distˆancia diminui. Existe
6 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 1.1: Energia de interação efetiva entre um ı́on Na+ e um ı́on C− em função da
distância entre seus n´ucleos.

então uma distância a na qual a energia é mı́nima e o sistema pode estar em


equil´ıbrio estável. Quando temos 10 23 átomos de s´odio “próximos” de 10 23
átomos de cloro acontece essencialmente o mesmo, mas agora eles tendem a
formar um sistema tridimensional em equilı́brio, na forma de um sólido cris-
talino. Este tipo de liga¸cão é chamada iônica, e é a mais simples de entender.
Há outros três tipos de ligações entre átomos nos materiais: covalente, molecu-
lar e metálica. Todas elas resultam da interação Coulombiana envolvendo os
elétrons e os núcleos dos átomos. O tipo de liga¸cão é determinante de algumas
propriedades do material, apresentadas brevemente a seguir.

Nos sólidos iônicos, como vimos, a liga¸cão é devida à atração eletros-


tática entre ı́ons de cargas opostas, como ilustrado esquematicamente em duas
dimensões, na Fig.1.2(a). Esta ligação é muito forte e por isso o ponto de
fusão do material é alto. Em outras palavras, é preciso uma grande energia de
agitação térmica para que os átomos libertem-se uns dos outros para formar
o estado lı́quido. Como os elétrons est˜ao fortemente ligados aos ´atomos, estes
cristais têm em geral uma pequena condutividade elétrica e térmica, isto é,
são bons isolantes. A ausência de elétrons livres resulta também numa boa
transparência óptica em uma grande parte do espectro eletromagnético. Al-
guns exemplos tı́picos de sólidos iônicos são os halogenetos alcalinos (NaC ,
KC, NaBr, LiF, etc.), v´arios óxidos, sulfetos, selenetos, teluretos, e outros.
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 7

Figura 1.2: Ilustração esquemática dos quatro principais tipos de liga¸ cão em s´olidos:
(a) Ligação iônica; (b) Liga¸cão covalente; (c) Ligação molecular; (d) Ligação metálica.

Na ligação covalente os elétrons de valência são compartilhados entre


átomos vizinhos, como ilustrado na Fig.1.2(b). Neste caso a atra¸ cão é devida
à presença dos elétrons entre os átomos, que atraem simultaneamente átomos
vizinhos que foram deixados positivos com sua ausência. Os sólidos covalentes
têm em geral um ponto de fusão menor que os iˆ onicos, porém têm maior
dureza. Alguns dos importantes materiais covalentes s˜ao os semicondutores,
sil´ıcio, germânio, GaAs, InSb, etc.

A ligação molecular é bem mais fraca do que nos dois casos anteriores.
Ela resulta da atra¸cão entre dipolos elétricos formados nos átomos por um
pequeno deslocamento das camadas eletrˆonicas em rela¸cão aos n´ucleos, como
na Fig.1.2(c). Sólidos com esta liga¸cão têm ponto de fusão muito baixo, em
geral menor do que 10 K, como é o caso de cristais de gases solidificados, como
oxigênio, nitrogênio e outros gases inertes.

Em metais, de cer ta mane ira a liga¸cão pode ser considerada iˆ onica.


Estes materiais são formad os por átomos que têm poucos elétrons fora de sua
última camada cheia sendo, portanto, fracamente ligados ao n´ ucleo atômico.
Quando postos juntos, estes ´atomos liberam seus ´ultimos elétrons que ficam
“passeando” livremente entre eles, formando um “mar” de elétrons. Este mar
negativo de elétrons tende a manter juntos os ı́ons positivos devido à atração
8 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

eletrostática, como mostrado esquematicamente na Fig.1.2(d). Desta forma a


ligação é razoavelmente fraca, o que resulta em ponto de fusão relativamente
baixo, maleabilidade, ductibilidade e grande condutividade térmica e elétrica,
que são propriedades caracter´ ısticas dos metais.

1.3 Materiais Cristalinos

aGrande parte
estrutura dedos materiais
s´olidos usadosou
cristalinos nacristais.
fabricação
Um decristal
dispositivos eletrônicos
perfeito é aquele tem
que
tem um arranjo regular e periódico de átomos ou ı́ons, formado pela translação
repetitiva de uma célula unitária. O ordenamento regular dos ´atomos ou ı́ons
é o arranjo que minimiza a energia eletrostática total do conju nto. Por esta
razão, quando um material é fundido e depois resfriado lentamente, os átomos
ou ı́ons procuram as posições de menor energia e tendem a formar cristais.

A Fig.1.3(a) mostra a estrutura de um cristal de cloreto de césio. Ela


pode ser vista como formada por um par de ı́ons de Cs + e de C − , associado a
cada ponto de uma rede cristalina. Os ı́ons do par formam a base do cristal.
A rede cristalina é uma abstração matemática, constitu´ ıda de pontos obtidos
pela transla¸cão repetitiva dos pontos da c´ elula unitária , definida por três
vetores unitários a, b e c. A rede cristalina do cloreto de césio é cúbica simples

Figura 1.3: (a) Cristal de cloreto de césio, CsC . A rede cristalina ´e c úbica simples. A
base tem um ı́on Cs+ na posi¸cão 000 e um ı́on C− em 12 12 12 . Note que os ı́ons estão
desenhados com tamanho pequeno para facilitar a visualiza¸ cão. Num cristal real os ı́ons
vizinhos tocam-se. (b) Célula unitária do CsC .
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 9

e sua célula unitária está mostrada na Fig.1.3(b). Também estão indicados na


figura os vetores unitários e a base da estrutura do cristal. A base é composta
de um ı́on de Cs+ na posição 000 e outro de C − na posição 12 12 12 (referidas ao
comprimento a dos vetores unitários).

1.3.1 Redes Cristalinas

Embora
nas o n´umero
14 tipos de estruturas
diferentes de redes de cristais em
critalinas sejatrês
muito grande, existem
dimensões, ape-
mostradas na
Fig.1.4. As redes são agrupadas em sete sistemas de acordo com o tipo da
célula unitária: triclı́nico, monoclı́nico, ortorrômbico, tetragonal, c´ubico, tri-
gonal e hexagonal. Na Fig.1.4 estão indicadas as rela¸cões entre os ˆangulos α,
β , γ e entre os comprimentos a, b, c das arestas da célula unitária. a, b, c
são chamados parˆ ametros da rede . As células unitárias mostradas na figura
são chamadas células convencionais. Elas são as mais f´aceis de serem visua-
lizadas mas não são necessariamente as menores que reproduzem a rede pela
translação repetitiva. As menores células unitárias que reproduzem a rede s˜ao
chamadas c´ elulas primitivas. A Fig.1.5 mostra os vet ores primitivos a , b ,
c da rede c´ubica de faces centradas (fcc) e da rede c´ubica de corpo centrado
(bcc).

Os planos e eixos que passam por pontos da rede cristalina são representa-
dos por três algarismos que caracterizam suas coordenadas, chamados ı́ndices

de suas. interseções
Miller
minar Para obtercomos os
ı́ndices
eixosdea,um
b, cplano é preciso
da célula inicialmente
unitária. deter-
As interseções
são então representadas por n´umeros p, q , r que exprimem suas coordenadas
pa, qb, rc naqueles eixos. Os ı́ndices de Miller h, k ,  são os menores n´umeros
inteiros na mesma propor¸cão de 1p , 1q , 1r . Para representar o plano, os ı́ndices
são colocados entre parênteses (hk ). O eixo perpe ndicular ao plano ( hk ) é
representado por [hk ].

A Fig.1.6 mostra os três planos e os três eixos mais importantes de uma


rede cúbica. Veja que o plano paralelo ao eixo z e que intercepta os eixos x e
y nos pontos x = a e y = a respectivamente, é caracterizado pelas interseções
p = 1, q = 1, r = . Os recı́procos destes números dão os ı́ndices de Miller

do plano, ou seja (110). Note que como a rede c´ ubica é invariante em relação
a rotações de 90 ◦ em torno do eixo z , o plano (110) é equivalente aos planos
(110), (110) e (110), onde a barra acima do ı́ndice indica a interseção no lado
negativo do eixo. Esses planos também são equivalentes aos planos (101), (011)
10 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 1.4: Células unitárias das 14 possı́veis redes cristalinas em três dimensões.
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 11

Figura 1.5: Vetores primitivos das redes c´ ubicas de face centrada e de corpo centrado.

e seus equivalentes com ı́ndices negativos. O conjunto de planos equivalentes


{ }
é representado pelo sı́mbolo 110 . Do mesmo modo, o conjunto de eixos que
podem ser obtidos do eixo [110] por opera¸cões de simetria é representado pelo
s´ımbolo < 110 > .

Figura 1.6: Ilustra¸cão dos três principais planos e dos eixos de simetria de uma rede cúbica.

1.3.2 Estruturas Cristalinas Simples

Em geral muitas substˆancias diferentes cristalizam com a mesma estrutura


cristalina. Algumas estruturas são simples e são caracter´
ısticas de certos mate-
riais importantes na Eletrônica. A seguir apresentamos algumas das estruturas
mais conhecidas.

A estrutura do cloreto de césio , CsC , está mostrada na Fig.1.3. Ela


é caracterizada por uma rede cúbica simples com a base formada por dois
12 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

ı́ons de cargas opostas, o Cs+ na posi¸cão 000 e o C − na posi¸cão 12 12 12 . Note


que basta especificar um ı́on C− na base pois todos oito ı́ons nos vértices da
célula unitária são equivalentes, isto é, qualquer um pode ser obtido a partir do
outro por uma transla¸cão na rede cristalina. Como apenas 18 de cada ı́on C−
está contido no interior da célula unitária, para todos efeitos a célula contém
apenas um ı́on Cs+ e um ı́on C− . O parˆametro da rede do CsC  é a = 4, 11
Å. Outros cristais com a mesma estrutura são TBr (3,97 Å), CuZn (2,94 Å)
que é o latão tipo β , AgMg (3,28 Å), e BeCu (2,70 Å).

A estrutura do cloreto de sódio, NaC, está mostrada na Fig.1.7(a). Ela é


formada por uma rede c´ubica de faces centradas com dois ı́ons na base, um de
Na+ e outro de C − , separados por meia diagonal do cubo da célula unitária.
Note que a célula primitiva, não mostrada na figura, contém apenas um ı́on
de cada elemento. Por outro lado, a célula unit´aria contém quatro ı́ons de
cada elemento ( 12 dos 6 nas faces e 18 dos 8 nos vértices). Note também que
a estrutura do NaC  pode ser vista como formada por duas redes c´ ubicas de
faces centradas entrelaçadas, uma de Na + e outra de C − , deslocadas de meia
diagonal do cubo. O NaC  tem parâmetro de rede a = 5,63 Å. Outro cristal
que tem a estrutura do NaC  é o PbS (5,92 Å), conhecido como galena. Ele
é um material semicondutor e foi muito usado para fazer diodos de detecção
por contato met´alico nos “rádios galena”. Ainda ho je o PbS é utilizado como
detetor de radia¸cão infravermelha. Há também vários materiais importantes

Figura 1.7: (a) Estr utura do cloreto de s´odio, NaC , que pode ser construı́da com duas
redes cúbicas de faces centradas, uma de Na + e outra de C − , deslocadas uma da outra de
meia diagonal do cubo. (b) Ilustração do cristal de NaC , no qual o tamanho dos ı́ons é
comparável à distância entre eles.
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 13

para a eletrônica que têm a estrutura do NaC, como MgO (4,20 Å), muito
utilizado em componentes ´opticos, e o NiO (4,18 Å), empregado em disposi-
tivos de gravação magnética. Note que a Figura 1.7(a) é uma representação
simplificada da estrutura do NaC . Como as ´ultimas camadas eletrˆonicas de
ı́ons vizinhos estão muito próximas umas das outras, tudo se passa como se os
ı́ons vizinhos se tocassem, como ilustrado na Figura 1.7(b). O raio aparente
de cada ı́on é chamado raio iônico. No caso do NaC , o raio iˆonico do ı́on de
Na+ é 1,220 Å e o do C − é 1,595 Å. A soma desses dois raios iˆonicos é metade
do parâmetro de rede do NaC  (5,63 Å).

A estrutura cristalina do sulfeto de zinco , ZnS, c´ubico (zinc-blende),


também tem uma rede cúbica de faces centradas, como mostrado na Fig.1.8(a).
A base é formada pelo átomo de um dos elementos na posi¸cão 000 e por um
átomo do outro elemento na posi¸ cão 14 14 14 . A estrutura pode ser vist a como
formada por duas redes c´ ubicas de faces centradas entrela¸cadas, uma com
1
átomos de Zn e outra com S, deslocadas uma da outra de 4
da diagonal do
cubo. Desta forma, como pode ser vis to na Fig.1.8(a), cada ´atomo de Zn
têm quatro vizinhos de S e vice-versa, possibilitando uma ligação covalente
tetraédrica entre eles. O parâmetro da rede do ZnS é a = 5,41 Å. Também
cristalizam nesta estrutura v´arios semicondutores importantes formados por
elementos dos grupos III e V da tabela peri´ odica e por elementos dos grupos
II e VI. Exemplos de semicondutores III-V s˜ao o GaAs (5,65 Å), A As (5,66

Figura 1.8: (a) Célula unitária de sulfeto de zinco, ZnS. A rede também pode ser constru´ıda
por duas redes cúbicas de face centradas, uma de Zn e outra de S, deslocadas de um quarto da
diagonal do cubo: (b) Célula unitária da estrutura cristalina do diamante, na qual também
cristalizam os semicondutores Si e Ge.
14 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Å) e o InSb (6,49 Å), enquanto do tipo II-VI podemos citar CdS (5,82 Å) e
CdTe (6,48 Å).

Nosso ´ultimo exemplo de estrutura cristalina importante é a do dia-


mante, cuja célula unitária convencional est´a mostrada na Fig. 1.8(b). Ela
é igual a do ZnS, porém todos os átomos são do mesmo ele mento. No caso
do diamante o elemento é o carbono, C, sendo o parâmetro da rede a = 3,56
Å. A estrutura do diamante, caracterizada pelas liga¸ cões tetraédricas entre os
vizinhos resulta da liga¸cão covalente. Também cristalizam nesta estrutura os
importantes semicondutores silı́cio, Si (5,43 Å), e germânio, Ge (5,65 Å).

1.4 Materiais para Dispositivos Eletrônicos

Tradicionalmente, os livros de Ciência e Engenharia de Materiais classificavam


os materiais de acordo com suas propriedades mecânicas, nas seguintes catego-
rias: metais, cerˆamicas, polı́meros e compósitos. Nos ´ultimos anos, eles intro-
duziram a categoria dos semicondutores, p or conta de sua grande importˆancia
para a eletrˆonica. É melhor classificar os materiais utilizados para fabricar
dispositivos eletrônicos de acordo com suas principais propriedades fı́sicas.
Nos capı́tulos seguintes estudaremos as propriedades e os fenômenos que
ocorrem em semicondutores, materiais ópticos, materiais magnéticos ,
dielétricos e supercondutores. Entretanto, do ponto de vista da fabrica¸cão
dos materiais, é conveniente classificá-los de acordo com sua microestrutura.
A seguir apresentaremos, brevemente, algumas caracterı́sticas dos materiais e
de seus processos de prepara¸cão, divididos nas seguintes classes: monocristais;
cerâmicas e vidros; pol´ımeros; cristais lı́quidos; filmes finos e multicamadas.

1.4.1 Monocristais

Um monocristal, também chamado simplesmente de cristal, é um material


que apresenta ordem cristalina ao longo de toda sua extens˜ ao utilizável, tendo
dimensões tı́picas que variam de alguns milı́metros a muitos centı́metros. Exis-
tem inúmeros métodos para fabricar monocristais, sendo cada um adequado
a certas classes de materiais. Em geral o cristal é produzido a partir de um
lı́quido contendo os elementos que formam a rede cristalina. Quando uma
pequena amostra do cristal desejado, a semente, é colocada na solução, se
as condições de concentração e temperatura forem adequadas, seu volume au-
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 15

Figura 1.9: Ilustração do cadinho com o gradiente de temperatura usado no método de


Bridgman estático.

menta formando um cristal maior. O fator essencial para crescer o cristal a


partir da semente é possibilitar que os átomos da solu¸cão se agreguem lenta-
mente a ela, o que ocorre em posições que minimizam a energia total de ligação,
fazendo a rede cristalina crescer gradualmente. Em alguns casos simples, pode-
se utilizar a solu¸cão lı́quida da substância num certo solvente. Este é o caso
do NaC  que pode ser diluı́do em água. É muito comum também derreter
os compostos b´asicos a altas temperaturas, produzindo uma solu¸ cão fundida.
O aquecimento é feito num recipiente, chamado cadinho, usando um forno
resistivo ou de r´adio freqüência (RF).

Os dois métodos mais conhecidos para crescer cristais a partir da solução


fundida são o de Bridgman e o de Czochralsky. No primeiro, ilustrado na
Fig.1.9, a semente é colocada na parte inferior do cadinho contendo a solução
derretida. A temperatura do cadinho é diminuida lentamente mantendo-se
um gradiente do tipo da Fig.1.9, de modo que o cristal cresce de baixo para
cima. No método de Czochralsky, ilustrado na Fig.1.10, a semente é colocada
na extremidade inferior de uma haste em lento movimento de rota¸ cão, to-
cando a superfı́cie da solução derretida. Quando a haste em rota¸cão é puxada
lentamente para cima, a solução solidifica gradualmente em torno da semente,
fazendo o cristal crescer. A Fig.1.11 mostra um bast˜ao cilı́ndrico (lingote) de
silı́cio monocristalino crescido pelo método de Czochralsky, com diâmetro 10,2
cm (4 polegadas). Os dispositivos discretos e os circuitos integrados usados
em microeletrônica são fabricados sobre pastilhas, ou lˆaminas, de Si, obtidas
16 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 1.10: Ilustra¸cão do método de Czochralsky para crescer monocristais.

Figura 1.11: Bastão monocristal de Si crescido pelo método de Czochralsky, com 10,2 cm
de diâmetro. A pastilha mostrada na fotografia é obtida pelo corte do bastão e processada
para fabricar uma célula solar (cortesia da Heliodinâmica).
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 17

pelo corte de bast˜oes, como o da figur a. Atualmente, na ind´ustria de mi-


croeletrônica, utiliza-se lingotes com até 30 cm de diâmetro.

É possı́vel crescer monocristais de certos materiais a temperaturas bem


abaixo de seus pontos de fus˜ ao devido a propriedades tı́picas de misturas de
duas substâncias. Um método muito utilizado é o de epitaxia de fase lı́quida
- LPE , usado para crescer camadas do semicondutor GaAs sobre sementes do
mesmo material. Isto é possı́vel porque o ponto de fusão de GaAs é 1238◦ C,
enquanto a mistura de GaAs com o metal Ga tem uma temperatura de fus˜ ao
bem menor. Se uma semente de GaAs é mergulhada numa solução de Ga +
GaAs, derretida a uma temperatura menor que 1238 ◦ C, ela se mantém sólida
enquanto novas camadas cristalinas são formadas sobre ela com os ´atomos de
Ga e As da solu¸cão.

1.4.2 Cerâmicas e Vidros

A palavra cerâmica é originária do grego “keramos”, que era o nome do barro


utilizado para fazer jarros. Atualmente ela é usada para designar uma varie-
dade de compostos inorgânicos não metálicos, geralmente duros, quebradiços e
com elevado ponto de fusão. Eles podem ser s´olidos amorfos ou policristalinos.
Para entender a diferença entre os dois tipos vamos considerar os exemplos da
sı́lica (SiO2 ) e da alumina (A 2 O3 ). A liga¸cão atômica nesses materiais tem um
caráter misto de iˆonica e covalente e, dependendo da forma de preparo, pode
resultar em s´olidos amorfos ou cristalinos. Se o resfriamento da solução fun-
dida for lento o material tende a ficar cristalino. No caso da sı́lica isto ocorre
com uma rede cúbica ou hexagonal de átomos de oxigênio, ficando os ı́ons de Si
entre eles com liga¸cões tetraédricas, como ilustrado na Fig.1.12(a). Quando a

Figura 1.12: (a) Vista em duas dimens˜oes das liga¸cões atômicas num monocristal de SiO 2 ,
o quartzo. (b) Ilustra¸cão de um policristal. (c) Liga¸cões em SiO 2 amorfo, a sı́lica.
18 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

cristalização é feita a partir de uma semente, forma-se um monocristal de SiO 2 ,


chamado quartzo. Entretanto, se não houver uma semente ´unica, a cristali-
zação ocorrerá simultaneamente a partir de muitos pontos no material. Neste
caso formam-se gr˜aos cristalinos orientados aleatoriamente, constituindo um
policristal, como ilustrado na Fig.1.12(b). Por outro lado, se o resfriamento
for rápido, os ´atomos não terão tempo para encontrar as posi¸ cões de menor
energia e n˜ao será formada uma rede cristalina. Neste caso n˜ao haverá or-
dem de longo alcance e o material será amorfo, ficando com liga¸cões atômicas
conforme ilustrado na Fig.1.12(c) para sı́lica (também chamado de quartzo

fundido).
na O caso do
forma amorfa, A 2 O3alumina,
chamada é semelhante
ou naao da sı́lica.
forma de umEle podechamado
cristal, ser encontrado
safira.

As cerâmicas também podem ser preparadas por sinteriza¸ cão. Neste pro-
cesso os constituintes do material na forma de p´ o são misturados e compacta-
dos com o formato final desejado. O material é então aquecido até próximo do
ponto de fusão e depois de resfriado resulta numa cerˆamica formada de gr˜aos
policristalinos com uma forte aderência entre si. Este é o processo usado para
fabricar objetos de cerˆamica de uso di´ario, como jarros, objetos de adorno,
etc. Quando a matéria prima é de alta qualidade e o processamento é feito
em condições muito controladas, obtêm-se as chamadas cerâmicas avançadas,
que encontram aplica¸cões diversas em eletrˆonica e em outros ramos da tec-
nologia. Atualmente é poss´ıvel fabricar partı́culas com dimensões na escala
nanométrica (1 nm = 10−9 m) com grande uniformidade de tamanhos, que ao
serem compactadas e processadas termicamente resultam em cerˆ amicas com
propriedades especiais para diversas aplicações.

Os materiais amorfos também são chamados de vidros e s˜ ao caracteri-


zados pela ausência de uma temperatura de fusão bem definida. Quando um
vidro é aquecido ele amolece gradualmente até tornar-se um lı́quido, sem uma
transição brusca da fase s´olida para a fase lı́quida, como ocorre em cristais.
Na realidade o vidro pode ser visto como um lı́quido de altı́ssima viscosi-
dade, que para efeitos práticos comporta-se como se os ´ atomos estivessem
congelados desordenadamente. Do ponto de vista da condutividade elétrica,
os materiais amorfos, ou vidros, podem ser met´alicos, isolantes ou semicondu-
tores. Na eletrˆonica eles encontram muitas aplicações em qualquer das formas.
Atualmente o silı́cio cristalino está sendo substituı́do pelo amorfo em vários
dispositivos, como por exemplo nas células solares.
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 19

1.4.3 Polı́meros

Os polı́meros consistem de moléculas com estrutura em cadeias longas, line-


ares ou ramificadas, e que resultam da combina¸ cão quı́mica de certo número
(tipicamente milhares) de unidades mais simples chamadas monômeros, repeti-
das de maneira regular ou aleatória. Enquanto que pol´ımeros naturais, como a
borracha, são conhecidos desde tempos imemoriais, só no século XX, com o de-
senvolvimento da indústria quı́mica, tornou-se possı́vel a preparação em larga
escala de polı́meros sintéticos, com as mais variadas propriedades. Não apenas
alterações na natureza quı́mica dos monômeros, mas mesmo simples diferenças
estruturais no tipo de organiza¸cão da cadeia, podem levar a moléculas com
propriedades fı́sicas e quı́micas profundamente distintas. Isto está ilustrado
na Fig.1.13 que mostra as cadeias de dois p olı́meros muito utilizados: o poli-
etileno e o cloreto de polivinila (PVC). O polietileno consiste de monˆ omeros
com um ´atomo de carbono e dois ´atomos de hidrogênio. A substituição de
um átomo de hidrogênio no etileno por outro de cloro resulta no PVC, um
material completamente diferente. Este exemplo explica a enorme diversidade
de polı́meros existentes.

Os materiais poliméricos mais utilizados na eletrônica são os “pl´asticos”


que servem de isolantes elétricos para cobertura de fios, para encapsular dis-
positivos e para fabricar pe¸cas com funções variadas. Entretanto, nos ´ultimos
anos, foram descobertos pol´ımeros e substâncias orgânicas que conduzem cor-
rente elétrica de forma semelhante a metais, semicondutores ou mesmo su-
percondutores. Eles também têm propriedades ópticas semelhantes às dos
semicondutores, e come¸cam a ser empregados em dispositivos eletrolumines-
centes. A atividade de pesquisa em torno deles ´e muito intensa, e espera-se,
que em poucos anos venham substituir semicondutores e metais tradicionais

Figura 1.13: Cadeias de dois polı́meros comuns, (a) polietileno e (b) cloreto de polivinila
(PVC).
20 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

em diversos dispositivos e sensores eletrônicos e optoeletrˆonicos, apresentados


na seção 10.3.

1.4.4 Cristais Lı́quidos

Os cristais lı́quidos são materiais que têm uma estrutura molecular com carac-
terı́sticas intermediárias entre a ordem orientacional e posicional de longo al-
cance dos cristais e a desordem tı́pica dos lı́quidos e gases. Os cristais lı́quidos
também apresentam propriedades que não são encontradas nem em lı́quidos
nem em sólidos, tais como: forma¸cão de monocristais com a aplica¸cão de cam-
pos elétricos; atividade óptica muito maior que s´olidos e lı́quidos tı́picos e
controlável por campos elétricos; grande sensibilidade a temperatura que pode
resultar em mudanças de sua cor.

Há duas grandes classes de cristais lı́quidos: os liotr´opicos e os ter-


motrópicos. Os liotrópicos são em geral obtidos pela dispers˜ ao de um com-
posto num solvente. Este é o caso de vários sistemas de importância biológica,
tais como lipı́deo-água, lip´ıdeo-água-proteı́na, etc. Os cristais lı́quidos de
importância para eletrônica são os termotrópicos. Eles são formados por
moléculas longas, em geral de compostos orgânicos, dispostas em dois tipos
de estruturas: nemáticas ou sméticas. Estas estruturas estão ilustradas na
Figura 1.14, que também mostra a orientação aleatória das moléculas num

Figura 1.14 : Ilustração da orienta¸cão de moléculas nos seguintes sistemas: (a) lı́quido
isotrópico; (b) cristal lı́quido nemático; (c) cristal lı́quido smético A; (d) cristal lı́quido
smético C.
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 21

lı́quido isotrópico. Nos cristais lı́quidos nemáticos as moléculas têm um orde-


namento paralelo, ou quase paralelo, como na Fig.1.14(b). Elas são móveis nas
três direções e portanto apresentam desordem posicional. Nos cristais lı́quidos
sméticos as moléculas também est˜ ao orientadas paralelamente entre si, porém
apresentam uma estrutura estratificada em camadas. Dentro de uma mesma
camada as moléculas ocupam posições aleatórias, mantendo a mesma distância
para as moléculas das camadas vizinhas. Nos cristais lı́quidos sméticos tipo A
a orientação das moléculas é perpendicular ao plano das camadas, enquanto
que no tipo C elas est˜ao inclinadas em rela¸cão ao plano das camadas.

Os cristais lı́quidos têm grande aplicação em eletrônica, principalmente


para a confecção de mostradores, conhecidos como LCD ( Liquid Crystal
Display). Esta aplica¸cão é baseada no fato de que a orientação das moléculas
pode ser controlada pela aplicação de um campo elétrico, possibilitando variar
a quantidade de luz transmitida ou refletida pelo material. Isto pode ser feito
por meio de baixas tens˜oes e com pequeno consumo de energia, dando aos
mostradores de LCD grande vantagem em rela¸cão a outros tipos, como apre-
sentado na se¸cão 10.3.

1.4.5 Filmes Finos e Multicamadas

Muitos materiais empregados em dispositivos eletrônicos são fabricados na


forma de filmes finos, isto é, camadas com espessuras que variam desde alguns
angstroms (1 Å = 10 −10 m) até dezenas de microns (1 µ m = 10 −6 m). Os filmes
são feitos com metais, isolantes, semicondutores ou supercondutores, depen-
dendo da aplica¸cão desejada. Eles são usados em in´umeras aplicações, como
resistores, capacitores, contatos metálicos em dispositivos semicondutores, ca-
madas magnéticas em dispositivos de grava¸ cão, camadas dielétricas em dispo-
sitivos opto-eletrônicos, dispositivos de filmes semi ou supercondutores, etc.
Os filmes finos podem ser preparados por v´ arios métodos diferentes, depen-
dendo da composi¸cão, estrutura, espessura e aplica¸cão. Todos eles se baseiam
na deposição gradual de ´atomos ou moléculas do material desejado sobre a
superfı́cie de outro material que serve de apoio, chamado substrato. Dentre
os métodos mais utilizados estão a deposi¸cão em alto v´acuo, para filmes mais
finos (de algumas camadas atˆomicas até 1000 Å), a deposi¸cão eletroquı́mica,
a deposi¸cão quı́mica de vapor e a epitaxia de fase lı́quida, para filmes mais
espessos.

A grande evolução nas técnicas de vácuo nas últimas décadas possibilitou


o aperfeiçoamento dos processos de deposi¸cão de filmes muito finos. Atual-
22 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

amaras com volumes da ordem de 1 m 3 , atingindo


mente é poss´ıvel evacuar cˆ
rotineiramente pressões tão baixas quanto 10 −11 10−9 Torr (1 Torr = 1 mm

de Hg). Isto possibilita fabricar filmes finos através da deposição de camadas
individuais de ´atomos ou moléculas, uma sobre a outra, por meio de diver-
sas técnicas diferentes. Em todas as técnicas o processamento é feito numa
câmara de alto v´acuo, e consta de três etapas: na primeira etapa os materi-
ais que servem de matéria-prima são fragmentados em ´atomos neutros, ı́ons
ou moléculas, por meio da ação de fontes térmicas, ou de um plasma, ou um
laser, ou bombardeio por elétrons ou ı́ons acelerados; na segunda etapa, o va-

por fı́sico formado


substrato; pelos
finalmente, na fragmentos da matéria
terceira etapa, é transportado
os fragmentos na no
depositados dire¸
cão do
subs-
trato interagem fı́sica e quimicamente entre si, nucleando e formando porções
maiores de material, resultando no filme desejado. As principais diferenças en-
tre os diversos métodos estão na primeira etapa. Um dos métodos mais simples
é o da evaporação térmica, no qual a substância srcinal é aquecida em alta
temperatura até evaporar. O aquecimento é feito por meio de uma corrente
elétrica num fio ou elemento resistivo de material que suporta altas temperatu-
ras, como o tungstênio. Este método é utilizado para depositar filmes simples
de metais ou substˆancias simples, para fazer espelhos ou contatos met´alicos,
por exemplo.

Uma das técnicas mais sofisticadas é a epitaxia de feixe molecular


(Molecular Beam Epitaxy - MBE), ilustrada na Figura 1.15. As substˆancias

Figura 1.15: Ilustração do processo de epitaxia de feixe molecular-MBE, com fontes de


elementos usados para fabricar multicamadas de GaAs e (GaA)As, dopadas com impurezas
de Sn ou de Be.
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 23

dos elementos que formam o material desejado s˜ao aquecidas separadamente


em fontes individuais, no interior de uma cˆamara de alto v´acuo. Cada fonte
é feita de um cadinho fechado, contendo um pequeno orifı́cio na extremidade.
Ao ser aquecida até fundir, a substância gera um vapor sob press˜ ao no in-
terior do cadinho que é ejetado no vácuo através do orifı́cio, produzindo um
feixe atômico ou molecular, que incide sobre o substrato. Através do con-
trole preciso das taxas de evapora¸ cão e do movimento dos obturadores de
cada fonte é possı́vel construir filmes cristalinos de alta qualidade. Com este
método é possı́vel também fabricar cristais com mudan¸ cas abruptas de com-

posição formando
interesse uma
tecnológico multicamada,
é aquele formado ou
porsuper-rede. Umempregado
GaAs e A As, sistema denagrande
fabri-
cação de lasers semicondutores. Os cristais dessa s substâncias têm a mesma
estrutura cristalina do ZnS, com parˆametros da rede praticamente iguais, a =
5,65 Å. Por causa disto é possı́vel depositar epitaxialmente camadas atômicas
cristalinas da liga ternária Ga 1−x Ax As sobre um substrato cristalino de GaAs,
para construir artificialmente multicamadas, super-redes ou “poços quânticos”,
com concentrações x escolhidas. A Figura 1.16(a) ilustra uma multicamada
de GaAs e da liga (GaA )As empregada em lasers semicondutores. Estas
multicamadas também podem ser feitas por técnicas de epitaxia de feixe de
vapor (VPE), das quais a mais comum é a MOCVD (Metal-Organic Chemical
Vapor Deposition). A técnica de MBE também é utilizada para fazer muitos
outros tipos de multicamadas. A Figura 1.16( b) ilustra uma multicamada

Figura 1.16: Ilustra¸cão de dois tipos importantes de multicamadas utilizadas em eletrônica:


(a) Multicamada de GaAs e (GaA )As, empregada em lasers de semicondutores; (b) Multi-
camada magnética, empregada em dispositivos de gravação magnética.
24 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

magnética, formada por várias camadas magnéticas, intercaladas por camadas


não-magnéticas, metálicas ou isolantes, empregada em dispositivos de gravação
magnética, descritos no Cap´ ıtulo 9.

Outra técnica de deposição de filmes e multicamadas muito empregada


em instalações industriais é a vaporização catódica, também chamada de
pulverização (sputtering), cujo equipamento básico está mostrado na Figura
1.17. Antes de inic iar o processo de depo si¸cão, a cˆamara é evacuada per-
manecendo com pressão muito baixa (10 −11 10−8 Torr) durante várias horas,

para eliminar gases residuais. Em seguida um gás nobre (Ar, Ne) é injetado na
câmara com press˜ao da ordem de 10 −3 Torr, formando uma atmosfera inerte.
Uma diferença de potencial da ordem de alguns kV é então aplicada entre os
suportes do substrato e do alvo que contém a matéria-prima a ser pulverizada,
ionizando o gás na região e formando um plasma. Os ı́ons do plasma são acele-
rados pela diferença de potencial adquirindo energia suficiente para fragmentar
o material do alvo e formando o vapor que deposita no substrato. O processo
pode empregar v´arios alvos, possibilitando assim depositar um filme de certo
material sobre outro diferente, sucessivamente, formando uma multicamada.
Os sistemas atuais de vaporiza¸cão catódica utilizam ı́mãs permanentes para
criar um campo magnético que serve para confinar o plasma na região do alvo,
aumentando a eficiência do processo (magnetron sputtering). A alta tensão
aplicada pode ser dc, utilizada para vaporizar metais, ou rf, mais adequada
para materiais isolantes. Os aperfeiçoamentos recentes na vaporização catódica
têm tornado esta técnica cada vez mais poderosa, contribuindo para dissemi-

Figura 1.17: Componentes b´asicos de um sistema de vaporiza¸cão catódica, ou pulverização


(sputtering).
Cap. 1 Materiais para Eletrˆonica 25

nar seu uso no processamento de dispositivos eletrˆonicos, tanto na pesquisa


em laboratório quanto em plantas industriais.

REFERÊNCIAS

W.D. Callister, Jr., Materials Science and Engineering, an Introduction , J.


Wiley , New York, 2000.
P.J. Collings, Liquid Crystals, Princeton University Press, Princeton, 1990.
R.E. Hummel, Electronic Properties of Materials , Springer-Verlag, Berlin,
2001.
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, J. Wiley, New York, 1996.
D.J. Roulston, An Introducion to the Physics of Semiconductor Devices , Ox-
ford University Press, Oxford, 1999.
B.J. Streetman and S. Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice-
Hall, New Jersey, 2000.

PROBLEMAS

1.1 Calcule o ângulo entre a direção [111] e o plano (001) numa rede cristalina
cúbica.
1.2 Calcule os cossenos diretores da dire¸cão [122].
1.3 Mostre, com um desenho claro, quais s˜ ao os vetores primitivos de uma
rede 3d tetragonal simples. Mostre porque n˜ao existe rede tetragonal de
faces centradas.
1.4 Silı́cio, o semicondutor mais importante da Eletrônica, cristaliza na es-
trutura do diamante, cuja célula unitária está mostrada na Fig.1.8. À
temperatura ambiente o parâmetro da rede é 5,42 Å. Sendo do grupo IV
da tabela peri´odica, o ´atomo de Si tem quatro elétrons de valência. Cal-
cule o n´umero total de elétrons de valência do Si por unidade de volume,
em cm −3 .
1.5 Assim como o Si, o germˆanio também cristaliza na estrutura do diamante,
com parâmetro de rede 5,65 Å. Sabendo que a massa atˆ omica do Ge é
72,59 (referida a massa de H), calcule a massa especı́fica do Ge em g/cm 3
e compare com o valor da tabela.
26 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

1.6 A liga A x Ga1−x As é um importante semicondutor utilizado para fabricar


dispositivos optoeletrônicos. Na fase cris talina, ela tem a estrutura do
cristal de GaAs, no qual ´atomos de Ga numa fra¸cão x são substitu´ıdos
aleatoriamente por átomos de A . Sabendo que GaAs e A As cristalizam
na estrutura do ZnS, Fig.1.8(a), calcule o n´umero de átomos por cm 3 e a
massa especı́fica de A0,3 Ga0,7 As.
1.7 Um modelo matem´atico para a energia total de uma rede cristalina com
ligação iônica é:
U = N γ e−R/ρ αq 2 /R
 − 
onde 2 N e´ o número de ı́ons da rede, q é a carga iônica, γ , ρ e α são
constantes que dependem da estrutura cristalina e dos átomos que formam
o cristal e R é a distância entre dois vizinhos mais próximos. Para o NaC ,
que cristaliza na estrutura fcc da Fig.1.7, γ = 1, 05 10−15 J, ρ = 0, 321
×
Å e α = 1, 747/4π0 .

a) Faça um gr´afico das duas parcelas da energia por molécula, U/N , em


função da distância R e interprete o significado de cada parcela. Se você
tiver um computador com impressora, use-o para fazer um gr´ afico quan-
titativo bonito! Observe que a segunda parcela, que resulta da atra¸cão
entre os dois ı́ons de cargas opostas, tende para em R = 0. Na rea-
−∞
lidade aquela expressão não vale para R →
0, pois os ı́ons não são cargas
pontuais. Para evitar a divergência de segunda parcela em R → 0, fa¸ca
um truncamento na energia, considerando que seu valor em R ≤ 1 Å é
constante e igual ao valor em R = 1 Å.
b) Faça o gráfico da soma das duas parcelas, isto é da energia U/N . (Sugestão:
faça a escala horizontal na faixa 0-10 Å. No eixo vertical use como unidade
o joule dividido por uma potência de 10 conveniente para evidenciar o
mı́nimo da energia, como na Fig.1.1).
c) Calcule o valor da distˆancia R de equilı́brio e do parˆametro da rede
cristalina, e compare o valor deste com aquele dado no texto.
d) Calcule a energia por molécula necessária para desfazer o cristal, isto é,
para que a distˆancia entre vizinhos seja infinita.
1.6 Um filme de Fe monocristalino é crescido no plano (100) com uma certa
técnica de deposição, a uma taxa de 1,4 Å por se gundo. Sabendo que
o Fe cristaliza na estrutura bcc, com parˆametro de rede 2,8 Å, calcule o
número de ´atomos depositados durante 20 segundos sobre um substrato
na forma de um disco, com diˆametro 1,0 cm.
Capı́tulo 2

Ondas e Partı́culas na Matéria

2.1 Ondas Eletromagnéticas 28

2.2 Ondas Elásticas em S´olidos 34

2.3 Efeito Fotoelétrico - Ondas e Partı́culas 40

2.4 O Elétron como uma Onda-Princı́pio da Incerteza 46


2.5 Fônons e outras Excita¸cões Elementares em S´olidos 50

REFERÊNCIAS 51

PROBLEMAS 52

27
28 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Ondas e Partı́culas na Matéria

2.1 Ondas Eletromagnéticas

O fenômeno de propagação de ondas desempenha papel fundamental na


Eletrônica e na Fı́sica da Matéria Condensada. Na eletrônica, o mais impor-
tante é, sem dúvida, o emprego de ondas eletromagnéticas para “transportar”
sinais de ´audio, de vı́deo, ou de dados através de cabos, de fibras ópticas, ou
propagando no ar. Porém não é este tipo de aplicação que vai nos interessar
aqui. Vamos concentrar nas ondas de diversas naturezas que propagam no
interior dos materiais. As vibrações dos ´atomos da rede cristalina e o movi-
mento dos elétrons nos sólidos, por exemplo, s˜ao dois tipos de fenˆomenos que
ocorrem naturalmente na forma de ondas. Além destas, há uma grande va-
riedade de ondas que podem ser produzidas em materiais, tendo elas muitas

caracterı́sticas
portantes, comuns
vamos iniciarde qualquer
este capı́tuloonda. Para
revendo firmar alguns
as principais conceitos
ısticasim-
caracter´ das
ondas eletromagnéticas.

A evolução dos campos eletromagnéticos no espaço e no tempo é descrita


pelas equações de Maxwell,
∇.D = ρ (2.1)
∇=0.B (2.2)

∇ × E = − ∂∂tB (2.3)

∂D
∇ × H = J +
∂t
. (2.4)

onde  e H
E  são os campos elétrico e magnético, respectivamente, B
 e´ o vetor
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 29

indução magnética, D é o vetor deslocamento elétrico, ρ é a densidade de carga


livre e J é a densidade de corrente. Num material linear e isotrópico, D  =  E
eB  = µH  , sendo  a permissividade elétrica e µ a permeabilidade magnética.
Se o material é isolante e não tem cargas livres, ρ = 0 e J = 0. Nestas
condições, substituindo (2.4) em (2.3) e utilizando (2.1) e conhecidas rela¸ cões
entre operadores diferenciais, obtemos a equa¸ cão que descreve a evolu¸cão do
campo elétrico (Problema 2.1),

2 ∂ 2  (r, t)
E
(r, t) µ 2
= 0. (2.5)
∇E − ∂t
Esta é a equação de ondas para um campo vetorial em três dimensões.
Ela relaciona a varia¸cão espacial do campo com sua varia¸cão temporal. Para
ondas planas propagand o na direção do eixo x de um sistema de coordenadas,
a equação reduz-se a

∂ 2 (x, t)
E 1 ∂ 2 (x, t) E
= 2 , (2.6)
∂x 2 v ∂t 2

onde v = 1/ µ. Uma das soluções da Eq.(2.6) é (Problema 2.3),

E(x, t) = E 0 cos(kx − ωt) (2.7)

onde 0 é um vetor constante. A substituição em (2.6) mostra que (2.7) é sua


E
solução se ω = vk . Utilizando-se (2.1) pode-se mos trar que 0 e´ necessaria- E
mente perpendicular `a direção de propaga¸cão x. Substituindo (2.7) em (2.3)
e utilizando (2.2) obtemos a solu¸cão para o campo magnético

 (x, t) = H
H  0 cos(kx − ωt) , (2.8)

onde H 0 e´ perpendicular à direção de propaga¸cão x e ao campo 0 , sendo as E



amplitudes relacionadas por 0 = µ/ H 0 . As equações (2.7) e (2.8) mostram
E
que em um ponto qualquer do espa¸ co, de coordenada x1 , os campos  e H  E
variam harmonicamente no tempo com freq¨uência angular ω . Pode-se definir
ω = 2πν e ν = 1/T , onde ν e´ a freqüência e T o perı́odo da oscilação. Elas
mostram também que tanto  quanto H
E  têm comportamento idêntico em todos
os pontos do plano x = x 1 . Por esta razão, os planos perpendiculares ao eixo
30 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

de propagação são chamados planos de fase da onda. O vetor perpen dicular


a estes planos, k = x̂k , é o vetor de onda , e sua interpreta¸cão está ligada
ao comportamento espacial da onda. Para entender isto considere a variação
de  e H
E  no espaço em um certo instante qualquer. Como mostra a Fig.2.1,
os campos  e H
E  variam senoidalmente ao longo da dire¸cão de propaga¸cão,
tendo sua fase repetida a cada distˆancia λ , chamada comprimento de onda.
Como o argumento kx correspondente a um per´ıodo completo é 2π , a rela¸cão
entre k e λ é

λ= . (2.9)
k
A variação espacial do campo num instante 
t posterior é dada pela
mesma função de onda deslocada em x de uma distˆancia x = ω t/k, como
 
na Figura 2.1. Então, `a medida em que o tempo passa, os campos  e H E
variam como se a fun¸cão de onda transladasse ao longo do eixo x positivo,
com velocidade x/ t = ω/k . Esta relação é chamada a velocidade de
 
fase da onda v f , que neste caso é:

ω c
vf = = , (2.10)
k n


onde n = (µ/µ0 0 )1/2 é o ı́ndice de refração do material e c = 1/ µ0 0 
3, 0 108 m/s é a velocidade da luz. Não é difı́cil ver que no caso em que
×

asão
onda propaga
os da numa dire¸cão
propaga¸cão. qualquer,
Sua direção k é aos
é normal um planos
vetor cuja direção
de fase e seue m´
sentido
odulo
é relacionado com o comprimento de onda pela Eq.(2.9). Neste caso geral,

Figura 2.1: Variação da intensi-


dade do campo elétrico no espaço

em dois instantes, t e t + t.
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 31

pode-se mostrar que s˜ao soluções da Eq.(2.5),

E(r, t) = 0 cos(k.r
E − ωt + φ) , (2.11)

 0 cos(k.r
 (r, t) = H
H − ωt + φ) , (2.12)

onde
0 = /µ 
H
k
k × E 0 . (2.13)

Além da forma harmônica (2.11), é também muito util
´ representar os campos
na forma complexa, utilizando a identidade de Euler e iθ = cos θ + isenθ. Assim
o campo elétrico da Eq.(2.11) pode ser escrito como

E(r, t) = Re E
 0

e i(k.r−ωt+φ)
 . (2.14)

A Fig.2.2 mostra os planos de fase e os campos elétrico e magnético


de uma onda propagando numa direção genérica. A função ω (k ) é chamada
relação de dispersão e contém informações importantes sobre o comporta-
mento das ondas. Uma delas é a velocidade de fase vf = ω/k . Como vimos,
no caso de ondas eletromagnéticas, ω (k ) = ck/n , isto é, a relação é linear,
como mostra a Fig.2.3. Para outros tipos de ondas em s´olidos, entretanto,

Figura 2.2: (a) Vetores 0 , H


E  0 e k no espaço. (b) Planos de fase de uma onda eletromagnética
em certo instante. Os vetores nos planos representam o campo elétrico. A distˆancia entre
dois planos consecutivos que têm o mesmo campo elétrico é igual ao comprimento de onda
λ.
32 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 2.3: Rela¸cão de dispersão de uma onda


eletromagnética em material isotrópico, ho-
mogêneo e linear.

essa relação é uma função mais complicada de k . Na se¸cão seguinte veremos,


por exemplo, rela¸cões de dispers˜ao não lineares de ondas el´asticas em sólidos.

Uma forma de gerar ondas eletromagnéticas é através de cargas elétricas


em movimento. Ondas harmônicas do tipo (2.11) resultam de cargas em movi-
mento oscilatório, ou correntes alternadas. A freqüência do movimento, ou
da corrente, determina a freq¨uência da onda e portanto o tipo de radiação
que é produzido. Correntes de freqüência na faixa de 100 kHz (105 Hz) a 100
MHz (10 8 Hz), geradas por osciladores a transistor ou a v´ alvula, produzem
ondas que s˜ao utilizadas para transportar sinais de ´ audio, chamadas ondas
de rádio. A faixa que vai de pouco abaix o de 100 MHz até 1000 MHz, ou
1 GHz (10 9 Hz), é utilizada para transportar sinais de televisão. Durante a
década de 1990, houve uma grande evolução na telefonia m´ovel, que passou
a utilizar freq¨uências na faixa de centenas de MHz a alguns GHz. As várias
regiões do espectro eletromagnético estão ilustradas na Fig.2.4 por meio de
escalas logar´ıtmicas de freqüência ν , do correspondente comprimento de onda
λ no vácuo, do inverso de λ e da energia E (esta será definida na se¸cão 2.3).
Não estão representadas na Fig.2.4 a parte superior da faixa de raios-X, que
se estende desde 10 16 Hz até 1019 Hz, e os raios gama (acima de 10 19 Hz). A
radiação na faixa de microondas (1 GHz - 300 GHz) também é produzida por
osciladores a válvula ou a transistor. Nas regiões infravermelho, visı́vel e ul-
travioleta, a radiação é produzida por filamentos incandescentes de lâmpadas,
por transições atômicas em lâmpadas de descarga elétrica ou em lasers a gás,
e também por transiç˜ oes eletrônicas em materiais diversos ou em diodos semi-
condutores.

A função de onda descrita pela Eq.(2.11) representa um campo elétrico


que preenche todo o espa¸co, o que, evidentemente, representa uma situa¸cão
irreal. Apesar disto, ela é de grande importância em fı́sica por diversas razões.
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 33

Figura 2.4: Ilustração de parte do espectro eletromagnético em unidades de freqüência ν ,


comprimento de onda λ, inverso de λ e energia E .

Uma delas é que qualquer variação do campo elétrico que ocorre na prática
pode ser decomposta em uma soma de ondas planas do tipo (2.11), através da
técnica de transformada de Fourier. A transformada de Fourier permite de-
compor qualquer forma de variação em ondas planas de diferentes freq¨uências
e vetores de onda. Por exemplo, vamos considerar um campo elétrico que varia
somente na direção x . Em um determinado instante, digamos t = 0, podemos
decompor este campo na seguinte forma:

E(x, 0) = E
k e ikx dk (2.15)
−∞

onde ∞
1
E =
 E(x, 0) e −ikx
dx . (2.16)
k
2π −∞

A Eq.(2.15) significa que o campo é uma superposição de v´arias ondas


planas, cada uma caracterizada por um vetor de onda k e amplitude k . O E
valor de k é dado pela transformada de Fourier (2.16). Vamos considerar o
E
caso de um campo eletromagnético confinado a uma pequena região do espaço,
como o representado na Fig.2.5(a), no instante t = 0. À medida que o tempo
passa, este pulso propaga-se no espaço. Pode-se mostrar que a transformada de
Fourier do pulso tem também a forma de um pulso, mostrado na Fig.2.5(b).
Em outras palavras, a superposição de v´arias ondas planas, com vetores de
onda próximos de k0 e com amplitude do tipo representado em 2.5(b), reproduz
uma variação espacial na forma do pulso 2.5(a). Pode-se mostrar, ainda, que `a
34 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 2.5: (a) Pulso de campo elétrico no espaço. (b) Amplitude da transformada de
Fourier do pulso mostrado em (a).

medida em que o tempo passa, o pulso de campo propaga com a velocidade


de grupo , dada por 
∂ω
vg = . (2.17)
∂k k0
Este resultado vale para qual quer tipo de onda. No caso de ondas eletro-
magnéticas no vácuo ou em meios isotr´opicos, lineares e homogêneos, a ve-
locidade de grupo é igual a velocidade de fase (Problema 2.4). Entretanto,
em outras situações
velocidade como as
de propagação deque encontraremos
pulsos mais
é diferente da tarde, istoden˜fase.
velocidade ao ocorre, a

2.2 Ondas Elásticas em Sólidos

Nesta seção vamos estudar algumas propriedades do tipo de onda em cristais


mais simples de ser entendido, a onda de vibração da rede cristalina. Uma das
razões da simplicidade deste fenômeno é que suas propriedades básicas podem
ser deduzidas com a fı́sica clássica, uma vez que os ı́ons que formam a rede são
relativamente pesados.

Para entender a essência do fenômeno de vibração da rede vamos conside-


rar o caso de dois ı́ons, ligados como explicado na seção 1.2. Classicamente, na
situação de equilı́brio, os dois ı́ons ocupam a posição correspondente à m´ınima
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 35

Figura 2.6: (a) Energ ia de intera¸cão efetiva entre dois ı́ons. (b) Sistema equivalente na
vizinhança de x = a.

energia de liga¸cão, representada na Fig.2.6.

Esta situação s´o ocorre em temperatura T = 0 K, e quando n˜ ao h´a


qualquer perturba¸cão externa ao sistema. Em s´olidos a distˆancia tı́pica de
equilı́brio é de alguns Å. Quando os ı́ons são desviados da posi¸cão de equil´ıbrio
eles tendem a oscilar em torno dela . Para p equenos desvios, a varia¸cão da
energia de interação po de ser aproximada por um poço parabólico, fazendo com
que o movimento dos ı́ons seja o de um oscilador harmônico. Considerando
u = x a o desvio em torno do ponto de equilı́brio, os primeiros termos da

expansão em série de Taylor da energia são:
2
V (u) = V (0) + dV u+1 d V2 u2 + ···
 du 2
 
du
(2.18)
0 0

No ponto de equilı́brio a força de intera¸cão entre os ı́ons é nula, ou seja,


(dV/du )0 = 0. Ent˜ao, no entorno deste ponto, podemos escrever,

V (u )  V (0) + 12 Cu 2
(2.19)

onde C = (d2 V/du 2 )0 é uma constante caracter´ ıstica da ligação entre os ı́ons.
Nesta aproximação, a for¸ca de intera¸cão entre os ı́ons é linear,

F (u ) = − dV
du
= −Cu , (2.20)

como ocorre num oscilador harmônico simples. Este resultado permite concluir
36 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

que os dois ı́ons ligados pela interação eletrostática, comportam-se como duas
massas ligadas por uma mola.

Em uma rede cristalina acontece essencialmente o que est´ a ilustrado na


Fig.2.7, porém o sistema é tridimensional e o número de ı́ons envolvidos é muito
grande. Em T = 0 e sem perturba¸cão externa a rede está em equil´ıbrio. À me-
dida que aumentamos sua temperatura, seus ı́ons vibram com amplitude cada
vez maior. Essa vibra¸cão é incoerente, aleatória, no sentido que o movimento
de um ı́on não tem qualquer correla¸cão com o de outro. Esta é a principal
maneira com a qual a energia térmica é absorvida pelo cristal. Entretanto, a
vibração coletiva dos ı́ons pode ser vista como uma superposição de ondas. Em
outras palavras, as excita¸cões da rede têm caráter ondulatório. Essas ondas
de vibração são chamadas ondas elásticas. Para estudá-las vamos considerar
um modelo simplificado da rede, no qual ı́ons iguais estão ligados por molas na
forma de uma cadeia infinita, como representado na Fig.2.7(a). A constante
C é a constante elástica da cadeia. Chamamos de un o deslocamento do ı́on
n de sua posi¸cão de equilı́brio, ao longo da cadeia. Sendo a força de interação
entre dois ı́ons dada por (2.20), a força sobre o ı́on n exercida por seus dois
vizinhos é

{
Fn = C (un+1 − u ) − (u − u )} = C (u − 2u
n n n−1 n+1 n + un−1 ) . (2.21)

Figura 2.7: (a) Modelo de cadeia monoatˆomica em equil´ıbrio. (b) Deslocamentos dos ı́ons
quando da passagem de uma onda longitudinal. (c) Deslocamentos numa onda transversal.
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 37

Sendo m a massa dos ı́ons, a equação de movimento do ı́on n é


d2 u n
m
dt2
≡ m ü
n = C (un+1 − 2u n + un−1 ) . (2.22)

Como era de esperar, o movimento do ı́on n depende dos movimentos


± ±
dos ı́ons n 1, que por sua vez dependem dos n 2, e assim por diante. O
movimento da rede é descrito por um número infinito de equa¸cões acopladas.
Logo, o movimento da rede é coletivo. Para resolver o sistema infinito de
equações, escrevemos a possı́vel solução de u n (x, t) sob a forma de onda
un(x, t) = u k (t) eikna , (2.23)

pois x = na é a coordenada do ı́on n . Substituindo esta fun¸cão na equação de


movimento (2.22) obtemos

m ük = Cuk (e ika −2+e −ika


)

= 2 Cuk (cos ka − 1) . (2.24)

Assim, obtemos uma s´o equa¸cão para uk (t), a fun¸cão que exprime a
variação do deslocamento de qualquer ı́on no tempo. A variação no espa¸co,
devida ao car´ater coletivo do movimento, est´a contida em (2.23 ). Veja que
(2.24) é a equação de um oscilador harmˆonico simples, cuja solu¸cão é

uk (t) = Ae−iωk t . (2.25)

Substituindo (2.25) em (2.24) obtemos a freq¨uência de oscilação da rede em


função do n´umero de onda k :
  1/2
2C 1/2
ω (k ) = (1 − cos ka) . (2.26)
m

Este resultado significa que quando excitada externamente, a cadeia de


ı́ons oscila coletivamente com freqüência ω (k ), dando srcem `as ondas elásticas.
A onda esquematizada na Fig.2.7(b) é longitudinal, pois os deslocamentos têm
a mesma dire¸cão da propaga¸cão. Poderı́amos ter obtido, de modo semelhante,
as equações para as ondas transversais, cujo modo de vibra¸ cão está ilustrado
na Fig.2.7(c).
38 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

A equação (2.26) é a relação de dispers˜ao das ondas el´asticas na cadeia



monoatômica linear. Como esta relação é periódica e ω (k) = ω ( k ), considera-
remos somente os valores de ω entre k = 0 e k = π/a (Fig.2.8), pois este inter-
valo contém toda informação necessária sobre ω (k ). A região π/a < k < π/a

é chamada primeira Zona de Brillouin do espaço de vetor de onda.

Observe que em (2.26), ka representa o ângulo de fase entre os movimen-


tos de dois ı́ons vizinhos. Para ondas de grande comprimento de onda, λ a,

este ângulo é pequeno e podemos usar a aproximação cos ka 1 (ka)2 /2, o
 −
que resulta em

ω (k ) = C/m ka , (2.27)

isto é, para ka 1, a rela¸cão de dispers˜ao é aproximadamente linear, como


em ondas eletromagnéticas. Neste caso as velocidades de fase e de grupo da
onda são iguais, sendo dadas por

v=
 C/m a . (2.28)

Em geral v é da ordem de 104 m/s, isto é, 104 vezes menor que a veloci-
dade da luz. Para ondas de grande comprimento de onda, p odemos aproximar
a função deslocamento por uma fun¸cão contı́nua de x, u(x, t). Neste caso, é
poss´ıvel mostrar que a equação de u(x, t) é igual a equação de ondas para o
campo elétrico, Eq.(2.6) (Problema 2.5). Por outro lado, quando o compri-
mento de onda é pequeno, a natureza discreta da rede torna-se importante. A
onda com λ = 2a tem a m´axima freqüência de vibração. Fazendo ka = π em
(2.26) vemos que o m´aximo valor de ω é dado por (4C/m)1/2 . O valor desta
freqüência varia de um material para outro e está na faixa de 1 a 10 THz (1
THz = 10 12 Hz), que corresponde à região do infravermelho distante no espec-
tro eletromagnético (Problema 2.6).

Em um cristal qualquer h´a dois fatos que tornam o problema das ondas
elásticas mais complexo: o primeiro é que ele é tridimensional; o segundo é
que ele contém ı́ons diferentes. Este segundo fato traz uma caracter´ ıstica nova,
que pode ser entendida de maneira simples, no caso da cadeia unidimensional.
Se tivermos uma cadeia com dois tipos de ı́ons intercalados de massas m1
e m2 , ao escrevermos as equa¸ cões de movimento teremos duas equa¸cões da
forma (2.22), em vez de apenas uma, como no caso dos ı́ons iguais. Teremos
então duas solu¸cões para a freq¨uência de vibração e, conseq¨uentemente, dois
ramos na rela¸cão de dispersão. Sua forma está mostrada na Fig.2 .9. Neste
caso, as freq¨uências de vibração possı́veis do sistema formam duas bandas,
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 39

Figura 2.8: Relação de dispersão de ondas


elásticas numa cadeia monoatômica linear.

definidas pelos dois ramos da rela¸cão de dispers˜ao. Entre elas existe uma faixa
proibida, cuja largura depende da diferen¸ca entre as massas. Quando as duas
massas s˜ao iguais, a banda proibida desaparece, isto é, o ramo inferior na
≤ ≤ ≤ ≤
região 0 k π/ 2a e o ramo superior na regi˜ao π/2a k π/a compõem a
relação de dispers˜ao da cadeia monoatˆomica da Fig.2.8.

No ramo inferior da Fig.2.9, chamado acústico, em uma onda com ka 


1, dois ı́ons vizinhos movem-se em fase. No ramo superior, chamado óptico,
uma onda com ka  1 tem os dois ı́ons vizinhos movendo em oposição de fase.
As ondas do ramo ac´ustico podem ser excitadas por um tipo de for¸ ca que faz
átomos vizinhos irem no mesmo sentido, como em uma onda sonora (daı́ seu
nome, acústico). Por outro lado, as ondas do ramo ´optico são criadas quando
a excitação produz efeitos opostos em ı́ons vizinhos, como é o caso do campo
elétrico de luz infravermelha atuando em ı́ons vizinhos de cargas opostas.

Figura 2.9: (a) Rela¸cão de dispers˜ao de ondas el´asticas na cadeia diatômica linear mostrada
em (b), com os ramos ac´ustico e óptico.
40 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 2.10: Curvas de dispers˜ao de ondas el´asticas em um cristal c´ubico diatômico, com
o vetor de onda na dire¸ cão de um eixo principal (L = longitudinal, T = transversal, O =
óptico e A = ac´ustico).

A complexidade vinda do car´ ater tridimensional do cristal resulta na


existência de um maior número de graus de liberdade no sistema. Neste caso,
o deslocamento de um ı́on de sua posição de equilı́brio r e´ caracterizado por
um vetor R  (r, t). As solu¸cões das equa¸cões de movimento gerais levam `a

R

 λ(r, t) = Re Ak ei(k.r−ωλt)
 , (2.29)

onde λ é um ı́ndice que representa o tipo da vibração e a dire¸cão do deslo-


camento R  , ou seja ele exprime a polariza¸ cão da onda e seu tipo (´ optico ou
acústico). Para uma dada dire¸cão de k temos três polarizações para cada tipo
de onda. Para direções particulares podemos ter duas ondas transversais e
uma longitudinal. A freqüência ωλ (k) depende de k e do ti po da on da. A
Fig.2.10 ilustra as formas tı́picas das curvas de dispersão para ondas el´asticas
em um cristal c´ubico com dois ı́ons por célula unit´ aria.

2.3 Efeito Fotoelétrico - Ondas e Partı́culas

No fim do século passado surgiram as primeiras evidências de que, em algumas


situações, uma onda eletromagnética se comportava com caracter´
ısticas tı́picas
de partı́culas. Hertz, em 1886-87, realizou diversas experiências que confir-
maram a existência de ondas eletromagnéticas e a teoria de Maxwell. Numa
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 41

Figura 2.11: Ilustra¸cão do equipamento usado para estudo do efeito fotoelétrico.

dessas experiências ele observou que a descarga elétrica entre dois eletrodos
ocorria mais facilmente quando luz ultravioleta incidia sobre um dos eletrodos.
Mais tarde Lenard verificou que a descarga ocorria mais facilmente porque a
luz facilitava a emissão de elétrons da superf´ıcie do eletrodo, fenômeno que foi
posteriormente chamado de efeito fotoelétrico .

A Fig.2.11 mostra um equipamento usado para estudar o efeito fo-


toelétrico. Ele consiste de um tubo de vidro evacuado, com uma “janela”
de quartzo plana por onde passa a luz incidente. A luz monocromática incide
sobre a placa de metal que forma o catodo C, fazendo-o liberar elétrons. Estes,
chamados fotoelétrons , são atra´ıdos para a superfı́cie metálica do anodo
A por meio da diferen¸ca de potencial V , produzindo uma corrente elétrica
que é medida pelo microamperı́metro µA. Numa experiência tı́pica mede-se
a variação da corrente em fun¸cão da diferen¸ca de potencial V , que pode ser
variada através do potenciômetro. Um aparato deste tipo foi usado em 1914
por Millikan, que por seus estudos do efeito fotoelétrico e da carga do elétron
ganhou o prêmio Nobel de Fı́sica em 1923.

A curva da Fig.2.12 mostra a varia¸cão da corrente fotoelétrica I com a


tensão V aplicada, para dois valores da intensidade da luz incidente. Quando V
é suficientemente grande e positiva, a corrente tende para o valor de saturação
Ia correspondente à intensidade da luz. A saturação da corrente ocorre quando
todos fotoelétrons emitidos pelo catodo são coletados pelo anodo. Um dos re-
sultados mais importantes desta experiência é obtido quando o sinal da tensão
V é trocado. A corrente não vai bruscamente para zero com a tensão negativa,
indicando que os elétrons são emitidos de C com certa energia cinética. En-
42 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 2.12: Variação da corrente fotoelétrica com a tensão aplicada, para dois valores de
intensidade da luz inci dente. A tensão V0 é independente da intensidade de luz, mas a
corrente de saturação é diretamente proporcional à mesma.

tretanto, quando a tens˜ao atinge um valor −V , mesmo os elétrons de maior


0
energia são freados e a corrente vai a zero.

Do resultado desta experiência pode-se concluir que a tensão V0 , chamada


potencial de retardo, permite medir a energia cinética Tmax dos elétrons que
são emitidos com a m´axima energia. A rela¸cão entre eles é, então,
Tmax = e V0 , (2.30)

onde e é a carga do elétron. Esta máxima energia cinética é independente da


intensidade da luz incidente, como mostrado pela curva b da Fig.2.12, obtida
com metade da intensidade usada em a .

A Fig.2.13 mostra a varia¸cão da tens˜ao V0 em função da freq¨uência da


luz incidente em sódio, medida por Millik an em 1914. Estas medidas mostram
que há uma freq¨uência de corte νc , abaixo da qual o efeito fotoelétrico deixa
de ocorre r. O valor desta freq¨uência varia de um material para outro, sendo
que para o s´odio νc = 4, 39 1014 Hz (λ
× 
683 nm, que corresponde ` a luz
vermelha, quase no infravermelho).

Os resultados observados com o efeito fotoelétrico não puderam ser expli-


cados através da teoria clássica da luz e durante v´arios anos constitu´
ıram um
grande desafio para os fı́sicos. Mas em 1905, Einstein usou as idéias de quan-
tização, inicialmente propostas por Planck, para explicar o efeito fotoelétrico.
Sua teoria lhe valeu o prêmio Nobel de Fı́sica de 1921. O modelo quântico
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 43

Figura 2.13: Medidas de Millikan


do limiar de tens˜ao para efeito fo-
toelétrico em sódio, em fun¸cão da
freqüência da luz incidente.

de Einstein para a radia¸ cão eletromagnética foi posteriormente explicado de


forma coerente pela teoria quˆantica de campos . Um dos resultados mais im-
portantes dessa teoria é que uma onda eletromagnética é quantizada em
energia. Isto sig nifica que se ela tem fre q¨uência ν , ela s´o pode ser gerada
com valores discretos de energia nhν , onde n é um inteiro e h e´ a constante de
Planck (h = 6, 6262 10−34 J.s).
×
Segundo Einstein, a energia da radia¸cão eletromagnética é quantizada
na forma de pacotes, chamados fótons. Quando uma onda eletromagnética
tem energia elevada, isto é, muito maior do que hν , o n´umero de fótons é tão
grande, que a natureza discreta da energia n˜ao é percebida. Nesta situação,
a onda se comporta classicamente. A energia de um f´oton de radia¸cão de
freqüência ν , ou freq¨uência angular ω = 2πν , é
E = hν = ω , (2.31)

onde  = h/2π . Os f´otons têm, em muitas situações, comportamento tipo


partı́cula. No entanto, não são partı́culas comuns, pois só existem com ve-
locidade da luz c e têm massa de repouso nula. A rela¸cão entre energia e
freqüência, dada por (2.31), permite representar o espectro eletromagnético
em unidades de energia, como o eV. Utilizando o valor da constante de Planck
e da carga do elétron é poss´ıvel verificar que para converter Hz em eV é preciso
multiplicar por 4, 1357 10−15 . Este fator de conversão foi utilizado para cons-
×
truir a Fig.2.4. Assim, a regi˜ao visı́vel do espectro tem comprimento de onda
de 700 nm a 400 nm, freq¨uência de 4,3 a 7, 5 1014 Hz e energia de 1,7 a 3,1
×
eV. O Apêndice B apresenta uma tabela de conversão entre v´arias unidades
de energia.
44 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Sabemos da teoria eletromagnética que o momentum p de uma onda no


vácuo está relacionado com sua energia E por
E
p= . (2.32)
c

Usando (2.10), com n = 1, e (2.31) em (2.32), obtemos a express˜ ao para o


momentum do f´oton,
p = k . (2.33)

Segue, portanto, que em uma onda eletromagnética de freqüência ω e


vetor de onda k , tanto a energia quanto o momentum s˜ ao quantizados. É
importante chamar a atenção para o fato de que a teoria n˜ao prevê uma quan-
tização espacial da onda eletromagnética. Em outras palavras, não há nada
que limite a existência de um fóton a uma região finita do espaço. É possı́vel ter
uma onda eletromagnética plana, enchendo todo o espaço, correspondendo a
apenas um fóton. A quantização é feita somente em termos de momentum e de
energia. É poss´ıvel, entretanto, ter uma onda eletromagnética confinada numa
região limitada do espa¸co, como por exemplo no pulso de onda da Fig.2.5,
contendo apenas um f´oton. Neste caso, o f´oton fica mais parecido com uma
partı́cula, ou um corpúsculo.

No efeito fotoelétrico os fótons são absorvidos num processo de interação


que resulta na emiss˜ao de elétrons. Como há conservação de energia na in-
teração elétron-fóton, quando o elétron é emitido da superf´ıcie do metal sua
energia cinética é
T = hν W ,
− (2.34)

onde W é o trabalho necessário para arrancar o elétron do metal. Como h´a


elétrons que estão mais presos aos átomos do que outros, W varia de um elétron
para outro. Os elétrons que estão menos ligados emergem da superfı́cie com a
máxima energia cinética. Para eles podemos escrever
Tmax = hν −W 0 , (2.35)

onde W0 , uma grandeza caracterı́stica de cada metal chamada função tra-


balho, é a mı́nima energia necess´ aria para que um elétron vença as for¸cas de
atração internas e atravesse a superfı́cie. A teoria de Einstein explica as prin-
cipais observações do efeito fotoelétrico. Veja que os elétrons “arrancados” do
metal por fótons com energia
hνc = W 0 , (2.36)
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 45

têm energia cinética nula, não produzindo corrente fotoelétrica com V0 = 0.


Então, o valor de νc dado por (2.36) é a freqüência de corte, que é indepen-
dente da intensidade da luz incidente. Quando ν > νc e V > V0 , existe uma −
corrente fotoelétrica resultante da emissão de elétrons. Quando a intensidade
de luz aumenta, o n´ umero de f´otons incidentes por unidade de tempo au-
menta proporcionalmente, o que resulta no aumento proporcional da corrente
fotoelétrica.

Com as equa¸cões (2.30) e (2.35) podemos obter a express˜ao para o po-


tencial do retardo V 0 decorrente da teoria de Einstein,

eV0 = hν −W 0 . (2.37)

Utilizando (2.36), obtemos para ν ≥ν, c

h
V0 = (ν −ν )
c , (2.38)
e

que mostra a varia¸cão linear de V0 com νc , em acordo com a medida experi-


mental de Millikan (Fig.2.13).

As idéias de quantização da energia e das caracterı́sticas corpusculares da


radiação eletromagnética provocaram um profundo impacto na Fı́sica no inı́cio
deste século. Com base nestas idéias, vários fı́sicos passaram a procurar nos
elétrons efeitos de quantização e de comportamento ondulat´orio. Estes traba-
lhos levaram `a formulação da mecˆanica quântica em 1926 por Schroedinger e
independentemente por Heisenberg. As equações da mecânica quântica gover-
nam o comportamento dos elétrons nos átomos e nos sólidos e seu conhecimento
é fundamental para a compreensão dos fenômenos eletrônicos que ocorrem nos
diversos materiais.

Exemplo 2.1: Numa experiência de efeito fotoelétrico, o material do fotocatodo é o lı́tio, cuja
função t rabalho é 2,3 eV, e o comprimento de onda da luz usada para iluminar o fotocatodo é 300
nm. Determine: a) A freq¨uência de corte do l´ıtio; b) O potencial de retardo.

a) A relação entre a fun¸cão trabalho e a freq¨uência de corte é dada pela Eq. (2.36). Então,

−19
W0
νc =
h
 2, 3 eV × 1, 6 × 10 coulomb
6, 63 × 10 34 joule-seg

 5, 5 × 1014 Hz
46 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

b) O potencial de retardo é relacionado com a freq¨uência de corte e a freqüência da luz pela


Eq.(2.38). A freq¨uência da luz é,

ν=
c
=
3, 0 × 108 m/s = 10, 0 × 1014 Hz .
λ 300 × 10 9 m

Assim,

=
h
(ν νc ) =
6, 63 × 10 34 joule-seg

14
V0
e
− 1, 6 × 10 19 coulomb × 4, 5 × 10 Hz

= 1, 86 V

2.4 O Elétron como uma Onda - Princı́pio da Incerteza

Como vimos na se¸cão anterior, a radia¸cão eletromagnética é quantizada em


energia, adquirindo em certas situações comportamento do tipo de corpúsculos
ou partı́culas. Este conceito foi introduzido na Fı́sica para explicar um resul-
tado experimental, o efeito fotoelétrico, que não podia ser compreendido num
contexto clássico. Ao contr´ario, o conceito de que o elétron, uma partı́cula no
sentido clássico, é também uma onda, resultou de uma dedução teórica que só
mais tarde foi confirmada experi mentalmente. Foi Louis de Broglie, em sua
tese de doutorado apresentada em 1924 na Universidade de Paris, que propôs a
idéia revolucionária de ondas de matéria. Sua teoria lhe valeu o prêmio Nobel
de Fı́sica de 1929, depois que ela foi confirmada experimentalmente.

A hip´otese de Broglie de que o elétron pode ter comportamento de


partı́cula e de onda foi inspirada no conceito, já aceito na época, de que a
radiação eletromagnética tem comportamento tipo partı́cula. Ele postulou
que o elétron é caracterizado por uma freqüência ν e comprimento de onda λ ,
relacionados com a energia e o momentum exatamente do mesmo modo que
para fótons. Como na Eq.(2.31), a energia do elétron é expressa na forma,
E = hν , (2.39)

enquanto que o momentum é:


p = h/λ . (2.40)

Multiplicando e dividindo o lado direito de (2.40) por 2 π , e usando k = 2π/λ,


obtemos
p = k . (2.41)
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 47

que é igual a Eq.(2.33). Se a matéria tem comportamento de onda, por que


não notamos isto na vida di´ aria? Considere um objeto de massa m = 1,0 kg
movendo com velocidade v = 100 m/s. O comprimento de onda correspondente
é:
h h 6, 6 10−34
×
λ= = = = 6, 6 10−36 m .
× (2.42)
p mv 100

Veja que o comprimento de onda é muito pequeno comparado à dimensão


tı́pica de objetos comuns. Por isso, os efeitos de difração e interferência, que
são caracter´
ısticos de ondas, são inteiramente desprezı́veis.

Considere agora um elétron com energia cinética T = 100 eV. O compri-


mento de onda correspondente é:
h h
λ= = √ 1, 2 10−10 m = 1, 2 Å .
 × (2.43)
p 2mT

Este comprimento de onda é da mesma ordem de grandeza da dimensão dos


átomos e da distˆancia entre eles na matéria. Por isso, os efeitos ondulatórios
são importantı́ssimos na escala atômica. Esses efeitos foram obse rvados por
Davisson, Germer e G.P. Thomson em 1927, através de uma experiência na
qual um feixe de elétrons acelerados por um potencial elétrico incidia sobre um
cristal. Eles verificaram que o cristal, com sua estrutur a atˆomica periódica,
atuava como uma rede de difra¸cão, produzindo m´aximos e mı́nimos de inter-
ferência no feixe de elétrons espalhados.

O fato dos
comprimento elétrons
de onda com
várias energias
ordens de dezenas
de grandeza de do
menor eV que
serem
o daondas, com
luz visı́vel,
tem uma importante aplica¸cão pr´atica. Quando um feixe de elétrons incide
sobre um material, a an´alise dos elétrons espalhados permite observar detalhes
muito menores do que se consegue com a luz visı́vel num microscópio óptico.
Este é o princı́pio básico de operação do microscópio eletrônico. No microscópio
óptico o observador vê a imagem do objeto ampliada por meio de lentes de
vidro, que proces sam a luz espalhada pelos detalhes do material analisado.
Como o comprimento de onda mı́nimo da luz visı́vel é da ordem de 3000 Å,
não é possı́vel distinguir detalhes com dimensões menores que este valor. Por
outro lado, como no microsc´opio eletrônico a onda utilizada é a de um feixe
de elétrons, é possı́vel observar detalhes com dimens˜ oes de alguns angstroms.
Neste caso, a imagem do objeto é formada por lentes magnéticas (campos
magnéticos produzidos por bobinas com formatos adequados) e convertida em
sinais elétricos por meio de detetores, de modo a ser observada na tela de um
computador.
48 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Outra aplicação importante de ondas de matéria é no estudo de sólidos


cristalinos por meio de difra¸cão. Como o parˆametro da rede nos cristais é da
ordem de alguns angstroms, a difração só o corre com radiação de comprimento
de onda pr´oximo deste valor. É possı́vel então usar feixes de elétrons ou de
nêutrons de alta velocidade. A vantagem dos nêutrons está no fato de que
sendo eletricamente neutros, sua penetração no sólido é muito maior que a dos
elétrons.

Exemplo 2.2: Calcule as energias e as velocidades de um feixe de elétrons e outro de nêutrons,


para que ambos tenham comprimento de onda de 2 Å.

A relação entre energia e comprimento de onda é dada pela Eq. (2.43). Então, T = h2 /2mλ2 .
Para o feixe de elétrons m = 9, 1 10−31 kg, logo,
×
6, 632 10−68 × −18
T = = 6, 0 × 10 J
2 9, 1 10−31 22 10−20
× × × ×
−18
6, 0 10 ×
= eV = 37 , 5 eV
1, 6 10−19
×
A velocidade é relacionada com a energia cinética por T = mv 2 /2. Portanto, a velocidade
dos elétrons é,
1/2
v = (2T /m)1/2 =
2 × 6, 0 × 10 18 −

= 3, 6 × 106 m/s
9, 1 × 10 31

−27
No caso do feixe de nêutrons, m = 1, 67 × 10 kg. Então,
2 −68
6, 63 10 −21

T = 2 × × × × × 10 20 = 3, 3 × 10
1, 67 10−27 22 −
J
1/2
2 × 3, 3 × 10 21 −

v = = 2, 0 × 103 m/s
1, 67 × 10 27−

As caracterı́sticas de um elétron podem ser descritas de maneira quan-


titativa através de uma função de onda Ψ. No pr´oximo capı́tulo ela será
definida com precis˜ao. Se o elétron for uma onda plana com um momentum
bem definido p0 , ele ter´a um vetor de onda k0 = p0 / e sua fun¸cão de onda
pode ser escrita na forma
Ψ(x, t) = A e ik0 x−iωt , (2.44)

onde sua freq¨uência angular ω é relacionada com sua energia por E = ω .


A função de onda (2.44) descreve um elétron que preenche todo o espaço, e
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 49

que portanto tem uma incerteza em sua posi¸cão x  →∞ . É evidente que


é muito dif´ıcil “produzir” um elétron com a fun¸ cão de onda (2.44) em todo o
espaço. Entretanto, é poss´ıvel ter um elétron mais localizado, com uma fun¸ cão
de onda como a da Fig.2.14(a). Neste caso, o elétron n˜ao tem um vetor de
onda bem definido k0 . Ele é descrito, digamos em t = 0, por uma fun¸ cão de
onda Ψ( x, 0) que é uma superposição de ondas planas com vetores de onda
k próximos de k0 e amplitudes φ(k) com m´aximo em k = k0 e largura k 
(Fig.2.14(b)), de modo an´alogo ao caso do campo elétrico E (x, 0) descrito na
seção 2.1. Uma incerteza na determinação de k implica numa incerteza no
 ´
momentum
de Fourier dedouma fun¸cãopdo=tipo da
elétron  k . Fig.2.14(a),
E possı́vel que
mostrar,x pela
  k transformada
1. Para um
elétron descrito por Ψ(x, 0) isto significa que

xp   , (2.45)

Este resultado tem a seguinte interpretação: Se em uma me dida ex -


perimental, a posi¸cão do elétron é determinada com uma incerteza x, seu 
momentum também tem uma incerteza p. Isto foi post ulado em 1927 por

Heisenberg, sendo conhecido como o princ´ ıpio da incerteza . Segundo este
princı́pio, em uma experiência não é poss´ıvel determinar exatamente o valor
da posi¸cão do elétron x e seu momentum p simultaneamente. Existe uma
incerteza m´ ınima no processo de medida que é dada por

xp ≥ /2 . (2.46)

Figura 2.14: (a) Pacote de ondas que descreve o estado de uma partı́cula livre localizada
numa região do espa¸co. (b) Transformada de Fourier do pacote de ondas mostrado em (a).
50 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Veja que no caso de uma fun¸ cão de ond a plana como a da Eq. (2.44), o

momentum é bem determinado ( p = 0), em contrapartida x .  →∞
Existe uma outra versão do princı́pio da incerteza, relativa à deter-
minação da energia do elétron E e o intervalo de tempo 
t necessário para
medi-la. Segundo Heisenberg, se a medida é efetuada em um intervalo t 

finito, existe uma incerteza E na determinação de E dada por
E t ≥ /2 . (2.47)

O princı́pio da incerteza, representado pelas equações (2.46) e (2.47), foi


assim proposto por Heisenberg numa época em que o conceito da função de
onda do elétron ainda não era conhecido. Ele causou um profundo impacto na
Fı́sica e também gerou muitas especulações filosóficas. Na verdade, ele é uma
decorrência natural do caráter ondulatório das partı́culas da matéria, cuja
formalização é dada pela mecânica quântica, que ser´a estudada no pr´oximo
cap´ıtulo.

2.5 Fônons e outras Excitações Elementares em Sólidos

As quantizações da onda eletromagnética e da onda de elétron s˜


ao apenas dois
exemplos de um fenˆomeno geral que ocorre com qualqu er tipo de onda. Este
fenômeno é observado experimentalmente através de diversos efeitos e tem
uma explicação rigorosa na teoria quântica de campos . Qualquer onda é
formada por “pacotes” de energia ω , chamados quanta (plural de quantum)
de energia. Assim sendo, a energia de uma onda é discreta e tem valor igual
a um m´ultiplo de ω . O quantum de uma onda tem comportamento tanto de
onda como de partı́cula, tendo energia e momentum dados por

E = ω , (2.48)

p = 
k , (2.49)

que são relações idênticas àquelas vistas anteriormente para ondas eletro-
magnéticas e para elétrons. As excitações num s´olido têm caráter de onda,
sendo portanto quantizadas. Os quanta das diversas ondas s˜ao chamados de
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 51

excitações elementares. Assim, um quantum de vib ra¸cão de rede é um


pacote de onda el´astica, e recebe o nome de fônon.

Há muitas outras excitações elementares em sólidos, em geral com nomes


terminados em on. O quantum de onda de spin em materiais magnéticos é
o magnon. O de uma onda de plas ma num meta l ou semicondutor chama
plasmon. Outras excitações, que não serão apresentadas neste livro s˜ao os
excitons, polarons, polaritons, helicons, plasmaritons, rotons, etc.

REFERÊNCIAS

A. Chaves, F´
ısica , Ondas, Relatividade e Fı́sica Quˆantica, Reichmann &
Affonso Editores, Rio de Janeiro, 2001.
R. Eisberg e R. Resnick, F´
ısica Quˆantica, Editora Campus, Rio de Janeiro,
1988.
G.R. Fowles, Introduction to Modern Optics , Holt, Rinehart and Winston,
New York, 1975.
D. Halliday, R. Resnick e J. Walker, Fundamentos da Fı́sica, Livros Técnicos
e Cientı́ficos, Rio de Janeiro, 1995.

C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, J. Wiley, New York, 1996.


J. Leite Lopes, A Estrutura Quˆantica da Matéria, Editora UFRJ, Rio de
Janeiro, 1992.
H.P. Neff, Jr., Introductory Electromagnetics, J. Wiley, New York, 1991.
O. Pessoa, Jr., Conceitos de Fı́sica Quˆ
antica, Livraria Editora da Fı́sica, São
Paulo, 2003.
52 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

PROBLEMAS

2.1 Aplique o operador rotacional ( ∇×


) à Eq.(2.3), utilize a Eq.(2.4), junta-
mente com as rela¸cões entre os campos e a identidade vetorial
2
∇ × (∇× )= ∇(∇· ) − ∇ ( )
e mostre que num meio sem cargas ou correntes, o campo elétrico obedece
à Eq.(2.5).
2.2 Considere um campo elétrico com amplitude que varia no tempo e no
espaço com uma fun¸cão (x, t): a) Mostre que est a fun¸cão será solução
E
da equação de ondas (2.6), se o argumento tiver a forma (x, t) = f (x
E −
vt )+ g (x + vt), onde f e g são quaisquer funções diferenciáveis; b) Escolha
uma função f (x) em t = 0 que satisfa¸ca à equação de ondas e fa¸ ca um
gráfico qualitativo de sua variação com x em dois instantes de tempo t > 0
quaisquer. Interprete o resultado.
2.3 Considere o campo elétrico  (x, t) = ŷ 0 cos(kx ωt ) de uma onda eletro-
E E −
E
magnética plana: a) Mostre que esta forma de e´ solução da equa¸cão
de ondas pela substitui¸cão direta em (2.6); b) Mostre que esta fun¸ cão é
solução da equação de ondas, pois é um caso particular da solução obtida
no problema 2.2; c) Faça um gráfico qualitativo de em função de x paraE
t = 0 e obtenha a rela¸ cão com k e ω da distˆancia entre dois m´aximos
consecutivos da onda; d) Faça o gr´afico de em função de x para t = t
E 
e relacione a velocidade de deslocamento de um m´aximo, x/ t, com ω  
e k.
2.4 Considere um pulso de onda eletromagnético de forma gaussiana no ins-
tante t = 0,
2 /2L2
E (x, 0) = E 0 e −x cos k0 x
a) Faça um gr´afico semi-quantitativo de em função de x para 0 = 1
E E
×
(unidades arbitrárias) e L = 5 2π/k 0 . Se você tiver um computador
com impressora, faça o gr´afico quantitativo usando k0 = 1; b) Determine
E
a fun¸cão (x, t) que descreve o pulso num instante arbitr´ ario, t, pela
imposição de que (x, t) satisfaça à Eq.(2.6); c) Repita o item a) para o
E
campo obtido no item b).
2.5 Mostre que no limite de grandes comprimentos de onda, λ a, a Eq.(2.22) 
se reduz a uma equa¸cão de ondas para uma vari´avel u cont´
ınua,
∂2u ∂2u
= v2
∂t 2 ∂x 2
Cap. 2 Ondas e Part´
ıculas na Matéria 53

2.6 As vibrações da rede de um certo cristal podem ser descritas pelo modelo
unidimensional dado pela Eq.(2.22), com ´atomos de peso atˆomico 56 e
constante elástica C = 104 g/s2 : a) Calcule a velocidade de propaga¸cão
da onda el´astica na cadeia no limite de grandes comprimentos de onda,
λ  a (ou ka  1), em cm/s, e compare com a velocidade da luz; b)
Calcule o valor m´aximo da freq¨uência de vibração da cadeia em rd/s e
em Hz.
2.7 A partir das medidas do efeito fotoelétrico mostradas na Fig.2.13: a)
Calcule a fun¸cão trabalho do s´odio, em eV; b) Calcule o potencial de
retardo V0 de uma célula com fotocatodo de sódio, iluminada por luz de
comprimento de onda λ = 350 nm.
2.8 Uma montagem de medida do efeito fotoelétrico utiliza uma célula com
fotocatodo de alumı́nio, cuja função trabalho é 4,2 eV. A luz ultravioleta
empregada tem comprimento de onda 180 nm: a) Qual é a freqüência
de corte do alumı́nio?; b) Qual o potencial de retardo do alumı́nio para
este comprimento de onda?; c) Calcule a energia cinética do elétron mais
rápido emitido; d) Qual é a energia do elétron no alumı́nio, que ao ser
emitido é o mais lento?
2.9 Um diodo emissor de luz de GaP emite luz de comprimento de onda 549
nm, com potência 1 µ W: a) Qual é a energia, em eV, dos fótons emitidos
pelo diodo? b) Quantos f´otons por segundo s˜ao emitidos pelo diodo?
2.10 Numa experiência de efeito fotoelétrico com um laser, luz de intensidade
1,0 watt e certa freq¨ uência, incide sobre um fotocatodo de lı́tio, cuja
função trabalho é 2,3 eV. a) Qual é o potencial de retardo para uma
freqüência cujo valor é o dobro da freqüência de corte? b) Suponha que a
cada dez fótons que chegam ao fotocatodo um elétron é emitido, e que o
potencial positivo aplicado entre anodo e catodo é tal que a corrente está
saturada. Calcule o valor desta corrente, em ampère.
2.11 Um elétron é descrito por uma função de onda na forma de um pacote
gaussiano dado, em t = 0, por
2 /2L2
ψ (x, 0) = A e −x eik0 x ,

a) Faça um gr´afico qualitativo de ψ (x, 0) 2 em função de x ; b) A largura


| | 
do pacote pode ser caracterizada por x = < x2 > sendo < x2 >
  
o desvio médio quadrático da fun¸cão em relação ao seu valor médio xm ,

< x2
>=
| ψ(x, 0) 2 (x
| −x 2
m ) dx
54 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

b) Calcule x para o elétron; c) Calcule a transformada de Fourier φ (k)



E
da função de onda, utilizando a defini¸cão da Eq.(2.16) com substitu´ıdo
por ψ . Faça um gr´afico qualitativo de φ(k ) 2 e calcule a largura k do
| | 
pacote do mesmo modo que o item b); d) Calcule o produto x k e 
interprete o resultado. Dados:
 ∞  ∞ √π
2 2
e−y dy = 2 y 2 e−y dy =
−∞ −∞

2.12 Um elétron e um fóton têm, cada um, um comprimento de onda de 3,0


Å. Calcule as energias e os momentos de cada um e interprete o resultado.
2.13 A máxima resolu¸cão de um microsc´opio é limitada pelo comprimento
de onda da radia¸ cão utilizada, sendo a menor distância que pode ser
observada igual ao comprimento de onda. Qual deve ser, em eV, a energia
dos elétrons num microscópio eletrônico para que sua resolução seja 10
Å?
2.14 Mostre que a rela¸cão de incerteza para uma partı́cula, em termos das
incertezas na posi¸cão x e no comprimento de onda
 λ que podem ser

medidos simultaneamente, é dada por:
2
 x  λ ≥ λ / 4π
2.15 Se a incerteza na medida do comprimento de onda de um f´ oton for
λ/λ = 10−7 , qual ser´a a incerteza na medida da posi¸ cão de f´otons
com λ = 5 10−4 Å (raios γ ), 5 Å (raios X) e 500 nm (luz visı́vel)?
×
2.16 As vibrações da rede de um certo cristal diatˆomico podem ser descritas
pelo modelo unidimensional estudado na Seção 2.2, com ´atomos de pesos
atômicos 39 e 80 e constante el´astica C = 104 g/s2 . a) Calcule o valor da
freqüência de vibração da cadeia com k = 0, em rd/s e em Hz; b) Qual é
a energia do fˆonon correspondente à vibração do item a) em eV?; c) Para
que o fˆonon do item b) seja excitado ressonantemente por um f´ oton de
mesma energia, qual deve ser o comprimento de onda deste f´ oton e em
qual região do espectro eletromagnético ele se situa?
Capı́tulo 3

Mecânica Quântica: O Elétron


no Átomo

3.1 Os Postulados da Mecânica Quântica 56

3.1.1 A Função
de
Onda 57
3.1.2 Operadores Quˆanticos 57
3.1.3 Valor Esperado de uma Grandeza 59
3.1.4 A Equa¸cãodeSchroedinger 60

3.2 A Equação de Schroedinger Independente do Tempo 60

3.3 Aplicações Simples da Mecˆanica Quântica 62

3.3.1ElétronLivre 62
3.3.2 Elétron num PoçodePotencialInfinito 65
3.3.3 Barreira de Potencial-Efeito Túnel 69

3.4 Elétron no Átomo de Hidrogênio 73

3.5 Átomos de Muitos Elétrons 84

REFERÊNCIAS 86

PROBLEMAS 87

55
56 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Mecânica Quântica: O Elétron no Átomo

3.1 Os Postulados da Mecânica Quântica

O modelo de Bohr para o ´atomo com estados estacion´arios é baseado no pos-


tulado de que o momentum angular do elétron em órbita circular em torno do
núcleo é quantizado. Este modelo, quando proposto em 1913, teve um grande
sucesso pois conseguiu explicar os resultados experimentais do espectro dis-
creto da radia¸cão emitida pelos ´atomos de um g´as de hidrogênio. Apesar de
seu sucesso, o modelo de Bohr deixou os fı́sicos inquietos p or causa da quan-
tização imposta ad-hoc. Seu mistério era tão grande quanto o da quantiza¸cão
da energia de uma partı́cula executando um movimento harmônico simples,
proposta em 1900 por Planck. Durante anos os fı́sicos procuraram uma teo-
ria mais funda mental que expli casse os resultados de Planck e de Bohr. O
postulado de Broglie, relativo `a natureza ondulat´oria da matéria, abriu o ca-
minho para os princı́pios da mecânica quântica, enunciados por Schroedinger
em 1926. Na mesma época, Heisenberg desenvolveu uma teoria matricial que à
primeira vista era distinta da de Schroedinger. Posteriormente verificou-se que
as duas formulações eram equivalentes e seus resultados eram idênticos. Vamos
apresentar aqui apenas a formulação de Schroedinger que é matematicamente
mais simples.

Alguns autores tentam justificar a equação básica da mecânica quântica,


a equação de Schroedinger, utilizando argumentos diversos. Entretanto ela é
uma equação fundamental da Fı́sica, que não pode ser deduzida a partir das
leis clássicas. Sua melhor justificativa é o fato de seus resultados explicarem
as observações e medidas experi mentais. A mecânica quântica é baseada nos
quatro postulados seguintes:
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 57

3.1.1 A Função de Onda

O estado de um elétron, ou de qualquer “part´ıcula” material, é caracterizado


por uma função de onda complexa Ψ( x, t). Em três dimensões, Ψ é na
realidade fun¸cão de r e não de x, mas vamos manter x por simplicidade. Ψ
e suas derivadas em rela¸ cão a x são contı́nuas, finitas e unı́vocas. Se num
instante t fizermos uma medida para determinar a localiza¸ cão da partı́cula
com função de onda Ψ( x, t), a probabilidade de encontrá-la entre x e x + dx
é dada por P (x, t) dx, onde

P (x, t) = Ψ∗ (x, t) Ψ(x, t) . (3.1)

Como a probabilidade de encontrar a partı́cula em todo o espaço é 1,


 ∞  ∞
P (x, t) dx = Ψ∗ (x, t) Ψ(x, t) dx = 1 . (3.2)
−∞ −∞

Esta condição é suficiente para determinar a amplitude da função de


onda com uma forma conhecida. Dizemos que a fun¸cão de onda que satisfaz
(3.2) está normalizada.

3.1.2 Operadores Quânticos

Com a fun¸cão de onda podemos determinar a probabilidade de “localiza¸ cão”


de uma partı́cula em qualquer instante. Entretanto, para calcular outras
grandezas relativas ao seu movimento é preciso introduzir o conceito de opera-
dor. A cada grandeza fı́sica corresponde um operador matemático, que opera
na função de onda.

O operador relativo ao momentum em uma dimens˜ao, digamos x , é



pop = −i 
∂x
, (3.3)

onde i é a unidade imaginária. Veja o que acontece quando (3.3) oper a na


função de onda plana de um elétron livre dada pela Eq. (2.44)

popΨ(x, t) = i − A e ik0 x−iωt =  k0 Ψ( x, t) . (3.4)
∂x
58 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Ora, k0 é o momentum de um elétron livre proposto por de Broglie. Então


a definição (3.3) est´a bastante razo´avel. É importante chamar a aten¸cão de
que quando um operador é aplicado a uma função de onda, em geral n˜ao se
obtém diretamente o valor da grandeza fı́sica a ele associado, como na Eq.
(3.4). Quando um operador apl icado a Ψ, reproduz Ψ multipl icada por uma
constante, dizemos que Ψ é uma autofunção do operador. Assim, se
popΨ = pΨ , (3.5)

Ψ é uma autofunção de pop , sendo p o autovalor. Quando isto ocor re, o


momentum da partı́cula é bem determinado, ou seja, sua incerteza é nula.
Este é o caso do elétron descrito por (2.44).

No caso mais geral de três dimensões, o operador momentum é

pop = −i ∇ = −i
 
 x̂

+ ŷ

+ ẑ

 . (3.6)
∂x ∂y ∂z

Outro operador importante é o da energia, dado por,



Eop = i . (3.7)
∂t

Para um elétron livre



Eop Ψ(x, t) = i A e ik0 x−iωt = ω Ψ( x, t) . (3.8)
∂t

Logo, a fun¸cão de onda de um elétron livre também é uma autofunção


do operador energia, com autovalor
E = ω , (3.9)

o que também está em acordo com a teoria de Broglie.

A partir destes operadores é possı́vel construir outros. Por exemplo, a


energia cinética é
2 2
1   2
Top =
2m
pop.pop = − 2 m ∇ . ∇ = − 2m ∇ (3.10)

onde m é a massa da partı́cula e, em coordenadas cartesianas,


2 ∂2 ∂2 ∂2
∇ = + +
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2
(3.11)
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 59

é o operador Laplaciano. No caso particular de uma dimensão


2 2
Top = − 2m ∂x∂ 2
(3.12)

A Tabela abaixo apresenta os operadores quˆanticos correspondentes a


algumas grandezas clássicas importantes.

Grandeza Clássica Operador Quântico


x x
r r
px −i ∂/∂x

p −i ∇ 

E i∂/∂t
T 2
−( /2m)∇ 2


L −i r × ∇

3.1.3 Valor Esperado de uma Grandeza

Como foi dito anteriormente, quando um operador atua numa função de onda,
em geral o valor da grandeza associada n˜ ao aparece imediatamente. Neste
caso, o valor da grandeza n˜ ao pode ser determinado com precis˜ ao, ele tem
uma incerteza. Podemos, no entanto, calcular o valor mais provável, ou seja,
seu valor médio no sentido estatı́stico, chamado valor esperado.

Sendo a fun¸cão normalizada,


 ∞
Ψ∗ Ψ dxdydz = 1 , (3.13)
−∞

o valor esperado < Q > de uma grandeza associada a um operador Qop e´ dado
por,  ∞
< Q >= Ψ∗ Qop Ψdxdydz . (3.14)
−∞

É comum também representar o valor esperado de um operador por Q .


60 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

3.1.4 A Equação de Schroedinger

A evolução da fun¸cão de onda de uma partı́cula em um sistema fı́sico é de-


terminada por uma equa¸cão diferencial proposta por Schroedinger. Como foi
dito anteriormente, esta equação não pode ser deduzida. É preciso aceit´a-la,
utilizá-la em v´arias aplicações, até que ela se torne familiar. A equação de
Schroedinger exprime que a energia total de uma partı́cula, em termos de ope-
radores atuando sobre a fun¸cão de onda, é a soma da energia cinética com a
potencial. Ela pode ser escrita da seguinte forma,
(Top + Vop)Ψ = E op Ψ . (3.15)

Utilizando (3.7) e (3.10) obtemos


2
 2 ∂ Ψ(r, t)
− 2m ∇ Ψ(r, t) + V op Ψ(
r, t) = i
∂t
, (3.16)

onde o operador V op representa o potencial de interação a que a partı́cula está


sujeita numa dada situa¸cão fı́sica, variando, evidentemente, de um problema
para outro. Se o movimento da partı́cula est´a restrito `a coordenada x, a
Equação de Schroedinger se reduz `a
2 2
− 2m ∂∂xΨ + V Ψ = i

2

∂Ψ
∂t
. (3.17)

De agora em diante vamos deixar de usar o ı́ndice “op” no operador para sim-
plificar
que tem,a para
notação.
cada A Eq.(3.16)V é, uma
potencial equação diferencial
uma infinidade de derivadas
de solu¸cões. parciais
As soluções para
cada problema s˜ao limitadas pelas condi¸cões de contorno que Ψ e ∂ Ψ/∂x de-
vem obedecer, bem como pela condição de normalização (3.2) que “amarra” as
amplitudes das funções de onda. A Eq. (3.16) tem outra caracterı́stica impor-
tante, ela é uma equação diferencial linear, pois os operadores e as fun¸ cões são
elevados à potência um. Uma propriedade importante das equações lineares é
que a superposi¸cão de duas ou mais de suas solu¸ cões, também, é sua solu¸ cão
(ver o Problema 3.1).

3.2 A Equação de Schroedinger Independente do Tempo

Quando o potencial V não varia no tempo, o primeiro passo para resolver


(3.16) é fazer uma separação de vari´aveis. Esta é uma técnica comum para
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 61

resolver equações de derivadas parciais.

Se V não é função de t , é poss´ıvel encontrar para Ψ(r, t) uma solução do


tipo
Ψ(r, t) = ψ (r)φ(t) , (3.18)

onde ψ (r) e φ (t) são funções apenas das vari´aveis r e t respectivamente. Subs-
tituindo (3.18) em (3.16) obtemos:

2  ∂φ (t) ψ (
2
− 2m ∇ ψ(r) φ(t) + V (r)ψ(r)φ(t) = i ∂t
r) . (3.19)

Dividindo os dois membros pelo produto ψ (r)φ(t) vem

2
1
− 2
∇ ψ(r) + V (r)ψ(r
 =
1
i

∂φ (t)
 . (3.20)
ψ (r) 2m φ(t) ∂t

Veja que o lado direito de (3.20) n˜ ao depende de r, enquanto que o lado
esquerdo não depende de t. Em conseqüência, o valor comum dos dois lados
não pode depender de r ou de t , devendo então ser uma constante, que vamos
chamar de E . A equa¸cão obtida igualando o lado direito de (3.20) a E é,
dφ(t)
dt
= −i E φ (t)

. (3.21)

Note que substituı́mos o sı́mbolo da derivada parcial pelo da derivada total,


pois φ (t) só é função de t . A solu¸cão de (3.21) é

φ(t) = exp
−  i
E
t . (3.22)

Vemos que φ (t) é uma funç˜


ao oscilante no tempo com freq¨uência angular ω =
E/ . Assim sendo, podemos associ ar a constante E introduzida na separa-
ção de variáveis com a energia do estado cuja fun¸cão de onda é solução da
Eq.(3.16).

A equação obtida igualando o lado esquerdo de (3.20) a E é uma equação


diferencial com variáveis do espa¸co:
2
 2
− 2m ∇ ψ(r) + V (r) ψ (r) = E ψ(r) . (3.23)
62 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Ela é conhecida como a Equação de Schroedinger independente do tempo. O


operador energia total também é chamado o Hamiltoniano do sistema, o que
permite escrever (3.23) na forma,

H ψ(r) = E ψ(r) , (3.24)

onde
2 2
H = − 2m ∇ + V (r) . (3.25)

A Eq.(3.24) é uma equação de autovalores. Sua solu¸cão dá a parte es-


pacial das autofunções, bem como os autovalores de energia correspondentes.
A solução completa de (3.16) fica ent˜ao

Ψ(r, t) = ψ (r) exp


− i
E
t , (3.26)

onde ψ (r) representa a autofun¸cão com energia E . Veja que a densidade de


probabilidade de encontrar a partı́cula com função de onda (3.26) na posi¸ cão
r,
P (r, t) = Ψ∗ (r, t)Ψ(r, t) = ψ (r) 2 ,
| | (3.27)

é independente do tempo. Isto significa que se uma partı́cula tem num certo
instante uma fun¸cão de onda dada por uma autofun¸ cão do tipo (2.44), ela
permanece indefinidamente com a mesma fun¸cão. Dizemos que a partı́cula
nesta situação permanece num estado estacionário . Vamos agora utilizar a
equação de Schroedinger em algumas aplica¸cões simples.

3.3 Aplicações Simples da Mecânica Quântica

3.3.1 Elétron Livre

O exemplo mais simples de aplica¸cão da equa¸cão de Schroedinger é o de um


potencial uniforme, V (r) = constante. Classicamente, uma partı́cula nesse
potencial é sujeita a uma força F = V = 0. Portanto, ela é uma partı́cula
−∇
livre e move-se com velocidade constante. Como o valor do potencial constante
não influi no movimento, tomamos V = 0. Supondo que o elétron se desloca
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 63

na direção x , a Eq.(3.23) fica


2 2
− 2m d dxψ(x) = E ψ(x)
2
. (3.28)

A solução desta equa¸cão pode ser escrita na forma


ψ (x) = A e ikx + B e −ikx . (3.29)

Substituindo (3.29) em (3.28) vemos que


2 k 2
E= . (3.30)
2m


Como φ (t) = exp( iEt/ ), a primeira parcela de (3.29) representa uma onda
plana propagando na dire¸cão de x positivo:
Ψ(x, t) = A e ikx−iωt . (3.31)

Esta é a função de onda de uma partı́cula livre, movendo-se com velocidade


constante na direção +x, como tinha sido antecipado na Eq.(2.44). Da mesma
forma, a fun¸cão de onda correspondente `a segunda parcela de (3.29) corres-

ponde a um elétron movendo-se no sentido x. Em ambos os casos, o momen-
tum p = k é relacionado com a energia pela expressão (3.30), que pode ser
escrita na forma,
p2
E = 2m . (3.32)
Como esperado, a energia é exatamente a energia cinética, pois trata-se de
uma partı́cula livre. Veja que neste problema não há qualquer condi¸cão que
restrinja o valor de E , que pode variar continuamente entre 0 e ∞
. Note que
da Eq. (3.30) pode- se obter a relação de dispersão ω (k ) do elétron livre.
Usando E = ω obtemos
 2
ω (k ) = k , (3.33)
2m

que é a função parabólica ilustrada na Fig.3.1.

A partı́cula com a função de onda (3.31) comporta-se como uma onda


que preenche todo o espa¸co, tendo comprimento de onda

λ= , (3.34)
k
64 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 3.1 : Rela¸cão de dispersão


parabólica de um elétron livre.

onde
√2mE
k= . (3.35)

Todos os resultados acima est˜ao em completo acordo com a teoria de


de Broglie estudada no Capı́tulo 2. Veja que se a função de onda (3.31) for
normalizada através da Eq.(3.2) obtemos A →
0. Portanto, n˜ao faz sentido
normalizar (3.31) em todo o espa¸co. Na verdade, n˜ao há muito sentido fı́sico
em considerar uma partı́cula em todo o espaço. Entretanto, ondas planas do
tipo (3.31) podem ser usadas matematicamente para construir um pacote de
onda como o da Fig.2.14(a), que representa uma partı́cula confinada em uma
região do espa¸co. Ora, sabemos que um “pacot e“ como est e propaga com a
velocidade de grupo

vg = ∂ω .
∂k

k0
(3.36)

Utilizando a relação de dispersão (3.33) obtemos a velocidade de uma partı́cula


representada por este pacote


vpart = vg = k0 . (3.37)
m

O momentum desta partı́cula é ent˜


ao

p = m vpart =  k 0 , (3.38)

que está em acordo com o conceito introduzido por de Broglie.


´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 65

3.3.2 Elétron num Poço de Potencial Infinito

Vamos obter os estados estacion´arios de uma partı́cula de massa m que se


movimenta livremente no interior de um poço de potencial com paredes infini-
tamente altas, em uma dimens˜ao. Este po¸co, mostrado na Fig.3.2, representa
aproximadamente a situação de um elétron livre confinado ao interior de um
sólido. O fenômeno que impede sua sa´ıda pelas superf´ ıcies do s´
olido é a atração
eletrostática exercida pelos ´atomos ou ı́ons do sólido. Na verdade, como sabe-
mos, este po¸co não é infinito, pois o elétron pode ser arrancado do sólido, como
no efeito fotoelétrico.
As autofunções da equa¸cão de Schroedinger (3.24) para este problema
são determinadas da mesma forma que para um potencial uniforme, sendo
neste caso:

V (x) =
 0 0<x<L
(3.39)
∞ ≤
x 0 ; x ≥L
No intervalo 0 < x < L a equação é idêntica a do elétron livre, e portanto
sua solução é igual a (3.29),
ψ(x) = A e ikx + B e −ikx (0 < x < L ) , (3.40)

sendo E = (k )2 /2m. Em x 0 e x L, ψ = 0 pois o potencial infinitamente


≤ ≥
grande não permite que o elétron esteja nesta região. Como o momentum do

elétron,
cont´ ınua dado
em x ,por− i dψ/dx, não pode ser infinito, ψ deve ser uma fun¸cão
e portanto
ψ(x = 0) = ψ (x = L) = 0 . (3.41)

Usando a condi¸cão de contorno acima em (3.40) obtemos B = −A. As auto-

Figura 3.2: Poço de potencial


com paredes infinitamente altas.
66 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

funções do po¸co de potencial infinito s˜ao então


ψn (x) = A n sen kn x . (3.42)

A condição ψ (L) = 0 imposta a (3.42) restringe os valores de k n a


π
kn = n (n = 1, 2, 3, 4,... ) . (3.43)
L

Ao contrário do elétron livre, o elétron no po¸


co de potencial infinito n˜ao
pode ter um valor qualquer de energia. As energias possı́veis são dadas por
E = (k)2 /2m, ou seja, E só pode assumir valores discretos,
2 2
 π
En = n2 , (3.44)
2mL2

onde n é chamado um número quântico, p ois corresponde a valores quanti-


zados da energia. Os E n são chamados autovalores e os ψ n são as autofun¸cões
da equação para o po¸co infinito.

A Fig.3.3 mostra uma representa¸cão das fun¸cões de onda e das energias


correspondentes, para os quatro primeiros valores do n´ umero quântico n.

Figura 3.3: Funções de onda e correspondentes energias de uma partı́cula num po¸co de
potencial infinito, para os quatro primeiros valores do n´ umero quântico n.
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 67

Alguns resultados deste problema simples s˜ao, pelo menos qualitativa-


mente, de validade bastante geral para poços de potencial, independentemente
de sua forma detalhada. S˜ao eles:

• Part´ıculas cujo movimento é confinado a uma região limitada do espaço


só podem ocupar estados (estacion´arios) de energia discreta, ou seja, têm
energia quantizada. Matematicamente isto decorre das condições de
contorno impostas `as fun¸cões de onda nos limites da regi˜ ao. Esta é a
mesma razão pela qual uma corda presa nas extremidades s´o pode vibrar
em certas freq¨uências discretas. O estado de menor energia é chamado
estado fundamental.
• A função de onda de um estado confinado a uma regi˜ao do espaço tem um
certo número de zeros, que é tanto maior quanto maior for sua energia.

Exemplo 3.1: Uma part´ ıcula está no estado fundamental num poço de potencial infinito de largura
L. Calcule: a) Os valores espe rados da posi ¸cão x e do momentum px ; b) Os desvios médios
quadráticos de x e de p x .

a) A fun¸cão de onda da partı́cula no estado fundamental é dada p or ( 3.42) e (3.43) com n = 1,


ψ = A sen (πx/L). Para normalizar a fun¸cão de onda usamos a condi¸cão (3.1),
L L π
π π L π πx
A2 sen2 x dx = A 2 sen2 x dx = A 2 sen2 x d =1 .
0 L 0 L π 0 L L
2
Como sen α é=f´
α (πx/L),
≡ (1 ver
acil cosque
2 α)/2, −o integrando
a integral pode
da primeira ser dividido
parcela é π/2 e em
a daduas parcelas.
segunda Fazendo
é nula. Então,

L π 2
A2 = 1 , logo A = .
π 2 L

O valor esperado de x é
∞ L L
π A2
x= ψ ∗ x ψ dx = A2 x sen 2
L
x dx =
2
x 1 − cos 2π
L
x dx
−∞ 0 0

Para calcular esta expressão usamos a seguinte integral que pode ser resolvida por partes,

1 x
x cos ax dx = cos(ax) + sen(ax) .
a2 a

Aplicando este resultado na integral definida e usando a = 2π/L, verificamos que a segunda
parcela da integral na expressão de x e´ nula. Assim,
L
A2 A2 L2 L
x= x dx = =
2 0 2 2 2
68 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Este resultado era, de certa forma, esperado, pois uma partı́cula que se movimenta livremente
entre x = 0 e x = L tem uma posi¸cão média em x = L/2.
O valor esperado do momentum é,
∞ L
∂ψ π π π
px = ψ∗ ( i )
− dx = −i A2 sen x cos x dx
−∞ ∂x 0 L L L
L
A2 π 2π
= −i sen x dx = 0
2 L 0 L

Este resultado também é natural, pois uma partı́cula que vai e volta dentro de uma caixa,
com energia constante, tem velocidade média nula.
b) O desvio médio quadrático de x é definido por

∆x2 =< x 2 − x2 >


Então
L 2
∆x2 = A2 x2 − L4 sen2
π
L
x dx
0

A2 L 2
=
2
x2 − L4 1 − cos 2π
L
x dx
0

Para resolver esta expressão, usamos o resultado,


2x cos(ax) a2 x2 2 −
x2 cos(ax) dx = + sen(ax) .
a2 a3
Após algumas contas simples obtemos, finalmente,
2
L π2 −6
∆x2 = = 0, 033 L 2
2π 3

O desvio médio quadrático do momentum pode ser calc ulado de maneira semelhante. O
resultado é,
2
π
∆p2x =
L

É interessante notar que as incertezas na determina¸ cão da posi¸cão e do momentum podem


ser consideradas como as raı́zes quadradas dos desvios médios quadráticos. Assim,
1/2
∆x = ∆x2 = 0, 033L = 0, 18 L
1/2 π
∆px = ∆p2x = .
L
O produto dessas duas grandezas d´a,

∆x ∆ px = 0, 18 π = 0, 57 .

Este resultado é consistente com o princ´


ıpio da incerteza, que estabelece como limite mı́nimo
para o produto das incertezas o valor de /2.
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 69

3.3.3 Barreira de Potencial-Efeito Túnel

Considere um elétron livre, “propagando” na direção +x, que encontra uma


barreira de potencial de altura V 0 maior do que sua energia E , como ilustrado
na Fig.3.4.

Se a região 1 é semi-infinita a energia do elétron n˜


ao é quantizada. Dese-
jamos saber o que acontece com o elétron ao encontrar a barreira de potencial
maior do que sua ene rgia. Na região 1, como vimos anteriormente, a fun¸cão
de onda do elétron é dada por
ψ1 (x) = A e ikx + B e −ikx , (3.45)

sendo k = (2mE )1/2 /. Na regi˜ao 2 a equa¸cão de Schroedinger leva a


d 2 ψ 2m
= 2 (V0 − E) ψ . (3.46)
dx2 

Sendo ( V0 − E ) > 0, a solu¸cão de (3.46) é


ψ2 (x) = C eγx + D e −γx , (3.47)

onde
γ= 2m(V0 − E )/
 . (3.48)

Veja que na Eq.(3.47) a primeira parcela é uma função que cresce expo-
nencialmente com x enquanto a segunda decai exponencialmente. Isto é uma
conseqüência do fato de a energia do elétron ser menor que a altura da barreira

Figura 3.4: Barreira de potencial.


70 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

de potencial. No caso de E > V0 , o expoente γ em (3.48) é imaginário, e as


duas parcelas em (3.47) representam ondas propagantes (Problema 3.6).

Para determinar as quatro constantes A, B , C e D que aparecem em


(3.45) e (3.47) é preciso usar as condições de contorno para a fun¸cão de onda.
Para x →∞ , a Eq.(3.47) mostra que ψ2 se C = 0. Como a fun ¸cão de
→∞ 
onda não pode divergir, a constante C deve ser nula.

Em x = 0 as fun¸cões de onda nas duas regi˜oes devem ser iguais, pois


ψ e´ contı́nua em todo o espaço. Fazendo C = 0, em (3.47), obtemos com
ψ1 (0) = ψ2 (0),
A+B= D . (3.49)

Em x = 0 a derivada de ψ em relação a x também deve ser cont´


ınua,
dψ1
 =
dψ2
 , (3.50)
dx  0 dx 
0

porque se isto n˜ao fosse verdadeiro, a energia cinética, que é proporcional a


d2 ψ/dx2 seria infinita em x = 0. Usando (3.45) e (3.47) em (3.50), obtemos
ik(A − B) = −γD . (3.51)

Com as duas condições (3.49) e (3.51) podemos determinar as amplitudes


da onda refletida B e da onda transmitida D em função da amplitude da onda
incidente A:
2k (k iγ ) −
D= A , B= A . (3.52)
k + iγ k + iγ

Veja que na regi˜ao 2 a fun¸cão de onda do elétron é


ψ2 (x) = D e −γx , (3.53)

o que mostra que existe uma certa probabilidade do elétron ser encontrado
na região 2. Este é um efeito puramente quântico, pois classicamente uma
partı́cula seria totalmente refletida por uma barreira do potencial maior do
que sua energia. Como ilustrado na Fig.3.5, ψ2 (x) decai exponencialmente
com x e podemos ter ψ 2 (x = a) > 0. Assim, se a barreira tiver uma espessura
finita a , a probabilidade do elétron atravess´
a-la será, aproximadamente,
2
|ψ (a)|
2 = e−2γa . (3.54)
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 71

Figura 3.5: Comportamento espacial da fun¸cão de onda para uma partı́cula sujeita a uma
barreira de potencial, como na Fig.3.4.

Este fenômeno quântico é chamado efeito túnel, pois classicamente o elétron


só atravessaria a barreira de potencial se houvesse um t´ unel sob ela. Note que
o resultado (3.54) é aproximado, porque se tivéssemos considerado a largura
da barreira finita desde o inı́cio não poderı́amos ter feito C = 0. Entretanto,

se exp( 2γa ) é suficientemente pequeno, a amplitude C da “onda refletida”
em x = a e´ desprezı́vel e a expressão (3.54) é uma boa aproximação para o
resultado exato.

Exemplo 3.2: Outra aplicação importante da mecˆanica quântica é a de uma part´


ıcula de massa

m submetida a uma intera¸cão com um potencial de oscilador harmˆonico simples do tipo,


1 1
V (x) = kx2 = m ω 02 x2 ,
2 2

2
onde ω0 = k/m e´ a freqüência natural do oscilador. Verifique que as funções ψ0 (x) = A 0 e−ax
2
e ψ1 (x) = A1 x e−ax são autofunções da equa¸cão de Schroedinger para o oscilador harmˆ onico e
determine suas energias.

A equação de Schroedinger para o oscilador harmˆonico tem a forma,


2
d2 ψ 1
− 2m + m ω 02 x2 ψ = E ψ .
dx2 2

Para o estado fundamental temos as seguintes derivadas de ψ0,


dψ0 −ax
2
= −2ax A0 e ,
dx
d2 ψ0 2
−ax
2
= −2a A0 e + 4a2 x2 A0 e −ax .
dx2
72 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Substituindo na equação vem,


2
−ax
2 2 1 2 2
− 2m −2a A0 e + 4a2 x2 A0 e −ax + m ω 02 x2 A0 e −ax = E A0 e −ax .
2

2
Cancelando o fator comum A0 e −ax obtemos,
2 2

m
a − 2 m a2 x2 + 12 m ω 02x2 = E .
Para que esta equa¸cão seja satisfeita para qualquer valor de x, é necessário que o termo em
x2 seja nulo. Isto permite obter o valor da constante a,
a = m ω0 .
2

Substituindo esta expressão na equação anterior vem,


2
a 1
E= = ω0 .
m 2

Esta é a energia do estado fundamental. O procedimento para obter a energia do estado


ψ1 e´ semelhante. Calculamos a derivada d2 ψ1 /dx2 , substituı́mos na equação de Schroedinger e
cancelamos o fator comum, obtendo,
2
1
− 2m −2ax − 4ax + 4a2 x3 +
2
m ω 02 x3 = xE .

Neste caso é preciso anular separadamente todos os termos com potências iguais de x. O
termo em x 3 leva ao mesmo valor de a obtido para o estado fundamental, enquanto o termo em x
dá,
2
a 3
E= 3 = ω0 .
m 2

Esta é a energia do primeiro estado excitado, cuja fun¸cão de onda é precisamente ψ1 . A


solução geral da equa¸cão de Schroedinger para o oscilador harmˆ onico, que est´a apresentada em
detalhe nos livros de mecˆanica quântica, é dada por fun¸
cões do tipo,
2
ψn (x) = c0 + c1 x + c2 x2 + · · · cn xn e−ax ,

onde a função entre parênteses é conhecida como polinˆ


omio de Hermite. A demonstração de que esta
expressão é autofunção da equa¸cão de Schroedinger para o oscilador harmˆ onico é feita de maneira
análoga ao que fizemos para n = 0 e n = 1, que correspondem aos dois estados de menor energia.
A solução geral mostra que a energia do estado excitado de ordem n e´ dada por,
1
En = n+ ω0 .
2

Este é um resultado importante que mostra que os nı́veis de energia dos estados do oscilador
harmônico estão igualmente espaçados, com uma diferen¸ca entre dois n´ıveis consecutivos de ω0 .
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 73

3.4 Elétron no Átomo de Hidrogênio

Uma das aplicações simples mais importantes da mecânica quântica é no átomo


de hidrogênio. Foi este um dos primeiros problemas que Schroedinger tratou
com sua equação. A concordˆancia que ele obteve com os autovalores de energia
do modelo de Bohr constituiu o primeiro teste importante da validade de sua
teoria.

O átomo de hidrogênio é o mais simples de todos, pois tem apenas um


elétron de carga e em torno de um pr´oton de carga + e. O potencial que atua

sobre o elétron é devido a` energia de intera¸cão eletrostática:
2
e 1
V (r ) = − 4π 0 r
, (3.55)

onde r e´ a distância entre o elétron e o próton. Apesar da simplicidade deste


potencial, a solu¸cão da equa¸cão de Schroedinger é razoavelmente complicada
por causa de sua natureza tridimensional. Para resolvê-la mais facilmente
devemos usar um sistema de coordenadas esféricas, ilustrado na Fig.3.6, que
utiliza as variáveis r , θ e ϕ para caracterizar a posi¸cão do elétron em relação
ao n´ucleo. Em coordenadas esféricas o operador Laplaciano , que aparece na
Equação de Schroedinger, tem a seguinte forma
∂2
∇ 2
=
1 ∂
 
r2

+
1
+
1 ∂
 senθ

 . (3.56)
r 2 ∂r ∂r r2 sen2 θ ∂ϕ 2 r2 senθ ∂θ ∂θ

Para resolver a equa¸cão de Schroedinger (3.24) com o potencial V (r)


dado por (3.55) e o Laplaciano (3.56), vamos supor que a massa do pr´ oton é

Figura 3.6: Coordenadas esféricas


(r,θ,ϕ ) de ponto P com coordenadas
cartezianas (x,y,z ).
74 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

infinitamente maior que a do elétron. Isto corresponde a dizer que o elétron


se movimenta em torno do n´ucleo sem que este se desloque, o que reduz o
problema de duas partı́culas ao de apenas uma. Na Eq. (3.24) podemos então
desprezar a energia cinética do próton, o que n˜ao seria poss´ıvel se sua massa
não fosse muito grande . Como o p otencial (3.55) depend e apenas da variável
r, é possı́vel encontrar solu¸
cões para a equa¸cão de Schroedinger da forma
Ψ(r,θ,ϕ ) = R (r) Θ(θ ) Φ( ϕ) . (3.57)

Esta solução permite separar a equa¸cão diferencial parcial com três


variáveis em três equações diferenciais ordin´arias nas vari´aveis r, θ e ϕ, se-
melhantemente ao que foi feito para tratar a Eq.(3.16). Substituindo a solução
(3.57) na Eq. (3.24) com o Laplaciano (3.56) obtemos:
2 ∂ 2 RΘΦ
− 2m
 
1 ∂
r2
∂R ΘΦ
+
1
+
r2 ∂r ∂r r2 sen2 θ ∂ϕ 2
1 ∂
 senθ
∂R ΘΦ
 + V (r ) R ΘΦ = E RΘΦ .
r 2 senθ ∂θ ∂θ

Operando as derivadas parciais segue que,


2
R Θ d2 Φ

− 2m
 ΘΦ d
 
r2
dR
+ +

 senθ


r2 dr dr r 2 sen2 θ dϕ2 r 2 senθ dθ

+V (r ) R ΘΦ = E RΘΦ .

Nesta equação substituı́mos o sı́mbolo da derivada parcial pelo da


derivada total porque as funções dependem de apenas uma vari´avel. Multipli-
cando todos os termos por 2mr2 sen2 θ/(RΘΦ 2 ) e rearrumando as parcelas

vem
1 d2 Φ 2
= − senR θ drd
 −
r2
dR senθ d
 senθ

− 2m
r 2 sen2 θ[E − V (r)] .
Φ dϕ2 dr Θ dθ dθ 2
(3.58)

Como o lado esquerdo desta equa¸cão não depende de r ou θ, enquanto que o


direito não depende de ϕ, seu valor comum deve ser uma constante, que vamos
designar por m2 . Assim obtemos duas equa¸cões

d2 Φ 2
dϕ2
= −m  Φ , (3.59)
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 75

2
− R1 drd
 −
r2
dR 1 d
 senθ

− 2m
r 2 [E − V (r)] = − senm θ 
.
dr Θsenθ dθ dθ 2 2

(3.60)

A Eq.(3.59) pode ser resolvida por uma fun¸cão de ϕ , enquanto que a Eq.(3.60)
pode ser reescrita na forma

1 d r 2 dR + 2 mr − V (r)] = senm θ − Θsen


1 d senθ dΘ
  2
[E
2

  ,
R dr dr  2 θ dθ
2 dθ

que também pode ser separada nas variáveis r e θ . Usando como constante de
separação  ( + 1), obtemos as equa¸cões nas vari´aveis r e θ :
m 2 Θ

− sen1 θ dθd senθ

 + =  ( +1)Θ (3.61)
dθ sen2 θ

1 d
 
r2
dR
+
2m
[E − V (r)]R = ( + 1) rR . (3.62)
r2 dr dr 2 2

As equações (3.59), (3.61) e (3.62) s˜ ao agora independentes uma das outras


e po dem ser resolvidas separadamente. A solução completa para a fun¸cão de
onda do elétron é o produto das três solu¸cões daquelas equa¸cões.

Vamos considerar inicialmente a equação (3.59) para Φ( ϕ). É fácil ver


que sua solu¸cão é
Φ(ϕ) = eim ϕ . (3.63)

Matematicamente esta função é solução da equação (3.59) para qualquer valor


de m . Entretanto, fisicamente a função de onda do elétron deve ter para ϕ = 0
o mesmo valor que em ϕ = 2π , 4π , 6π , etc. Isto requer que m tenha apenas
os seguintes valores
m = 0, 1, 2, 3,...
| | (3.64)

ou seja, m deve ser um inteiro, positivo ou negativo; ele é um número


quântico. As solu¸cões das Eq.(3.61) e (3.62) s˜ao bem mais complexas. Entre-
tanto elas são equações bem conhecidas, estudadas exaustivamente em disci-
plinas de cálculo avançado. As solu¸cões de (3.61) s˜ao os chamados polinˆomios
76 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

de Legendre associados, e s˜ao finitas somente se  for um n´umero inteiro, po-


sitivo, limitado por
m  .
| |≤ (3.65)

As soluções da equação radial (3.62) s˜ao os polinˆomios de Laguerre, que s˜ao


finitas se a constante E for dada por
me4
E= −2 , (3.66)
2 (4π 0 )2 n2

onde n também é um número inteiro, que satisfaz a rela¸cão


0 ≤≤n−1 . (3.67)

A constante E da Eq.(3.66) é o autovalor de energia da fun¸cão de onda no


átomo de hidrogênio. Este resultado significa que a energia do elétron no
átomo de hidrogênio é quantizada (discreta), semelhantemente ao que ocorre
no poço de potencial infinito estudado na seção 3.3. Substituindo as constantes
em (3.66) podemos exprimir a energia em eV,

E= − 13n, 6 eV
2
. (3.68)

A Fig.3.7 ilustra os nı́veis de energia do poço de potencial infinito e do


poço Coulombiano do elétron no átomo ( V = A/r). Note que em ambos os

casos o menor valor de energia não é o do potencial no fundo do poço, mas sim
um valor acima deste chamado energia de ponto-zero, ou energia do estado
fundamental.

A solução geral da Equa¸cão de Schroedinger para o elétron no átomo de


hidrogênio é dada pelo produto das três fun¸cões nas variáveis r , θ e ϕ , soluções
de (3.59), (3.61) e (3.62), que pode ser escrita na forma
Ψnm (r,θ,ϕ ) = Rn (r )Θm (θ)Φm (ϕ) , (3.69)

onde

Φm (ϕ) = eim ϕ

Θm (θ ) = sen |m | θ × (polinômio em cos θ)


Rn (r ) = e−Cr/n 
r × (polinômio em r) .
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 77

Figura 3.7: (a) Representação de um “po¸co” de potencial ao qual um elétron está submetido
pelo núcleo de um ´atomo. (b) Diagrama de um modelo de caixa retangular de potenc ial que
se aproxima, grosseiramente, do potencial visto pelo elétron em torno de um núcleo.

sendo C uma constante. Embora os autovalores de energia do elétron no


átomo com o potencial Coulombiano s´o dependam do n´umero quântico n, as
funções de onda dependem também de  e m . O fato de haver três números
quânticos, em vez de um apenas como no po¸co de potencial estudado na se¸cão
3.3, é uma conseqüência da equação de Schroedinger para o ´ atomo conter
três variáveis independentes. Agrupando as condições (3.64), (3.65) e (3.67),
podemos escrever as rela¸cões entre os n´umeros quânticos na forma

no¯ quântico principal: n = 1, 2, 3,...


no¯ quântico azimutal:  = 0, 1, 2, ...n 1 −
no¯ quântico magnético: m = ,  + 1 ,... 0,...
− − − 1,  .

 é chamado número quântico azimutal porque ele determina a varia¸cão


angular de ψnm . m é chamado número quântico magnético porque define a
separação de energia entre os nı́veis quando o átomo é colocado em um campo
magnético. A Tabela 3.1 mostra as autofunções normalizadas correspondentes
aos três primeiros valores de n para um ´atomo com núcleo de carga + Ze ( Z é
78 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

os
Nquânticos Autofun¸ cões
¯
n  m
 3/2
Z
1 0 0 ψ100 = √1π a0 e−Zr/a 0

  −  3/2
Z Zr
2 0 0 ψ200 = 4√12π a0 2 a0 e−Zr/ 2a 0

3/2

2 1 0 ψ210 = 4√12π aZ0 Zr e−Zr/ 2a cos θ


 a0
0

 3/2
Z Zr
2 1 ±1 ψ21±1 = 8√1 π a0 a0 e−Zr/ 2a senθ e ±iϕ
0

  − 3/2 2 2

Z
3 0 0 ψ300 = 81
√1
3π a0 27 18 Zr Z r
a +2 a
0
2 e−Zr/ 3a 0

√2   −  Z
3/2
Zr Zr
3 1 0 ψ310 = 81
√π a0 6 a0 a0 e−Zr/ 3a cos θ 0

  −  3/2
Z Zr Zr
3 1 ±1 ψ31±1 = 81
1 √π a0 6 a0 a0 e−Zr/ 3a senθ e ±iϕ 0

 3/2
Z Z 2 r2
3 2 0 ψ320 = 81
√1 6π a0 a20
e−Zr/ 3a (3 cos2 θ
0
− 1)
 3/2
Z Z 2 r2
3 2 ±1 ψ32±1 = 81
1 √π a0 a20
e−Zr/ 3a senθ cos θ e ±iϕ
0

3/2
3 2 ±2 ψ32±2 = 1
162

√π Z
a0
Z 2 r2
a20
e−Zr/ 3a sen2 θ e ±2iϕ
0

Tabela 3.1: Autofunções de um ´atomo com Z prótons no n´ucleo e um elétron para os


primeiros valores de n. a0 = 4π 0 2 /me2 é o raio de Bohr.

o número atômico) e apenas um elétron. A função de onda Ψ 100 corresponde


ao estado de menor energia, chamado estado fundamental.

Veja que as fun¸cões de onda Ψ 200 , Ψ210 e Ψ21±1 são bastante diferentes
umas das outras mas têm a mesma auto-energia, pois todas têm n = 2. Os
estados com diferentes funções de onda que têm a mesma energia são chamados
degenerados. É comum encontrar solu¸cões da equa¸cão de Schroedinger que
são estados degenerados.
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 79

Para entender o significado das autofun¸ cões do ´atomo de hidrogênio,


vamos calcular algumas grandezas a elas associadas. A primeira é a função
densidade de probabilidade Ψ ∗ Ψ. Como não podemos fazer seu gr´afico em
função das três coordenadas simultaneamente, vamos considerar cada uma
delas separadamente. Inicialmente consideramos a dependência em r . Como a
probabilidade de encontrar o elétron no volume elementar d3 r é Ψ∗ Ψ d 3 r , não
faz sentido estudar o comportamento somente de Ψ ∗ Ψ, pois em coordenadas
esféricas d3 r = r2 senθdrdθdϕ tamb´
em depende de r . Consideramos então a
densidade de probabilidade radial P (r), definida de modo que P (r )dr é a

probabilidade
Para a função de
de encontrar
onda Ψ nmo ,elétron com a coordenada
esta densidade é dada porradial entre r3.16)
(Problema e r + dr.

Pn (r) = r 2 Rn



(r )Rn(r ) , (3.70)

onde o fator r 2 é devido ao volume da região entre as esferas de raio r e


r + dr . Veja que o n´umero quântico m não influencia na densidade radial
pois a fun¸cão exp( im ϕ) desaparece no produto com o complexo conjugado.
A Fig.3.8 representa a densidade de probabilidade radial das autofun¸ cões do
átomo de hidrogênio para n = 1, 2 e 3, através de grandezas adimensionais
nos dois eixos. Esta figura mostra que os elétrons n˜ao s˜ao partı́culas com
órbitas bem definidas, como previsto no modelo de Bohr. Na verdade cada
elétron ocupa a região em torno do n´ucleo, com uma distribui¸cão no espa¸co
tal que a probabilidade de encontr´a-lo é máxima num certo raio, cujo valor
aumenta quando n cresce. Considere o estado fundamen tal ( n=1), isto é, o
estado de mı́nima energia. Vamos calcular a posição de m´aximo da densidade
de=probabilidade.
Z 1 e ignorando Para isto substituı́mos
a constante a autofunção
de normaliza¸cão Ψ100obtemos:
em (3.70), da Tabela 3.1 com

P10 (r ) = e−2r/a0 r 2 ,

que é proporcional à função mostrada na Fig.3. 8. O m´aximo desta fun¸cão é


dado por
dP10 (r)
= 2r e −2r/a0
− 
1
r
=0 .
dr a0

Isto leva ao raio de m´ axima probabilidade de encontrar o elétron no


estado de menor energia. Veja que seu valor é exatamente o raio de Bohr:
4π 0 2
r = a0 =
me2
 0, 53 Å .
80 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

A variação angular da densidade de probabilidade pode ser representada


de várias maneiras diferentes. Uma delas é através do gráfico polar, no qual
a amplitude da densidade de probabilidade de encontrar o elétron na posição
(x,y,z ) é representada pela distância do ponto ( x,y,z ) à srcem. A Fig.3.9
mostra os gr´aficos polares correspondentes aos n´umeros quânticos  = 0 e
 = 1. Esses gr´aficos d˜ao uma idéia do que seria a “nuvem” eletrônica em
cada estado. Eles mostram claramente que o elétron não é caracterizado por
uma órbita no sentido cl´assico, mas sim por uma densidade de probabilidade

Figura 3.8: Densidade de probabilidade radial para o elétron num átomo de hidrogênio para
os valores de n e de  indicados. Os triˆangulos indicam os valores médios de r [Eisberg e
Resnick].
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 81

Figura 3.9: Representação da fun¸cão Θ(θ)Φ(ϕ) 2 , que é proporcional às densidades de


| |
probabilidade eletrônicas para  = 0 e  = 1.

de ser encontrado em cada ponto. Entretanto, a variação da densidade com


a posi¸cão sugere o nome orbital para designar as fun¸cões de onda atˆomicas.
Como o n´umero quântico  determina a forma de varia¸cão angular do orbital,
ele é muito importante e é designado por letras provenientes da interpreta¸ cão
dos espectros de emissão de radia¸cão do átomo de hidrogênio. Os orbitais com
 = 0, 1, 2, 3, 4,... são designados pelas letras s,p,d ,f,g,... A Fig.3.10 mostra
outra forma de representar as densidades eletrˆonicas, que leva em conta sua
variação com a distˆancia radial e a posi¸cão azimutal.

Antes de encerrar esta se¸cão é preciso mencionar dois fatos importantes


relativos ao átomo de hidrogênio: primeiro é que o elétron tem, além de massa
e carga, um spin. O nome spin vem do inglês e significa rotação. Classica-
mente o spin corresponderia a uma rota¸cão do elétron em torno de si mesmo,
analogamente ao que ocorre com o planeta Terra. Entretanto, o elétron não
é propriamente uma partı́cula e não tem sentido falar em rota¸ cão em torno
dele mesmo. O spin é uma entidade quântica, que surge naturalmente de uma
teoria quântica relativ´
ıstica. O spin do elétron é caracterizado por um quarto
número quântico, que pode ter dois valores ms = 1/2 (corresponderia `a
±
rotação em um sentido em torno de um eixo, ou no sentido oposto). Como
o spin resulta em um dipolo magnético, o potencial que aparece na equação
de Schroedinger para o átomo de hidrogênio é na verdade mais complexo do
que (3.55). Conseqüentemente sua solu¸cão é mais complexa do que vimos.
82 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Entretanto, como o efeito do spin é relativamente pequeno, o problema pode


ser tratado aproximadamente com teoria de perturba¸cão. O principal re-
ao depende apenas do n´umero quântico n ,
sultado é que a energia do elétron n˜
mas depende também do número quântico orbital . Entretanto a separação
de energia de estados com mesmo n e diferentes  ’s é pequena comparada com
a separação de estados com n ’s diferentes.

A outra observação importante é sobre as transições eletrônicas. Quando


o elétron é “colocado” num certo estado eletrˆ
onico caracterizado por uma auto-
função da equação de Schroedinger, ele permanece nesse estado se n˜ ao houver
qualquer perturbação no ´atomo. Uma perturbação possı́vel é a da radiação
eletromagnética, que contribui para a equação de Schroedinger com um poten-
cial variável no tempo. Como veremos no Capı́tulo 8, a teoria quântica mostra

Figura 3.10: Ilustrações em diferentes escalas das densidades de probabilidade eletrônicas


nos vários estados do ´atomo de hidrogênio. O eixo dos z está colocado no plano da folha
[Pohl].
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 83

que o elétron pode passar para um estado de maior energia p ela absor¸cão de
um fóton de freq¨uência ν , desde que a diferen¸ca entre as energias do estado
final f e do estado inicial i seja igual a energia do f´ oton, isto é,
Ef −E i = hν. (3.71)

Esta expressão nada mais é do que a equação de conservação de energia.


O elétron também pode passar de um estado de energia mais alta para outro
de menor energia pela emiss˜ao de f´otons com freq¨uência dada por ν = E/h , 
sendo
de  E a ediferença
absorção emissão de
de energia entre do
luz no inı́cio os dois n´
ıveis.
Século XX As medidas
foram muitodos espectros
importantes
para mostrar que era necess´aria uma teoria nova para o ´atomo de hidrogênio.
Posteriormente, a comparação com resultados experimentais foi decisiva para
a aceitação da teoria quˆantica. Até hoje as técnicas de espectroscopia ótica
são muito utilizadas para o estudo e para a identifica¸ cão de ´atomos, moléculas
e sólidos. A Fig.3.11 mostra diversas transi¸cões entre nı́veis de menor energia
no átomo de hidrogênio. A teoria quântica mostra que as transi¸cões acompa-
nhadas de emissão ou absorção de fótons só podem ocorrer quando os n´umeros
quânticos orbitais dos estados inicial e final diferem de 1, ou seja,  = 1.  ±

Figura 3.11: Representação de transições com absorção ou emiss˜ao de fótons entre nı́veis de
energia do ´atomo de hidrogênio. As linhas diagonais mostram as transições poss´ıveis. Os
comprimentos de onda correspondentes estão indicados em Angstroms.
84 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Isto é uma regra de sele¸cão. Somente quando dois estados têm distribuições
 ±
de carga com orbitais diferindo de  = 1, o campo elétrico consegue induzir
transição de dipolo elétrico entre eles. Por esta razão as linhas que indicam
as transições na Fig.3.11 s˜ao diagonais. Se o campo é linearmente polarizado,
outra regra de seleção é ∆m = 0. Mas se o campo é circularmente polarizado,
a regra é ∆m = 1.
±

3.5 Átomos de Muitos Elétrons

Nos átomos com mais de um elétron o potencial V que entra na equa¸cão de


Schroedinger é muito mais complicado que no átomo de hidrogênio. Isto resulta
do fato de que cada elétron interage não apenas com o n´ucleo, mas também
com os outros elétrons. Assim, o “movimento” de um elétron, e portanto sua
função de onda, afeta todos os outros elétrons. É poss´ıvel escrever a equação
de Schroedinger para o problema, mas não é poss´ıvel resolvê-la analiticamente.
A solução só pode ser obtida aproximadamente através de cálculos numéricos
em computador. Para isto existem vários métodos de aproximação, sendo o
do campo médio o mais simples.

O método do campo médio , proposto por D.R. Hartree, é essencial-


mente o seguinte: escreve-se a equação de Schroedinger para um certo elétron
levando em conta a interação com o n´ucleo e com os outros elétrons. Porém, o
potencial de interação com os outros elétrons é considerado apenas na média,
sendo desprezadas as intera¸cões instantâneas. Para resolver o problema para
Z el´etrons supõe-se inicialmente que cada elétron tenha uma certa função de
onda tentativa. Com as densidades eletrônicas correspondentes calcula-se o
campo médio ao qual um certo elétron est´ a submetido devido aos outros Z 1 −
elétrons. Resolvendo a equação para este elétron obtém-se uma função mais
aproximada da verdadeira: o procedimento é então repetido para os outros
Z 1 elétrons, ao fim do qual todas funções de onda s˜ao melhores do que

as srcinais. Este processo é repetido v´arias vezes, até que as diferenças en-
tre as fun¸cões obtidas em ciclos sucessivos sejam desprezı́veis. No final obte-
mos um conjunto auto-consistente de orbitais atômicos, bem como as energias
eletrônicas correspondentes.

Uma vez obtidos os orbitais atˆomicos, a pergunta seguinte é: como os Z


elétrons do átomo se distribuem nesses orbitais, ou seja, nos nı́veis de energia?
A distribuição é baseada em dois princı́pios fundamentais: o primeiro é o que
determina que os elétrons devem ocupar os estados de mais baixa energia
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 85

possı́vel. Entretanto, eles não podem ir todos para o estado fundamental,


devido ao princı́pio de exclusão de Pauli . De acordo com este princı́pio,
dois elétrons não podem ocupar exatamente o mesmo esta do. Como cada
elétron pode ter spin m s = 1/2, a distribuição no átomo é feita preenchendo-
±
se os estados de menor energia, a partir do estado fundamental, sucessivamente
com dois elétrons cada. Assim, na configuração de menor energia, um ´atomo
de número atômico Z tem dois elétrons com números quânticos n = 1,  = 0,
m = 0, dois com n = 2,  = 0, m = 0, dois com n = 2,  = 1, m = 1, ±
e assim sucessivamente. Veja que um orbital  pode ter m = 0, 1,... , ± ±
e portanto
são comporta
representados por2(2  +correspondentes
letras 1) elétrons. Para
aosfacilitar
valores adonotação,
n´ umero osquântico
orbitais
. Para  = 0, 1, 2, 3, 4... dá-se o nome de orbital s,p,d,f,g,... respectivamente.
Da mesma forma, ao n´umero quântico n atribui-se uma letra que representa
a “camada”, sendo as letras K,L,M,N,O, ... associadas respectivamente a n =
1, 2, 3, 4, 5,... .

O elemento cujo ´atomo tem um elétron é o hidrogênio. No estado fun-


damental este elétron tem orbital representado por 1s. No elemento com dois
elétrons, o hélio, ambos os elétrons têm orbital 1s. Seu estado fundamental é
representado por 1s 2 . Como na camada K, de orbital 1s, somente cabem dois
elétrons, o átomo de hélio é formado por uma “camada fechada”. Este fato
confere a ele uma grande estabilidade quı́mica, e por isto é chamado de gás
nobre. O átomo seguinte é o lı́tio, com três elétrons e portanto representado
pela notação 1s 2 2s. Assim, os elétrons vão preenchendo sucessivamente esta-
dos orbitais e conferindo aos elementos caracterı́sticas quı́micas próprias. É
importante notar, entretanto, que vários elementos têm propriedades quı́micas
semelhantes, pois h´a uma repeti¸cão periódica na forma¸cão das camad as. Por
exemplo, o átomo de argônio tem dez elétrons, com a configuração 1s 2 2s2 2p6 .
Portanto ele tem duas camadas (K e L) fechadas e tem propriedades semelhan-
tes as do hélio. O sódio, com onze elétrons, tem configuração 1s 2 2s2 2p6 3s e tem
propriedades semelhantes as do lı́tio. Esta periodicidade de comportamento
com o n´umero atômico Z e´ a razão do nome Tabela Peri´odica, na qual os
elementos são organizados, como mostrado na Tabela 3.2. Nesta Tabela est˜ ao
apresentados o n´umero atômico Z de cada elemento, bem como o n´ umero
de elétrons e os orbitais correspondentes das últimas camadas ocupadas. A
Tabela Periódica do Apêndice C contém outros dados importantes sobre os
elementos.
86 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Tabela 3.2: Tabela Periódica dos elementos. A nota¸cão espectroscópica indica o n´umero de
elétrons e os orbitais correspondentes das últimas camadas ocupadas.

REFERÊNCIAS

A. Chaves, Fı́sica, Ondas, Relatividade e Fı́sica Quˆantica, Reichman &


Affonso Editores, Rio de Janeiro, 2001.
R. Eisberg e R. Resnick, F´
ısica Quˆantica, Editora Campus, Rio de Janeiro,
1988.
S. Gasiorowicz, F´
ısica Quˆantica, Editora Guanabara Dois, Rio de Janeiro,
1974.
J. Leite Lopes, A Estrutura Quˆantica da Matéria, Editora UFRJ, Rio de
Janeiro, 1992.
H.A. Pohl, Introdu¸
c˜ao à Mecˆanica Quˆantica, Edgard Blücher, Universidade
de São Paulo, 1971.
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 87

L. Solymar and D. Walsh, Lectures on the Electrical Properties of Materials ,


Oxford University Press, Oxford, 1993.
ısica , Volume 3, 4 a¯ Edição, Livros Técnicos e Cient´
P.A. Tipler, F´ ıficos Edi-
tora S.A., 2000.

PROBLEMAS

3.1 Mostre que a soma das fun¸cões de onda ψ 1 = A e ikx−iωt e ψ2 = B e −ikx−iωt


é solução da equação de Schroedinger (3.17) para uma part´ıcula de massa
m num potencial constante, V = V 0 , e obtenha a rela¸cão entre k e ω .
3.2 Calcule as constantes A1 e A2 , definidas na Eq.(3.42), de modo a nor-
malizar as duas autofun¸cões de onda de menor energia de uma partı́cula
num poço de potencial infinito.
3.3 Calcule a diferença das energias, em eV, dos dois estados de menor energia
de um elétron num poço de potencial infinito de largura: a) L = 30 Å; b)
L = 1 cm.
3.4 Considere um elétron num po¸co de potencial infinito de largura L,
no primeiro estado excitado. Calcule: a) O valor es perado da
posição x do elétron; b) O desvio médio quadr´atico da posição,
∆x2 = < ( x < x >)2 >; c) O valor esperado do momentum px ; d) O

desvio médio quadrático do momentum; e) O produto das incertezas
 
x px .
3.5 Um elétron move-se com velocidade constante na direção de uma barreira
de potencial, como aquela ilustrada na Fig.3.4. Sendo a energia E do
elétron maior que a altura V0 da barreira, calcule as probabilidades do
elétron refletir ou ultrapassar a barreira, em função de E e V0 . Obtenha
os valores numéricos para E = 2V0 .
3.6 Um elétron move-se com energia E numa multicamada formada por dois
filmes espessos de um semicondutor A, separados por um filme fino de
outro semicondutor B , de espessura d. Em primeira aproximação, o po-
tencial visto pelo elétron é o que est´
a mostrado abaixo:
a) Sendo E > V0 , calcule a probabilidade do elétron, inicialmente na ca-
mada A da esquerda, atravessar perpendicularmente a camada B e atingir
88 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

a camada A da direita; b) Qual é a condição para que a probabilidade


calculada em a) seja 1; c) Calcule a espessura d para que a probabilidade
do elétron atravessar a barreira seja 1, para E = 1, 0 eV e V0 = 0,8 eV;
d) Sendo V 0 = 1,2 eV e d o valor obtido em c), calcule a probabilidade do
elétron atravessar a camada B.
3.7 Considere a situa¸cão do Problema 3.6 com E < V0 . Calcule a probabili-
dade do elétron atravessar a camada B para E = 1, 0 eV, V0 = 1,2 eV e
d = 5 Å (efeito túnel).
3.8 Obtenha a fun¸cão de onda e a energia do segundo estado excitado do
oscilador harmônico simples. (Sugestão: use a fun¸cão polinomial no final
do exemplo 3.2 com n = 2).
3.9 Calcule as energias, em eV, dos estados do ´atomo de hidrogênio com n =
1, 2 e 3 e obtenha as freq¨ uências, em Hz, de todas transições possı́veis

entre estes nı́veis.


3.10 a) Mostre que o comprimento de onda do f´ oton absorvido, ou emitido,
numa transição entre os nı́veis n1 e n2 de um ´atomo de hidrogênio é, em
Angstroms,
911 n21 n22
λ(Å) = .
n22 n21

b) Compare o resultado obtido no Problema 3.9 para os nı́veis n = 2 e
n = 3 com o desta express˜ao. Em qual regi˜ao do espectro eletromagnético
situa-se a radia¸cão envolvida nesta transição?
3.11 A atra¸cão de um elétron por um buraco num semicondutor, pode ser
descrita através do potencial Coulombiano
2
e
U (r ) = − 4πr ,
´
Cap. 3 Mecˆanica Quˆantica: O Elétron no Atomo 89

onde  e´ a permissividade do material. Ao contr´ario do ´atomo de


Hidrogênio, em que o núcleo é muito mais pesado do que o elétron, os
nı́veis de energia dependem da massa reduzida (µ) do par elétron-buraco:
µe4
En = E c −2 .
2 (4π )2 n2

Onde Ec é a energia da banda de condu¸cão. Para o Cu 2 O, que tem


 = 100 , as freq¨uências das transições correspondentes obtidas experi-
mentalmente podem ser descritas por:

ν (cm−1 ) = 17 .508 − 800


n 2
.

a) A partir dos resultados acima , determine a massa reduzida do par


elétron-buraco; b) Determine também o raio médio daorbita
´ para o estado
ψ100 ; c) Desenhe os nı́veis de energia em relação à energia da banda de
condução.
3.12 Verifique, por substituição direta, que a autofun¸cão ψ 100 dada na Tabela
3.1, é solução da equa¸cão de Schroedinger independente no tempo, e
obtenha os valores das constantes a0 e E .
3.13 Mostre que as autofun¸cões ψ 100 e ψ 211 dadas na Tabela 3.1 s˜ao normali-
zadas.
3.14 A partir da express˜ao do operador momentum angular dada na Se¸ cão
3.1.2 , pode-se mostrar que em coordenadas cartesianas sua componente
z é dada por
Lzop = i∂/∂ ϕ
− .

e seu m´odulo ao quadrado é


∂2
L2op = −

2
 1 ∂ ∂
(senθ ) +
1
 .
senθ ∂θ ∂θ sen2 θ ∂ϕ 2

a) Mostre que as autofun¸ cões ψnm do átomo de hidrogênio são auto-


funções de Lzop e dê uma interpretação para o n´umero quântico m ; b)
Mostre que ψnm são autofunções de L 2op e interprete o n´umero quântico
 (Sugestão: use a express˜ao acima combinada com a Eq.(3.61).
3.15 Um elétron no átomo de hidrogênio tem função de onda ψ = A(6 −
r/a0 ) ar0 e−r/3a0 senθ e iϕ . Substitua esta fun¸cão na equação de Schroedinger
e encontre a energia do elétron.
90 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

3.16 Faça a integral da densidade de probabilidade Ψ ∗ Ψ no volume com-


preendido entre as esferas de raios r e r + dr , para a fun¸cão de onda do
átomo de hidrogênio dado pela Eq.(3.69), e mostre que a densidade de
probabilidade radial é dada pela Eq.(3.70).
Capı́tulo 4

Elétrons em Cristais

4.1 Bandas de Energia em Cristais 92

4.2 Condutores, Isolantes e Semicondutores 98

4.3 Massa Efetiva 101

4.4 Distribuição
Comportamento dos Elétrons em T > 0
de Fermi-Dirac 103

4.5 O Mecanismo da Corrente Elétrica em Metais 109

REFERÊNCIAS 115

PROBLEMAS 116

91
92 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Elétrons em Cristais

4.1 Bandas de Energia em Cristais

Neste Capı́tulo estudaremos algumas propriedades básicas de elétrons em


cristais, que s˜ao fundamentais para a compreens˜ao dos mecanismos respon-
sáveis pela corrente elétrica num material e, portanto, por sua utilização na
Eletrônica.

Como vimos no Capı́tulo anterior, um elétron num átomo isolado tem


estados quânticos estacionários caracterizados por nı́veis de energia discretos
e quantizados, correspondendo aos orbitais atômicos designados por 1s, 2s,
2p, 3s, 3p, 3d, et c. Num ´atomo com muitos elétrons, o estado fundamental
é obtido distribuindo os vários elétrons nos nı́veis de menor energia possı́vel,
obedecendo ao Princı́pio de Exclusão de Pauli. Como o elétron é dotado de
spin, cada estado orbital comporta dois elétrons com spins opostos. A pergunta
que fazemos agora é então: como são modificados os estados eletrônicos quando
aproximamos um grande número de átomos (cerca de 1022 /cm3 ) para fazer um
cristal?

O problema quˆantico é muito mais complicado do que num átomo iso-


lado, pois os elétrons de cada átomo são sujeitos `a interação com os ´atomos
vizinhos. Uma primeira explicação do que ocorre é a seguinte: Ao trazermos
um átomo isolado para pr´oximo de outro, os nı́veis de energia de cada um são
perturbados levemente pela presença do vizinho. Se aproximarmos um grande
número de ´atomos, teremos um grande n´ umero de nı́veis próximos uns dos
outros, formando uma banda de energia quase contı́nua. Isto está mostrado
na Fig.4.1, que apresenta a varia¸cão das energias dos estados eletrˆonicos com
a distância interatômica para N átomos de s´odio, cuja configura¸cão é (1s)2
Cap. 4 Elétrons em Cristais 93

Figura 4.1: Formação de bandas de nı́veis de energia devido à aproximação dos ´atomos em
um sólido.

(2s)2 (2p)6 (3s). Para uma distˆancia infinita, os nı́veis de energia de estados
equivalentes coincidem e são iguais aos de um ´ atomo isolado. À medida que
a distância diminui, os nı́veis se separam devido à interação com os vizinhos,
dando srcem à v´arias bandas de energia. Na distˆancia de separa¸cão atômica
de equil´ıbrio r = a, temos quatro bandas, cada uma correspondendo a um
estado orbital. É claro, então, que o n´umero de nı́veis em uma banda é igual
a 2(2  + 1)N sendo  o número quântico orbital. Esta descrição do apareci-
mento das bandas de energia é extremamente simplificada e esconde algumas
caracterı́sticas essenciais dos estados eletrônicos. Na realidade, é a natureza
ondulatória dos elétrons nos cristais que dá srcem ` as bandas de energia, de
maneira análoga à formação dos vários ramos na relação de dispersão de ondas
elásticas, como aqueles da Fig.2.10.

O cálculo quântico dos estados eletrˆonicos e das energias num s´ olido é


bastante complexo, e só pode ser feito com várias aproximações no problema. A
primeira consiste em supor que os n´ucleos dos átomos são fixos e com posi¸cões
conhecidas na rede cristalina. Outra aproximação consiste em considerar que o
problema envolve um só elétron (modelo de um elétron), e que todos os outros
elétrons são considerados parte integrante dos ı́ons que criam um potencial
periódico. Isto est´a ilustrado na Fig.4.2, que mostra qualitativamente o poten-
cial visto por um elétron ao longo de um eixo no cristal. O potencial periódico
ao qual o elétron está submetido leva `a soluções da equação de Schroedinger
cujas energias formam bandas . Como a solu¸cão para um potencial peri´odico,
94 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 4.2: (a) Energia poten cial V de um elétron ao longo do eixo x do cristal mostrado
em (b).

mesmo o mais simples, é complexa, vamos entender o que ocorre com um mo-
delo aproximado. No caso dos metai s alcalinos, como o s´odio, o elétron 3s
da última camada vê um potencial do núcleo muito blindado pelos elétrons
interiores, de modo que ele fica quase livre. Para este elétron podemos supor,
em primeira aproximação, que o potencial é um poço com paredes infinitas nas
superfı́cies do cristal e constante no seu interior, como na Fig.3.2. Neste caso,
como vimos na Se¸cão 3.2, as autofun¸cões do elétron são do tipo

Ψ(r, t) = A e i(k.r−ωt) , (4.1)

sendo suas energias


2 k 2
E = ω = , (4.2)
2m

onde k é sujeito a condições do tipo (3.43). A rela¸ cão de dispers˜ao (4.2) est´a
representada pela curva tracejada na Fig.4.3. Entretanto, como o potencial
não é constante no interior do poço, sua pequena varia¸cão peri´odica altera a
propagação da onda de elétron (4.1) e conseqüentemente a relação de dispersão
(4.2). Esta altera¸cão pode ser compreendida em analogia com o efeito de uma
rede de difra¸cão. Considerando a periodicidade da rede em uma dimens˜ ao, as
ondas mais afetadas s˜ao as que têm vetor de onda satisfazendo a condição de
Bragg
2 a senθ = m λ = m 2π /k . (4.3)

As ondas que satisfazem a rela¸cão (4.3) s˜ao refletidas pela rede, dando
srcem a uma onda estacion´aria. Dependendo da configuração espacial da onda
Cap. 4 Elétrons em Cristais 95

Figura 4.3: Modifica¸cão da rela¸cão de dispersão pelo efeito do potencial periódico no modelo
de elétron quase livre.

estacionária em relação à rede, ela pode ter dois valores de energia. Assim,
nos pontos k = mπ/a, onde m é um inteiro positivo ou negativo, a curva
de dispersão quebra-se em duas. Isto dá srcem ` as linhas cheias da Fig.4.3,
que representam a rela¸cão de dispersão do elétron no potencial periódico. A
separação das linhas resulta em bandas, ou faixas, de energia para os estados
eletrônicos. Os elétrons só podem ocupar estados cuja energia est´ a em uma
das bandas da Fig.4.3.

O modelo de um s´olido como um po¸co de potencial com elétron quase


livre é uma aproximação razoável para um metal como o s´odio. Em um cristal
mais complexo, entretanto, as fun¸cões de onda do elétron não têm a forma
da onda plana simples (4.1). Apesar disso o problema ainda pode ser tratado
com ondas planas por causa de um resultado geral de grande importˆ ancia, o
teorema de Bloch, que resulta da invariância dos cristais a transla¸cões. Vamos
supor que um meio seja caracterizado em certo ponto por uma grandeza U (r),
invariante no tempo. O meio tem simetria de transla¸cão em rela¸cão a esta
grandeza quando o seu deslocamento por um vetor m´ ultiplo de certo vetor
unitário o deixa inalterado. Em outras palavras quando

U (r + na) = U (r) , (4.4)

onde n e´ um número inteiro qualquer. Um exemplo simples de invariância


de translação é o de meio homogêneo e contı́nuo, no qual (4.4) se aplica para
um vetor a → 0. Outro exemplo que nos interessa diretamente é o de um
cristal perfeito, no qual parâmetros repetem-se regularmente de um ponto
96 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

para outro distantes de um vetor primitivo da célula unitária. Na equa¸cão de


Schroedinger, a simetria de translação (4.4) leva a solu¸cões do tipo

Ψk (r, t) = e±ik.r uk (r, t) , (4.5)

onde u k (r, t) é uma funç˜


ao com a mesma periodicidade que U (r). Esta função
de onda representa uma onda plana, cuja amplitude é modulada por uma
função peri´odica que reflete o efeito do potencial cris talino. As fun¸cões (4.5)
são chamadas funções de Bloch . Este resultado, que pode ser demonstrado
por sua substitui¸cão na equa¸cão de Schroedinger é de grande importância
em cristais, pois se aplica a qualquer tipo de excita¸ cão. As ondas elásticas
estudadas no Capı́tulo 2 são um exemplo de que (4.5) vale para uma cadeia
periódica. No caso de elétrons, a conseqüência importante de (4.5) é que eles
são descritos no cristal por ondas, caracterizadas por um vetor de onda k e
energia Ek . A energia é função, não apenas do m´odulo de k, mas também de
sua direção no cristal. Por isso, as bandas de energia devem ser representadas
para as várias direções de k no cristal. Como k pode ter qualquer dire¸cão, em
geral representa-se a variação de E k com k para as dire¸cões de maior simetria
nos cristais. Assim a Fig.4.3 pode representar a varia¸cão da energia com o
vetor de onda na direção [100] de um cristal c´ubico. Esta forma de representar
a energia dos estados eletrˆonicos é chamada de esquema da zona estendida.

Outra forma mais ´util de representar as bandas de energia é no chamado


esquema de zona reduzida. Veja que um elétron com vetor de onda π/a < k < −
π/a está na primeira zona de Brillouin, e tem energia na primeira banda. Um

Figura 4.4: (a) Ilus tração do deslocamento das bandas na segunda zona de Brillouin de
±2π/a. (b) Esquema de bandas reduzido `a primeira zona, resultante desse deslocamento.
Cap. 4 Elétrons em Cristais 97

elétron com vetor de onda k  , π/a < k  < 2 π/a, na segunda zona de Brillouin
tem energia em outra banda. Entretanto, se subtrairmos de k  um vetor de
onda G = 2π/a, isto resultar´a num vetor de onda k = k  G que, por causa

do resultado (4.5), tem efeito idêntico ao de k  . Então é poss´ıvel transladar as
bandas no espaço de momentum de um m´ultiplo de G , isto é, n 2 π/a, de modo
a levar todas as bandas para a primeira zona de Brillouin. Esta opera¸cão,
mostrada na Fig.4.4 para as primeiras bandas, resulta no esquema de bandas
reduzido à primeira zona. Neste esquema fica evidente que n˜ao há estados
eletrônicos entre as bandas de energ ia. Por esta raz˜ao, as regi˜oes entre as

bandas são chamadas faixas proibidas.


No caso de um cristal tridimensional a representa¸ cão das bandas é um
pouco mais complicada. A Fig.4.5(b) mostra a estrutura de bandas do co-
bre cristalino com a rede c´ ubica de faces centradas. A Fig.4.5(a) mostra as
superfı́cies que limitam a primeira zona de Brillouin para a rede fcc. Evi-
dentemente, no cristal tridimensional não é possı́vel representar a varia¸ cão da
energia em todas direções de k. Então, escolhe-se as principais direções de k na
primeira zona de Brillouin, mostradas em (a). O eixo horizontal é segmentado
e em cada trecho representa-se o módulo de k em cada dire¸cão, indicada pelas
letras que designam os pontos caracterı́sticos da zona de Brillouin. Note que
para cada vetor de onda k o elétron pode ter várias funções de onda, cada uma
com energia diferente.

Para encerrar esta seção é importante chamar a atenção de que devido `as
condições de contorno nas superfı́cies do cristal, k não pode assumir qualquer
valor, ele varia discr etamente. Por isso o número de estados em cada banda é
finito. Se o n´umero de células unitárias no cristal é N , cada banda contém
2N estados eletrônicos, onde o fator 2 é devido aos dois estados poss´ıveis para
o spin. Este resultado vem da Eq.(3.43) generalizada para três dimensões. Em
uma dimensão, k pode assumir valores mπ/Na, onde N e´ o número de células
unitárias de comprimento a. Como m é um inteiro e positivo, entre 0 e π/a
há N valores diferentes para k , e, portanto, o n´umero de estados eletrˆonicos
em cada banda é 2N (Note que se deixarmos k assumir valores positivos ou
negativos, como é mais apropriado para uma onda progressiva como (4.1), é
preciso mudar as condi¸cões de contorno de modo que k = m 2π/Na, sendo m
inteiro positivo ou negativo).

A forma¸cão do estado fundamental do s´ olido é feita com o preenchi-


mento dos nı́veis discretos de menor energia pelos elétrons, analogamente ao
que ocorre num ´atomo. Como veremos na pr´oxima seção, o resultado deste
preenchimento determina se o sólido é isolante ou condutor elétrico.
98 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 4.5: (a) Prime ira zona de Brillouin de um cristal fcc; (b) Estr utura de bandas de
energia do cobr e fcc calc ulada teoricamente [B. Segal , Phys. Rev. 125, 109 (1962)]. A
energia de Fermi E F será definida na se¸cão 4.4.

4.2 Condutores, Isolantes e Semicondutores

Num cristal com n el´ etrons, o estado fundamental é obtido preenchendo os


nı́veis de menor energia de modo a ter somente um elétron em cada estado.
Como há 2N estados em cada banda, o n´umero de bandas ocupadas no estado
fundamental é n/2N . Como n/N e´ o número de elétrons por célula unit´
aria, ele
é um número inteiro, e portanto n/ 2N é inteiro ou semi-inteiro. Logo, em um
cristal a T = 0 K (estado fundamental), h´a várias bandas cheias com elétrons,
sendo a ´ultima necessariamente preenchida p or completo ou pela metade. As
propriedades de condução do cristal dependem fundamentalmente do fato da
Cap. 4 Elétrons em Cristais 99

Figura 4.6: Ocupação das bandas em isolante s (a) e em condutores (b). As regi˜oes hachu-
radas representam as faixas de energia ocupadas pelos elétrons.

última banda estar cheia ou n˜ao. Isto é devido ao fato do vetor de onda k ter
qualquer direção e das bandas serem simétricas, o que resulta em:
(4.6)
Σ k = 0
todos estados
de uma banda

Os isolantes, isto é, materiais que não conduzem corrente elétrica, são
cristais que têm a última banda compl etamente cheia. Nestes cristais, a
aplicação de um campo elétrico externo não pode alterar o momentum to-
tal dos elétrons que é nulo, pois todos estados disponı́veis estão ocupados.
Logo não há passagem de corrente elétrica quando o campo é aplicado. Ent˜ ao,
a condição necessária para um cristal ser isolante é que ele tenha um número
par de elétrons por célula unitária (a condi¸cão não é suficiente, como veremos
a seguir). A Fig.4.6(a) mostra uma possı́vel distribuição das ´ultimas bandas e
sua ocupação por elétrons num cristal isolante. O nı́vel de energia acima do
qual não há estados ocupados a temperatura T = 0 K é chamado n´ ıvel de
Fermi E . Na Se¸cão 4.4 discutiremos, em mais detalhe, o importante papel
que o nı́vel de Fermi desempenha nas propriedades dos sólidos.

Os materiais condutores, também chamados metais, são os que têm a


última banda semi-cheia. Isto ocorre sempre que o n´umero de elétrons por
célula unitária for ı́mpar. Neste caso é possı́vel mudar os estados dos elétrons
com um campo elétrico, resultando em uma corrente elétrica. Nesta categoria
estão os metais alcalinos (Li 3 , Na11 , K19 , etc.) e os metais nobres (Cu 29 , Ag47 ,
Au79 ), que têm um número ı́mpar de elétrons, sendo os de maior energia ex-
ternos a última camada completa. A Fig.4.6(b) ilustra a ocupação das bandas
100 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 4.7: Ocupa¸cão das bandas de energia em semi-metais.

nestes metais e o nı́vel de Fermi. É poss´ıvel também ter um metal formado


por ´atomos com n´umero par de elétrons na célula unitária, como os metais
alcalinos terrosos (Be 4 , Mg12 , Ca20 , Sr38 , Ba56 ). Nestes metais a distri buição
de bandas não é t˜ao simples como as da Fig.4.6. Como mostrado na Fig.4.7,
nesses materiais a banda 1, que normalmente seria a ´ ultima cheia, tem seu
máximo acima do mı́nimo da banda 2 seguinte. Como os elétrons ocupam os
estados de menor energia, os elétrons que estariam no topo da banda 1 vão
para a banda 2, ficando ambas incompl etas. Nestes materiais, a aplica¸cão de
um campo elétrico externo faz os elétrons mudarem de estados, o que resulta
numa corrente elétrica. Logo, eles também são condutores, mas n˜ao tão bons
como os metais alcalinos. Por isto eles s˜ao também chamados de semi-metais.

chamadaEm um cristal
band a deisolante, somente
valência , está completamente T =0K
na temperaturacheia. a ´ultima
Quando banda,
a tempe-
ratura é maior que zero, elétrons da banda de valência podem ganhar ener-
gia térmica suficiente para atingirem a banda seguinte, chamada banda de
condução, que estava vazia a T = 0. A passagem de elétrons para a banda
de condução deixa na banda de valência estados que se comportam como por-
tadores de carga elétrica positiva, chamados buracos. Os elétrons na banda
de condução e os buracos na banda de valência produzem corrente elétrica
sob a a¸cão de um campo externo. A condutividade do material depen de do
número de elétrons que passam para a banda de condução, o que pode ser
calculado probabilisticamente, como veremos na próxima seção. Este n´umero
é tanto maior quanto maior for a temperatura e quanto menor for a ener-
gia que separa as duas bandas. Esta energia ´e representada por Eg , onde o
ı́ndice g vem da palavra gap, que significa intervalo, em inglês. (Por ser muito
simples e conveniente, a palavra gap j´a foi incorporada ao nosso vocabul´ario
técnico, da mesma forma que o spin). Os materiais que são isolantes a T = 0
Cap. 4 Elétrons em Cristais 101

Figura 4.8: Bandas de valência e de condução em semicondutores. As regiões hachuradas


representam a ocupa¸cão dos elétrons em T > 0. A distˆancia entre as bandas é o gap de
energia E g .

K mas que têm Eg relativamente pequeno, da ordem de 1 eV ou menos, à tem-


peratura ambiente, têm condutividade significativa e por isso são chamados
semicondutores. A Fig.4.8 ilustra a ocupação das bandas de valência e de
condução num semicondutor. Nesses materiais o n´umero de elétrons na banda
de condução pode ser significativo em relação a um isolante, mas é ainda muito
menor que o n´umero de elétrons livres num metal. Por isso, a condutividade
dos semicondutores é muito menor que a dos metais. A principal diferen¸ca
entre um isolante e um semicondutor é então o valor de Eg . Por exemplo, o
silı́cio tem Eg = 1,1 eV e é um semicondutor, enquanto o diamante, que tem
a mesma estrutura do Si formada por ´ atomos de C, tem Eg = 5 eV, sendo
um ótimo isolante. O ´oxido de silı́cio, SiO2 , tem Eg 
8 eV e também é um
isolante. A diferença nos valores de Eg pode n˜ao parecer t˜ao grande para
produzir mudan¸ca tão radical na condutividade. Entretanto, como veremos
posteriormente, a ocupação da banda de condu¸cão decresce exponencialmente
com o aumento da raz˜ao E g /kB T .

4.3 Massa Efetiva

Para estudar as propriedades elétricas dos metais e dos semicondutores, será


preciso entender primeiro como um elétron se comporta no material sob a
ação de um campo elétrico externo. Como vimos na Seção 3.3.1, o elétron é
102 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

descrito por um pacote de onda que se movimenta com a velocidade de grupo


vg = ∂ω/∂k. Sendo E = ω a energia do elétron, podemos escrever,
∂E
=  vg . (4.7)
∂k

Se o elétron for submetido a uma força F , de um campo elétrico por exemplo,


sua energia varia de dE durante um percurso dx, sendo dE = F dx. Usando
(4.7) vemos que a velocidade do elétron está relacionada com a for¸ca por,

F dx = vg dk .
Como dx = vg dt vem,
dk
F = . (4.8)
dt
Este resultado talvez já fosse esperado, pois sendo k o momentum do elétron,
(4.8) nada mais é do que a segunda lei de Newton. Entretanto, ele não deixa de
ser surpreendente, pois talvez esperássemos que o potencial da rede cristalina
tivesse um efeito mais dr´astico sobre o movimento do elétron. Vemos então
que a rede não afeta a forma da equa¸cão da variação do momentum. O que ela
altera é a dependência da energia com o momentum, que corresponde a mudar
a massa do elétron. Para mostrar isto exprimimos a aceleração do elétron, em
função de E e k a partir de (4.7):
dvg ∂ 2E ∂ 2 E dk
a= =  −1 = −1 2
. (4.9)
dt ∂k∂t ∂k dt
Substituindo o valor de dk/dt de (4.8) obtemos
2

F= a . (4.10)
∂ 2 E/∂k 2

Lembrando que F = ma, vemos que sob a a¸cão de uma for¸ca externa o elétron
no cristal age semelhantemente a um elétron livre, porém com uma massa
efetiva 2

m∗ = . (4.11)
∂ 2 E/∂k 2

Este resultado também vale para um elétron livre. Neste caso, usando a rela¸cão
de dispersão (3.30) obtemos m∗ = m, ou seja, a massa efetiva é a própria massa
do elétron livre.
Cap. 4 Elétrons em Cristais 103

A expressão (4.11) foi obti da supondo que a energia s´o depende do


módulo de k . Na realidade, como mostra a Fig.4.5, ela também depende
da direção de k . Isto significa que a massa efetiva depende da dire¸cão de k.
Na definição mais geral a massa n˜ao é um escalar, é uma grandeza tensorial
representada por uma matriz, cujo elemento αβ é dado por
2

m∗αβ = . (4.12)
∂ 2 E/∂k α ∂k β

Esta definição vale para elétrons em metais ou em semicondutores.

4.4 Comportamento dos Elétrons em T > 0 Distribuição


de Fermi-Dirac

Sabemos que em T = 0 K os elétrons ocupam os estados de menor energia


permitidos no cristal, de modo a preencher, um a um, todos os estados até um
certo n´ıvel EF , o nı́vel de Fermi. Evidentemente, esta distribuição é alterada
quando a temperatura do s´ olido é aumentada para T > 0. A distribui¸cão
em equilı́brio térmico é calculada em mecˆ anica estatı́stica e leva em conta
que os elétrons são partı́culas indistinguı́veis umas das outras e que obedecem
ao princı́pio de exclusão de Pauli. A probabilidade de encontrar os estados
com energia na faixa ( E , E + dE ) ocupados com elétrons a uma temperatura
absoluta T é dada por f (E )dE , onde

1
f (E ) = (4.13)
1 + e (E −EF )/kB T

é a distribuição de Fermi-Dirac. Nesta expressão EF é o nı́vel de Fermi e kB


é a constante de Boltzmann (kB 1, 38 10−23 J/K). A forma de f (E ) está
 ×
mostrada na Fig.4.9 para v´arias temperaturas. Note que em T = 0 a fun¸cão é
descont´ ınua em E = E F , isto é f (E < EF ) = 1, f (E > E F ) = 0. Isto significa
que os estados com E < EF estão ocupados por um elétron enquanto que
aqueles com E > EF estão vazios em T = 0. Em temperaturas acima de 0 K a
distribuição de Fermi-Dirac se altera principalmente nas proximidades de E F .
A probabilidade dos estados com E > EF estarem ocupados deixa de ser zero
devido à excitação térmica. Entretanto, seu valor cai quase exponencialmente
com a distância E EF e aumenta exponencialmente com a temperatura. A

104 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 4.9: Distribuição de Fermi-Dirac para várias temperaturas.

probabilidade f (E ) de ocupação dos estados com E > E F corresponde a uma


probabilidade 1 f (E ) de que os estados com E < EF estejam vazios. Note

que a fun¸cão de Fermi-Dirac f (E ) é simétrica em torno de EF , no qual seu
valor é f (EF ) = 1/2. Em cada material o valor de EF depende da forma das
bandas e do n´umero de elétrons.

A distribuição de Fermi-Dirac f (E ) representa a probabilidade de


ocupação de um estado com energia E . Para calcular o n´umero de elétrons
numa dada faixa de energia, é preciso saber também o número de estados
nesta faixa. Este n´umero é dado pela densidade de estados D (E ), que pode
ser calculada a partir da rela¸ cão Ek (k ). Vamos considerar o modelo de um
metal como o da se¸cão 4.1, no qual elétrons livres estão num po¸co de poten-
cial infinito. Neste caso, a energia do elétron é caracterizada por uma função
parabólica em k dada por (4.2),
2 2
 k
E= .
2m

Na realidade este resultado foi demonstrado para um po¸ co unidimen-


sional. Entretanto, ele também vale para um poço de potencial em três di-
mensões com par edes infinitas. Neste caso o n´umero de onda k dá lugar ao
vetor de onda k com três componentes kx , ky , kz , de modo que a energia fica
2

E= (kx2 + ky2 + kz2 ) . (4.14)
2m

Analogamente ao problema em uma dimens˜ao, as três componentes do vetor


Cap. 4 Elétrons em Cristais 105

de onda só podem assumir valores discretos, determinados pelas condições de


contorno nas superfı́cies do cristal. Supondo que o cristal é um cubo de lado
L, temos então:
2π 2π 2π
kx = n x , ky = n y , kz = n z , (4.15)
L L L

onde nx , ny e nz são números inteiros positivos ou negativos. Este resultado


é uma generalização da equação (3.44) para três dimensões e para ondas pro-
gressivas. Devido ao spin do elétron, para cada conjunto de números quânticos
3
(nx , ny , neletrônicos.
estados
z ), e portanto, em cada volume (2 π/L ) no espaço k , existem dois
A densidade de estados D(E ) é a medida do número
de estados disponı́veis com energia E . Por definição, V D(E )dE e´ o número
de estados com energia entre E e E + dE , sendo V = L 3 o volume do cristal.
No espaço de vetor de onda k as superfı́cies de energia constante são esferas
de raio k . Portanto, o n´umero de estados com energia na faixa ( E, E + dE ) é
o volume compreendido entre as esferas de raio k E e k E +dE , multiplicado p elo
número de estados por unidade de volume no espa¸ co k . Sendo este dado por
2(L/2π )3 , temos
  3
L
V D(E ) dE = 2 4πk E2 dk , (4.16)

onde kE e´ o módulo do vetor de onda correspondente a energia E . De (4.2)


temos que
3/2
2 1 2m 1/2
kE dk = 2 E dE ,
  2

que, substitu´
ıdo em (4.16), dá para a densidade de estados
  3/2
1 2m
D (E ) = E 1/2 . (4.17)
2π 2 2

O gr´afico da Fig.4.10 representa a densidade de estados D (E ) dos elétrons


em uma banda parab´olica. Note que a energia é colocada no eixo vertical
de modo a facilitar a visualiza¸ cão do preenchimento dos estados de menor
energia. Em T = 0, todos estados com energia inferior ao nı́vel de Fermi EF
estão preenchidos. Havendo N elétrons na banda, por unidade de volume, a
condição que determina E F é,
 EF
D(E )dE = N . (4.18)
0
106 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 4.10: Densidade de estados


eletrônicos D(E ) em uma banda de
energia parabólica.

Utilizando (4.17) obtemos


  3/2
1 2m
EF3/2 = N . (4.19)
3π 2 2

A partir de (4.19) obtemos ent˜ao o nı́vel de Fermi para uma banda parabólica
com N elétrons em T = 0,
2
EF = (3π 2 N )2/3 . (4.20)
2m


Em T = 0 todos estados com energia E E F estão ocupados. Esses estados
são caracterizados por vetores de onda com m´odulo k kF , onde kF , dado

por,
2 m EF
kF2 = 2
, (4.21)

é chamado o vetor de onda de Fermi. A superf´ıcie no espaço k no interior da


qual todos estados estão ocupados em T = 0, é chamada superf´ ıcie de Fermi.
Numa banda parabólica ela é uma esfera de raio k F dado por (4.21), ilustrada
na Fig.4.11(a). A banda parabólica (4.14) só é v´
alida exatamente para elétrons
livres. Em cristais, a varia¸cão da energia com k é mais complicada, como está
ilustrado p elas bandas do cobre na Fig.4.5. Neste caso a superfı́cie de Fermi
não é uma esfera, ela tem uma forma mais complexa. A Fig.4.11(b) mostra a
superf´ıcie de Fermi do cobre, que está contida na primeira zona de Brillouin.
Cap. 4 Elétrons em Cristais 107

Figura 4.11: (a) Superfı́cie de Fermi para um sistema de elétrons livres. (b) Superfı́cie de
Fermi (SF) e a primeira zona de Brillouin do cobre fcc.

Exemplo 4.1: O sódio cristaliza na estrutura bcc, tendo dois ´ atomos por célula unitária, cada um
com um elétron 3s. Sabendo que o parâmetro de rede do s´odio em T = 5K e´ 4,225 Å, calcule: a) A
energia de Fermi; b) a velocidade dos elétrons com energia no n´ıvel de Fermi, chamadavelocidade
de Fermi v F .

a) Para calcular a energia de Fermi, at ravés da Eq.(4.20), é preciso inicialmente calcular o número
de elétrons livres por unidade de volume. Havendo dois elétrons por célula unitária com
parâmetro de rede a,
2 2
N= 3 =
a 4, 2253 1024×= 2, 65 × 1022 cm −3
= 2, 65 × 1028 m
−3
.

A energia de Fermi é relacionada com N pela Eq.(4.20),


2
EF = (3π 2 N )2/3 .
2m
Em primeira aproximação p odemos considerar a massa dos elétrons livres como sendo a massa
do elétron no vácuo, 9, 1 10−31 kg. Assim,
×
2 68 −

EF = 3 × 3, 142 × 2, 65 × 1028 2/3 21,×059, 1××1010 31 = 5, 15 × 10



−19
J ou

5, 15 × 10 19 J

EF = = 3, 22 eV
1, 6 × 10 19 C

b) Como a energia dos elétrons livres é de natureza cinética,


1
EF = m v F2 .
2
108 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Logo

vF =
2EF
1/2
=
× 5, 15 × 10 19 1/2
2 −

m 9, 1 × 10 31

vF = 1, 06 × 106 m/s = 1 , 06 × 108 cm/s

A temperaturas acima de zero a probabilidade de ocupa¸ cão dos estados


é dada por f (E ), Eq.(4.13), de modo que o n´ umero de elétrons, por unidade

de volume no intervalo de energia entre E e E + dE é


dN = f (E ) D (E ) dE . (4.22)

A Fig.4.12 ilustra o produto das fun¸ cões f (E ) e D (E ) e mostra o ele-


mento de ´area correspondente a dN . Note que os elétrons que passam para
estados acima do nı́vel de Fermi provêm principalmente dos estados com ener-
gias abaixo e pr´oximas de EF . Este resultado é bastante geral. Sempre que
há uma perturba¸cão no sistema de elétrons, os estados com energia próxima
de EF são os mais afetados. Esta perturbação pode ser devido ` a excitação
térmica, ou à excitação produz ida por campos ex ternos. Na pr´oxima seção
veremos o efeito de um campo elétrico.

Figura 4.12: População de elétrons


N (E ) = f (E )D(E ) numa banda

parabólica a T = 0. dN e´ o número
de elétrons na faixa de energia dE .

Exemplo 4.2: Calcule a energia total dos elétrons livres numa amostra de sódio de volume 1 cm 3 ,
em T = 0.

A energia dos elétrons por unidade de volume é a soma das energias dos elétrons livres, que
pode ser calculada usando (4.22),
U
= E dN = E f (E ) D(E ) dE .
V
Cap. 4 Elétrons em Cristais 109

Em T = 0, a distribui¸cão de Fermi-Dirac tem valor 1 para E < E F e valor 0 para E > EF ,


logo, com (4.17),
EF 3/2 EF
U 1 2m
= E D(E ) dE = E 3/2 dE
V 0 2π2 2
0
3/2
1 2m 2 5/2
= E .
2π 2 2 5 F

Utilizando (4.20) podemos exprimir este resultado na forma,


U 3
= N EF .
V 5

Portanto, usando os resultados do Exemplo 4.1, obtemos,


U 3
V
=
5
× 2, 65 × 1028 × 5, 15 × 10 −19
= 8, 19 × 109 J m −3
.

Então, a energia dos elétrons numa amostra de 1 cm3 é

U = 8, 19 × 109 × 10 −6
= 8, 19 × 103 J .

4.5 O Mecanismo da Corrente Elétrica em Metais

Para entender o mecanismo da passagem de corrente elétrica em metais, te-


remos que utilizar resultados cl´assicos combinados com conceitos quˆanticos.
Quando um campo elétrico externo é aplicado ao metal, os elétrons sofrem o
efeito deste campo superposto ao do potencial cris talino. O efeito deste ´ultimo
resulta na massa efetiva do elétron m ∗ . Desta forma, se o campo externo é , E
a aceleração do elétron dada por (4.10) e (4.11) é,

dv
a=
dt
= − me E ∗
. (4.23)

Este resultado significa que num cristal perfeito, o campo constante produz E
uma aceleração constante e portanto uma velocidade que aumenta linearmente
no tempo, v = at. A Eq.(4.23) implica também que, mesmo sem campo
externo, os elétrons podem ter velocidade constante e não nula. Isto resulta
do fato de que o estado estacion´ario do elétron no cristal sem campo externo
é uma onda plana, dada pela Eq.(4.5). Esta onda tem um momentum k , que
110 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 4.13: a) Deslocamento do patinador em movimento “zig-zag” ao longo de uma fileira


regular de obstáculos. b) Ilustra¸cão da colis˜ao provocada por um obstáculo “fora do lugar”.

corresponde a uma velocidade constante. Mas ela só é um estado estacionário


quando o cristal é perfeito, a T = 0 e sem campo externo. Podemos entender
melhor este comportamento do elétron fazendo uma analogia com o movimento
de um patinador. Um patinador pode se deslocar ao longo de uma fileira de
obstáculos regularmente espaçados, fazendo um movimento “zig-zag” de modo
a contornar cada obstáculo, como ilustrado na Fig.4.13(a). Se o patinador está
bem treinado, ele pode executar este movimento de “zig-zag” naturalmente,
sem se chocar com os obst´aculos, e com velocidade média constante ao longo
da fileira. Este movimento é análogo ao do elétron no cristal perfeito, descrito
por uma onda plana com amplitude modulada pelo potencial periódico da rede,
Eq.(4.5). Entretanto, se um obstáculo está deslocado de sua posi¸ cão normal,
ou se h´a um obst´aculo “extra” entre aqueles da fileira regular, o patinador
provavelmente ir´ a colidir com ele, como ilustr ado na Fig.4.13(b). O que o corre
com um elétron no sólido é semelhante. Se a regularidade da rede cristalina é
perturbada, o elétron só permanece num estado estacionário durante um certo
intervalo de tempo.que
um espalhamento A perturbação provoca para
resulta na passagem uma colisão
um outrodo estado
elétron,estacionário.
produzindo
As duas principais perturbações da regularidade da rede são a própria vibração

dos ı́ons devido à agitação térmica em T = 0 e a presen¸ca de ´atomos ou ı́ons
de impurezas. A colisão com a rede em movimento térmico corresponde ao
espalhamento de elétrons por fônons. Este processo é semelhante ao da colisão
entre partı́culas, no qual há conservação de energia e de momen tum. Devido
às colisões, a velocidade média do elétron é nula na ausência de campo elétrico
externo, como ilustrado na Fig.4.14(a). Quando um campo elétrico é aplicado
ao material, ao movimento rápido e aleatório do elétron, causado pelas colisões,
superpõe-se um contı́nuo deslocamento na direção do campo elétrico. Este
deslocamento resulta numa corrente elétrica chamada de corrente de deriva
(drift current), ou corrente de condu¸cão.

Na descrição quântica do comportamento dos elétrons é preciso conside-


rar que a T = 0 e sem campo extern o, todos estados no espa¸co k no interior da
Cap. 4 Elétrons em Cristais 111

Figura 4.14: Ilustração do movimento de um elétron num sólido: a) Sem campo exte rno
aplicado, a velocidade média é nula. b) Na presença de campo elétrico, além do movimento
rápido e aleat´orio há um deslocamento contı́nuo que resulta numa corrente elétrica.

superf´ıcie de Fermi estão ocupados. Isto est´a ilustrado na Fig.4.15(a) por um


corte no plano k x ky da esfera de Fermi, que vale para o caso de elétrons livres.
Como todos estados com k < kF estão preenchidos, a cada estado +k ocupado
corresponde outro k tamb´
− em ocupado. Então Σk = 0 e por conseguinte a
E −
corrente é nula. Se um campo elétrico é aplicado na direção x no instante
t = 0, os elétrons mudam de estado k , de acordo com a Eq.(4.8). Sendo a for¸ca
sobre os elétrons Fx = ( e)( ) = e , a variação de k no intervalo de tempo
− −E E
δt é,
δk x =
e E
δt . (4.24)

Como conseqüência de (4.24), cada elétron num estado k passa para outro
estado k + x̂δk x após um intervalo δt , resultando na ocupa¸cão de estados
mostrada na Fig.4.15(b). O resultado lı́quido é um momentum total N δk x por
unidade de volume, sendo N a concentração de elétrons na banda. Isto resulta
numa corrente elétrica na direção +x. Note que embora todos elétrons tenham
seus estados alterados pela ação do campo elétrico, são os estados pr´oximos da
superfı́cie de Fermi que contribuem para fazer a soma vetorial das velocidades
ser diferente de zero. Devido `as colisões, o deslocamento da esfera de Fermi
estaciona após um intervalo médio de tempo τ , chamado tempo de colisão. A
velocidade média resultante pode ser obtida a partir de (4.23) ou diretamente
de (4.24) usando v = k/m∗ . Esta velocidade média, chamada de velocidade
de deriva, é então
e τ E
vx = . (4.25)
m∗
112 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 4.15: (a) Os pontos representam estados ocupad os no espaço k no cristal n˜ao per-
turbado. O cı́rculo representa a interseção da esfera de Fermi com o plano k x ky . (b) Com

a aplicação de um campo elétrico na direção x os estados ocupados se deslocam de δk x
dado pela Eq.(4.24).

Considerando que há N elétrons livres por unidade de volume, obtemos a


densidade de corrente
2 ∗

Jx = ( e)Nvx = −N e τ E /m . (4.26)

Esta equação tem a forma da lei de Ohm que relaciona a tens˜ ao aplicada V , a
corrente elétrica I e a resistência R
V =RI , (4.27)

sendo a resistência de um condutor de comprimento L e área da seção transver-


sal A dada por
1L
R= , (4.28)
σA
onde σ = 1/ρ é a condutividade e ρ e´ a resistividade. Usando (4.28) em (4.27),
juntamente com as relações J = I /A e V = L, a lei de Ohm (4.27) pode ser
E
escrita na forma
J =σ .E (4.29)

Substituindo (4.29) em (4.26) obtemos a condutividade do metal,


N e2 τ
σ= . (4.30)
m∗
Cap. 4 Elétrons em Cristais 113

Figura 4.16: Variação da resistividade


de potássio em baixas temperaturas.

Num condutor com uma rede cristalina perfeita a T = 0, o tempo de colis˜ao é


infinito e, portanto, a condutividade também é infinita. Num cristal real, τ é
limitado por causa do espalhamento dos elétrons pelas impurezas e imperfei¸cões
da rede e por fˆonons. Como a agita¸cão térmica aumenta com a temperatura, o
tempo de colis˜ao devido ao espalhamento por fˆonons diminui com o aumento
da temperatura. Por outro lado a contrib uição das impurezas e imperfei¸cões
não varia com a temperatura e existe mesmo a T = 0. Isto est´a ilustrado na
Fig.4.16 que mostra a varia¸cão da resistividade ρ = 1/σ de pot´assio com a
temperatura T . O aumento de ρ com T é devido ao espalhamento por fônons
enquanto que a contribuição em T = 0 provém das impurezas e imperfeições. A
curva de cima corresponde a um material com maior quantidade de impurezas
que a de baixo e, portanto, tem um valor maior de ρ (0).

A Fig.4.17 mostra a condutividade ` a temperatura ambiente para uma


variedade de materiais. Ela varia de 10 −18 Ω−1 m−1 no quartzo, que é um
ótimo isolante, a cerca de 10 8 Ω−1 m−1 no cobre, que é um bom condutor.
Esta faixa de varia¸cão de 10 26 é a maior verificada numa mesma grandeza
fı́sica. Na verdade, a faixa de variação de σ é maior ainda pois os materiais
supercondutores têm condutividade várias ordens de grandeza maior do que o
cobre.

Para encerrar este Capı́tulo vamos estimar numericamente algumas


grandezas importantes envolvidas no mecanismo da corrente elétrica. Con-
sidere o caso do cobre, que `a temperatura ambiente tem condutividade
σ 108 Ω−1 m−1 . Sendo o n´umero de elétrons livres N 1023 /cm3 , usando
∼ ∼
(4.30) e os valores para a massa e carga do elétron (Apêndice B), obtemos para
114 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 4.17: Condutividade em Ω −1 m−1 de uma variedade de materiais `a temperatura


ambiente.

o tempo de colis˜ao τ 10−13 s. A distância que o elétron percorre entre duas



colisões é o livre caminho médio  . Como os elétrons envolvidos na corrente
são aqueles pr´oximos da superf´ıcie de Fermi, o livre caminho médio é
 = vF τ , (4.31)

onde v F é a velocidade de Fermi, relacionada com o raio da esfera de Fermi


kF pela relação vF = kF /m∗ . Usando esta relação e as equa¸cões (4.20) e
(4.21) obtemos para o cobre v F 106 m/s. Isto dá para o livre caminho médio

no cobre  ∼10−7 m = 10 3 Å, que corresponde `a distância de centenas de
átomos na rede cristalina. De certa forma é surpreendente que um elétron no
cobre à temperatura ambiente passe por centenas de ´atomos sem se chocar
com eles.

A partir da Eq.(4.25) podemos estimar a velocidade de deriva dos


elétrons. Considerando que uma tensão de 10 V é aplicada nas extremidades
de um fio de cobre de 1 m de comprimento, o campo elétrico é = 10 V/m. E
Usando τ = 10−13 s obtemos de (4.25) vx 10−1 m/s. Isto mostra que a ve-

locidade de deriva é várias ordens de grandeza menor que a velocidade vF de
movimento de elétrons entre duas colisões. Em outras palavras, o movimento
de deriva é muitı́ssimo mais lento que o movimento aleatório do elétron entre
uma colisão e outra.

Exemplo 4.3: Sabendo que o tempo de colis˜ao dos elétrons livres na prata à temperatura ambiente
é 3,8 10−14 s e que a concentra¸cão de elétrons livres é 5,86 1022 cm−3 , calcule: a) A resistência
× ×
de um fio de prata de se¸cão reta 0,1 mm 2 e comprimento 100 m; b) A corrente elétrica no fio quando
uma tensão de 1,6 V é aplicada nas extremidades; c) A velocidade de deriva dos elétrons na situa¸cão
do item b.

a) Para calcular a resistência é preciso inicialmente obter a condutividade, dada p ela Equação
Cap. 4 Elétrons em Cristais 115

(4.30),

N e2 τ 5, 86 × 1022 × 106 × 1, 62 × 10 −38


× 3, 8 × 10 −14

σ= =
m∗ 9, 1 × 10 31

σ = 6, 26 × 107 (Ωm) −1
.

A resistência do fio é,
1 L 100 m
R= = = 16 Ω
σ A 6, 26 × 107 Ω −1
m−1 × 1 × 10 −7
m2

b) A corrente no fio é,

V 1, 6
I= = = 0, 1 A .
R 16

c) A velocidade de deriva é relacionada com a corrente por meio da Eq. (4.26),


J I 0, 1
v= = =
Ne Ne A 5, 86 × 1028 × 1, 6 × 10 −19 −7
× 10
−4
v = 1, 7 × 10 m/s

REFERÊNCIAS

R.E. Hummel, Electronic Properties of Materials , Springer-Verlag, Berlin,


2001.
D. Jiles, Electronic Properties of Materials, Chapman & Hall, London, 1994.
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, J. Wiley, New York, 1996.
D.J. Roulston, An Introducion to the Physics of Semiconductor Devices , Ox-
ford University Press, Oxford, 1999.
L. Solymar and D. Walsh, Lectures on the Electrical Properties of Materials ,
Oxford University Press, Oxford, 1993.
F.F.Y. Wang, Introduction to Solid State Electronics , North-Holland, Ams-
terdam, 1980.
116 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

PROBLEMAS

4.1 A prata cristaliza na estrutura fcc, tendo quatro ´atomos por célula
unitária, cada um deles com um elétron 5s. Sabendo que o parâmetro
de rede da prata é 4,086 Å, calcule a concentra¸cão de elétrons livres em
cm−3 .
4.2 Em primeira aproximação, a prata tem banda 5s parab´olica. Calcule seu
nı́vel de Fermi, EF , em eV, considerando que a massa dos elétrons livres
é igual à massa de elétron no vácuo.
4.3 A partir dos resultados dos Problemas 4.1 e 4.2, calcule: a) a velocidade
de Fermi vF dos elétrons com energia EF ; b) o comprimento de onda do
elétron movendo-se com a velocidade de Fermi e compare com a distância

entre os ´atomos ( 4 Å); c) Em qual temperatura a probabilidade de
encontrar elétrons com energia E = E F + 0, 1 eV é 10%.
4.4 Um metal tem nı́vel de Fermi E F = 1 eV. Fa¸ca um gráfico (de preferência
num computador) da fun¸cão de distribui¸cão de Fermi-Dirac f (E ) para
T = 5, 5 e 300 K.
4.5 Mostre que a probabilidade de um estado eletrˆonico de energia E = E F +
E estar ocupado é igual a probabilidade do estado com energia E =

EF −E estar vazio.
2
4.6 Num fio de cobre de se¸ cão reta 1 mm circula uma corrente de 10 A.
22 −3
Sabendo queOa nı́vel
calcule: a) concentra¸cão
de Fermi,denas
elétrons
mesmaslivres é N = 8, 5 do 10
×
aproximações cm ,
Problema
4.2; b) A velocidade de Fermi; c) A velocidade de deriva dos elétrons.
Compare com v F e interprete o resultado.
4.7 Sabendo que a resistividade do cobre à temperatura ambiente é 1, 7 10−8×
Ω m, utilize os dados e resultados do problema anterior para calcular: a)
O tempo médio de colisão dos elétrons; b) O livre caminho médio dos
elétrons.
Capı́tulo 5

Materiais Semicondutores

5.1 Semicondutores 118

5.2 Elétrons e Buracos em Semicondutores Intrı́nsecos 122

5.2.1 Massa Efetiva de Elétrons e Buracos 122


5.2.2 Criação e Recombina¸cão de Pares Elétron-Buraco 125
5.2.3 Concentração de Portadores em Equilı́brio Térmico 127

5.3 Semicondutores Extrı́nsecos 135

5.3.1 Nı́vel de Energia de Impureza num Cristal 135


5.3.2 Concentração de Portadores em Semicondutores Extrı́nsecos 139

5.4 Dinâmica de Elétrons e Buracos em Semicondutores 145


5.4.1 Corrente de Condução 145
5.4.2 Movimento em Campo Magnético-Efeito Hall 150
5.4.3 Corrente de Difusão 152
5.4.4 Injeção de Portadores: Difus˜ao com Recombinação 158

REFERÊNCIAS 162

PROBLEMAS 163

117
118 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Materiais Semicondutores

5.1 Semicondutores

Como vimos no capı́tulo anterior, os semicondutores são caracterizados por


uma banda de valência cheia e uma banda de condução vazia a T = 0, sepa-
radas por um gap de energia relativamente pequeno, Eg < 2 eV. Devido ao
pequeno gap, à temperatura ambiente o número de elétrons na banda de
condução é apreciável, embora muito menor que o número de elétrons livres em
metais. Isto resulta numa condutividade intermediária entre a dos isolantes e
a dos metais, como ilustrado na Fig.4.17. Esta é a razão do nome semicondu-
tor. A concentração de elétrons na banda de condução de um semicondutor
puro varia exponencialmente com a temperatura, o que faz sua condutivi-
dade depender fortemente da temperatura. Esta é uma das razões pelas quais
os semicondutores puros, também chamado intr´ ınsecos , são utilizados em
poucos dispositivos.

A condutividade dos semicondutores também pode ser drasticamente al-


terada com a presen¸ca de impurezas, ou seja, de ´ atomos diferentes dos que
compõem o cristal puro. É esta propriedade que possibilita a fabricação de uma
variedade de dispositivos eletrônicos a partir do mesmo material semicondutor.
O processo de colocar impurezas de elementos conhecidos num semicondutor
é chamado dopagem. Semicondutores com impurezas são chamados dopados
ou extr´ınsecos .

O semicondutor mais importante para a eletrˆonica é o sil´ıcio. Ele tem a


mesma estrutura cristalina do diamante, mostrada na Fig.1.8, formada apenas
Cap. 5 Materiais Semicondutores 119

por átomos do elemento Si, do grupo IV da tabela peri´odica. A Fig.5.1 mostra


a estrutura de bandas de energia do silı́cio. O máximo da banda de valência
ocorre em k = 0, o ponto Γ da zona de Brillouin. O topo da banda de valência
é tomado como referência na escala de energia, ou seja E = 0. O mı́nimo da
banda de condu¸cão ocorre num vetor de onda k = 0 na dire¸cão [100], próximo

do ponto X na fronteira da zona de Brillouin, com energia 1,12 eV. Este é
então o valor do gap de energia do Si, Eg = 1, 12 eV. Na realidade o valor
do gap varia com a temperatura. Em Si o gap é Eg = 1, 16 eV em T = 0 e
diminui com o aumento de T . Outro semicondutor importante é o germânio,

também formado
estrutura cristalinapor
do um elemento
diamante. do tem
O Ge grupoestrutura
IV, o Ge,
de ebandas
que também tem aa
semelhante
do Si, porém com um gap menor, E g = 0,66 eV `a temperatura ambiente. Isto
faz com que suas propriedades elétricas sejam mais sensı́veis a mudanças de
temperatura do que em Si.

Em germânio e silı́cio as bandas de valência e de condução resultam de


estados eletrônicos s e p que se misturam. Como há dois estados s e p, h´a oito
bandas hı́bridas s + p, que se separam em dois conjuntos de quatro bandas
cada. As quatro bandas de menor energia podem acomodar 4 N el´ etrons. Como
Si e Ge possuem quatro elétrons de valência por átomo, as quatro bandas
s + p de menor energia est˜ ao completamente cheias, constituindo as bandas
de valência, mostradas na Fig.5.1 para Si.

Figura 5.1: Estrutura de bandas de energia do silı́cio (Si) [Hummel].


120 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

O semicondutor de maior aplica¸cão em opto-eletrˆonica é o arseneto de


gálio, GaAs. Ele é formado pelos elementos Ga e As, dos grupos I II e V res-
pectivamente, e cristaliza na estrutura zinc-blende da Fig.1.8(a). Na forma¸cão
do GaAs, o ´atomo de As perde um elétron que passa para um vizinho de Ga,
ficando ambos com quatro elétrons nas camadas 4s2 4p2 . Semelhantemente a Si
e Ge, o GaAs tem 4 N elétrons que enchem completamente a banda de valência,
deixando vazia a banda de condu¸cão. A estrutura de bandas do arseneto de
gálio está mostrada na Fig.5.2. Note que neste caso o mı́nimo da banda de
condução ocorre no mesmo vetor de onda, k = 0, que o m´aximo da banda de

valência,
dos por elementos dos E
sendo o gap g = 1, 43 eV. H´a vários outros semicondu tores forma-
grupos III e V, chamados compostos III-V, como InSb
(Eg = 0, 18 eV), InP (1,35 eV) e GaP (2,26 eV), por exemplo. Também h´a
semicondutores compostos II-IV, como CdS (2,42 eV), PbS (0,35 eV), PbTe
(0,30 eV) e CdTe (1,45 eV), entre outros.

As propriedades de condução dos semicondutores são determinadas prin-


cipalmente p elo n úmero de elétrons na banda de condução. Então elas depen-
dem fortemente da razão E g /kB T e portanto do valor do gap E g , mas n˜ao são
muito influenciadas pela forma das bandas. Por outro lado, as propriedades
ópticas dependem muito da forma das bandas de energia. Como será mostrado
no Capı́tulo 8, as transições eletrônicas acompanhadas da emissão ou absorção
de fótons num cristal devem conservar energia e momentum, ou seja

Ef −E = ±
i ω , (5.1)

Figura 5.2: Estrutura de bandas


de energia de arseneto de g´ alio
(GaAs) [Hummel].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 121

kf − k = ±k
i , (5.2)

sendo Ef e Ei as energias do elétron nos estados final e inicial, respectivamente,


kf e ki os vetores de onda correspondentes, ω e k a freq¨uência e o vetor de
onda do f´oton absorvido ( Ef > Ei ) ou emitido ( Ef < Ei ) na transi¸cão. No
caso do arseneto de g´alio, a transi¸cão de um elétron do mı́nimo da banda de
condução para o m´aximo da banda de valência é acompanhada da emissão de
um f´oton de energia ω = Eg = 1, 43 eV, cujo vetor de onda tem m´ odulo
k = 2π/λ = 7, 2 104 cm−1 . Como este valor de k é muito menor que o valor
da fronteira da zona de Brillouin ( kZB
× π/a 108 cm−1 ), ele é desprezı́vel
 ∼
na escala da Fig.5.2. Desta forma o momentum é conservado na emissão do
fóton e a transi¸cão é permitida. Esta transição, ilustrada na Fig.5.3(a), é
chamada de processo direto de emissão. Correspondentemente o semicondutor
é denominado de gap direto .

No caso do silı́cio ou do germânio, não é possı́vel ter uma transiç˜


ao entre
o topo da banda de valência e o mı́nimo da banda de condução apenas com
emissão ou absorção de f´otons. Isto porque o f´oton com energia Eg tem k 
kZB e esta transi¸cão requer uma varia¸cão de vetor de onda da ordem de kZB
para conservar momentum. Como vimos no Capı́tulo 2, os fônons têm energia
Ω  Eg e vetor de onda na faixa 0 k k ZB . É possı́vel então, ter uma
≤ ≤

Figura 5.3: (a) Bandas de valência e de condução em semicondutor de gap direto. Neste
caso, a transição através do gap ocorre com a emissão de um fóton de freq¨uência ω g = E g /
e com vetor de onda desprezı́vel na escala da figura. (b) No semicondutor de gap indireto,
≈ ≈
a transição através do gap envolve um fóton de freq¨uência ω ω g e k 0 e um fˆonon de

freqüência Ω muito menor que ω g e vetor de onda k kZB , de tal forma a conservar energia
e momentum totais.
122 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

transição através do gap, com a emissão ou absor¸cão de um f´oton, desde que


acompanhada da emissão ou absorção de um fˆonon. Esta transição, ilustrada
na Fig.5.3(b) é chamada de processo indireto. Si e Ge são semicondutores de
gap indireto . Como a transição em semicondutores de gap indireto envolve
fônons e f´otons, a probabilidade de emissão ou absor¸cão de fótons é muito
menor que no caso de gap diret o. Por esta raz˜ao é preciso utilizar semicon-
dutores de gap direto para fabricar lasers e diodos emissores de luz (LED).
Entre os semicondutores de gap direto destacam-se GaAs, InSb, InAs, InP,
PbS, CdS, CdTe. Nem todos co mpostos do grupo I II-V s˜ao de gap direto.

GaP e A Sb, por exemplo, têm gap indireto.

5.2 Elétrons e Buracos em Semicondutores Intrı́nsecos

5.2.1 Massa Efetiva de Elétrons e Buracos

Num semicondutor a uma temperatura finita, a excitação térmica faz com que
um certo número de elétrons passe da banda de valência para a de condu¸ cão.
Por conseguinte, se ele é submetido a um campo elétrico, as duas bandas con-
tribuem para a condu¸cão de corrente elétrica, pois ambas estão parcialmente
preenchidas. Os elétrons da banda de condução, sob a a¸cão do campo  , sen-
E
tem uma força F = e  e movem-se de acordo com a lei de Newton, com massa
−E
efetiva dada pela Eq.(4.11). Como os elétrons estão agrupados em torno do
mı́nimo da banda de condução, todos têm aproximadamente a mesma massa
efetiva,
2
m∗e = , (5.3)
(∂ 2 E/∂k 2 ) k=kmc

onde kmc corresponde ao mı́nimo da banda de condução. Sendo a curvatura


da banda de condu¸cão para cima, a massa efetiva dos elétrons nela situados é
positiva, de modo que eles têm aceleração no sentido oposto ao campo.

O comportamento dos elétrons da banda de valência é diferente. Vemos,


em primeiro lugar, que os elétrons próximos do topo da banda de valência têm
massa efetiva negativa, por causa da curvatura da função E (k ). Para entender
seu comportamento, vamos supor que h´a somente um estado vazio no topo
da banda. A Fig.5.4 ilustra o comportamento deste estado quando o cristal é
submetido a um campo  na direção x̂. Antes da aplica¸cão do campo, o estado
E
Cap. 5 Materiais Semicondutores 123

Figura 5.4: Movimento de elétrons na banda de valência: em (a) sem campo aplicado,
Σkc = 0. Em (b) e (c) com campo no sentido + x.

vazio deve estar no topo, como na Fig.5.4(a) para que a soma algébrica dos
momenta  kx de todos elétrons seja nula. Após a aplicação do campo, todos os
elétrons tendem a deslocar-se no espaço E (k ) no sentido kx negativo, porque,
pela Eq.(4.8),
dkx

dt
= e x . − E (5.4)

Desta forma, em instantes posteriores teremos as situa¸cões mostradas na


Fig.5.4(b) e (c). Note que o deslocamento de todos os elétrons da banda no
sentido kx negativo, resulta no deslocamento do estado vazio no mesmo sen-
tido no espa¸co do momentum. Como todos os outros estados est˜ao ocupados,
a existência de um estado vazio (ausência de elétron) com momentum k1 −
implica em que o momentum total do sistema é +k1 . Assim sendo, o sistema
comporta-se como se fosse formado por um buraco1 de vetor de onda

kb = −k e . (5.5)

A equação da for¸ca pode ser escrita ent˜ao como

dke dkb
Fe =  = −  . (5.6)
dt dt

Sendo a for¸ca proveniente de um campo elétrico, como a carga do elétron é


negativa, Fe = e  , e portanto,
−E
1O nome universalmente aceito em inglês é hole. Alguns autores brasileiro s usam o nome lacuna.
124 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

dkb
+e  = 
E .
dt

Isto mostra que o buraco se comporta como uma partı́cula de carga


positiva. Um desenvolvimento análogo ao das Eqs.(4.9)-(4.11) mostra que
massa efetiva do buraco é
2
m∗b = − (∂ E/∂k )
2 2
, (5.7)
k=kmv

onde kmv corresponde ao m´aximo da banda de valência. Como ∂ 2 /∂k 2 no


máximo da banda de valência é negativo, a massa do buraco é positiva.
Isto é consistente com o fato de que se um campo elétrico é aplicado no sentido
+x, os buracos têm momentum k x > 0 e portanto, movimentam-se no sentido
+x no espaço real.

As Eqs.(5.6) e (5.7) levam à conclusão que os estados vazios, no topo


da banda de valência, comportam-se como estados de excitações elementares
de carga positiva, com m´odulo igual ao da carga do elétron, e massa efetiva
positiva dada por (5.7). São os estados de buracos. Como as cur vaturas
das bandas de valência e de condução não são iguais, as massas efetivas dos
elétrons e dos buracos são diferentes. Além disso, é possı́vel ter cristais com
mais de uma banda de condu¸ cão ou de valência, e também curvaturas que
variam com a dire¸cão de k, havendo portanto v´arias massas de elétrons e de

Cristal Eg (eV) me /m0



mb /m0

Ge 0,66 m∗c = 0, 55 m∗v = 0, 31


m∗e = 0, 12 m∗b = 0, 23
Si 1,12 m∗c = 1, 10 m∗v = 0, 56
m∗e = 0, 26 m∗b = 0, 38
GaAs 1,43 0,068 0,5
InSb 0,18 0,013 0,6
InP 1,29 0,07 0,4

Tabela 5.1: Energias do gap e massas efetivas de semicondutores importantes a 300 K.


m0 = 9, 1 10−31 kg é a massa de repouso do elétron. Em Si e Ge, m ∗c e m ∗v são as massas
×
que entram no c´alculo das densidades de estados das bandas de condu¸ cão e de valência,
enquanto m ∗e e m ∗b são as massas de deslocamento de elétrons e buracos [Sze e Yang].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 125

buracos. Nas Figuras 5.1 e 5.2 vemos que tanto Si como GaAs têm duas bandas
de valência degeneradas em k = 0. Os buracos da banda de maior cur vatura
(maior módulo de ∂ 2 E/∂k 2 ) têm menor massa efetiva, sendo por isso chamados
buracos leves, enquanto os da banda de menor curvatura são chamados buracos
pesados. Devido `a multiplicidade de massas efetivas e também a divergências
nas medidas experimentais, os valores das massas encontrados na literatura
variam de uma fonte para outra, mesmo nos casos dos semicondutores mais
estudados, como Si, Ge e GaAs.

A Tabela 5.1 mostra as massas efetivas de alguns semicondutores impor-


tantes para aplicações em eletrˆonica, e também os valores de Eg em T = 300
K. Note que no caso do silı́cio e germânio há duas massas efetivas de elétrons e
duas de buracos. m∗c e m ∗v são médias geométricas das massas efetivas usadas
para calcular as densidades de estados nas bandas de condu¸ cão e de valência,
respectivamente. Por outro lado, m∗e e m∗b são as massas médias usadas para
calcular o movimento de elétrons e buracos.

5.2.2 Criação e Recombinação de Pares Elétron-Buraco

Num cristal semicondutor puro a T = 0 e sem qualquer perturba¸cão externa,


não há elétrons na banda de condução nem buracos na banda de valência. Em
outras palavras, não há portadores de carga elétrica e o material é um isolante
elétrico. Há vários processos para levar elétrons para a banda de condução. O
mais da
topo comum
banda é adeexcitação
valência térmica,
vai para pela qual umnı́veis
os primeiros certo número
da bandadedeelétrons
condu¸ do
cão
quando T > 0. A concentra¸cão de elétrons e de buracos devido à excitação
térmica será calculada na pr´oxima seção. O ponto a ressaltar aqui é que, num
semicondutor intrı́nseco, a passagem de um elétron para a banda de condu¸ cão
sempre corresponde `a cria¸cão de um buraco na banda de valência, ou seja,
elétrons e buracos são criados aos pares.

Elétrons e buracos também são criados aos pares em outros processos,


como o de absor¸cão óptica. Como ilustrado na Fig.5.5, quando um f´oton
de energia ω e´ absorvido num semicondutor, um elétron passa da banda de
valência para a de condução. Como o vetor de onda do f´ oton é desprezı́vel, o
elétron criado na banda de condução tem o mesmo ke do elétron removido da
banda de valência. Isto corresponde à criação de um buraco com vetor de onda
kb = ke . Em outras palavras, a absor¸cão do f´oton é acompanhada da criação

de duas quase-partı́culas: um elétron e um buraco. Como eles têm momenta
126 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 5.5: Absor¸cão de um f´oton de energia ω e vetor de onda desprez´ıvel acompanhada


da criação de um par elétron-buraco em semicondutor de gap direto.


ke e ke , o momentum total antes e depois da absor¸cão do f´oton é nulo, ou

seja, ele é conservado.

Sendo n a concentração de elétrons por unidade de volume na banda de


condução do semicondutor puro e p a concentração de buracos na banda de
valência, pode-se afirmar então que n = p . Em equilı́brio térmico temos ent˜
ao,

n = p = ni , (5.8)

onde ni e´ na
calculada a concentração de portadores
pr´oxima seção. Qualquer que no semicondutor intrı́nseco,
seja o mecan ismo que
cãoserá
de cria¸ de
pares elétron-buraco, o processo não é estático, é dinâmico. Elétrons vão para
a banda de condu¸cão, deixando buracos na banda de valência, com uma certa
taxa g que representa o n´umero de pares gerados por unidade de volume e
por unidade de tempo. Simultaneamente elétrons recombinam com buracos
a uma taxa de recombina¸cão r . Isto é evidente no caso da excitação térmica.
No processo induzido opticamente isto também é verdade, pois enquanto a
absorção de fótons resulta na criação de pares, a recombinação produz emissão
de fótons. O fato é que, no regime estacionário, o número de pares é constante.
Isto requer que, para cada mecanismo de gera¸ cão e recombinação de pares, as
taxas de cria¸cão e de recombina¸cão sejam iguais, isto é,
r=g . (5.9)

Este resultado é chamado o princı́pio do balanceamento detalhado.


Cap. 5 Materiais Semicondutores 127

Exemplo 5.1: Um feixe de laser de comprimento de onda 5145 Å com ´area 1 mm 2 e potência
10 mW incide num semicondutor, sendo totalmente absorvido em processo de gera¸ cão de pares
elétron-buraco ao longo de uma distância 100 µm. Supondo que a eficiência de conversão de fótons
cão de pares em cm −3 s−1 .
em pares elétron-buraco é 10 %, calcule a taxa de cria¸

Inicialmente é preciso calcular o número de f´otons por unidade de tempo no feixe de laser.
Usando (2.31), podemos determinar a energia de cada f´ oton,
−34
c 6, 63 × 10 J.s 3, 0 108 m.s−1
× × −19
hν = h = = 3, 86 × 10 J.
λ 5145 10−10 m
×
O número de f´otons p or unidade de t empo é a razão entre a p otência do laser e a energia do
fóton,

P 10 10−3 W
×

=
3, 86 10−19 J
× = 2, 59 × 1016 s −1
.

Como a cada 10 f´ otons absorvidos um par elétron-buraco é gerado, a taxa de criação de


pares por unidade de volume é,

1 2, 59 1016 s−1
×
r=
10 1 −2
× 10 cm2 100 10−4 cm
× × = 2, 59 × 1019 cm −3 −1
s

5.2.3 Concentração de Portadores em Equil´


ıbrio Térmico

Várias
dependem propriedades dos semicondutores,
fundamentalmente como dos
da concentração por portadores
exemplo a condutividade,
de carga elétrica.
Esta concentração depende do n´umero de estados disponı́veis para serem ocu-
pados e da probabilidade de ocupação de cada um. Vamos calcular esta concen-
tração num semicondutor intrı́nseco a uma temperatura T utilizando conceitos
apresentados no Capı́tulo 4. A probabilidade dos elétrons ocuparem um es-
tado de energia E é dada pela função de Fermi-Dirac f (E ), Eq.(4.13). Uma
dificuldade adicional nos semicondutores em rela¸cão aos metais é que o nı́vel
de Fermi EF não é conhecido, a priori , como veremos a seguir.

Vamos considerar um semicondutor com banda s como na Fig.5.6. O


topo da banda de valência tem energia Ev e o mı́nimo da banda de condução
é Ec , sendo Ec Ev = Eg . Em T = 0 a banda de valência está cheia e a de

condução está vazia. É claro ent˜ao que o nı́vel de Fermi está situado entre
as duas bandas, Ev < EF < Ec , porém sua posição exata no gap depende da
forma das bandas. Devido à simetria de f (E ) e ao fato de que, em T > 0, o
128 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 5.6: Bandas parab´olicas em semicondutor utilizadas para o c´ alculo da densidade de


estados.

número de elétrons na banda de condução é igual ao número de buracos na


banda de valência, se as bandas forem simétricas, EF estará exatamente no
meio do gap. Por outro lad o, se as bandas n˜ao forem simétricas, EF estará
próximo mas n˜ao exatamente no meio. Na verdade a determinação de EF é
feita no próprio cálculo das concentrações de portadores.

Para o cálculo da concentração dos portadores no semicondutor é preciso


saber também o número de estados eletrˆonicos disponı́veis para ocupação nas
bandas de ener gia, o que depend e da forma das band as. Como os estados
envolvidos são os que est˜ao próximos dos extremos das duas bandas na Fig.5.6,
podemos fazer para ambas a aproxima¸cão parabólica. Supondo que a energia
não varia com a dire¸cão de k podemos escrever para a banda de condu¸cão,
2 2
 k
E −E c = , (5.10)
2m∗c

e para a banda de valência,


2 2
Ev − E = 2mk ∗
, (5.11)
v

onde m∗c e m∗v são, respectivamente, as massas efetivas nas bandas de condução
e de valência.

Exceto pelo deslocamento da referência, as expressões acima s˜ao iguais


a Eq.(4.14). Desta forma, os vetores de onda dos estados que podem ser
Cap. 5 Materiais Semicondutores 129

ocupados são discretos e dados pela Eq.(4.15). Assim sendo, a densidade de


estados eletrônicos na banda de condução é dada por (4.17) com E substitu´ıdo
por E Ec , e m substituı́do por m ∗c ,

3/2
2m∗c
D (E ) =
1
  (E −E ) 1/2
. (5.12)
c
2π 2 2

Do mesmo modo, a densidade de estados de buracos na banda de valência é,


3/2
1 2m∗v 1/2
D ( E ) = 2π 2 (Ev − E) .
  2 (5.13)

A partir desses resultados podemos obter as concentrações de elétrons


e buracos em equilı́brio térmico nos semicondutores. A concentra¸cão
(número/unidade de volume) de elétrons na banda de condução é obtida pela
integral do produto da densidade de estados D(E ) com a probabilidade de
ocupação f (E ),
 ∞
n= D (E )f (E )dE . (5.14)
Ec

Nesta equação fizemos o limite superior infinito porque a contribuição dos


estados com energia muito acima de Ec é desprezı́vel, devido ao fato de que
f (E ) cai exponencialmente com E . Para facilitar a integra¸cão, vamos utilizar
uma expressão aproximada para a fun¸ cão de Fermi-Dirac. À temperatura
ambiente, T  290 K, o fator de Boltzmann é kB T 0, 025 eV. Como EF 
está próximo
E −  EF kBdo
T . meio
Logo,do gap epode ser
(4.13) Eg
é da ordem de por
aproximada 1 eV, podemos considerar
−(E −EF )/kB T
f (E ) e . (5.15)

Substituindo (5.12) e (5.15) em (5.14) vem


3/2 ∞
2m∗c
n =
1
   (E −E ) 1/2
e−(E −EF )/kB T dE
c
2π 2 2 Ec

3/2 ∞
2m∗c
=
1
  e−(Ec −EF )/kB T
 x1/2 e−x/a dx ,
2π 2 2 0

onde x ≡ (E Ec ) e a
− ≡ kB T . A integral definida pode ser calculada ana-
liticamente e seu valor é a3/2 π 1/2 /2. A concentração de elétrons na banda de
condução é então
130 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

n = N c e −(Ec −EF )/kB T , (5.16)

onde
3/2
m∗c kB T
Nc = 2
  . (5.17)
2π  2

Podemos dar à concentração Nc duas interpretações úteis. Veja que a Eq.(5.16)


seria obtida de (5.14) imediatamente se a densidade de estados fosse uma
função delta de Dirac em E = E c ,

D(E ) = Nc δ (E −E ) c . (5.18)

Esta equação significa que Nc faz o papel de uma concentra¸cão de estados to-
talmente localizados na energia E = E c . Também pode-se ver a concentra¸ cão
de elétrons n como sendo dada, aproximadamente, por uma concentração efe-
tiva de estados com valor constante N c entre Ec e E c + kB T e nula fora deste
intervalo.

De forma an´aloga, podemos obter a concentra¸cão de buracos na banda


de valência. Como o número de buracos é dado pela falta de elétrons na banda
de valência, temos,
 Ev
p= [1 − f (E )]D(E )dE . (5.19)
−∞

Considerando EF − E  k T , podemos usar a aproxima¸cão


B

(E −EF )/kB T
1 − f (E )  e .

A integral (5.19) pode ser resolvida por um c´alculo análogo ao de n, levando


ao seguinte resultado para a concentração de buracos,

p = N v e−(EF −Ev )/kB T , (5.20)

onde N v é a concentração efetiva de estados com energia no topo da banda de


valência Ev , dada por,
3/2
m∗v kB T
Nv = 2
  . (5.21)
2 π 2
Cap. 5 Materiais Semicondutores 131

Figura 5.7: Ilustração gráfica do c´alculo da concentra¸cão de portadores no semicondutor


intrı́nseco: (a) As linhas cheias representam as densidades de estados D(E ) nas duas bandas;
(b) A distribui¸cão de Fermi-Dirac f (E ); (c) As densidades de portadores nas duas bandas
numa temperatura T > 0. As ´areas hachuradas em (c) correspondem `as concentra¸cões
efetivas de estados.

O cálculo de n e p está ilustrado graficamente na Fig.5.7 para o caso de


um semicondutor intrı́nseco com bandas aproximadamente simétricas. Neste
caso o nı́vel de Fermi está aproximadamente no meio do gap. Na verdade, desde
que a fun¸cão de Fermi-Dirac possa ser aproximada pela express˜ao (5.15), as
equações (5.16)-(5.21) valem para semicondutores intrı́nsecos ou extrı́nsecos.
O que diferencia os dois casos é a posição do nı́vel de Fermi, EF , que até o
momento não foi calculada.

Exemplo 5.2: Calcule a probabilidade de ocupa¸cão f (E ) de um estado com energia E acima do



ıvel de Fermi, E = E F + 0, 2 eV, a uma temperatura 290 K, usando a express˜ ao exata e também
a aproximada (5.15).

Inicialmente calculamos o valor da energia térmica em eV,

−23 1, 38 10−23 290


× ×
kB T = 1, 38 × 10 × 290 J = = 0, 025 eV .
1, 6 10−19
×
Então,
e(E−EF )/kB T = e0,2/0,025 = e 8 = 2980, 96 .

A probabilidade calculada pela distribuição de Fermi-Dirac é,


1 1 −4
f (E ) = = = 3, 3535 × 10 .
1 + e (E −EF )/kB T 1 + 2980, 96
132 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

O valor calculado com a express˜ao (5.15) é,


1 −4
f (E ) = = 3, 3546 × 10 ,
2980, 96
que é praticamente igual ao calculado com a expressão exata.

Para determinar o nı́vel de Fermi EF é preciso utilizar a condição de


conservação do n´umero de elétrons. No caso do semicondutor intrı́nseco, a
esta condição impõe que o n´umero de elétrons na banda de condução seja
igual ao n´umero de buracos na banda de valência, n = p ni . Igualando ≡
(5.16) e (5.20), fazendo EF = E i (n´ıvel de Fermi no semicondutor intrı́nseco)
e utilizando (5.17) e (5.21) obtemos a energia de Fermi no material intrı́nseco
(Problema 5.2),
1 3 m∗
Ei = (Ec + Ev ) + kB T n v∗ . (5.22)
2 4 mc

Esta equação mostra claramente que somente se T = 0, ou se as massas


efetivas de elétrons e buracos forem iguais, o nı́vel de Fermi no semicondutor
ınseco estará exatamente no meio do gap. No caso geral em que m ∗c = m ∗v
intr´ 
(bandas não simétricas), o nı́vel de Fermi não está exatamente no meio e sua

Figura 5.8: Variação das concen-


trações de portadores intrı́nsecos
em Ge, Si e GaAs medidas ex-
perimentalmente [Sze].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 133

posição depende da temperatura. Entretanto, como `a temperatura ambiente


kB T  Eg , esta corre¸cão é muito pequena em Si, Ge e GaAs.
Uma vez obtida a energia de Fermi Ei do semicondutor intrı́nseco,
podemos imediatamente calcular a concentra¸cão ni de elétrons na banda de
condução e de buracos na banda de valência. Fazendo EF = Ei em (5.16) e
(5.20) obtemos,

ni = Nc e −(Ec −Ei )/kB T , (5.23)


−(E −E )/k T
pi = Nv e i v B
. (5.24)

Fazendo o produto dessas duas equa¸ cões e usando o fato de que p i = ni ,


obtemos

ni = pi = ni pi = (Nc Nv )1/2 e−Eg /2kB T . (5.25)

Este resultado mostra que o n´umero de portadores no semicondutor intrı́nseco


varia exponencialmente com Eg /kB T . A Fig.5.8 mos tra a varia¸cão de ni
com a temperatura nos três semicondutores mais importantes, medida ex-
perimentalmente. Esta variação é devida principalmente ao fator exponencial
da Eq.(5.25), mas também contém uma contribui¸ cão em T 3/2 proveniente do
termo ( Nc Nv )1/2 (Problema 5.3).

Grandeza Ge Si GaAs

Átomos ou moléculas (1022 /cm3 ) 4,42 5,0 2,21


Parâmetro da rede a ( Å) 5,658 5,431 5,654
Constante dielétrica / 0 16,0 11,8 10,9
Gap de energia(eV)
Eg 0,68 1,12 1,43
Concentração intr´ınseca n i (cm−3 ) 2,5 1013
× 1,5 1010
× 107
Concentração efetiva N c (cm )− 3
×
1,04 10 19
×
2,8 10 19
4,7 1017
×
Concentração efetiva N v (cm−3 ) 6,1 1018
× 1,02 1019
× 7,0 1018
×
Mobilidade µ n (cm2 /V.s) 3900 1350 8600
Mobilidade µ p (cm2 /V.s) 1900 480 400
Coeficiente de difusão D n (cm2 /s) 100 35 220
Coeficiente de difusão D p (cm2 /s) 50 12,5 10

Tabela 5.2: Valores de grandezas impo rtantes em Ge, Si e GaAs a T = 300 K [Sze e
Streetman].
134 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

A Tabela 5.2 apresenta os valores das concentra¸cões de portadores e


outras grandezas importantes para os três principais semicondutores. A mo-
bilidade e o coeficiente de difus˜ao serão definidos na se¸cão 5.5 . Note que em
ınseca está na faixa 10 7 1013 cm−3 . Este valor
todos eles a concentra¸cão intr´ −
é extremamente pequeno comparado com o número de portadores em metais
(1022 cm−3 ) e resulta do fato de que kB T Eg . Note que os va lores de Nc ,

Nv e n i dados na Tabela 5.2 foram obtidos através de medidas independentes.
Por esta razão existe uma pequena discrepância entre eles e os valores obtidos
com a Eq.(5.25) (Problema 5.3).

Exemplo 5.3: Obtenha uma expressão numérica para a concentração de elétrons na banda de
condução de um semicondutor hipotético, intrı́nseco, com m∗c = m∗v = m0 e calcule seu valor para
Eg = 1, 0 eV e T = 300 K.

Para m ∗c = m ∗v = m 0 , (5.17) e (5.21) d˜ao

3/2
m0 kB
Nc = N v = 2 T 3/2
2π 2
3/2
9, 1 10−31 kg 1, 38 10−23 J/K
× × ×
=2 T 3/2
2 3, 14 1, 0542 10−68 J2 s2
× × ×
= 4, 83 × 1021 T 3/2 (kg s 2 /J)3/2 .

Veja que como o joule é a unidade de energia no sistema internacional, 1 J = 1 kg m 2 s2 .


Portanto, a unidade da expressão acima é m−3 , que é a unidade de concentração (n´umero por
3 3
volume) no sistema internacional. Usando (5.25) e convertendo m em cm , a concentra¸cão de
elétrons pode ser escrita como,

ni = 4, 83 × 1015 T 3/2 e −Eg /2kB T


cm−3 K−3/2 .

Para calcular o valor da exponencial, vamos exprimir a energia térmica em 300 K em unidades
de eV,

−23 1, 38 10−23 300


× ×
kB T = 1, 38 × 10 × 300 J = = 0, 026 eV .
1, 6 10−19
×
Então,

ni = 4, 83 × 1015 × 3003/2 × e −(1,0/0,052)

ni = 1, 12 × 1010 cm 3 −
Cap. 5 Materiais Semicondutores 135

5.3 Semicondutores Extrı́nsecos

Os semicondutores intrı́nsecos são pouco utilizados em dispositivos, entre ou-


tras razões, porque sua condutividade é pequena e depende muito da tem-
peratura. Em geral utiliza- se semicondutores com uma certa quantidade de
impurezas, de tipo e concentração controlados e colocados propositalmente no
cristal. Semicondutores com impurezas são chamados extr´ ınsecos . Dizemos
também que o semicondutor extr´ınseco é aquele que édopado com impurezas.
Através da dopagem é possı́vel fazer com que o n´umero de elétrons seja maior
que o de buracos, ou vice-versa. Os semicondutores com predominˆancia de
elétrons são chamados do tipo n (de negativo), enquanto que os de maior
concentração de buracos s˜ao do tipo p (de positivo). Os semicondutores
dopados têm condutividade que varia pouco com a temperatura e cujo valor
é controlado pela concentração de impurezas. É o controle das propriedades
dos semicondutores através da dopagem que possibilita utilizar estes materiais
para fabricar uma enorme variedade de dispositivos eletrônicos.

O método mais comum de dopagem de semicondutores é a difusão em


alta temperatura. Os átomos da impureza desejada s˜ao provenientes de um
gás, como AsH 3 no caso de As, e difundem para o interior do material através
de sua superfı́cie. Este processo é feito num forno onde o material e o gás que
fornece a impureza são aquecidos a uma temperatura na faixa de 400 700◦C.

A profundidade da camada superficial que fica dopada e a concentra¸ cão de
impurezas dependem da temperatura e do tempo de exposi¸ cão.

No processo de difusão a fronteira entre a camada dopada e o material


puro não é bem definida. Devido à natureza térmica do processo, a concen-
tração de impurezas varia gradualmente na fronteira. Um outro método que
permite a obtenção de regiões dopadas com fronteiras melhor definidas é a im-
plantação iônica. Neste processo um feixe de ı́ons acelerados com energia na
faixa 10 - 100 keV bombardeia a superfı́cie do material e penetra no interior.
Camadas de impurezas com fronteiras controladas e bem definidas podem ser
produzidas por este processo com espessuras de até 1 µ m.

5.3.1 Nı́vel de Energia de Impureza num Cristal

A presença de defeitos ou impurezas num cristal modifica o potencial eletros-


tático nas suas vizinhan¸cas, quebrando a simetria de transla¸cão do potencial
periódico. Essa perturbação pode produzir fun¸cões de onda eletrˆonicas que
136 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 5.9: Perturbação do esquema de energia causada por impurezas ou defeitos no cristal.
Alguns nı́veis de energia das impurezas estão nas faixas proibidas.

são localizadas nas proximidades da impureza, deixando de ser propagantes


em todo o cristal. As ene rgias dessas fun¸cões de onda s˜ao obtidas através
da equação de Schroedinger resolvida para o potencial da impureza. Essas
energias aparecem na forma de nı́veis discretos que podem estar situadas entre
as bandas do cristal perfeito. A Fig.5.9 ilustra possı́veis nı́veis de energia de
impurezas nas bandas de um cristal com defeitos. Numa primeira aproximação,
esses nı́veis de energia podem ser calculados com um modelo simples. Vamos
considerar por exemplo o caso de semicondutores como germˆ anio ou sil´ıcio,
que têm uma ligação covalente uniforme.

Os elementos do grupo V da tabela peri´odica (P, As ou Sb, por exemplo)


têm uma camada eletrônica interna igual a do Si ou Ge, mas têm cinco elétrons
de valência em vez de quatro. Em pequenas quantidades esses elementos po-
dem facilmente entrar no cristal no lugar dos ´atomos de Ge ou Si. Isto n˜ao
produz grandes modificações na rede cristalina, resultando na formação de im-
purezas substitucionais, como ilustrado na Fig.5.10. A dopagem também pode
ser feita com elementos do grupo III (B, A , Ga ou In), que têm um elétron
de valência a menos que Ge ou Si.

No caso das impurezas do grupo V, como As, quatro de seus cinco elétrons
de valência são utilizados na liga¸cão covalente com os ´atomos vizinhos de Ge
ou Si. O quinto elétron fica fracamente ligado ao átomo, que pode ser ionizado
termicamente a temperaturas relativamente baixas, como acima de 50 K. Com
a ionização o quinto elétron fica livre para se movimentar no cristal, o que
equivale a dizer que ele vai para a banda de condu¸ cão. Isto significa que
Cap. 5 Materiais Semicondutores 137

Figura 5.10: Modelo esque mático de


um cristal de Ge ou Si dopado com im-
purezas substitucionais Ga (aceitador)
e As (doador). As bolas brancas repre-
sentam os átomos de Ge ou Si.

o nı́vel de energia da impureza de As está próximo da banda de condu¸ cão.


As impurezas de As e dos outros elementos do grupo V s˜ ao doadoras, pois
doam elétrons para a banda de condução, como ilustrado na Fig.5.11(a). Os
semicondutores com impurezas doadoras têm maior concentração de elétrons
do que de buracos e por isso s˜ ao chamados do tipo n.

No caso de impurezas do grupo III, como o Ga, h´ a um elétron a menos


dos quatro necessários para completar a ligação covalente com os vizinhos. Em
temperaturas da ordem de 50 a 100 K, elétrons da banda de valência do cristal
são capturados para completarem as liga¸cões covalentes, deixando buracos na
banda de valência. As impurezas do grupo I II são chamadas aceitadoras e
formam semicondutores do tipo p . Como ilustrado na Fig.5.11(b), elas têm
nı́vel de energia eletrônica próximo da banda de valência. Os n´ıveis de energia

Figura 5.11: Representação esquemática dos nı́veis de impurezas no gap de semicondutores


dopados. Ec e Ev representam as energias mı́nima e máxima das bandas de condução
e valência respectivamente. Note que esta figura representa a energia ao longo de uma
dimensão fı́sica do semicondutor.
138 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

das impurezas no gap dos semicondutores podem ser calculados quanticamente


com um modelo simples do ´atomo de hidrogênio. Vamos considerar o caso do
As em germânio, por exemplo. O c´alculo é feito supondo que o elétron quase
livre está ao redor do ı́on positivo de As, com uma massa efetiva m∗e devido
ao potencial peri´odico da rede cristalina. A energia do nı́vel de impureza é
dada pela expressão da energia de ioniza¸cão do ´atomo de hidrogênio no estado
fundamental, Eq.(3.66) com n = 1,
m∗e e4 ∗
E=
2(4π)2 2
≡ mm e
0
0

2
EH , (5.26)

onde  é a permissividade do cristal, m ∗e é a massa efetiva de condução e E H é
a energia no ´atomo de hidrogênio, cujo valor, calculado com m ∗e = m0 e  =  0
é E H = 13, 6 eV. No germˆanio  16  0 , a massa efetiva de condu¸cão dada na

Tabela 5.1 é m∗e = 0, 12 m0 , de modo que a energia de ioniza¸cão das impurezas
doadoras neste material é,

E1 = 13, 6 × 016, 12 = 0, 006 eV


2
.

Silı́cio tem  = 120 e maior massa efetiva, tendo portanto uma maior energia
de ionização (0,025 eV). Este é o valor de energia necessário para ionizar uma

Figura 5.12: Energias de ioniza ção de v´arias impurezas em Ge e Si em T = 300 K. Os


números indicam as distˆancias em eV do mı́nimo da banda de condução para os nı́veis
acima do meio do gap e do m´aximo da banda de valência para os nı́veis abaixo do meio do
gap. Note que Cu e Au têm v´arios nı́veis de impurezas, tanto doadoras como aceitadoras
[Sze].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 139

impureza doadora. Logo ele representa a distância entre o nı́vel da impureza e


o mı́nimo da banda de condução. É claro que este modelo rudimentar, que não
leva em conta a natureza detalhada do átomo de impureza, dá resultados ape-
nas aproximados. A Fig.5.12 mostra os nı́veis de energia de várias impurezas
em Ge e em Si. As impurezas comumente usadas para produzir semicondu-
tores tipo n, como Sb, P e As, têm nı́veis pr´
oximos da banda de condução. Por
outro lado as utilizadas nos semicondutores tipo p como B, A , Ga e In têm
nı́veis próximos da banda de valência. No caso de Cu e Au há vários nı́veis
de impurezas no gap do Si ou do Ge. Alguns nı́veis estão longe das bandas e

asão chamados
taxa de nı́veis
de recombina¸ cão profundos. Estes nı́veis são
de pares elétron-buraco. Asutilizados para aumentar
concentrações utilizadas
variam de 10 14 cm−3 (1 parte em 10 8 , considerando 10 22 átomos por cm 3 ) a
1020 cm−3 (1 parte em 10 2 , que é muito forte).

5.3.2 Concentração de Portadores em Semicondutores Extr´


ınsecos

As Equações (5.14) e (5.19) não são, evidentemente, restritas a semicondutores


intrı́nsecos. Elas também valem para semicondutores dopados, tanto com im-
purezas doadoras como aceitad oras. Assim sendo, os resultados (5.16) e (5.20)
também valem para os semicondutores extrı́nsecos, desde que a aproxima¸ cão
(5.15) seja v´alida. Representando por n0 e p0 as concentrações em equilı́brio
térmico de elétrons na banda de conduç˜ ao e de buracos na banda de valência,
no semicondutor extrı́nseco, podemos escrever ent˜ ao
−(Ec −EF )/kB T
n0 = N c e , (5.27)
−(EF −Ev )/kB T
p0 = N v e . (5.28)

O cálculo de n 0 e p 0 num semicondutor tipo n está ilustrado na Fig.5.13.


O que difere o semicondutor extrı́nseco do intrı́nseco é a posição do nı́vel de
Fermi. Por exemplo, num semicondutor tipo n com impurezas doadoras com
energia Ed próxima da banda de condução, em T = 0 os estados com energia Ed
estão cheios enquanto que aqueles com energia E > E c estão vazios. Portanto
em T = 0 o nı́vel de Fermi está entre Ed e Ec . Em T > 0 ele pode estar
abaixo de E d , mas não estará muito longe deste nı́vel. Como E F está próximo
de E c , à temperatura ambiente a exponencial em (5.27) é muito maior do que
aquela em (5.28), de modo que o n´ umero de elétrons é muito maior que o de
buracos. Fisicamente o que ocorre é que n0 no semicondutor tipo n aumenta
em relação a ni por causa da ioniza¸cão das impurezas doadoras. Por outro
140 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 5.13: Ilustração gráfica do cálculo das concentrações de portadores num semicondutor
tipo n.

lado, o n´umero de buracos diminui porque h´a mais elétrons para recombinar
com eles. O produto das concentrações de elétrons e buracos é obtido de (5.27)
e (5.28),
n0 p 0 = N c N v e−Eg /kB T . (5.29)

Comparando este resultado com (5.25) vemos que

n0 p 0 = n 2i . (5.30)

Desta forma, o produto n0 p0 é constante e independe do tipo e da con-


centração de impurezas. Este resultado, conhecido como a lei de a¸cão
das massas , é muito importante e será usado com freq¨uência posteriormente.
Usando (5.23) e (5.24) podemos reescrever (5.27) e (5.28) numa forma conve-
niente

n0 = ni e (EF −Ei )/kB T , (5.31)


(Ei −EF )/kB T
p0 = ni e . (5.32)

Estas relações mostram claramente que n0 = p 0 = n i quando EF = E i , e que


n0 e p0 variam exponencialmente quando E F se afasta de E i .
Cap. 5 Materiais Semicondutores 141

Nos semicondutores tipo n o nı́vel de Fermi EF está próximo da banda



de condução, de modo que ( EF Ei )/kB T 
1. Em conseqüência n0 ni 
e p0  ni , e por isso os elétrons são chamados portadores majoritários ,
enquanto os buracos s˜ao os portadores minoritários . Por outro lado, no s
semicondutores tipo p, (EF − Ei )/kB T é grande e negativo, de modo que
n0  ni e p0  ni . Neste caso os bura cos s˜ao os portadores majorit´arios
enquanto os elétrons são minoritários.

Outra relação importante entre as concentra¸cões de portadores resulta


da neutralidade de cargas. Sendo Nd+ a concentração de impurezas doadoras
ionizadas (impurezas que cederam elétrons para a banda de condução e ficaram
carregadas positivamente) e Na− a de impurezas aceitadoras ionizadas (que
receberam elétrons da banda de valência e ficaram negativas), a condição para
que o material seja eletricamente neutro é:

n0 + Na− = p0 + Nd+ . (5.33)

Esta é a equação da neutralidade de cargas. Para um dado semicondutor com


concentrações de impurezas conhecidas, o conjunto das Equações (5.27)-(5.33)
permite calcular o nı́vel de Fermi e as concentra¸ cões de elétrons e buracos.

Vamos considerar o caso de um semicondutor tipo n com N d impurezas


doadoras, a uma temperatura tal que todas est˜ao ionizadas, ou seja N d+ Nd . 
Neste caso
n0 p0 + Nd . (5.34)

Usando a lei de a¸cão das massas (5.30) nesta equa¸cão, obtemos
   2 1/2
N Nd
n0 = d + + n2i , (5.35)
2 2
   2 1/2

p0 = − N2d
+
Nd
2
+ n2i . (5.36)

Normalmente, no semicondutor dopado, a concentração de impurezas é muito


maior do que a concentra¸cão intrı́seca, Nd 
ni . Neste caso, desprezando ni
em (5.35) obtemos,
n0 Nd ,  (5.37)
142 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

como esperado. Por outro lado n˜ao podemos desprezar ni completamente em


(5.36), pois isto levaria a p0 = 0. Usando a aproxima¸cão binomial para a raiz
quadrada em (5.36) obtemos
2
p0  Nn i
d
, (5.38)

que é compat´ ıvel com (5.30) e (5.37). Tendo as relações (5.37) e (5.38) para
as concentrações de portadores, o nı́vel de Fermi pode ser determinado com as
Equações (5.27) ou (5.31). Por exemplo, substituindo (5.37) em (5.27) vem
N
EF = E c kB T n c . − (5.39)
Nd

Ou substituindo (5.37) em (5.31), obtemos outra express˜ ao útil para EF ,


Nd
EF = Ei + kB T n . (5.40)
ni

É importante chamar a atenção de que estas expressões para EF só valem


para semicondutores tipo n , na condição N d ni . 

Exemplo 5.4: Calcule as concentra¸cões de elétrons e de buracos e a posição do nı́vel de Fermi


num cristal de silı́cio dopado com 1016 cm−3 átomos de As, `a temperatura ambiente T 290 K.

Da Tabela 5.2 temos ni = 1, 5 × 1010 cm 3 . Usando (5.37) e (5.38),

n0  Nd+  Nd = 1016 cm 3 , −

2
p0  Nnid = 2, 25 × 104 cm −3
.

Usando k B T  0, 025 eV e N c = 2, 8 × 1019 cm −3


em (5.39) vem

Ec − EF = 0, 025 n(2, 8 × 103 ) = 0, 20 eV .

Comparando este resultado com a energia dada na Fig.(5.12), vê-se que neste caso o nı́vel de Fermi
está próximo e um pouco abaixo do nı́vel da impureza de As no silı́cio. Por outro lado com (5.40)
obtemos

EF = E i + 0, 34 eV .
Cap. 5 Materiais Semicondutores 143

Figura 5.14: Diagrama de energia do silı́cio: (a) Tipo n, com Nd = 1016 cm−3 impurezas
doadoras; (b) Tipo p, com N a = 1017 cm−3 impurezas aceitadoras.

O diagrama de energia correspondente `a situação do Exemplo 5.4 est´a


mostrado na Fig.5.14(a). Este diagrama é tı́pico de semicondutor tipo n, no
qual o nı́vel de Fermi está próximo da banda de condução. É importante notar
que quando a concentra¸cão de impurezas é grande, ou seja, comparável com
Nc (2,8 1019 cm−3 em Si), o nı́vel de Fermi se aproxima de Ec . Neste caso
×
o resultado (5.39) n˜ao vale porque (5.15) n˜ao é uma boa aproximação para

f (E ). O semicondutor com N d Nc é chamado degenerado e tem E F Ec . 
É fácil ver, por analogia com o desenvolvimento das Equa¸ cões (5.34)-
(5.40), que num semicondutor tipo p , dopado com Na impurezas aceitadoras,
as expressões para as concentrações e o nı́vel de Fermi são (Problema 5.6):

2
n0  Nni
a
(5.41)

p0 N a (5.42)
Nv
EF = E v + kB T n (5.43)
Na
Na
EF = E i −k BT n . (5.44)
ni
144 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Exemplo 5.5: Calcule as concentrações de elétrons e buracos e a p osição do nı́vel de Fermi num
cristal de silı́cio com Na = 10 17 cm−3 impurezas de Ga, a T = 290 K.

Usando (5.41) e (5.42) vêm,

p0  1017 cm 3 −
,
n0  2, 25 × 103 cm −3
.

Usando k B T = 0,025 eV e N v = 1, 02 1019 cm−3 em (5.43) temos


×
EF = E v + 0, 025 × n (1, 02 × 102 )
EF = E v + 0, 11 eV .

O diagrama de energia correspondente ao Exemplo 5.5 est´ a ilustrado na


Figura 5.14(b). Ele é tı́pico de semicondutor tipo p, no qual o nı́vel de Fermi
está pr´oximo e um pouco acima do nı́vel de energia da impureza, estando
ambos próximos do topo da banda de valência.

Para concluir esta se¸cão é importante chamar a atenção de que as apro-


ximações Nd+ Nd e Na−
 
Na só valem acima de uma certa temperatura,
que, no caso do silı́cio, é da ordem de 100 K. Abaixo desta temperatura as
impurezas não estão todas ionizadas e o n´ umero de portadores varia com a
temperatura (veja Problema 5.8). Entretanto, como na faixa de 100 a 500 K
as impurezas est˜ao praticamente todas ionizadas, as concentra¸cões são quase

Figura 5.15: Concentração de elétrons


em função da temperatura em silı́cio
tipo n com N d = 1016 cm−3 [Yang].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 145

independentes da temperatura, como ilustrado na Fig.5.15. Acima de 500 K


a concentração intrı́nseca, que cresce exponencialmente com T , passa a ser
importante e eventualmente domina a extrı́nseca.

5.4 Dinâmica de Elétrons e Buracos em Semicondutores

A operação dos dispositivos semicondutores é baseada na dinâmica dos porta-


dores de carga elétrica, que são os elétrons e buracos. Os principais processos
dinâmicos são a cria¸cão de pares elétron-buraco, a recombinação de pares e o
movimento coletivo desses portadores. O movimento coletivo das cargas re-
sulta em corrente elétrica, que consiste no principal mecanismo de transmissão
de informação nos dispositivos. Há dois tipos b´asicos de movimento coletivo
que estudaremos a seguir: o movimento de deriva num campo elétrico e a di-
fusão de cargas devido a um gradiente espacial na concentração de portadores.

5.4.1 Corrente de Condução

A corrente de condu¸cão, ou deriva ( drift current), resulta do lento desloca-


mento médio de portadores de carga produzido por um campo elétrico externo,
simultâneo com o movimento r´apido e aleat´orio caracter´ ıstico das part´ıculas
em agita¸cão térmica. Esta corrente é da mesma natureza que nos metais,
entretanto, nos semicondutores ela é formada tanto por elétrons quanto por
buracos.

Quando um campo elétrico é aplicado ao material, elétrons e buracos


têm movimentos de deriva em sentidos opostos. Porém, como eles têm cargas
opostas, as intensidades das correntes elétricas dos dois tipos de portadores
se somam. Como vimos na Se¸cão 4.5, a densidade de corrente de elétrons é
E
relacionada com o campo elétrico por,

Jn = σ n E , (5.45)

onde σn é a condutividade devida aos elétrons. Usando a Eq.(4.25) temos,

e2 n0 τ e
σn = , (5.46)
m∗e
146 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

onde τe é o tempo de colisão dos elétrons. Nesta expressão utilizamos a concen-


tração de equilı́brio n0 de elétrons porque a aplicação do campo elétrico tem
efeito desprezı́vel no valor das concentra¸ cões dos portadores. Como a condu-
tividade resulta do movimento médio do conjunto de elétrons, é util
´ definir uma
nova grandeza, que descreva a facilidade com a qual cada elétron se desloca
no material sob a a¸cão do campo externo. Esta grandeza é a mobilidade,
definida pela raz˜ao entre a velocidade de deriva e o campo elétrico,
v
µ= . (5.47)

E
Comparando (4.25), (5.46) e (5.47) vemos que a condutividade pode ser
escrita como,
σn = e n0 µ n , (5.48)

onde µn é a mobilidade dos elétrons, dada por


eτe
µn = . (5.49)
m∗e

Note que, pela definição, a mobilidade envolve explicitamente apenas


parâmetros intr´
ınsecos do material, pois é uma grandeza caracter´
ıstica de cada
elétron. Entretanto ela depende indiretamente da concentração de impurezas,
uma vez que esta é um fator determinante do tempo de colisão τ e . A Fig.5.16

Figura 5.16: Mobilidade de elétrons


em fun¸cão da temperatura, em silı́cio
tipo n, para várias concentrações de im-
purezas N d [Yang].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 147

mostra a variação da mobilidade de elétrons com a temperatura, em silı́cio tipo


n, para diversas concentrações de impurezas doadoras. Note que a mobilidade
diminui com o aumento da concentração de impurezas, devido `a diminuição de
τe resultante da colisão do elétron com as impurezas. Ela também diminui com
a temperatura devido ao aumento das colis˜oes dos elétrons com as vibrações
térmicas da rede.

Por analogia ao que foi feito para os elétrons, vemos que densidade de
corrente de buracos é dada por

Jp = σ p E , (5.50)

sendo σp a condutividade devida aos buracos, dada por,

e2 p0 τ b
σp = e p0 µ p = , (5.51)
m∗b

onde τb é o tempo de colisão, p 0 a concentração e µb a mobilidade de buracos. A


soma de (5.45) e (5.50) d´a a densidade total da corrente, J = (σn + σp ) = σ , E E
onde
σ = e (n0 µ n + p0 µ p ) , (5.52)

Figura 5.17: Mobilidade de elétrons e buracos em Si e GaAs em função da concentra¸cão de


impurezas em T = 300 K [Sze].
148 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

é a condutividade total do material. Em cada temperatura, σ pode ser calcu-


lada a partir das concentra¸cões de elétrons e buracos, obtidos como na seção
5.3, e do valor da mobilidade. A Fig.5.17 apresenta a varia¸ cão de µ n e µ p com
a concentração de impurezas em silı́cio e arseneto de gálio em T = 300 K.
Note que a mobilidade de elétrons em GaAs é cerca de cinco vezes maior que
em Si, devido principalmente a menor massa efetiva dos elétrons em GaAs.
Evidentemente, num semicondutor tipo n a corrente é devida essencialmente
aos elétrons, enquanto que no material tipo p ela é devida aos buracos.

A corrente elétrica numa barra de material semicondutor na qual é apli-


cado um campo externo resulta da mobilidade de elétrons e buracos. Nor-
malmente este campo é estabelecido por uma diferença de potencial entre as
extremidades da barra, criada por um circuito externo, como o da Fig.5.18.
A corrente no semicondutor é a soma das contribuições dos dois tipos de por-
tadores de carga, uma vez que os elétrons se movimentam em sentido oposto
aos buracos. Evidentemente, no fio metálico que fornece a diferen¸ca de po-
tencial para a barra, a corrente é inteiramente devida a elétrons. Cabe agora
perguntar o que acontece com os buracos nas extremidades da barra. Como a
corrente no fio é igual a corrente na barra, o número de elétrons que passa por
uma seção reta do fio por unidade de tempo é a soma dos números de elétrons
e de buracos no semicondu tor, pois a carga de todos eles tem o mesmo m´odulo.
Isto só é possı́vel porque na interface entre o metal e o semicondutor da extre-
midade A, existe um processo de cria¸cão de pares elétron-buraco. Os elétrons

Figura 5.18: Ilustração do movimento de elétrons e buracos num material semicondutor e


no circuito externo.
Cap. 5 Materiais Semicondutores 149

criados na interface A passam para o fio, enquanto os buracos passam a se


mover na barra em dire¸cão à extremidade B. Na interface B, por outro lado,
os buracos recombinam com o excesso de elétrons provenientes do fio metálico,
de tal modo que o n´umero de elétrons no semicondutor seja igual à diferença
entre o número de elétrons no fio e o número de buracos.

Estes processos de cria¸cão e recombina¸cão de pares nas interfaces re-


querem que estas funcionem como fontes ou sumidores perfeitos de elétrons
e buracos, sem qualquer tendência de privilegiar um dos dois portadores de
carga. Um contato metal-semicondutor com essas caracterı́sticas é chamado
contato ôhmico. Num contato ˆohmico a resistência é a mesma em qualquer
dos dois sentidos da corrente usada para medi-la. Num circuito real, o con-
tato entre um metal e um semicondutor nunca é perfeitamente ôhmico. As
caracter´
ısticas do contato metal-semicondutor serão estudadas na se¸cão 6.3.1.

Exemplo 5.6: Calcule a resistividade do silı́cio em T = 300 K em duas situa¸ cões: a) Intrı́nseco;
b) Dopado com impurezas de As com concentra¸ cão N d = 2 1016 cm−3 .
×
a) No Si intrı́nseco a condutividade total é calculada com a Eq.(5.52), utilizando os parâmetros da
Tabela 5.2

σ = e(n0 µn + p0 µp ) = e ni (µn + µp )
= 1, 6 × 10 19 × 1, 5 × 1010 (1350 + 480) C cm
− −3
cm2 /V s
= 4, 39 × 10 6 (Ω cm) 1
− −

A resistividade é o inverso da condutividade, logo,


1 1
ρ=
σ
=
4, 39 10−6
× = 2, 28 × 105 Ω cm .
b) No Si com impurezas doadoras com N d  ni , a concentra¸cão de elétrons é dada por (5.37),

n0  Nd = 2 × 1016 cm 3 . −

Como p 0  n0 , a condutividade é σ  e n 0 µn , sendo µ n dado pelo gr´afico da Fig.5.17.

σ  1, 6 × 10 19 × 2 × 1016 × 103 = 3, 2 (Ω cm) 1


− −

Logo,
1
ρ= = 0, 31 Ω cm
3, 2

6
Veja que uma dopagem relativamente fraca (1 parte em 10 ) aumenta a resistividade do
silı́cio em quatro ordens de grandeza.
150 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

5.4.2 Movimento em Campo Magnético - Efeito Hall

Se um campo magnético estático é aplicado numa barra de semicondutor,


perpendicularmente à direção de movimento de deriva das cargas, estas ten-
dem a ser defletidas lateralmente, crinado um acúmulo de cargas que resultam
numa diferença de potencial transversal à barra. Vamos considerar a geome-
tria mostrada na Fig.5.19, na qual a dire¸ cão z do sistema de coordenadas é
escolhida como sendo a dire¸cão do campo magnético B  , x é a direção da cor-
rente e y e´ a direção transversal. A for¸ca do campo magnético sobre as cargas
é dada por
F = q v × B . (5.53)

Vamos supor que o semicondutor é tipo p, de modo que a corrente é


devida essencialmente aos buracos. Como estes se movimentam na direção +x

e têm carga positiva, a força sobre eles tem o sentido y . Esta força deflete
os buracos e resulta no ac´ umulo de cargas positivas no lado y = d/2 da −
barra deixando, por conseguinte, cargas negativas no lado y = +d/2. Estas
cargas criam um campo elétrico no sentido +y que, após um transiente inicial,
impedem a continuação do movimento dos buracos na dire¸cão y . O valor do

Figura 5.19: Efeito Hall num semic ondutor. A aplica¸cão de um campo magnético numa
barra com corrente resulta numa diferen¸ ca de potencial transversal VH que permite medir
a concentração de portadores.
Cap. 5 Materiais Semicondutores 151

campo elétrico transversal pode ser calculado considerando que a força total
sobre um buraco é dada por

F = q (  + v
E × B ) . (5.54)

Em regime estacion´ario a componente y desta força deve ser nula. Então a


componente y do campo elétrico é,

E = −(v × B )
y y = v x Bz . (5.55)

O aparecimento deste campo elétrico transversal é conhecido como o efeito


Hall, em homenagem a E.H. Hall que observou o fenˆ omeno em condutores
em 1879. A tens˜ao transversal que aparece na barra, VH = y d, é chamada a
E
tensão Hall. Utilizando a rela¸cão entre a densidade de corrente de buracos e a
velocidade, Jp = e p0 v x , temos
Jp
E y =
ep0
Bz ≡R H Jp B z , (5.56)

onde RH = (ep0 )−1 é o coeficiente Hall. A medida da tensão Hall permite


determinar a concentração de portadores p0 com bastante precisão. Na verdade
ela dá informação sobre a diferen¸ca entre as concentra¸cões de elétrons e de
buracos. Note que no caso da corrente ser produzida por elétrons a velocidade
vx é negativa e, portanto, pela Eq.(5.55) o campo elétrico e a tens˜ao Hall
têm o sentido oposto ao do caso dos buracos. Assim, o sinal da tensão Hall
permite determinar o sinal dos portadores majorit´arios de carg a. No caso da
concentração de elétrons ser comparável com a de buracos, o valor da tens˜ao
Hall permite determinar a diferen¸ca (p0 n0 ). −
Apesar de ter sido descoberto h´a mais de um século, o efeito Hall cons-
titui ainda hoje uma técnica importante de investigação das propriedades de
condução dos materiais. Foi com esta técnica que o alemão K. von Klitzing
descobriu que quando o movimento de elétrons num semicondutor é confinado
a duas dimens˜oes, a tens˜ao Hall varia com o campo magnético em degraus.
Este é um efeito quântico resultante da quantização dos nı́veis de energia de
elétrons no campo magnético. A descoberta do efeito Hall quântico valeu a
von Klitzing o Prêmio Nobel de Fı́sica de 1985. O efeito Hall também tem
várias aplicações práticas. Uma das mais importantes é na medida de campos
magnéticos. O sensor Hall é constitu´ ıdo de uma pequena barra de semicondu-
tor, percorrido por uma certa corrente elétrica. Quando colocado num campo
152 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

magnético cuja intensidade deseja-se medir, o valor da tensão que aparece


transversalmente no sensor fornece uma medida direta do campo.

Exemplo 5.7: Uma barra de silı́cio tipo p, com concentração de impurezas N a = 10 14 cm−3 , com
espessura d = 0, 5 mm, é usada como sensor Hall. Calcule a tens˜ao Hall para uma corrente de
prova de 100 mA quando o campo magnético é perpendicular ao plano da dimensão maior e tem
intensidade B = 10−1 T.

A tensão Hall é dada por VH = Ey  e a densidade de corrente é J = I/(d), onde  e d

são largura e a espessura da barra. a 


Sendo Ntodas i , p0
nas  
N a para
n0o, asistema
corrente é dominadatemos,
pelos
buracos. Então, usando (5.56) e convertendo unidades internacional

I/(d) I Bz
VH = Bz  = =
e p0 e p0 d
−1
10 ×10−1
= = 1, 25 V .
1, 6 10−19 1014 106
× × × −3
× 0, 5 × 10

Este exemplo mostra que a tens˜ ao Hall tem um valor relativamente alto, para circuitos
eletrônicos, para um valor de campo tı́pico de laboratórios. Isto não ocorre em metais, porque a
concentração de elétrons livres ( 1022 cm−3 ) é muito maior do que em semicondutores.

5.4.3 Corrente de Difusão

A corrente de condu¸cão resulta do movimento de cargas produzido por um


campo elétrico, ou seja, pelo gradiente de potencial elétrico. Este não é o
único gradiente que produz corrente elétrica num semicondutor. Quando por-
tadores de carga s˜ao criados não-uniformemente num material, o gradiente de
concentração resultante produz movimento de portadores. Este movimento,
chamado de difus˜ao, ocorre no sentido da regi˜ ao de maior para a de menor
concentração. Como os portadores têm carga elétrica, seu movimento de di-
fusão resulta numa corrente elétrica, chamada corrente de difusão.

O movimento de difus˜ao é muito comum na fı́sica. É através dele que


uma gota de tinta azul de caneta, colocada num copo d’´ agua, espalha-se no
copo deixando a ´agua uniformemente azulada ap´os um ce rto tempo. A di-
fusão das moléculas da tinta da água resulta de seu movimento aleat´orio de
agitação térmica. Neste processo, cada molécula, tanto da água quanto da
tinta, move-se numa direção arbitrária até colidir com outra molécula. Após
o choque a molécula se move em outra direção, resultando num movimento
Cap. 5 Materiais Semicondutores 153

completamente aleatório. Desta forma, as moléculas de tinta, que estavam ini-


cialmente concentradas numa certa região, após um certo tempo se encontram
completamente difundidas na ´agua. No caso do semicondutor, a difusão dos
portadores de carga em excesso, inicialmente concentrados numa certa região,
resulta de seu movimento aleatório na rede cristalina do material.

Para obter a equa¸cão que descreve o movimento de difus˜ao, vamos con-


siderar inicialmente um modelo simples, no qual buracos se movimentam em
uma dimensão, digamos a dire¸cão x . A concentração de buracos em excesso do
equilı́brio é descrita pela função p (x). Seja  a distância média percorrida por
um buraco entre duas colis˜oes, o livre caminho médio, e τ o tempo médio
entre duas colis˜oes. Considere dois planos perpendiculares a x, com coorde-
nadas x e x + ∆ x, sendo ∆ x =  , como na Fig.5.20. No movimento aleat´orio
que caracteriza a difusão, os buracos que est˜ao entre os planos x e x + ∆x em t̂
igual probabilidade de se moverem no sentido +x ou x. Da mesma forma, os


buracos entre os planos x ∆x e x podem se mover no sentido + x ou x com −
igual probabilidade. Se a concentração de buracos for a mesma à esquerda ou à
direita de x , o número lı́quido de buracos que atravessa o plano x e´ nulo, sendo
nula também a corrente elétrica. Por outro lado, se houver um gradiente de
concentração de buracos, a corrente no plano x será diferente de zero. Ela será
proporcional à diferença das concentrações à esquerda e `a direita de x. Como
metade dos buracos entre x ∆x e x cruza o plano x , no sentido + x, durante

um intervalo de tempo τ , a corrente devido a esses buracos numa se¸ cão reta
de área A e´ aproximadamente,

Figura 5.20: Ilustra¸cão das correntes entrando e saindo de uma regi˜ ao com volume A∆x de
carga.
154 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

1
2
e A p (x − ∆x/2) × τ1 ,
porque a corrente é a razão entre a carga total que atravessa a se¸ cão e o
intervalo de tempo, sendo a carga total igual à carga do buraco vezes o n´umero
de buracos. Para obter a densidade de corrente no plano x, é preciso subtrair
a contribuição dos buracos que est˜ao entre x e x + ∆ x e que cruzam o plano

x no sentido x, e dividir a diferen¸ca pela ´area A . O resultado é,

1 e  p(x

 − ∆2x ) − p(x + ∆2x )  .

Supondo que a variação de p(x) com x ocorra em distâncias muito maiores


que ∆ x = , podemos considerar que ∆ x é muito pequeno, de modo que a

expressão entre colchetes é ∆x dp/dx . Assim a densi dade de corrente de
difusão dos buracos na dire¸cão +x é dada por,

dp(x)
Jpdif = e Dp − , (5.57)
dx

2
onde Dp =  /2τ é o coeficiente de difusão dos buracos. A corrente de
difusão dos elétrons pode ser obtida do mesmo modo que a de buracos. Como

o elétron tem carga e, sua corrente de difusão é

dn(x)
Jndif = +e Dn , (5.58)
dx

sendo Dn o coeficiente de difus˜ao e n(x) a concentra¸cão de elétrons. Tanto


(5.57) quanto (5.58) mostram que, como esperado, a corrente de difus˜ ao será
nula se n˜ao houver varia¸cão espacial da concentra¸cão de porta dores. Estas
equações, obtidas supondo que as concentrações só variam na direção x, re-
presentam as componentes x das correntes de difusão. No caso mais geral de
variação em três dimensões, as componentes y e z são dadas pelas derivadas em
relação a y e z . Assim, a generaliza¸cão de (5.57) e (5.58) leva `a duas equações
envolvendo o operador gradiente,

Jpdif = −e D ∇p
p (5.59)

Jndif = +e D ∇n
n . (5.60)
Cap. 5 Materiais Semicondutores 155

As Equações (5.59) e (5.60) permitem calcular as correntes de difus˜ ao


de buracos e de elétrons a partir das variações de suas concentrações. Na
maioria das situações, entrentanto, estas não são conhecidas a priori , precisam
ser calculadas. Para obter as equa¸cões que fornecem a evolu¸cão das concen-
trações é preciso ter outra relação independente entre a corrente de difus˜ao e
a concentração. Para obter esta rela¸cão, vamos considerar inicialmente o mo-
delo unidimensional da Fig.5.20 para relacionar a densidade de corrente com
a variação temporal da densidade. Vamos supor também, inicialmente, que
o fenômeno de gera¸cão e recombina¸cão de pares elétron-buraco é desprezı́vel.

Veja que
pelo a corrente
volume, lı́quida Idas
é a diferença quedensidades
entra no volume assinalado
de corrente em na
x figura,
e em dividida
x + ∆ x,
dividida por ∆ x,

I
=
J (x) − J (x + ∆x) .
A ∆x ∆x

Sendo I = dq/dt , este resultado leva, no limite ∆ x → 0, à seguinte equa¸cão


diferencial,
∂ρ ∂J (x)
= − , (5.61)
∂t ∂x

onde ρ = q/(A ∆ x) é a densidade volumétrica de carga. Esta é a equação da


continuidade de carga, que exprime o fato de que a carga total é conservada.
Se a densidade de corrente tiver também componentes y e z , (5.61) pode ser
generalizada para três dimensões

∂ρ
= −
 ∂J x ∂Jy ∂Jz
+ +
 ,
∂t ∂x ∂y ∂z

ou
∇ · J = − ∂ρ
∂t
. (5.62)

Esta é a equação da continuidade de carga em três dimensões. Ela vale


qualquer que seja a srcem da corrente. Veja que ela est´a contida nas equações
de Maxwell estudadas no Capı́tulo 2. Como ∇·∇× = 0 para qualquer
A
campo vetorial A  , a operação na Eq.(2.4) juntamente com (2.1) reproduzem

a equação da continuidade (5.62).

A densidade de carga ρ está relacionada com as concentrações de elétrons


e buracos por
156 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

ρ = e (p − n) . (5.63)

Para obter a equa¸cão da evolu¸cão da concentra¸cão, vamos supor, para


simplificar, um semicondutor tipo n, isto é, apenas com elétrons em excesso
do equilı́brio. Assim, de (5.62) e (5.63) vem,

∇ · J = e ∂n
∂t
. (5.64)

Substituindo este resultado na Eq.(5.60) submetida ao operador divergência


( .), obtemos,

∂n
Dn 2 n∇ − =0 . (5.65)
∂t

Esta é a equação da difusão, que permite calcular a evolu¸ cão espacial e


temporal da concentra¸cão de elétrons em excesso, sujeitos apenas ao movi-
mento de agita¸cão térmica. Uma equação idêntica vale para a concentração p
de buracos, com o correspondente coeficiente de difus˜ ao Dp , e também para
a concentração de moléculas de tinta azul no copo d’água. A equação da di-
fusão mostra que enquanto houver variação espacial da concentração, também
haverá variação no tempo. A Figura 5.21 most ra a evolu¸cão da concentra¸cão
n(x) após a produ¸cão de um pulso de elétrons na posição x = 0 e t = 0. Em
t = 0 os elétrons estão concentrados em x = 0 e podemos escrever n (x) = δ (x).
Em t > 0 os elétrons difundem para regiões de menor concentração. A solu¸cão
de (5.65) é uma função gaussiana (Problema 5.17), que se alarga gradualmente
à medida que o tempo passa, como mostrado na Fig.5.21. Como o n´ umero to-
tal de elétrons é conservado, a área sob a curva n˜ao varia com o tempo. Ap´os
um longo tempo n(x) é uniforme, de modo que 2 n = 0 e portanto n(x) fica

constante.

Se, além do gradiente de concentração de portadores, houver um campo


elétrico  aplicado ao semicondutor, as densidades de corrente de elétrons e
E
de buracos ter˜ao componentes de condu¸cão e de difus˜ao,

Jn = e µn n  + e Dn
E ∇n (5.66)
Jp = e µp p E − e D ∇pp , (5.67)

sendo a corrente total


J = Jn + Jp . (5.68)
Cap. 5 Materiais Semicondutores 157

Figura 5.21: Ilustração da difus˜ao de elétrons criados por um pulso em x = 0 no instante


t = 0.

Como veremos no pr´oximo Capı́tulo, todas as componentes da corrente


são relevantes para o funcionamento de dispositivos semicondutores. São o
campo elétrico e as concentrações de portadores na região de uma jun¸cão entre
dois semicondutores tipos p e n, que determinam a rela¸cão entre a tens˜ao e a
corrente num dispositivo de junção e, portanto, o seu funcionamento.

Para concluir esta seção, vamos obter uma importante relação entre o co-
eficiente de difusão e a mobilidade. Quando o semicondutor est´a em equil´ıbrio
térmico, sem campo externo, tanto a corrente de elétrons quanto a de buracos
devem ser nulas. Nesta situação se, devido ao movimento térmico, as cargas
produzirem uma varia¸cão em sua concentra¸cão, o campo elétrico por ela cri-
ado produzirá uma corrente de deriva que cancelar´a a corrente de difus˜ao. A
relação entre este campo interno  e o gradiente de concentração em equil´ıbrio
E
pode ser obtida de (5.66) e (5.67) com Jn = Jp = 0. Como o campo elétrico é
o gradiente do potencial,
=
E −∇ φ , (5.69)

da Eq.(5.67) com Jp = 0 obtemos,


µp
Dp
∇φ = − p1 ∇p
0
0 , (5.70)

onde p0 é a concentração de equilı́brio de buracos. Uma rela¸cão an´aloga a


158 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

(5.70) vale para os elétrons. Substituindo em (5.70) a expressão de p0 dada


por (5.32) obtemos,
µp
Dp
∇φ = − k 1T ∇(E − E
B
i F) . (5.71)

O nı́vel de Fermi não pode variar com a posi¸ cão pois o sistema está em

ıbrio, logo EF = 0. Por outro lado, a energia de um elétron no po-
equil´
tencial elétrico φ é E = eφ. Isto significa que se o potencial elétrico variar

no espaço, os nı́veis e bandas de energia do elétron acompanham o potencial,
ou seja, Ei = e φ. Usando esta rela¸cão em (5.71) vem,
∇ −∇
Dp k B T
= . (5.72)
µp e

Como a relação obtida para elétrons é idêntica, podemos escrever


Dp Dn kB T
= = . (5.73)
µp µn e

Este resultado, conhecido como a relação de Einstein, permite calcular


o coeficiente de difus˜ao a partir da medid a da mobilidade, ou vice-versa. A
Tabela 5.2 apresenta os valores de D e µ para Ge, Si e GaAs em T = 300 K.
Verifique que em todos eles D/µ 0, 026 eV, que é o valor de kB T /e nesta

temperatura.

5.4.4 Injeção de Portadores: Difusão com Recombinação.

Um processo muito importante na opera¸cão de dispositivos, é aquele no qual


portadores em excesso do equilı́brio são introduzidos numa região do semicon-
dutor por um mecanismo externo qualquer . Isto é chamado de injeção de
portadores. Ela ocorre, por exemplo, quando elétrons, que são os portadores
majoritários num semicondutor tipo n, passam para o lado p numa junção

p n. Na regi˜ao da jun¸cão os elétrons são injetados no semicondutor p.
No processo de inje¸cão de portadores, o mecanismo de recombina¸cão de
pares elétron-buraco não pode ser desprezado como foi feito na se¸ cão anterior.
Como os portadores injetados est˜ao em excesso da concentração de equilı́brio,
é o processo de recombinação que faz sua concentra¸cão diminuir e tender para
Cap. 5 Materiais Semicondutores 159

o equilı́brio. Considere, por exemplo, buracos injetados num semicondutor de


modo que em certo instante sua concentra¸cão seja

p = p0 + δp . (5.74)

A recombinação do excesso de buracos com os elétrons existentes no semicon-


dutor ocorre numa taxa que é tanto maior quanto maior for δp. Em primeira
aproximação o processo pode ser descrito por

∂δp
∂t = − δpτ , (5.75)
p

onde τp é o tempo de recombina¸cão de buracos. Veja que se n˜ao houver


outro mecanismo atuando para a evolu¸cão de δp, a solu¸cão da Eq.(5.75) é

δp(t) = A e −t/τp , (5.76)

onde A é o valor de δp no instante t = 0. Este resultado mos tra que a re-


combinação atua no sentido de fazer o excesso de portadores decair exponen-
cialmente no tempo, com um tempo caracterı́stico τp . No caso de elétrons, o
excesso de concentração δn é descrito por uma equação análoga a (5.75), com
um tempo de recombina¸cão τn ,
∂δn
∂t
= − δn
τ n
. (5.77)

Os portadores injetados numa certa regi˜ao do semicondutor produzem


um gradiente de concentração que, por sua vez, resulta numa corrente de
difusão. Assim, no proc esso de inje ¸cão, a evolu¸cão espacial e temporal da
concentração de portadores é determinada pelos processos de difusão e de re-
combinação. Para obter a equação que descreve este processo, basta subtrair
da derivada temporal da concentra¸cão na equa¸cão da difus˜ao (5.65) o termo
que descreve a recombinação, dado por (5.77). Combinando (5.65) com (5.77)
e levando em conta que ∂n 0 /∂t = 0, pois a concentra¸cão de equil´ıbrio é cons-
tante, obtemos para os elétrons,
∂δn
∂t
= Dn ∇ δn − δn
2
τ n
. (5.78)

Um desenvolvimento análogo para buracos leva `a,


160 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

∂δp
∂t
= Dp ∇ δp − δpτ
2
p
. (5.79)

Estas s˜ao as equações da difusão com recombinação. Elas permitem


calcular a evolu¸cão no espa¸co e no tempo das concentra¸ cões de portadores
injetados num certo instante numa regi˜ao do semic ondutor. Se um pulso na
concentração de elétrons é produzido em x = 0 e t = 0, a evolu¸cão do pulso
no tempo é semelhante ao da Figura 5.21. A diferença para o caso descrito na
seção anterior, enunciado no Problema 5.17, é que agora a área sob a curva
diminui com o tempo. Isto é devido ao processo de recombinação de pares, que
faz a concentra¸cão de elétrons em excesso do equilı́brio decair com o tempo
ıstico τ n . Se, além disso, houver um campo elétrico ao longo da barra,
caracter´
à medida que o pulso de concentra¸cão alarga e diminui de ´area, ele se desloca
devido ao efeito de deriva dos elétrons.

Para encerrar este Capı́tulo, vamos aplicar a equação da difus˜ao com


recombinação ao caso de inje¸cão em regime estacion´ario. Isto é o que ocorre,
por exemplo, quando um feixe de luz incide sobre uma regi˜ ao de um semicon-
dutor com intensidade constante. Os fótons produzem pares elétron-buraco na
região iluminada. Se a intensidade do feixe for constante, após o transiente que
ocorre quando a luz come¸ca a incidir, o processo entra em regime estacion´ario.
Nesta situação, a taxa de cria¸cão de pares é constante e a derivada temporal
é nula. Isto também é o que ocorre quando uma corrente constante atravessa
uma junção p-n. Quando os portadores majori tários de um lado chegam na
junção, eles são injetados no outro lado com uma taxa constante. Em regime
estacionário ∂/∂t = 0, e das Eqs.(5.78) e (5.79) obtemos
2 δn
∇ δn = 2 , (5.80)
Ln

∇ δp = Lδp
2
2
, (5.81)
p

√ 
onde Ln = Dn τn e Lp = Dp τp são os comprimentos de difusão de
elétrons e buracos, respectivamente. A razão deste nome ficar´a clara com
o seguinte exemplo: considere uma barra de semicondutor semi-infinito, no
qual buracos s˜ao injetados uniformemente em x = 0 com uma taxa constante,
de modo que o excesso de concentra¸cão é mantido constante neste ponto,
δp(x = 0) = ∆ p. Os buracos injetados difundem ao longo da barra e recombi-
nam com elétrons. Isto resulta numa distribuição do excesso de concentra¸cão
ao longo da barra, caracterizado pela função δp (x). Para obter δp (x) utilizamos
Cap. 5 Materiais Semicondutores 161

(5.81) e consideramos ∂ 2 /∂ 2 y = ∂ 2 /∂z 2 = 0 no Laplaciano, de modo que,

d2 δp(x) δp
= 2 . (5.82)
dx2 Lp

A solução desta equa¸cão é

δp(x) = C 1 e −x/Lp + C2 e x/Lp . (5.83)

onde C1 e C2 são constantes determinadas pelas condições de contorno. Devido


à recombinação ao longo da barra, δp deve tender a zero em x →∞
. Assim
C2 = 0. Como em x = 0, δp = ∆p, a constante C1 é igual a ∆p. Portanto,

δp(x) = ∆p e −x/Lp . (5.84)

Esta função está mostrada na Fig.5.22. Os buracos injetados em x = 0 a


uma taxa constante no tempo, resultam numa concentração δp em excesso do
equil´ıbrio p, que cai exponencialmente com x. O comprimento caracterı́stico
dessa exponencial é Lp , que é precisamente o comprimento de difusão de bu-
racos.

O valor do comprimento de difus˜ ao depende do tipo de portador, do


semicondutor e da concentra¸cão de impurezas. A dependência do portador

Figura 5.22: Concentração de buracos resultante de um processo de inje¸ cão com taxa cons-
tante em x = 0.
162 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

e do material se d´ a tanto através do coeficiente de difusão D (veja Tabela


5.2), quanto do tempo de recombinação τ . A dependência da concentração de
impurezas ocorre através de τ . Quanto maior a concentração, menor é o tempo
de recombinação. Como D varia na faixa 10-200 cm 2 /s e τ
√ ∼ 10−6 10−7 s, o

comprimento de difusão L = Dτ está tipicamente na faixa de 10−3 10−2 cm,

ou 10 100 µ m.

REFERÊNCIAS

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ston, New York, 1976.
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J.A. Zuffo, Dispositivos Eletrˆonicos, McGraw-Hill, São Paulo, 1976.
Cap. 5 Materiais Semicondutores 163

PROBLEMAS

5.1 Utilize um desenvolvimento análogo ao da se¸cão 4.3 para demonstrar que


a massa efetiva dos buracos é dada pela expressão (5.7).
5.2 Mostre que num semicondutor intrı́nseco, com bandas parabólicas, o nı́vel
de Fermi é dado pela Eq.(5.22).
5.3 a) Mostre que as concentrações efetivas de elétrons e de buracos, N c e N v ,
podem ser calculadas numericamente com a expressão
3/2
m∗c,v T
Nc,v (T ) = 2, 54
  × 10 19
cm−3 ,
m0 300

onde T é a temperatura em K. Aplique esta express˜ao para Si e Ge e


compare com os valores da Tabela 5.2; b) Calcule os valores de ni em
T = 300 K para Ge, Si e GaAs a partir dos dados da T abela 5.2 e compare
com os valores da Tabela e da Figura 5.8.
5.4 Calcule a distˆancia entre o n´ıvel de Fermi E F e o meio do gap em Si e em
GaAs puro a T = 300 K. Explique porque E F não está no meio do gap.
5.5 Usando os dados da Tabela 5.2, calcule a energia de ionização de impurezas
doadoras em Si no modelo do ´atomo de hidrogênio desenvolvido na seção
5.3.1.
5.6 Considere um semicondutor tipo p com Na impurezas aceitadoras, todas
ionizadas, a uma temperatura tal que n N : a) Partindo da lei de a¸cão
i
das massas (5.30) e da equa¸cão de neutralidade ade cargas (5.33), obtenha
as expressões para as concentra¸cões de elétrons e buracos (5.41) e (5.42);
b) Utilizando os resultados do item a) e as Eqs.(5.28) e (5.32), mostre que
o nı́vel de Fermi é dado por (5.43) ou (5.44); c) Mostre que E i dado por
(5.22) é compatı́vel com as expressões obtidas no item c).
5.7 Trˆ
es pastilhas de sil´ıcio são dopadas com impurezas de As com concen-
trações 10 16 , 1017 e 5 1018 átomos/cm3 respectivamente. Considere
×
T = 300 K e suponha que todas impu rezas sejam ionizadas: a) Cal-
cule o nı́vel de Fermi em cada pastilha; b) Verifique se a aproximação da
Eq.(5.15) para a fun¸cão de Fermi-Dirac é boa nos três casos; c) Calcule a
resistividade de cada pastilha.
5.8 A probabilidade dos elétrons ocuparem os nı́veis de energia discretos das
impurezas não é dada simplesmente pela estatı́stica de Fermi-Dirac. Pode-
se mostrar que a concentração de impurezas doadoras ionizadas é dada
164 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

por (ver Ashcroft e Mermin)


Nd
Nd+ = 1 ,
1+ 2
e(Ed −Ef )/kB T

onde Ed é o nı́vel de energia da impureza. a) Verifique se a suposição de


completa ionização é boa nas três pastilhas do Problema 5.7; b) Faça um
gráfico de Nd+/Nd em função de T para a pastilha do Problema 5.7 com
a maior concentração, supondo que Eg não varia em T (0 400 K).

5.9 Uma pastilha
tração de GaAs 3é. dopada
10 17 átomos/cm Supondocom
queimpurezas doadoras
todas as impur com concen-
ezas estejam ioni-
zadas, calcule a resistividade da pastilha e compare com o valor obtido
no problema 5.7 para o Si com a mesma concentra¸ cão.
5.10 Calcule as concentrações de impurezas doadoras que tornam Si e GaAs
degenerados (EF = E c ).
5.11 Uma pastilha de silı́cio tem impurezas aceitadoras com concentra¸cão
Na = 2 1014 cm−3 . Suponha que todas e stão ionizadas. a) Calcule
×
as concentrações de elétrons e de buracos em T = 300 K. Nesta situa¸cão,
o semicondutor é considerado intrı́nseco ou extrı́nseco? b) Calcule as
concentrações de elétrons e buracos em T = 600 K, sabendo que nesta
temperatura o gap diminui para 1,0 eV. Nesta situa¸ cão o semicondutor é
intrı́nseco ou extr´ınseco?
5.12 a) Explique, qualitativamente, usando poucas palavras e alguns gráficos,

porquedeo condução
banda nı́vel de Fermi
do queno
da semicondutor
de valência, e no n pestá
tipotipo estámais
maispr´oximo
próximo da
da
banda de valência; b) Explique, qualitativamente, usando poucas palavras
e alguns gr´aficos, como o nı́vel de Fermi varia com a temperatura num
semicondutor tipo n .
5.13 Um termistor é um resistor cuja resistência varia com a temperatura.
Considere um termistor feito de sil´ıcio intrı́nseco, cuja resistência é 500 Ω
em T = 300 K: a) Supondo que a mobilidade não varia com a temperatura,
calcule a taxa de varia¸cão da resistência com a temperatura em torno de
300 K, expressa em Ω /◦ C; b) Qual é, aproximadamente, a resistência do
termistor em T = 320 K?
5.14 Uma barra de germˆanio tem comprimento 1 cm e se¸ cão reta quadrada
de lado 1 mm. (a) Calcule a resistência entre as duas extremidades da
barra a T = 300 K no caso do semicondutor intrı́nseco; b) Considere que
a barra foi dopada com uma certa concentra¸cão de impurezas doadoras
Cap. 5 Materiais Semicondutores 165

Nd . Supondo que a mobilidade é a mesma do material puro, qual deve


ser o valor de N d para que a resistência seja 10 Ω a T = 300 K?
5.15 Uma barra de semicondutor com concentração de portadores majoritários
1016 cm−3 tem largura d = 1 mm e espessura 0,5 mm. Qual a tens˜ao Hall
na barra quando submetida a um campo magnético B = 0, 1 weber/m 2
(1 kG) e percorrida por uma corrente 100 mA?
5.16 Uma barra semi-infinita feita de material semicondutor tem uma dis-
tribuição estacionária de buracos mostrada na Figura 5.22 . Esta dis-
tribuição é mantida
extremidade da barra por
em uma
x = 0certa
através de umIcontato
corrente constante, entrando
metálico. na
a) Uti-
lizando a express˜ao (5.57) para a corrente de difus˜ao, calcule a corrente
I = Ip (x = 0) em fun¸ cão de Lp , Dp e da concentra¸cão em excesso δp
em x = 0; b) Mostre que esta corrente é igual a carga total existente em
x > 0, obtida pela integra¸cão da distribui¸cão de buracos δp(x), dividida
pela vida média τp dos buracos. Explique porqu e este c´alculo leva ao
mesmo resultado que o do item a).
5.17 Considere a função gaussiana para a concentração de elétrons em excesso
do equilı́brio num semicondutor na forma de uma barra como a da Figura
5.20, numa se¸cão de abcissa x no instante t,
∆N0 2
δn(x, t) = √ e−x /4Dn t
2 πDn t

onde ∆ N0 e´ o número de elétrons por unidade de área no instante t = 0


na região entre duas se¸cões espaçadas de ∆ x em torno de x = 0, sendo
∆x muito p equeno. a) Mostre que esta fun¸cão gaussiana é solução da
equação de difusão para elétrons, Eq.(5.65); b) Mostre que em t→ 0 esta
distribuição tende para Aδ (x), sendo A uma constante e δ (x) a função
delta de Dirac, que é nula para x = 0, diverge em x = 0 e tem ´ area

igual a unidade. Calcule o valor de A; c) Fa¸ca um gr´afico qualitativo
de δn(x) para um instante genérico t1 . Neste instante, calcule a largura
δx da distribuição, definida como a distˆancia entre dois pontos nos quais
o valor de δn é δn(x = 0)/2. Obtenha a relação entre o coeficiente de
difusão Dn , a largura δx e o instante t1 . A partir deste resultado sugira
um método para medir o coeficiente de difusão em semicondutores.
166 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos
Capı́tulo 6

Dispositivos Semicondutores: Diodos

6.1 A Junção p-n 168


6.1.1 Fabricação da Junção p-n 168
6.1.2 A Barreira de Potencial na Jun¸cão p-n 170
6.1.3 Carga e Campo na Jun¸cão em Equilı́brio 175
6.2 Corrente na Junção Polarizada 180
6.3 Heterojunções 186
6.3.1 JunçãoMetal-Semicondutor 188
6.3.2 HeterojunçõesdeSemicondutores 190
6.4 Diodo de Junção 192
6.4.1 Aplicações 196
6.5 Diodo de Barreira Schottky 198
6.6 Ruptura na Polarização Reversa: Diodo Zener 200
6.7 Outros Tipos de Diodos 202
6.7.1Varactor 202
6.7.2 Diodo Túnel 203
6.7.3DiodoIMPATT 206
6.7.4DiodoGunn 207
REFERÊNCIAS 210
PROBLEMAS 211

167
168 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Dispositivos Semicondutores: Diodos

6.1 A Junção p-n

O fato de se poder dopar diversas regi˜oes de um mesmo material semicondutor


com diferentes impurezas possibilita a fabricação de uma grande variedade de
dispositivos eletrônicos. Num semicondutor contendo uma região tipo p e uma
região tipo n, separadas por uma camada fina de transi¸cão, é formada o que
chamamos de junção p-n. A espessura da camada de trans ição depende do
método de fabricação, estando na faixa de 10 −2 a 1 µm. Em quase todos dispo-
sitivos semicondutores existe pelo menos uma jun¸ cão p-n. O comportamento
de elétrons e buracos nas junções de um dispositivo determina as caracterı́sticas
corrente-tensão ( I V ) de seus diversos terminais. Por esta razão, este Cap´ıtulo
é iniciado com um estudo detalhado da junção p -n. Ele servirá de base para a

compreensão da opera¸cão dos dispositivos semicondutores. Na próxima seção
deduziremos a caracterı́stica I V do diodo de jun¸cão, o dispositivo mais sim-

ples de todos, constituı́do de apenas uma junção p-n. Nas seções seguintes
descreveremos a operação de outros tipos de diodos. Os transistores e outros
dispositivos ativos serão apresentados no Capı́tulo 7. As caracter´ ısticas mais
detalhadas dos dispositivos semicondutores podem ser encontradas em v´ arios
livros listados nas Referências. Os dispositivos semicondutores para aplicações
opto-eletrônicas serão abordados no Capı́tulo 8.

6.1.1 Fabricação da Junção p-n

A tecnologia de fabrica¸cão de junções evoluiu muito desde que o transistor de


junção foi inventado em 1948. Os métodos mais empregados atualmente são
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 169

a difus˜ao e a implanta¸cão iˆonica, mencionadas na Se¸cão 5. 3. A Figura 6.1


mostra as etapas mais importantes na fabrica¸ cão de um diodo de jun¸cão p-n
por difusão, com a tecnologia planar introduzida no inı́cio da década de 60. O
primeiro passo consiste na prepara¸cão da pastilha do cristal semicondutor, o
substrato, mostrado na Fig.6.1(a) . Cerca de 90% dos dispositivos semicon-
dutores são feitos com Si monocristalino. A pastilha, com espessura de alguns
décimos de mm, é obtida pelo corte em fatias de um bastão de Si, como o
mostrado na Fig.1.11, sendo suas superfı́cies polidas após o corte. Em geral o
cristal de Si é crescido com alta concentração de impurezas tipo n, sendo por
+
isso denominado
ôhmico de n met´
com a camada . Aalica
alta depositada
concentração facilita a forma¸cão
posteriormente de contato
(Fig.6.1f).

Figura 6.1: Etapas da fabric ação de um diodo de junção p-n com a tecnologia planar: (a)
pastilha de Si usada como substrato; (b) substrato com camada de Si epitaxial dopado com
impurezas tipo n; (c) camada ´oxida sobre o Si; (d) ilustra¸cão do processo de fotolitografia
para polimerizar certas regi˜oes da resina foto-resistiva; (e) difusão de impurezas tipo p
através da janela aberta no óxido; (f) estrutura completa do diodo de jun¸ cão com contatos
metálicos.
170 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

A etapa seguinte consiste em crescer sobre o substrato uma camada de Si


tipo n, com menor concentração de impurezas, usando a técnica de crescimento
epitaxial (Fig.6.1b). A pastilha é então levada ao forno numa atmosfera de
oxigênio para a formação de uma fina camada (menos de 1 µm de espessura) de
óxido SiO2 (Fig.6.1c). A etapa seguinte é a da fotolitografia, que é utilizada
para remover seletivamente o óxido de algumas regi˜oes nos quais deseja-se
fazer a difus˜ao. Uma pelı́cula de resina foto-resistiva, um lı́quido orgânico
polimérico, é espalhada sobre a camada de óxido e levada a um forno para
secar. A resina é solúvel em certos solventes, a não ser que esteja polimerizada.

A polimerização,
aberturas de umaem certas regiões,
m´ascara colocadaé feita
sobrepor luz ultra-violeta
a resina, que passa
e que contém pelas
o desenho
desejado. A Fig.6.1(d) mostra a parte opaca da máscara evitando que a área na
qual se deseja fazer a difus˜ao seja exposta `a radiação ultravioleta. Em seguida
usa-se solvente para remover a resina da região não exposta e depois coloca-se
a pastilha num banho de ´acido, que corr´oi a camada de ´oxido na região onde
a resina foi rem ovida. Este processo abre uma janela na camada de ´oxido
através da qual é feita a difusão de impurezas tipo p (Fig.6.1e) num forno a
alta temperatura (da ordem de 1000◦ C). Finalmente, a estrutura é completada
com a deposi¸cão de filmes met´alicos para os contatos externos (Fig.6.1f).

A tecnologia planar é empregada para fabricar um simples diodo de


junção, ou um transistor com v´ arias junções, ou um complexo circuito inte-
grado contendo milhares de diodos e transistores na mesma pastilha de Si. Um
componente importante no processamento da pastilha é a máscara contendo o
padrão do circuito a ser produzido. Até a década de 1990, o “layout” srcinal
era desenhado em escala grande, para aumentar sua resolu¸ cão, e posterior-
mente reduzido fotograficamente para a escala real da máscara. Atualmente o
processo é todo feito em computadores através de softwares espec´ıficos. Para
os modernos circuitos de alta integra¸cão, nos quais as dimens˜oes laterais das
estruturas são menores que 1 µm, as m´ascaras são produzidas na escala real
por feixes de elétrons.

6.1.2 A Barreira de Potencial na Junção p-n

Para tratar matematicamente as equa¸cões que descrevem a carga e o poten-


cial elétrico numa junção é necessário fazer algumas aproxima¸cões na jun¸cão
real. A primeira consiste em reduzir o problema para uma dimens˜ao. Veja
na Fig.6.1(f), que devido `a forma da jun¸cão e dos contatos, o movimento dos
elétrons e buracos em grande parte do dispositivo ocorre na direção normal
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 171

à superfı́cie que separa as regiões p e n. Portanto, a suposição de que as


grandezas variam apenas em uma direção, digamos x , é uma boa aproximação
para o problema real . A segunda aproximação se refere `a separação entre as
regiões p e n. Na junção real, a varia¸cão da concentra¸cão de impurezas na
fronteira é gradual. A diferença de concentra¸cões, Na Nd , passa gradual-

mente de positiva na região p , para negativa na regi˜ao n , como mostrado pela
linha tracejada da Fig.6.2(a). Entretanto, para simplificar o problema, vamos
supor que a jun¸cão é abrupta, isto é, N a Nd varia bruscamente de um valor

constante e positivo em x < 0 para um valor constante e negativo em x > 0,

pcomo na linhaunidimensional,
-n abrupta, cheia da Fig.6.2(a). A Fig.6.2(b)
que vamos mostra
considerar nestaoseção.
modelo da jun¸cão

Para entender o que ocorre na jun¸cão em equilı́brio, vamos supor que as


regiões p e n do semicondutor estão fisicamente separadas antes da jun¸ cão
ser formada. Nesta situação o nı́vel de Fermi está pr´oximo da banda de
condução no lado n e próximo da banda de valência no lado p , como ilustrado
na Fig.6.3(a). Suponhamos agora que os dois materiais s˜ ao postos em contato
para formar a jun¸cão. Como há excesso de elétrons em relação aos buracos
no lado n, há uma difus˜ao de elétrons do lado n para o lado p. Do mesmo
modo, ocorre difus˜ao de buracos do lado p para o lado n. Esta difusão de
cargas de um lado para o outro produz duas camadas de cargas, ilustradas no
topo da Fig.6.3(b), formadas pelas impurezas ionizadas, doadoras no lado n e
aceitadores no lado p. Estas camadas de cargas criam um campo elétrico E
dirigido do lado n para o lado p, que se op˜oe à continuação do movimento de
E
cargas causado pela difus˜ao. O campo empurra os buracos de volta ao lado
p e os elétrons de volta ao lado n, através de uma corrente de deriva que se
opõe à corrente de difus˜ao. No regime de equilı́brio as correntes de deriva e
de difusão se anulam, tanto para elétrons quanto para buracos, de modo que
a corrente total é nula. Nesta situação, a distribui¸cão de cargas e o campo
elétrico adquirem uma configuração estacionária.

A região nas proximidades da jun¸cão onde h´a cargas n˜ao compensadas,


mostrada nas Figuras 6.2 e 6.3(b), é chamada região de carga espacial .
Esta região também é chamada de transi¸cão ou de deple¸cão (outro anglicismo
E
técnico: to deplete significa exaurir). O campo criado nesta regi˜ao corres-
ponde a uma diferença de potencial V0 entre o lado n e o lado p. Esta diferen¸ca
de potencial tende a impedir a passagem de portadores majorit´ arios do lado p
(buracos) para o lado n e de portadores majorit´arios do lado n (el´ etrons) para
o lado p. Devido à forma da varia¸cão do potencial, ilustrada na Fig.6.3(b),
ele é chamado barreira de potencial . A forma¸cão da barreira de potencial
é o fenômeno fı́sico mais importante que ocorre na junção, sendo o principal
172 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 6.2: (a) Variação da concentra¸cão de impurezas numa jun¸cão p-n. A linha trace-
jada representa a variação numa jun¸cão real enquanto a linha cheia representa uma jun¸ cão
abrupta ideal. (b) Modelo de jun¸cão abrupta unidimensional.

responsável por suas caracter´


ısticas elétricas. A formação da barreira também
tem umaComo
junção. implica¸cão importante
a energia no écomportamento
do elétron relacionada ao dos nı́veiseletrostático
potencial de energia na φ
por E = eφ, a diferen¸ca das energias da banda de condu¸cão entre o lado p e

o lado n é,
Ecp −E cn = −e(φ − φ ) = eV
p n 0 . (6.1)
Portanto, a diferen¸ca das energias é, em unidades de eVolt, o próprio valor
do potencial V0 da barreira. Isto significa que quando a jun¸cão é formada, as
referências para os nı́veis de energia dos lados p e n se ajustam de modo que a
diferença das energias da banda de condu¸cão entre os dois lados, bem como da
banda de valência, correspondam à diferen¸ ca de potencial criada pelo campo
elétrico produzido na junção. Esta altera¸cão nos nı́veis relativos é decorrência
do fato de que o n´ıvel de FermiE F deve ser o mesmo nos dois lados da jun¸cão,
como mostra a Fig.6.3(b). Pela figura vemos também que como o menor valor
possı́vel de EF do lado p é E vp e o maior valor do lado n é Ecn , o valor limite
da barreira de potencial é V0 = Eg /e. O potencial se aproxima deste limite
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 173

Figura 6.3: (a) Semicondutores p e n separados. (b) Carga, campo elétrico, potencial e
nı́veis de energia na região de carga espacial da jun¸cão p-n.

quando as duas regi˜oes da junção estão fortemente dopadas.

Na verdade, a explicação para a forma¸cão da barreira de potencial pode-


ria ter come¸cado pela an´alise do nı́vel de Fermi. Ele é relacionado com o
potencial quı́mico de um sistema termodinâmico, que é constante quando o
sistema está em equilı́brio. Podemos fazer uma analogia entre o nı́vel de Fermi
e o nı́vel da água num reservatório, pois todas moléculas da água têm energia
(gravitacional) menor que as da superfı́cie. Quando dois reservatórios com
nı́veis diferentes são interligados, parte da ´agua do tanque de nı́vel mais alto
passa para o outro até que os nı́veis se igualem. O que ocorre quando dois
semicondutores são colocados em contato é semelhante. As cargas fluem de
um lado para outro até que os n´ıveis de Fermi se igualem. Quando isto ocorre,
o sistema atinge o equilı́brio.

O valor da diferença de potencial V 0 da barreira na jun¸cão em equil´ıbrio,


também chamado potencial de contato , pode ser calculado de v´arias
maneiras: a mais simples é baseada nos fatos de que o nı́vel de Fermi é cons-
tante na jun¸cão e o semicondutor intrı́nseco é o mesmo nas duas regiões. Com
a Eq.(5.32) podemos escrever as rela¸cões entre as energias e as concentra¸cões
174 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

de equilı́brio de buracos, pp0 do lado p e pn0 do lado n, nas regi˜oes afastadas


da junção,

pp0 = ni e (Eip−EF )/kB T

pn0 = ni e (Ein−EF )/kB T .


A razão entre as duas concentra¸cões é então,
pp0
= e(Eip−Ein)/kB T . (6.2)
pn0
Como o semicondutor intrı́nseco é o mesmo nas regiões p e n, vemos na
Fig.6.3(b) que a diferen¸ca entre os nı́veis de Fermi intrı́nsecos nos dois la-
dos é precisamente o valor do potencial da barreira em elétron-volt (eV),

Eip Ein = e V0 . Fazendo esta substitui¸cão, obtemos
kB T pp0
V0 = n . (6.3)
e pn0
Este mesmo resultado poderia ser obtido pela integra¸ cão da Eq.(5.70) que
exprime o fato de que na jun¸ cão em equilı́brio a corrente de buracos é nula
(Problema 6.3). Podemos também relacionar o potencial de contato com as
concentrações de elétrons nos dois lados da junção. Partindo de (5.31) obtemos

kB T nn0
V0 = n . (6.4)
e np0
Este resultado também pode ser obtido de (6.3) usando a lei de A¸cão das
Massas. As Eqs.(6.3) e (6.4) podem ser reescritas na forma
pp0 nn0
= = eeV0 /kB T . (6.5)
pn0 np0
Finalmente, utilizando relações obtidas no Capı́tulo 5, podemos exprimir o
potencial de contato em termos das concentrações de impurezas nos dois lados
da junção. No lado p , os buracos s˜ao os portadores majorit´arios e sua concen-

tração é, por (5.42), pp0 Na . Por outro lado, na região n, de acordo com
(5.38), p n0 n2i /Nd . Usando estes valores em (6.3) obtemos,

V0  k eT n NnN
B a
2
d
. (6.6)
i

Utilizando (5.25) podemos obter outra expressão para o potencial de contato,


Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 175

V0  Ee − g kB T
e
NN
n c v
Na Nd
. (6.7)

Para uma jun¸cão de Ge com as mesmas concentra¸cões de impurezas do Exem-


plo 6.1, pode-se mostrar que (Problema 6.1) V 0 = 0,45 V. Veja que a medida
que as concentrações de impurezas aumentam, a segunda parcela da Eq.(6.7)
diminui e V 0 se aproxima de E g /e. Assim, os m´aximos valores do potencial de
contato são 0,68 V em Ge e 1,12 V em Si.

Exemplo 6.1: Considere uma junção p-n de Si, tendo concentrações de impurezas N d = 1016 cm−3
e N a = 1018 cm−3 . Calcule o potencial de contato da jun¸cão em T = 300 K.

Usando k B T = 0, 026 eV e os valores de E g , N c e N v da Tabela 5.2, obtemos com a Eq.(6.7),


19 19
V0 = 1, 12 − 0, 026 n 2, 6 × 101018××1,100216 × 10
= 1, 12 − 0, 026 × 10, 18 = 0 , 85 V .

6.1.3 Carga e Campo na Jun¸cão em Equil´


ıbrio

O potencial de contato calculado na seção anterior é a diferença de potencial

elétrico
da entrePara
jun¸cão. um ponto noolado
calcular p e outro
campo no lado
elétrico n , ambos
é preciso obterafastados da do
a variação regi˜ao
po-
tencial na regi˜ao de carga espacial, que por sua vez depende da distribui¸ cão
de cargas na regi˜ao. Em vez de resolver o problema completo autocons isten-
temente, vamos aproximar a distribuição de cargas por uma fun¸ cão simples e
calcular o campo e o potencial a partir dela. Para obter esta distribuição vamos
considerar o que acontece na regi˜ao de carga espacial, ilustrada na Fig.6.4(a).
Elétrons e buracos estão em trˆansito permanente, passando de um lado da
junção para outro. Alguns elétrons passam do lado n para o lado p por di-
fusão, recombinam com buracos ou s˜ao “empurrados” de volta para o lado n
pelo campo elétrico. O mesmo acontece com buracos do outro lado. Como
resultado, há poucos elétrons e buracos na região de carga espacial pois eles
são varridos de l´a pelo campo elétrico. Esta exaustão de cargas m´oveis da
região de carga espacial faz com que esta regi˜ao também seja chamada de de-
pleção (vem do inglês depletion). Desta forma, as cargas da regi˜ao são devidas
aos ı́ons das impurezas não compensadas, doadoras do lado n e aceitadoras
176 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

do lado p. Tendo as impurezas doadoras, com concentração Nd , perdido seus


elétrons, sua carga é positiva. Por outro lado, as impurezas aceitadoras, com
concentração Na , recebem elétrons e tornam-se negativas. Em primeira apro-
ximação podemos ent˜ao considerar que no lado n, a densidade de carga tem
valor ρ = +eNd constante numa camada de espessura  n e nulo fora dela. Por
outro lado, na regi˜ao p a densidade é ρ = eNa numa camada de espessura  p

e nula fora dela, como ilustrado na Fig.6.4(b). Esta é a chamada aproximação
de depleção. Como a carga total dev e ser nula, pois a jun¸cão é eletricamente
neutra, o módulo da carga de um lado é igual ao módulo da carga no outro.

Sendo
ver queaascarga igual ao
espessuras dasproduto
camadasdas˜ao
densidade de carga
relacionadas com pelo volume, é f´acil
as concentra¸cões de
impurezas por,
n Nd =  pNa . (6.8)

Sendo a espessura total da regi˜ ao de carga espacial  = p +  n , podemos


exprimir as espessuras das duas camadas de carga em função das concentrações
de impurezas
Nd Na
p =  , n =  . (6.9)
Na + Nd Na + Nd

Estas equações mostram que a espessura é maior do lado de menor


dopagem. Para calcular o campo elétrico a partir da distribuição de cargas,
utilizamos a lei de Gauss na forma diferencial, Eq.(2.1). Como s´ o há variação
 =  , a Eq.(2.1) pode ser escrita como:
na direção x, usando a rela¸cão D E
d = ρ(x)
E , (6.10)
dx 

sendo ρ = eN d em 0 < x <  n e ρ = eNa , em p < x < 0. A integra¸cão


− −
de (6.10) com essas densidades resulta numa variação linear do campo elétrico
em cada um dos lados, como ilustrado na Fig.6.4(c). Em p < x < 0,−
E (x) = − eN x − E
a
0 , (6.11)

E
onde 0 é uma constante de integração, que corresponde ao valor de em E
E −
x = 0. Como (x = p ) = 0, pois o campo é nulo fora da região de carga
espacial, 0 = eNa p /. De (6.10) vemos também que, em 0 < x <  n ,
E
E (x) = eN x − E
d
0 , (6.12)
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 177

Figura 6.4: Variação da densidade de carga, campo elétrico e potencial eletrostático no


modelo unidimensional da junção p-n.

onde a constante de integra¸cão, determinada por E (x =  ) = 0, deve ser a


n
mesma de (6.11). De fato, usando (6.8), vemos que

eNa  p eNd  n
E 0 =

=

. (6.13)

A Fig.6.4(c) mostra a variação do campo elétrico dada por (6.11) e (6.12).


Note que o campo s´ o é diferente de zero na região de carga espacial, sendo

dirigido no sentido x, como era de se esperar.

A partir das express˜oes do campo elétrico podemos obter a variação do


potencial φ(x), usando a rela¸cão (x) = dφ/dx. A fun¸cão cuja derivada é a
E −
178 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Eq.(6.11) com o sinal trocado é,

1 eNa 2
φ(x) = x + E 0 x+C ,
2 

onde C é uma constante cujo valor depende da escolha da referência do po-


tencial. Tomando como referência φ(x = p ) = 0 e substituindo a expressão

de 0 em (6.13), obtemos C = eN a 2p /2. O potencial em p x 0 é então
E − ≤ ≤
φ(x) = eNa (x + p )2 . (6.14)
2

Para calcular φ(x) em x ≥


0 integramos (6.12) de maneira an´aloga e deter-
minamos a constante de integração igualando as expressões dos potenciais nos
dois lados em x = 0. O resultado é, para 0 x n , ≤ ≤
φ(x) = − eN d
 1 2
x −  x − 12  n
 . (6.15)
n p
2

A variação do potencial dado por (6.14) e (6.15) est´a mostrada na Fig.6.4(d).


Como era esperado, ela tem a forma da barreira de potencial da Fig.6.3(b).
O valor do potencial de contato V0 é a diferença de potencial entre os pontos
x = n e x = p , que é simplesmente o valor do potencial em x = n . Usando

E
(6.15) e a express˜ao de 0 obtemos,

eNd 1
V0 = φ (n ) =
2
n  =
2
E 0  . (6.16)

Como a diferença de potencial entre dois pontos é a integral do campo elétrico,


o resultado (6.16) poderia ter sido facilmente obtido pela área do triângulo que
representa a variação de (x) mostrado na Fig.6.4(c). Partindo das Eqs.(6.9)
E
e (6.16) é possı́vel relacionar as espessuras das camadas de carga com as con-
centrações de impurezas e o potencial de contato. É fácil mostrar que,
e Na Nd 2
V0 =  , (6.17)
2 Na + Nd
de onde obtemos    1/2
2V0 1 1
= + . (6.18)
e Na Nd
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 179

Para obter uma expressão para a espessura  em fun¸cão apenas dos


parâmetros dos semicondutores que formam a jun¸ cão, substuı́mos (6.6) em
(6.18), obtendo
    1/2
2kB T 1 1 Na Nd
= + n . (6.19)
e2 Na Nd n2i

A partir desta expressão pode-se calcular as espessuras  p e  n das camadas de


carga nos lados p e n através da Eq.(6.9).

Finalmente notamos que, como a diferença de potencial entre os dois


lados é produzido por duas camadas de carga, a junção tem uma capacitˆancia
C . Sendo A a área da seção reta da jun¸cão, as cargas totais nas camadas s˜ao
+Q e Q, sendo Q = eN d  n A . No caso em que as cargas s˜ao distribuı́das nas

duas camadas, a capacitˆancia é definida por C = dQ/dV . A partir de (6.9) e
(6.18) obtemos então (Problema 6.5):
A
C= (6.20)

onde  e´ dado por (6.19). Vê-se que a capacitância da jun¸cão varia inversa-
mente proporcional `a espessura  da região de carga espacial. Como veremos
na próxima seção,  pode ser alterado pela aplica¸cão de uma tens˜ao externa,
o que permite ent˜ao variar o valor de C .

Exemplo 6.2: Considere uma jun¸cão p-n de Si como a do Exemplo 6.1, tendo uma se¸ cão reta
circular de diˆametro 200 µm. Calcule: a) A espes sura da regi ˜ao de carga espacial; b) O campo
elétrico máximo; c) A capacitˆancia da jun¸cão.

−19
a) Para calcular a espessura , usamos a Eq.(6.18), com o valor da carga do elétron e = 1, 6 × 10
C, a permissividade do v´acuo  = 8, 85 10−12 Fm−1 .
×
Da Tabela 5.2 temos a constante dielétrica /0 = 11,8, logo,
1/2
=
× 11, 8 × 8, 85 × 10 12 × 0, 85
2 −
1 1
1, 6 × 10 19−
1018 × 106 + 1016 × 106
12
− 1/2
 2 × 11,1,86××8,1085 19× 10

× 1022
× 0, 85 = 3, 3 × 10 −7
m = 0, 33 µm

b) De (6.16) vem

E0 = 2V 0 = 3,23××0,1085 7 = 5, 2 × 106 V/m



180 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

c) Para calcular a capacitância usamos (6.20) com a área A = π R2 , sendo R = 10−4 m o raio da
seção circular.

C=
11, 8 × 8, 85 × 10 12 × 3, 14 × 10
− −8

= 9, 9 −12
× 10 F = 9,9 pF .
3, 3 × 10 7

6.2 Corrente na Junção Polarizada

Quando uma jun¸cão é polarizada, isto é, submetida a uma diferença de poten-
cial de um circuito externo, o equilı́brio é alterado resultando numa corrente,
cujo sentido depende da tens˜ao aplicada. A caracterı́stica essencial da junção
p-n é sua assimetria em relação ao sentido de aplicação da tens˜ao externa.
Tensões em sentidos diferentes produzem correntes com intensidades diferen-
tes. Isto pode ser compreendido exami nando o efeito da tens˜ao externa na
barreira de potencial.

Quando uma tens˜ao externa V é aplicada nos terminais da junção, ela


aparece quase inteiramente através da região de carga es pacial. Isto o corre
porque a densidade de portadores nesta regi˜ ao é muito menor do que nas
regiões neutras dos semicondutores e tem portanto resistência muito maior.
Assim, a tens˜ao externa soma-se ou subtrai-se do potencial V 0 da barreira em
equilı́brio, dependendo de seu sentido, como ilustrado na Fig.6.5. Quando a
tensão V é aplicada no sentido do lado p para o lado n, chamado direto, ela
diminui a barreira de potencial, que passa a ter um valor V0 V (Fig.6.5b). −
Por outro lado, se V tem o sentido de n para p , chamado reverso, a barreira
aumenta, passando a ter um valor V0 + V (Fig.6.5c). O resultado é que a
corrente que atravessa a junção quando a tens˜ao é aplicada no sentido direto é
maior que no sentido reverso, dando a jun¸cão p -n uma assimetria que é a base
de operação dos diodos e dos transistores de jun¸cão.

É fácil verificar que o campo elétrico e a espessura da região de carga


especial também variam com a tensão externa aplicada. Quando a tensão V
tem o sentido direto a diferen¸ ca de potencial na barreira diminui, portanto
o campo também diminui. Da mesma forma, a espessura da região de carga
diminui, podendo ser calculada pela Eq.(6.18) com V0 V em lugar de V0 . −
Por outro lado, quando a jun¸ cão é polarizada no sentido reverso, a altura
da barreira, o campo elétrico e a espessura da região de carga aumentam
simultaneamente.
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 181

Figura 6.5: Efeito de tensão externa na espessura da regi˜ao de carga espacial e na altura
da barreira de potenc ial: (a) situação em equilı́brio; (b) polarização direta; (c) polariza¸cão
reversa.

Vamos agora considerar o que ocorre com as diversas componentes da


ıstica I -V . Vamos adotar a
corrente na jun¸cão, visando calcular sua caracter´
convenção de que V é positivo se aplicado no sentido direto e negativo no
sentido reverso. Quando uma tensão positiva é aplicada aos terminais da
junção, a corrente I entra pelo contato met´alico do lado p (Fig.6.2) e sai
pelo contato do lado n. Nas duas regiões neutras do semicondutor afastadas
da jun¸cão, a corrente é inteiramente de deriva e dominada pelos portadores
majoritários, buracos no lado p e elétrons no lado n. Esses porta dores se
movem em dire¸cão à região de carga espacial onde se encontram, produzem
recombinação e também passam para o outro lado por difusão. Para calcular
o valor da corrente I produzida pela tensão V é preciso entender, com detalhe,
as várias componentes da corrente na regi˜ao da jun¸cão.

Consideremos o que ocorre com os buracos que se movem do lado p em


direção à jun¸cão. Ao atingirem a região pr´oxima da jun¸cão, muitos deles
recombinam com elétrons provenientes do lado n. Aqueles que “sobrevivem”
chegam à região de deple¸cão, onde a densidade de portadores é bem menor
e portanto h´a pouca recombina¸cão. Ao atingirem a fronteira da região de
depleção, o plano de coordenada x +n na Fig.6.4, os buracos s˜ao injetados

182 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

na região n onde passam a ser portadores minoritários. Nesta região os buracos


difundem mais para dentro do lado n enquanto recombinam com os elétrons,
resultando numa variação da concentração como aquela obtida na Se¸cão 5.4.4.
Os buracos injetados na região n tˆem uma concentração δp em excesso do valor
de equilı́brio p n0 que decai exponencialmente com x . Sendo o comprimento de

difusão L p = Dp τp da ordem de 10 −3 cm a 10 −1 cm, ele é muito maior que a
espessura da camada de carga espacial,  1 µ m = 10 −4 cm. Assim, a variação

da concentração de buracos pn no lado n da junção tem a forma mostrada na
Fig.6.6(a). Comportamento análogo têm os elétrons do lado p, onde s˜ao eles

os portadores minoritários.
Para calcular a corrente total que atravessa a jun¸ cão podemos tomar
como base as correntes dos portadores minorit´arios nos dois lad os. Elas re-
sultam dos movimentos de difus˜ao dos buracos no sentido de p para n e dos
elétrons no sentido oposto. Para calculá-las é preciso inicialmente obter as
concentrações dos portadores. Para facilitar a nota¸cão vamos fazer uma mu-
dança de coordenadas: a coordenada no lado n da jun¸cão será representada
por x, sendo a srcem x = 0 na fronteira da regi˜ ao de carga espacial (plano
x = +n na Fig.6.4); no lado p representamos a coordenada por x  no sentido
− x, sendo x = 0 o ponto x = p da Fig.6.4. Esta nota¸cão está mostrada na

Fig.6.6. De acordo com (6.5), a razão entre as concentra¸cões de equilı́brio de
buracos nos dois lados é
pp0
= eeV0 /kB T . (6.21)
pn0

Quando uma tens˜ao externa V é aplicada na junção, o potencial da barreira


passa a ser V0 V , de modo que a diferen¸ca entre os n´ıveis de Fermi intr´
− ınsecos
− −
nos dois lados fica Eip Ein = e(V0 V ). Como mostra a Figura 6.5, est e
resultado é consistente com uma diferença entre os nı́veis de Fermi nos lados
 −
p e n de EF = eV , devido ao fato de que a jun¸ cão não está em equil´ıbrio.
Desta forma, a razão entre as concentrações de buracos nas fronteiras da região
de carga espacial nos lados p e n, obtida por desenvolvimento análogo ao que
levou a Eq.6.2, é dada por,

pp(x = 0)
= ee(V0 −V )/kB T . (6.22)
pn (x = 0)

No caso da corrente de junção não ser muito elevada, as concentrações dos por-
tadores majoritários quase não variam em relação aos valores de equilı́brio
com a aplica¸cão da tens˜ao externa. Assim, pp (x = 0)  pp0 . Fazendo esta
substituição em (6.22) e dividindo esta por (6.21) obtemos,
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 183

Figura 6.6: Concentrações dos portadores minorit´arios e correntes nas proximidades da


região de carga espacial em jun¸cão p-n polarizada diretamente.

pn (x = 0)
= eeV/k B T . (6.23)
pn0

Este resultado mostra que as concentra¸cões de portadores minorit´ arios nas


fronteiras da região de carga espacial aumentam exponencialmente com a
tensão, no caso de polariza¸ cão direta. Ao contrário, elas diminuem exponen-
cialmente com a tensão, no caso de polariza¸cão reversa. A partir da Eq.(6.23)
é simples obter a corrente de difusão de buracos no lado n usando os resultados
das seções 5.4.3 e 5.4.4. O incremento na concentra¸ cão de buracos em rela¸cão
ao equilı́brio em x = 0, é obtido de (6.23),
δpn (x = 0) ≡ p (x = 0) − p
n n0 = p n0 (eeV/k B T − 1) . (6.24)

A variação de δp n ao longo de x, mostrada na Fig.6.6(a) é obtida uti-


184 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

lizando (5.84),
δpn (x) = p n0 (e eV/k B T − 1) e −x/Lp
. (6.25)

A partir deste resultado podemos obter a densidade de corrente de difus˜ ao de


buracos na dire¸cão +x. Usando (6.25) em (5.57) vem
Dp
Jpdif (x) = e pn0 (e eV/k B T − 1) e −x/Lp
. (6.26)
Lp

Sendo A a em
de buracos áreaxda
= seção reta da jun¸cão, a intensidade de corrente de difus˜ao
0 é então,
Dp
Ipdif(0) = eA pn0 (e eV/k B T − 1) . (6.27)
Lp

Na aproximação de que a recombina¸cão na região de carga espacial é desprez´ı-


vel, a corrente de buracos não varia nesta região, como ilustrado na Fig.6.6(c).
Por outro lado, um desenvolvimento an´alogo ao das Eqs.(6.21)-(6.27) leva `a
corrente de difusão de elétrons na região de carga espacial,
Dn
Indif(0) = eA np0 (e eV/k B T − 1) . (6.28)
Ln

Em regime estacionário a corrente total é a mesma em qualquer seção da


junção e também igual a corrente I que passa pelos contatos met´alicos. Pode-

mosregião
na entãode
obter I pela
carga soma Veja
espacial. das correntes
na Fig.6.6deque
deriva deaelétrons
como correntee total
de buracos
I não
varia ao longo de x, as correntes de deriva de elétrons no lado n e de buracos
no lado p , são dadas pelas diferen¸cas entre I e as correntes de difusão de bura-
cos e de elétrons, respectivamente. Assim, podemos calcular a corrente total
sem utilizar explicitamente as correntes dos portadores majoritários. Somando
(6.27) e (6.28) obtemos,
I = I s (e eV/k B T − 1) , (6.29)
onde  
Dp D
Is = eA pno + n npo . (6.30)
Lp Ln

A Eq.(6.29) é chamada a equação do diodo. Ela foi de duzida pel a


primeira vez por W. Shockley, um dos três f´ısicos que receberam o Prêmio No-
bel em 1954 pela descoberta do transistor. Ela permite calcular a corrente I na
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 185

junção em fun¸cão da tensão externa V . É importante chamar a aten¸cão para


o fato de que na dedu¸cão de (6.29)-(6.30) ficou claro que a corrente na jun¸ cão
p-n é dominada pelos portadores minoritários. Note que para tensões nega-
tivas e muito maiores que k B T /e (0,026 V à temperatura ambiente), I →−
Is .
Por esta razão I s e´ chamada a corrente de saturação reversa. A Eq.(6.30)
permite calcular I s em termos unicamente dos parâmetros dos semicondutores
que formam a junção. Considerando que à temperatura ambiente as impurezas
estão quase totalmente ionizadas, podemos usar as express˜ oes (5.38) e (5.41)
para as concentrações de portadores em equilı́brio. Substituindo-as em (6.30)

Dp Dn
vem
Is = eA n2i
 +
 . (6.31)
Lp Nd Ln Na

Como ni varia exponencialmente com a energia do gap Eg , a corrente de


saturação (6.31) varia muito de um semicondutor para outro. Evidentemente,
ela também varia muito com a temperatura. Consideremos uma junção de
Ge com concentrações de impurezas Na = 1018 cm−3 e N d = 1015 cm−3 . Uma
junção como esta com Na Nd e´ chamada p+ n. Neste caso o primeiro
 −
termo em (6.31) domina comple tamente o segundo. Considerando uma área
da jun¸cão de A = 10−4 cm2 e tempo de recombina¸cão τp 
0, 1 µs, com os
valores de n i e D p da Tabela 5.2 obtemos,
−7
Is  2, 5 × 10 A = 0, 25 µ A .

A Figura 6.7 mostra a curva I V dada pela Equa¸cão (6.29) com este

valor de Is . A parte (b ) da figura mostra uma regi ˜ao expandida em torno da
srcem. Vemos que para V = 0, 1 V a corrente j´a tem valor praticamente

igual a da satura¸cão reversa. Com polariza¸cão direta, V > 0, a corrente cresce
exponencialmente com V . A Fig.6.7(a) feita numa escala de corren te 10 5 vezes
maior apresenta um aspecto mais familiar da caracterı́stica I V da junção. −
Ela é fortemente assimétrica em rela¸ cão ao sentido de polarização. Com polari-
zação reversa a corrente é desprezı́vel comparada com a de polarização direta,
que é a caracterı́stica essencial do diodo. Um aspecto marcante da Fig.6.7(a)
é o aumento abrupto da corrente que ocorre num valor de tensão em torno de
0,3 V. Este aspecto da curva é simplesmente o resultado de um crescimento
exponencial de I com V . O valor da tensão crı́tica para o qual a corrente cresce
bruscamente depende fundamentalmente do semicondutor. Isto pode ser visto
substituindo (6.31) em (6.29) e usando a Eq.(5.23) para ni . Desprezando a
unidade em presença da exponencial em (6.29) obtemos,

I = eA
 Dp
+
Dn

Nc Nv e(eV −Eg )/kB T . (6.32)
Lp Nd Ln Na
186 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 6.7: Caracterı́stica I -V de junção p-n ideal dada pela equa¸cão do diodo com Is =
0, 25 µA, valor adequado para uma junção de germˆanio. A curva em (b) é a mesma que em
(a), feita em escala ampliada para mostrar o comportamento em torno da srcem.

Vemos então que a corrente cresce exponencialmente com a diferen¸ ca entre V


e o valor da energia do gap em eV. A tens˜ ao crı́tica de crescimento brusco
da corrente está na faixa 0,2-0,4 V para jun¸cões de germânio e 0,6-0,8 V para
junções de silı́cio.

Finalmente é preciso notar que em junções reais a resposta I V desvia de



(6.29) devido aos seguintes fatores: a recombinação na região de carga espacial
não é completamente desprezı́vel; a concentração de portadores majoritários
não permanece em equilı́brio quando a corrente aumenta muito; a junção não
é abrupta, como o modelo que consideramos nesta seção. Estes efeitos são
tratados em outros livros mais especializados em dispositivos semicondutores.

6.3 Heterojunções

Uma junção formada por dois materiais intrinsecamente diferentes é chamada


uma heterojunção, em contraste com aquela estud ada na se¸cão anterior,
que é uma homojunção. Quando os materiais nos dois lado s da jun¸cão são
diferentes, o diagrama de energia exibe uma descontinuidade na interface dos
dois materiais, ao contrário do comportamento contı́nuo da Fig.6.3. Em geral
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 187

são chamadas heterojun¸cões aquelas formadas de semicondutores diferentes,


como GaAs e (GaA)As, usada em lasers semicondutores. Porém junções entre
metais e semicondutores também são heterojunções e têm utilidade para a fa-
bricação de dispositivos. Junções envolvendo metais têm algumas propriedades
e aplicações semelhantes às das junções p -n, mas também têm caracter´ısticas e
atrativos peculiares. Este é o caso de junções metal-semicondutor, que são úteis
em dispositivos de alta freq¨uência, e de junções metal-isolante-semicondutor,
usadas em circuitos digitais de alta integra¸cão.

O comportamento de um material numa heterojun¸ cão depende forte-


mente de sua função trabalho W0 , cujo conceito foi introduzido na Se¸ cão
2.3. Ela é definida como a energia necessária para “arrancar” um elétron do
interior de um material e lev´ a-lo para longe de sua superfı́cie. Tendo estu-
dado as propriedades quˆanticas de elétrons em metais e em semicondutores,
podemos compreender melhor o conceito da fun¸cão trabalho. No caso de um
metal, como os elétrons de energia mais alta estão no nı́vel de Fermi, é fácil
ver que a fun¸cão trabalho é dada por W0 = E0 EF , onde E0 e´ a energia

do elétron no vácuo e longe do material, como ilust rado na Fig.6.8(a). Em
metais costuma-se escrever W0 = eφm , onde φm é um potencial elétrico com
valor tipicamente da ordem de 2 a 6 V. Nos semicondutores a defini¸ cão da
função trabalho também é W0 = E0 E F . Entretanto como não existem

elétrons no nı́vel de Fermi, W0 = eφ s não é a energia mı́nima necessária para
“arrancar” elétrons do semicondutor. Como os elétrons de mais alta energia
estão na banda de condu¸cão, a energia necess´aria para removê-los do material

Figura 6.8: Ilustra¸cão das fun¸cões trabalho nos diagramas de energia de um metal (a) e de
um semicondutor (b) separados.
188 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

é E 0 Ec e , onde e e´ chamada afinidade eletrônica. A Fig.6.8 ilustra


− ≡ X X
esquematicamente as funções trabalho de um metal e de um semicondutor se-
parados e no vácuo. Note que na figura o nı́vel de energia E 0 de um elétron no
vácuo é o mesmo, quer ele tenha sido removido do metal ou do semicondutor.
Desta forma, quando um metal e um semicondutor estão separados, seus nı́veis
de Fermi têm posições relativas diferentes, que dependem exclusivamente de
suas respectivas funções trabalho e φm eφs .

6.3.1 Junção Metal-Semicondutor


Quando um metal é colocado em contato direto com um semicondutor, ocorre
uma transferência de cargas de um lado para o outro de modo a igualar os dois
nı́veis de Fermi, a semelhança do que acontece numa jun¸cão p -n. O sentido de
movimento de cargas depende então dos valores relativos das funções trabalho.
A diferença para o caso da jun¸cão de dois semicondutores é que buracos não
podem passar do semicondutor para o metal, p ois eles s˜ao quase-partı́culas que
existem apenas nos semicondutores. Essa transferência cria camadas de cargas
nos dois lados da jun¸cão resultando numa barreira de potencial, chamada bar-
reira de Schottky, em homenagem ao fı́sico W. Schottky que estudou contatos
metal-semicondutor na década de 30. A forma da barreira é bastante dife-
rente da jun¸cão p-n, depende do tipo do semicondutor, dos valores relativos
das funções trabalho nos dois materiais e da afinidade eletrˆ onica. As formas
da barreira Schottky para dois casos tı́picos estão mostradas na Fig.6.9.

A Fig.6.9(a) corresponde `a junção de um metal com um semicondutor


tipo n de função trabalho menor, isto é, com φs < φm . Sendo eφm a energia
necessária para arrancar um elétron do metal e e a energia para introduzi-
−X
lo no semicondutor, a altura da barreira de energia eφB que um elétron deve
vencer para passar do metal para o semicondutor é eφB = e (φm −X ). Anali-
sando as posições relativas de EF e Ec nas Figuras 6.8 e 6.9(a), vemos então que
a diferença de energia entre o pico da barreira e o m´ınimo da banda de condu¸ cão

Ec é e(φm φs ). Esta diferença caracteriza o potencial de contato entre o
metal e o semicondutor em equilı́brio, V0 = φ m φs , que impede a passagem

de elétrons do semicondutor para o metal. Este potencial pode ser reduzido
ou aumentado pela aplica¸cão de uma tens˜ao externa com polariza¸cão direta
ou reversa, respectivamente. Por esta razão o contato metal-semicondutor tem
caracter´ıstica I -V semelhante a de uma jun¸cão p -n.

A Fig.6.9(b) ilustra a barreira Schottky no caso de um semicondutor tipo


p com φ s > φ m . Neste caso, para ocorrer o alinhamento dos nı́veis de Fermi, é
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 189

Figura 6.9: Diagramas de energia de jun¸cões metal-semicondutor em equilı́brio: (a) Semi-


condutor tipo n com φ s < φm ; (b) Semicondutor tipo p com φ s > φm .

preciso que haja um ac´umulo de cargas positivas no lado do metal e de cargas


negativas no lado do semicondutor. Isto ocorre com a transferência de elétrons
do metal para o semicondutor, onde eles ionizam as impurezas aceitadoras
numa camada de depleção. As camadas de carg a nos dois lados produzem uma
barreira de potencial V0 = φs φm em equilı́brio que impede a continuação

do movimento de transferência. Como no caso anterior, esta barreira pode ser
aumentada ou diminuı́da pela aplicação de uma tens˜ao externa.

Uma diferença importante da jun¸cão metal-semicondutor para a jun¸cão


p-n é que na primeira a corrente é dominada por portadores majoritários ,
enquanto que na segunda ela é determinada pelos portadores minoritários.
O processo pelo qual os portadores majorit ários constituem a corrente na
junção metal-semicondutor polarizada diretamente envolve a emissão de
elétrons do metal, semelhante à emissão termiônica no catodo quente de uma
válvula a v´acuo. Seu estudo quantitativo pode ser encontrado em algumas
referências citadas no final deste Cap´ıtulo.

Finalmente é importante ressaltar que nos casos dos contatos metal-


semicondutor tipo n com φm < φs e metal-semicondutor tipo p com φ s < φm ,
o potencial de contato é negativo e não há forma¸cão da barreira de poten-
190 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

cial. Contatos deste tipo s˜ao chamados ôhmicos, porque sua resistência não
depende do sentido da corrente.

6.3.2 Heterojunções de Semicondutores

Numa heterojunção de semicondutores a descontinuidade de energia na inter-


face resulta dos diferentes gaps de energia nos dois lados. Uma heterojun-
ção com grande aplica¸cão tecnológica é aquela formada por GaAs e pela liga
Ga 1−x x As. Nesta liga uma ce rta fra¸cão x de átomos de A  substitui os
átomosAde Ga de maneira aleat´ oria na rede cristalina. Como GaAs e A As
cristalizam na mesma estrutura ( zinc-blende, Fig.1.8a) e têm parâmetros de
rede quase idênticos, a substituição de Ga por A  não produz distor¸cões na
rede. O principal efeito do A  na rede de GaAs é o aumento do gap de ener-
gia. Como GaAs tem Eg = 1, 43 eV e A As tem Eg = 2, 16 eV, o gap de
Ga1−x Ax As depende da concentração x do alumı́nio. Em primeira aproxima-
ção, E g varia linearmente com x entre os dois valores dos cristais puros.

Devido ao fato de que as redes s˜ ao quase idênticas, é possı́vel crescer


Ga1−x Ax As em cima da superfı́cie de um cristal de GaAs, produzindo uma in-
terface cristalina quase perfeita. Isto possibilita a fabricação de heterojun¸cões
nas quais os elétrons e buracos passam de um lado para outro sem sofrer espa-
lhamento causado por imperfei¸cões na interface. O crescimento de (GaA )As
sobre GaAs é feito tradicionalmente com a técnica LPE, mencionada na Se¸ cão
1.4. Atualmente, com a técnica de MBE e outras técnicas de fabri¸ cão de filmes,
é possı́velredes,
duzindo depositar camadas
interfaces, monoatômicas
heterojunções individuais,
e super-redes uma
quase após outra, pro-
perfeitas.

A Fig.6.10(a) mostra os diagramas de energia de GaAs tipo n e


Ga1−x Ax As tipo p , com certa concentração x de A, quando os dois materiais
estão separados. Neste caso, cada material é caracterizado por uma função
trabalho e uma afinidade eletrˆ onica diferentes, referidas ao nı́vel do vácuo.
Quando os dois materiais s˜ao postos em contato, ocorre passagem de elétrons
e buracos de um lado para outro. Como na homojun¸ cão p-n, no equilı́brio os
nı́veis de Fermi dos dois lados se igualam. Entretanto, sendo os valores de E g

diferentes, aparecem descontinuidades Ec na banda de condu¸cão e Ev na 
banda de valência, como ilustrado na Fig.6.10(b). Pelo exame dos diagramas
de energia vemos facilmente que,
E c = e(
X −X ) ,
1 2 (6.33)

E v = E − E − E
g2 g1 c . (6.34)
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 191

Figura 6.10: Diagramas de energia de uma heterojunção de n-GaAs e p-(GaA)As:


(a) Materiais separad os; (b) Junção em equilı́brio.

Estas descontinuidades são as mesmas, quer os materiais estejam separados


quer estejam em contato, uma vez que elas dependem das afinidades eletrônicas
e dos gaps. Vemos em (6.33) e (6.34) que quan do os valores de χ e Eg são
 
iguais, Ec = Ev = 0. Como as descontinuidades existem nos mater iais
separados, elas nada têm a ver com a formação das camadas de carga nos
dois lados da junção, as quais criam a barreira de potencial V 0 . Assim sendo,
V0 só depende da varia¸cão no nı́vel Ec da banda de condu¸cão, descontada a

descontinuidade Ec . A altura da barreira é, portanto, dada por

V0 = V 1 + V2 , (6.35)

onde V1 e V 2 estão mostrados na Fig.6.10(b).

A diferença entre os gaps de energia dos semicondutores numa heterojun-


ção possibilita a fabrica¸cão de uma enorme variedade de formas de potenciais
para elétrons na banda de condução e buracos na banda de valência. Isto
permite a investigação de propriedades quˆanticas de partı́culas em potenciais
fabricados com formas engenhosas, como também a construção de sofistica-
dos dispositivos. Uma heterojunção importante para investigações cientı́ficas
e para aplica¸cões está mostrada na Fig.6.11. Ela é formada por dois semicon-
dutores dopados com impurezas tipo n , n-GaAs e n -Gax A1−x As. Devido aos
valores das afinidades eletrˆonicas dos dois materiais, as descontinuidades nas
   
bandas são Ec = 0, 85 Eg e Ev = 0, 15 Eg , sendo Eg = Eg2 Eg1 . −
Estas descontinuidades servem para bloquear a difusão de portadores do GaAs
para o (GaA )As, o que é importante para os lasers semicondutores que serão
estudados no Capı́tulo 8.
192 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 6.11: Heterojunção de n-GaAs e n-(GaA)As.

6.4 Diodo de Junção

O diodo é um dispositivo eletrônico de dois terminais que s´ o deixa passar


corrente elétrica num sentido. Um diodo ideal deveria apresentar resistência
nula à corrente num sentido, como um curto-circuito, e resistência infinita,
como um circuito aberto, para a corrente no sentido oposto. Os diodos reais,
no entanto, têm num sentido resistência pequena, mas não nula, e resistência
muito elevada, porém não infinita, no outro sen tido. A Figura 6.12 mostra o
ıstica I -V de um diodo ideal. A parte triangular
sı́mbolo do diodo e a caracter´
do sı́mbolo representa a ponta de uma seta, indicando o sentido de passagem da
corrente no diodo. O diodo à válvula, que existia antes da era do semicondutor,
é feito de um tubo a vácuo no interior do qual h´ a dois elementos, catodo e
anodo. O catodo é aquecido por um filamento e emite elétrons, enquanto o
anodo n˜ao aquecido apenas recebe elétrons provenientes do catodo. Quando
uma diferença de p otencial positiva é aplicada entre o anodo e o catodo, os
elétrons vão do catodo para o anodo e produzem uma corrente. Quando a
tensão é aplicada no sentido oposto, o anodo não pode emitir elétrons, pois
não é aquecido, resultando em corrente nula. Os diodos semicondutores são
feitos com jun¸cões p-n ou contatos metal-semicondutor. Enquanto na v´alvula
à vácuo a assimetria é devida ao fato de que o catodo emite elétrons mas o
anodo não, nos diodos semicondutores a assimetria é causada pela barreira de
potencial.

O diodo de jun¸cão consiste apenas de uma jun¸cão p -n com dois contatos


metálicos para entrada e para saı́da de corrente. No lado p o contato entre
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 193

Figura 6.12: (a) S´ımbolo do diodo. (b) Caracter´ıstica I -V do diodo ideal.

o semicondutor e o filme de alumı́nio forma naturalmente um bom contato


ôhmico, devido aos valores relativos das funções trabalho. No lado n o contato
ôhmico é obtido através de uma dopagem mais forte, produzindo uma região
n+ como na Fig.6.1. Por anal ogia com o diodo `a válvula, o terminal p é
chamado anodo e o terminal n é chamado catodo.

Os diodos de jun¸cão têm caracter´ıstica I -V como aquela mostrada na


Fig.6.7. Quando eles s˜ao polarizados diretamente, a corrente só alcança inten-
sidade substancial quando a tens˜ao é próxima ou maior que um valor crı́tico
E0 , que depende do semicondutor da jun¸ cão. Em diodos de Ge este valor é
da ordem de 0,2 a 0,4 V, enquanto que em diodos de Si ele varia de 0,6 a 0,8
V. A Fig.6.13 mostra um circuito aproximadamente equivalente ao diodo de
junção. Para V < E0 a corrente no circuito é nula, pois a presença da bateria
faz a tensão nos terminais do diodo ideal ser negativa. Para V > E a corrente
aumenta linearmente com a diferen¸ca V E0 , devido ao resistor 0R em série

Figura 6.13: (a) Circuito aproxim ado equivalente ao diodo de junção. A bateria produz a
tensão cr´ıtica E 0 e o resistor determina a inclina¸cão finita da caracter´
ıstica I -V , mostrada
em (b).
194 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 6.14: Aspectos fı́sicos comuns de diodos. (a) Baixa corrent e. (b) Corrente inter-
mediária. (c) Alta corrente.

com o diodo e a bateria.

O circuito equivalente da Fig.6.13(a) vale para tens˜ oes dc. Para tensão
alternada, de freq¨uência relativamente alta, é preciso considerar o efeito da
capacitância da junção. Quando a tens˜ao aplicada ao diodo varia bruscamente,
a carga na regi˜ao de deple¸cão não acompanha imediatamente. Isto limita a
resposta em freq¨uência do diodo. Este efeito pode ser representado por um
capacitor em paralelo com o circuito da Fig.6.13(a), cuja capacitˆ ancia é, em
parte, dada pela Eq.(6.20). Também contribui para a capacitância o atraso
no tempo do movimento de difus˜ao das cargas nas proximidades da jun¸ cão.
Os valores relativos da capacitˆancia de difus˜ao e da regi˜ao de carga espacial
dependem da geometria da jun¸cão e dos materiais que a formam.

A Figura 6.14 mostra três aspectos fı́sicos comuns de diodos comerciais.


Cada tipo de diodo ´e identificado por um c´odigo alfanumérico (Exemplos:
1N23 e 1N56. O n´umero 1 antes da letra N é usado para identificar diodos). A
identificação dos terminais do anodo e do catodo, assim como a caracterı́stica
I -V e outros parˆametros do diodo, constam das especifica¸cões de cada tipo de
diodo.

Exemplo 6.3: Calcule as correntes de saturação e faça os gráficos I V de três diodos ideais, em T

= 300 K, um de Ge, um de Si e um de GaAs, considerando que t odos têm os seguintes parâmetros:
Na = 10 17 cm−3 ; N d = 1015 cm−3 ; A = 10−4 cm2 ; τ p = τ n = 0, 5 µs.

A corrente de satura¸cão é dada por (6.31). Como Na  N d , podemos desprezar o segundo


termo. Usand L p = Dp τ p vem,
2 1/2
Is  e A 1/2
ni Dp
.
τp Nd
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 195

Utilizando os dados do diodo e os parˆ ametros da Tabela 5.2 convertidos para o Sistema
Internacional, temos para o diodo de Ge,

−19

Is =
1, 6 × 10 × 10 4 × 10 4 × (2, 5 × 1013 × 106 )2 × (50 × 10
− − −4
)1/2
A
(0, 5 × 10 6 )1/2 × 1015 × 106

−7
Is = 1, 0 × 10 A.

Para o diodo de Si vem

− − − −

Is = 1, 6 × 10 19 × 10 4 × 10 4 × (1,6 1/2
5 × 1010 × 106 )2 × (12, 5 × 10 4 )1/2
A
(0, 5 × 10 ) −
× 1015 × 106
−14
Is = 1, 8 × 10 A.

Para o diodo de GaAs vem

−19
1, 6 × 10 × 10−4 (107 106 )2
× × −4
× (10 × 10 )1/2
Is = A
(0, 5 10−6 )1/2 1015
× × × 106
−21
Is = 7, 2 × 10 A.

Os gráficos I V dos três diodos são feitos calculando I em função de V , numericamente,



com a Equa¸cão do Diodo (6.29), usando os três valores de I s acima. O resultado est´a mostrado na
Figura 6.15 e evidencia a diferen¸ca entre as tens˜oes crı́ticas dos diodos feitos com os três materiais.

Figura 6.15: Curvas I − V dos diodos de Ge, Si e GaAs do Exemplo 6.3.


196 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

6.4.1 Aplicações

Os diodos de junção têm inúmeras aplicações em circuitos eletrônicos. Uma das


mais tradicionais é a retificação de tensão alternada em fontes de alimentação,
usadas para fornecer tens˜ao dc para a opera¸cão de equipamentos eletrˆonicos.
A Figura 6.16(a) mostra os elementos b´asicos do circuito retificador de meia
onda. O transformador tem a função de transformar a amplitude da tens˜ao
alternada da rede de distribuição (em geral 110 V ou 220 V, valor eficaz) para
o valor adequado `a fonte. A Figura 6.16(b) mostra a tens˜ao senoidal v (t) no
secundário do transformador, cujo valor médio é nulo, aplicada na entrada
do retificador. Considerando a tensão cr´ıtica E0 do diodo muito menor que
o valor de pico de v (t), o diodo apresenta resistência desprezı́vel nos semi-
ciclos positivos de v (t) e resistência elevada nos semiciclos negativos. Como
resultado, a corrente i(t) que atravessa o diodo em série com a resistência de
carga R , acompanha v (t) nos semiciclos positivos, porém é desprezı́vel durante
os semiciclos negativos, adquirindo a forma mostrada na Fig.6.16(c). A cor-
rente retificada é unidirecional, tem valor médio diferente de zero, porém não
é constante, como seria desejado numa fonte dc. Entretanto, a simples adi¸cão
ao circuito de um capacitor na posi¸cão mostrada pelas linhas tracejadas, faz a
corrente aproximar-se da forma dc . O capacitor carrega-se durante o semiciclo
de condução do diodo e descarrega sobre R no semiciclo negativo, fazendo a
corrente adquirir a forma da linha tracejada na Fig.6.16(c). Evidentemente,

Figura 6.16: Ilustração da opera¸cão de um circu ito simp les retifi cador de meia-onda. A
tensão v (t) no secund´ario do transformador resulta na corrente i(t) no diodo e na carga. A
linha tracejada representa a forma de onda obtida com a adi¸ cão do capacitor ao circuito.
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 197

a condição para que isto ocorra é que a constante de tempo RC seja muito
maior que o perı́odo da tensão alternada.

Os diodos empregados em circuitos retificadores n˜ao precisam ter res-


posta r´apida, uma vez que a tens˜ao ac nesses circuitos tem baixa freq¨uência
(tipicamente 60 Hz nas redes de distribui¸cão). Porém eles precisam satisfazer
dois requisitos b´asicos: o primeiro é que a sua corrente máxima seja maior
que a exigida pela carga. Devido `as colisões de elétrons e buracos com a rede
cristalina, a passagem de corrente aquece o diodo, havendo um valor limite
que danifica a jun¸cão por superaquecimento. Desta forma, cada diodo, depen-
dendo de suas caracterı́sticas fı́sicas, suporta uma corrente máxima; o outro
requisito é que a tensão de pico no semiciclo negativo seja menor que a tens˜ ao
de ruptura do diodo na polariza¸cão reversa. A srcem desta tens˜ ao de ruptura
será apresentada na Se¸cão 6.6.

Outra aplicação do diodo, baseada em sua propriedade de retifica¸ cão, é


como detetor de pico , empregado na detec¸cão de onda modulada em ampli-
tude em receptores de rádio AM. Na transmissão por r´adio AM, a onda de alta
freqüência, chamada portadora, tem uma amplitude que varia de acordo com
o sinal de baixa freq¨uência (por exemplo, de áudio) da informa¸cão. Uma onda
AM tı́pica está mostrada na Figura 6.17(a), na qual a portadora senoidal de
alta freqüência é modulada por um sinal, também senoidal, de baixa freq¨
uência.
Se a tensão desta onda AM é aplicada a um circuito com diodo, capacitor e re-
sistência de carga, como o da Fig.6.16, sem o transformador, a tensão na carga
tem a forma da Fig.6.17(b ). O circuito retificador de meia onda com capacitor
corta os semiciclos negativos da portadora, produzindo um sinal que corres-
ponde à variação do valor dos picos positivos. Este sinal é aproximadamente

Figura 6.17 : a) Onda senoid al de alta freq¨uência modulada por sinal senoidal de áudio.
A linha formada pelos valores de pico corresponde ao sinal de ´ audio. b) Sinal de ´audio
produzido pelo detetor de pico com diodo.
198 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

igual ao sinal senoidal de ´ audio que modula a amplitude da onda portadora.


Os diodos usados em detetor es de pico trabalham com tensões muito pequenas
e portanto podem ter baixa corrente máxima. Por outro lado, ao contrário dos
diodos de retifica¸cão de fontes de alimenta¸cão, eles devem responder a altas
freqüências.

6.5 Diodo de Barreira Schottky

Como mencionado na Se¸cão 6.3.1, um contato metal-semicondutor com bar-


reira de Schottky tem caracter´ ıstica I -V semelhante à da jun¸cão p-n sendo,
portanto, também um diodo. Na realidade, historicamente o primeiro disposi-
tivo semicondutor construı́do foi o diodo de contato metal-semicondutor. Nos
primeiros anos da eletrˆonica costumava-se fabricar diodos detetores de sinal
pressionando uma agulha met´alica na superfı́cie de um cristal semicondutor.
Um semicondutor usado popularmente era o PbS, a galena, encontrado na na-
tureza na forma cristalina. Daı́ surgiu o nome rádio galena, dado aos receptores
de rádio constituı́dos apenas de um circuito LC de sintonia, um diodo detetor
de galena e um fone de ouvido. Foi também com contatos metal-semicondutor
que Bardeen e Brattain construı́ram em 1947 o primeiro transistor, que se
constituiu na maior descoberta tecnológica do século 20. No decorrer dos
anos 50 os diodos e os transistores de contato metal-semicondutor, chama-
dos simplesmente de ponto-contato, foram abandonados devido ` a dificuldade
de reprodução das caracter´ısticas I -V . Eles foram então substitu´ıdos pelos
dispositivos de junção p-n que s˜ao os mais utilizados até hoje. Entretanto,
com o aperfei¸coamento da tecnologia de fabrica¸cão e a compreens˜ao te´orica
de seu funcionamento, os dispositivos de ponto-contato voltaram a ter grande
utilidade em certas aplicações.

Apesar do diodo de barreira de Schottky ter caracterı́stica I -V seme-


lhante ao diodo de jun¸cão, h´a importantes diferenças entre os dois tipos de
diodo. Elas decorrem fundamentalmente do fato de que a corrente na bar-
reira de Schottky é devida a portadores majoritários, enquanto na junção
p-n é devida aos portadores minoritários. Quando a tensão numa jun¸cão p-
n e´ chaveada bruscamente de polarização direta para reversa, os portadores
minoritários n˜ao s˜ao removidos para o outro lado instantaneamente devido
ao tempo de recombina¸cão (Se¸cão 5.4.4). Este efe ito limita a resposta de
freqüência de diodos de junção p-n. Nos diodo s de barreira de Schottky n˜ao
há portadores minorit´arios para serem removidos, de modo que o tempo de
resposta é muito menor. Por esta razão eles têm grande aplicação em circuitos
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 199

detetores de alta freq¨uência ou de chaveamento rápido.

Outra diferença entre o diodo Schottky e o de jun¸ cão p-n está no valor
ıtica E0 da caracter´
da tens˜ao cr´ ıstica I -V . Como vimos na S e¸cão 6.1, ela
resulta de uma combinação entre o valor da corrente de saturação I s e o efeito
do crescimento exponencial de I com V , dada pela Eq.(6.29). Num diodo
Schottky feito com um mesmo semicondutor e com a mesma ´ area que outro
diodo de jun¸cão p -n, a corrente de satura¸cão é muito maior no primeiro, pois
é devida a portadores majoritários. Como ilustrado na Fig.6.18 isto resulta
numa tensão crı́tica bem menor no diodo Schottky que no de jun¸cão p-n,
aproximando-o mais de um diodo ideal na polariza¸ cão direta.

Os diodos Schottky n˜ao suportam correntes elevadas, pois sendo a ´area


de contato muito pequena, a densidade de corrente torna-se muito grande e
danifica o contato. Por esta raz˜ao eles não servem para circuitos retificadores.
Sua maior aplica¸cão é em circuitos detetores, que exigem resposta em alta
freqüência e alta sensibilidade (grande inclinação da curva I -V próximo da
srcem).

Figura 6.18: Compara¸cão entre as caracter´ısticas I -V de um diodo Schottky (a) e um diodo


de junção p-n (b) de Silı́cio. Ambas as curvas foram obtidas da Eq.(6.29), sendo usado
Is = 2, 5 µA em (a) e I s = 1 nA em (b).
200 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

6.6 Ruptura na Polarização Reversa: Diodo Zener

De acordo com o modelo apresentado na Se¸cão 6.1, na jun¸cão p-n polarizada


reversamente circula uma pequena corrente, cuja intensidade tende para um
valor de satura¸cão Is à medida que a tens˜ao reversa aumenta. Na verdade
isto só ocorre enquanto a tens˜ao reversa for menor (em m´odulo) que um certo
valor VR , chamado tens˜ao de ruptura (breakdown, em inglês). Se a tensão
atingir este valor crı́tico, a corrente aumenta bruscamente, como resultado de
um processo de ruptura eletrˆonica da jun¸cão. Desde que o circuito externo
limite a intensidade da corrente não a deixando ultrapassar um valor m´aximo
(que depende das caracterı́sticas do dispositivo), este processo de ruptura nada
tem de destrutivo. Ele é perfeitamente reprodutivo e pode ser repetido uma
infinidade de vezes. O processo de ruptura de uma junção pode o correr por dois
mecanismos diferentes: o chamado efeito Zener e o mecanismo de avalanche.
Embora diferentes, ambos resultam do efeito do campo elétrico que existe na
região de carga espacial da jun¸ cão p-n, sobre os portadores de carg a. Na
junção polarizada reversamente, este campo cresce acompanhando a altura da
barreira de potencial, como ilustrado na Figura 6.5(c). O processo de ruptura
acontece quando o campo atinge um valor crı́tico.

O efeito Zener ocorre em tens˜oes relativamente pequenas, de alguns


volts, em junções de semicondutores fortemente dopados. Como mostra a
Eq.(6.18), se as concentrações de impurezas Na e N d nos dois lados da jun¸cão
aumentam, a espessura  da camada de depleção diminui. Com concentrações
19 20 −3
da ordem de 10 −
10 cm , para tens˜oes reversas de alguns volts a es-
pessura é da ordem de 10−5 cm, o que resulta em campos da ordem de 10 6
V/cm. Campos elétricos com esta intensidade quebram as ligações covalentes
e ionizam ´atomos da rede cristalina. Os elétrons liberados na ionização são
acelerados no sentido oposto ao campo, passando para o lado n da junção e pro-
duzindo corrente no sentido reverso, muito maior que a corrente de satura¸ cão
reversa.

Em junções com menores concentrações de impurezas, o campo elétrico


na região de deple¸cão pode n˜ao ser suficiente para produzir ioniza¸cão direta
dos átomos do semicondutor, não havendo, portanto, efeito Zener. Entretanto,
sempre haverá um valor de tens˜ao reversa para o qual ocorrer´ a ruptura na
junção através do mecanismo de avalanche. Como o nome sugere, este é um
processo no qual ocorrem eventos sucessivos, resultando numa multiplica¸ cão
no número de portadores. O primeiro evento resulta da aceleração, pelo campo
cão proveniente do lado p . Se o elétron
elétrico, de um elétron que entra na jun¸
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 201

tiver energia suficiente, sua colisão com a rede cristalina pode produzir um par
elétron-buraco, resultando na multiplicação por um fator dois no n´ umero de
portadores. Em seguida, o elétron criado é acelerado para o lado n, enquanto o
buraco é acelerado para o lado p . Se a tens˜ao reversa for suficientemente alta,
cada um deles produzir´a um par elétron-buraco, que por sua vez produzirão
outros pares, num processo de rea¸cão em cade ia. O valor de tens ão reversa
para o qual esta avalanche produz um brusco crescimento na corrente reversa
é a tensão de ruptura V R , cujo valor pode variar entre alguns volts e milhares
de volts.

Independentemente do mecanismo responsável pela ruptura na jun¸ cão,


Zener ou avalanche, a caracterı́stica I -V completa do diodo tem a forma
mostrada na Fig.6.19(a). Na polarização reversa o diodo apresenta uma grande
resistência, sendo atravessada por uma corrente pequena de valor próximo a
Is , desde que a tens˜ao seja menor que V R . Para tensões próximas de V R , qual-
quer variação em V produz enormes variações na corrente reversa causada pela
ruptura da junção. Os diodos que s˜ao fabricados para operar na região de rup-
tura são chamados diodos Zener . Apesar do nome, em gera l o mecanismo
de ruptura dos diodos Zener é o processo de avalanche. Eles têm o sı́mbolo
mostrado na Figura 6.19(b), e podem ser fabricados para apresentar tensão de
ruptura VR escolhida, variando na faixa de 1 V a centenas de volts. Nos diodos
Zener de boa qualidade a corrente de ruptura é representada por uma linha
quase vertical, o que significa que a tens˜ao nos terminais é mantida constante

Figura 6.19: (a) Caracterı́stica I -V do diodo de jun¸cão, mostrando o brusco aumento da


corrente reversa na tensão de ruptura V R . (b) Sı́mbolo do diodo Zener.
202 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 6.20: a) Circuito regul ador com diodo Zener. b) Tensão variável na entrada.
c) Tensão constante na saı́da do regulador.

e igual a −VR, independentemente do valor da corrente.

A aplicação mais importante dos diodos Zener é como regulador de


tensão em fontes de alimentação. A Fig.6.20 mostra a saı́da de um circuito
regulador com um diodo Zener de 9 V, quando alimentado por uma tens˜ ao
tı́pica de um retificador de meia onda. A tensão de entrada tem uma pequena
ondulação em torno de um valor médio de 12 V, como a forma de onda da
Fig.6.16(c). A presença do diodo Zener com polariza¸cão reversa faz com que
a tensão de saı́da seja V R = 9 V, independentemente da variação da tensão de
entrada. A diferença entre a tens˜ao de entrada e a de saı́da fica aplicada no
resistor, cujo papel é “absorver” as flutuações da entrada.

6.7 Outros Tipos de Diodos

6.7.1 Varactor

As Eqs.(6.18) e (6.20) mostram que o diodo de jun¸cão p-n tem uma ca-
pacitância que varia com a tens˜ao da barreira de potencial. Considerando que
na polarização reversa com uma tens˜ao V o potencial da barreira é V + V0 , e
supondo que V V0 , a Eq.(6.18) d´a para a espessura da regi˜ ao de depleção
(Problema 6.4),
 V 1/2 .
∝ (6.36)
Como conseqüência deste resultado e da Eq.(6.20), a capacitância da jun¸cão
varia com a tens˜ao reversa na forma
−1/2
C ∝V . (6.37)
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 203

Um diodo com corrente de satura¸cão muito pequena, submetido a uma


tensão de polariza¸cão reversa, comporta-se então como um capacitor cuja ca-
pacitância é variável com a tens˜ao. Ele é chamado varactor, termo formado
pela uni˜ao de partes das palavras variable reactor . A dependência da ca-
pacitância com a tensão da Eq.(6.37) é v´
alida apenas para uma junção abrupta,
como aquela da Fig.6 .2. Se a varia¸cão da concentra¸cão na regi˜ao da jun¸cão
for gradual, a dependência de C com V será diferente. Utilizando técnicas
de crescimento epitaxial ou de implanta¸cão iônica, é possı́vel fabricar junções
com diferentes perfis de variação da concentração, escolhidos de modo a obter

funções C (V ) adequadas para aplica¸cões especı́ficas do varactor.


Os varactores s˜ao utilizados em circuitos LC de sintonia de receptores
de rádio, no lugar dos capacitores de placa vari´ aveis manualmente. O fato
de sua capacitˆancia ser controlada pela tensão possibilita o controle eletrônico
da freqüência de sintonia do circuito. Para esta aplicação utiliza-se varactores
cuja capacitância varia na forma C ∝ V −2 . Neste caso, a freq üência de sin-
tonia do circuito, ω = (LC )−1/2 , é proporcional à tensão aplicada ao diodo.
Eles também são empregados em filtros ativos, geradores de harmˆ onicos e em
circuitos de microondas.

6.7.2 Diodo Túnel

O diodo t´unel é feito com uma junção p -n na qual, em certa faixa de tens˜ao
de polarização direta, a corrente é dominada pelo efeito de tunelamento de
elétrons através da barreira de potencial na junção. Como mostrado na Se¸cão
3.3.3, existe uma probabilidade finita para um elétron atravessar uma barreira
com potencial m´aximo maior que sua energia cinética. Este é o efeito túnel,
de natureza inteiramente quântica.

Como vimos na Se¸cão 6.2, a corrente numa jun¸cão p-n comum é devida
ao movimento de difus˜ao de portadores minorit´arios nos dois sent idos. Isto
resulta numa corrente que decresce exponencialmente com a tens˜ ao aplicada,
tendendo a zero quando V → 0. O diodo t´unel é feito com semicondutores
fortemente dopados nos dois lados da jun¸cão, o que resulta no tunelamento
direto de elétrons do lado n para o lado p, produzindo uma corrente maior que a
corrente de difusão quando V é pequena. Para que isto ocorra é essencial, como
veremos a seguir, que os dois lados da jun¸ cão estejam fortemente dopados.

O cenário de nı́veis de energia que apresentamos na Seção 5.3 s´o é v´


alido
quando a concentração de impurezas é relativamente pequena, N 1020 cm−3 .

204 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Nesta situação as impurezas est˜ao muito afastadas umas das outras, de modo
que a interação entre elas é desprez´
ıvel. Quando a concentra¸
cão de impurezas é
da ordem de 1020 cm−3 ou maior, a interação entre elas deixa de ser desprez´ıvel.
Neste caso ocorre um fenˆomeno como aquele ilustrado na Fig.4.1, os nı́veis de
energia das impurezas deixam de ser discretos e passam a formar banda s.
Se as impurezas forem doadoras, elas formam uma banda de energia que se
superpõe a banda de condu¸cão, fazendo com que o nı́vel de Fermi esteja acima
do mı́nimo desta banda, EF > Ec . Em conseqüência, os estados de energia
acima de E c e abaixo de E F estão preenchidos com elétrons, mesmo em T = 0.

Os semicondutores
maneira análoga, umnesta situação s˜
semicondutor ao chamados
fortemente degenerados
dopado com impurezas n. Dep
tipo tipo
tem EF < Ev , de modo que os estados entre EF e Ev estão preenchidos com
buracos.

O diodo t´unel é feito com uma junção p-n de dois semicondutores de-
generados, cujo diagrama de energia est´a mostrado na Fig.6.21. Na situa¸cão
de equilı́brio, com tensão externa V = 0, o nı́vel de Fermi EF é o mesmo nos
dois lados da jun¸cão. Como E F > Ev no lado p e E F < E c no lado n , existem
estados preenchidos na banda de condução no lado n com energia próxima a de
estados vazios na banda de valência no lado p. Estes estados est˜ao separados
espacialmente pela espessura da região de depleção que, devido `a alta concen-
tração de impurezas é bastante estreita (veja a Eq.6.18). Como vimos na Seção
3.3.3, estados cheios separados de estados vazios por uma barreira de poten-
cial estreita e de altura finita, criam as condições favoráveis ao tunelamento de
elétrons. Quando V = 0, como vemos na Fig.6.21(a) n˜ao há estados cheios e
vazios exatamente com a mesma energia. Nesta situa¸ cão não há tunelamento

Figura 6.21: Diagramas de energia de uma jun¸cão p-n no diodo t´unel: a) V = 0, jun¸cão
em equilı́brio; b) V < 0, corrente de tunelamento no sentido reverso; c) V > 0, corrente de
tunelamento no sentido direto.
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 205

de elétrons. Entretanto, com V = 0, tanto na polariza¸cão reversa como na



direta, há estados cheios de um lado com mesma energia de estados vazios do
outro lado porque os nı́veis de Fermi nos dois lados são diferentes, resultando
em tunelamento. Se V < 0 ocorre tunelamento de elétrons do lado p para o
lado n , como mostra a Fig.6.21(b), resultando em corrente no sentido reverso.
Por outro lado, se V > 0, pela Fig.6.21(c) vemos que o tunelamento é no
sentido de n para p , produzindo corrente direta.

Com polariza¸cão direta, V > 0, inicialmente a corrente aumenta com


a tensão, pois o n´umero de estados vazios no mesmo nı́vel de estados cheios
aumenta com V . Entretanto, com o aumento progressivo de V , a partir de um
certo valor a banda de condu¸cão no lado n fica acima da banda de valência
no lado p, reduzindo o tunelamento. Desta forma, quan do uma tens˜ao de
polarização direta é aplicada ao diodo, a corrente de tunelamento inicialmente
aumenta com V , passa por um m´ aximo e depois diminui, resultando numa
caracter´ıstica I -V mostrada na Fig.6.22(a). Como a corrente de difus˜ao, que
aumenta monotonicamente com V , se soma a de tunelamento, a caracterı́stica
I -V completa do diodo t´unel tem a forma curiosa mostrada na Fig.6.22(b).
Uma caracterı́stica importante da curva I -V do diodo t´unel é que em
certa faixa de tens˜ao dI/dV < 0. Isto corresponde a uma resistência nega-
tiva para sinais ac, cujo valor pode ser controlado pela tens˜ao da V aplicada
ao diodo. Quando operando nesta regi˜ao de resistência negativa, o diodo túnel
fornece potência ac ao circuito, ao contr´ario de uma resistência normal que
sempre absorve energi a. Assim, ele encontra aplica¸cões em osciladores e am-

Figura 6.22: Caracterı́stica I -V de diodo t´unel: a) somente a componente de tunelamento


da corrente; b) caracterı́stica I -V completa incluindo a corrente de difusão.
206 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

plificadores de sinal. Como o mecanismo de tunelamento não apresenta retardo


devido aos processos de deriva e difusão, o diodo t´unel também tem aplicações
em circuitos de chaveamento rápido.

6.7.3 Diodo IMPATT

O nome IMPATT é feito com as letras das palavras


IMPact
com Avalanche
tensão Transitdo Tvalor
reversa, próxima ime de
diode . O di tendo
avalanche, odo IMumaPATT ope ra
estrutura
que cria um perfil de campo que faz um pacote de elétrons transitar de
uma extremidade a outra do dispositivo, produzindo uma oscila¸ cão de alta
freqüência. A estrutura do diodo IMPATT está mostrada na Fig.6.23(a). Ela
consiste de uma jun¸cão p+ n, na qual a regi˜ao n é extensa e terminada por

uma estreita região n + com dopagem mais forte. Quando o diodo é polarizado
reversamente, a variação do potencial tem a forma mostrada na Fig.6.23(b).
O potencial tem uma forte varia¸ cão na regi˜ao da jun¸cão polarizada reversa-
mente, resultando num pico do campo elétrico, mostrado na Fig.6.23(c). Na
região n o potencial varia monotonicamente, correspondendo a um campo
aproximadamente constante. A região n+ tem uma resistividade menor,
resultando numa menor queda de potencial e por conseguinte menor campo
elétrico. O diodo IMPATT normalmente opera com um circuito ressonante
externo, em regime de oscila¸cão, de modo que as varia¸ cões do campo e do
potencial da Figura 6.23 correspondem aos valores médios daquelas grandezas.
A seguir descrevemos qualitativamente o mecanismo que produz a oscila¸ cão
no diodo.

Quando a tens˜ao externa é aplicada ao diodo, um campo elétrico é ra-


pidamente criado tendendo para uma distribui¸cão mostrada na Fig.6.23(c),
E
onde av é o valor de campo necessário para produzir avalanche na jun¸ cão
p+ n. Quando o campo atin ge o valor av na jun¸cão, uma avalanche pro-
− E
duz um grande n´umero de pares elétron-buraco. Os buracos criados durante
a avalanche deslocam-se no sentido x na regi˜ao p+ e atingem o contato

metálico, onde recombinam com os elétrons provenientes da corrente externa.
Por outro lado, os elétrons criados na avalanche formam um pacote que se
desloca pela regi˜ao n, em movimento de deriva sob a a¸cão do campo elétrico
E
de valor d . Logo que o pacote de elétrons sai da região da jun¸cão e penetra
na região n , ele produz uma queda de potencial em torno de si, o que provoca
uma diminuição do campo elétrico na junção. Isto faz o campo cai r abaixo
E
do valor av , interrompendo o processo de avalanche. O pacote de elétrons
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 207

Figura 6.23: a) Estrutura do diodo IMPATT. b) Variação do potencial médio ao longo do


diodo polarizado reversamente. c) Variação do valor médio do campo elétrico.

transita na regi˜ao n durante um certo tempo, até atingir a região n + e passar


para o circuito externo. Quando o pacote deixa a regi˜ao n, o campo elétrico
E
na junção volta a aumentar, atinge o valor av provocando nova avalanche e
reiniciando o processo. Se o diodo IMPATT estiver conectado a um circuito
LC, ou uma cavidade de microondas ressonante, cujo perı́odo de oscilação é
o dobro do tempo de trˆ ansito do pacote de elétrons, a oscilação se mantém
indefinidamente. Durante cada meio ciclo da oscilação, um pacote de elétrons
produz corrente no mesmo sentido do meio ciclo, fornecendo energia ao cir-
cuito externo e compensando as perdas que nele existam. Os diodos IMPATT
são utilizados como geradores de microondas, podendo produzir potências de
dezenas de watts.

6.7.4 Diodo Gunn

Outro dispositivo utilizado como oscilador de microondas é o diodo Gunn, des-


coberto por J.B. Gunn em 1963. Este dispositivo é chamado de diodo porque
tem dois termi nais. Entretanto, ao contrário de todos diodos apresentados
anteriormente, em vez de ser formado por uma jun¸ cão p-n, ele é constitu´ıdo
apenas de uma amostra de n-GaAs dopada uniform emente. O mecanismo de
208 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

oscilação do diodo Gunn é baseado na resistência negativa que ele apresenta em


certa faixa de tens˜ao, semelhante a do diodo t´ unel. Entretanto, ao contrário
deste, a resistência negativa resulta de uma propriedade intrı́nseca do GaAs.

A Fig.6.24(a) mostra uma parte das bandas de energia do GaAs, obtida


da estrutura completa de bandas da Fig.5.2. No semicondutor dopado com im-
purezas tipo n, no equil´ıbrio os elétrons ocupam os estados pr´ oximos do m´ınimo
da banda de condu¸cão no ponto Γ 1 , tendo massa efetiva m∗1 = 0, 068 m0
(Tabela 5.1). Quando um campo elétrico pequeno é aplicado a uma amostra
de n-GaAs, os elétrons com momentum em torno do ponto Γ 1 deslocam-se
no material, com velocidade de deriva proporcional ao campo. Isto resulta
numa densidade de corrente J proporcional ao campo E
(Eq.5.52), fazendo
com que o material tenha curva J −E
linear, como a parte inicial do gr´afico
da Fig.6.24(b). Quando o campo elétrico aumenta e atinge certo valor crı́tico
E  ×
cr 3 105 V/m, os elétrons ganham energia suficiente para passar para o

mı́nimo do ponto X1 , cuja energia est´a E = 0, 36 eV acima. Note que sendo
 E kB T , esta passagem para o mı́nimo de X 1 não ocorre por excita¸cão
térmica, o que é uma condi¸cão essencial para a opera¸cão do dispositivo. Sendo
a massa efetiva no ponto X 1 muito maior que em Γ 1 , em conseqüência do maior
raio de curvatura de E (k ) e da Eq.5.3, a condutividade do material (Eq.5.46)
diminui. A faixa de resistência diferencial negativa da Fig.6.24(b) corresponde
a valores de campo para os quais parte dos elétrons de condução está em torno
do ponto Γ 1 , e parte est´a no ponto X 1 . Com o progressivo aumento de , a E

Figura 6.24: Propriedades de n-GaAs: a) detalhe da banda de condu¸cão mostrando dois


mı́nimos que podem ser ocupados por elétrons. No mı́nimo do ponto Γ 1 , os elétrons têm
massa efetiva m ∗1 = 0, 068 m0 , onde m 0 é a massa do elétron livre. No mı́nimo do ponto X1 ,
a massa efetiva é m ∗2 = 1, 2 m 0 ; b) caracterı́stica corrente- campo elétrico do material.
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 209

quase totalidade dos elétrons passa para X1 e a caracterı́stica J −E volta a ser


linear, porém com inclinação bem menor que a inicial.

Há vários mecanismos pelos quais a oscila¸cão no diodo Gunn pode ocor-
rer. Vamos considerar aqui apenas o modo de camada de dipolo, ou domı́nio,
que ocorr e em amostras relativamente longas. A Fig.6.25(a) ilustra uma
amostra de n-GaAs submetida a uma diferen¸ ca de potencial externa entre
os terminais negativo e positivo, respectivamente catodo e anodo. A amostra
tem elétrons na banda de condução, cujas cargas negativas s˜ao compensadas
pelas cargas positivas das impurezas doadoras ionizadas fixas na rede. Quando
a tensão externa é aplicada, os elétrons injetados através do contato metálico
do catodo criam uma camada de carga negativa, que juntamente com as im-
purezas positivas formam uma camada de dipolo elétrico, ou dom´ ınio . A
camada de dipolo provoca em torno dela uma brusca varia¸ cão do potencial e,
conseqüentemente, um pico de campo elétrico. O gradiente de campo exerce
uma força sobre a camada de dipolo, que se movimenta em dire¸ cão ao anodo.
A Fig.6.25(b) mostra o domı́nio via jando do catodo para o anodo, enquanto
a Fig.6.25(b) ilustra a varia¸cão do potencial resultante. Quando o domı́nio
atinge o anodo, um pulso de corrente é produzido no circuito exter no. Se a
tensão aplicada ao diodo tiver valor apropriado, o campo elétrico no domı́nio
estará na regi˜ao de resistência negativa, resultando em fornecimento energia
ao circuito externo. Se este for um circuito LC ou uma cavidade ressonante,
o pulso de energia tende a manter a oscila¸cão, desde que o tempo de trˆ ansito

Figura 6.25: Operação do diodo Gunn: a) ilustração da amostra de n-GaAs com uma camada
de dipolo viajando do catodo para o anodo; b) varia¸ cão do potencial elétrico na amostra
com a presen¸ca da camada de dipolo.
210 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

do domı́nio seja aproximadamente igual a meio per´ıodo da oscilação. Após a


extinção no anodo, outro domı́nio forma-se no catodo e o ciclo se repete.

Os diodos Gunn s˜ao largamente utilizados como osciladores de microon-


das. Eles operam com tensões na faixa de 5 a 20 V, o que representa uma
vantagem em relação aos diodos IMPATT, que normalmente requerem tensões
de dezenas de volts. Como a velocidade de movimento dos domı́nios aumenta
com o aumento da tens˜ao aplicada, a freq¨uência de oscilação aumenta com a
tensão. Por esta razão, a oscila¸cão do diodo Gunn é facilmente modulável em
freqüência, pela superposição de uma tens˜ao variável à tensão de polariza¸cão.

REFERÊNCIAS

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PROBLEMAS

6.1 Uma jun¸cão p-n de Ge tem em cada lado impurezas com concentra¸ cões
Nd = 1016 cm−3 e Na = 1018 cm−3 . a) Calcule as posi ções do n´ıvel de
Fermi em cada lado a T = 300 K, em rela¸ cão às bandas de valência e
de condução. b) Desenhe o diagrama de energia da jun¸cão em equilı́brio,
indicando os valores das energias relevantes, e a partir dele determine o
potencial de contato V 0 .
6.2 Calcule o campo elétrico máximo, a espessura da regi˜ao de depleção (em
µm) e a capacitˆancia da jun¸cão p-n do problema 6.1, considerando que
ela tem uma se¸cão circular de diˆametro 300 µ m.

6.3 Na situação de equilı́brio de uma junção p-n, a corrente de difus˜ao cri-


ada pelo gradiente de concentra¸cão cancela a corrente de deriva devido
ao gradiente de potencial, tanto para elétrons como para buracos. Este
equilı́brio é expresso pela Eq.(5.70) para buracos. Faça a integral desta
equação em uma dimens˜ao e utilizando a rela¸cão de Einstein obtenha a
Eq.(6.3) para o potencial de contato.
6.4 Uma diferença de potencial V é aplicada para polarizar uma junção p-n
abrupta. Considerando que para V não muito elevada a condi¸ cão de
equil´ıbrio Eq.(5.70) não é muito alterada, demonstre a Eq.(6.22) e mostre
que a espessura da regi˜ao de deple¸cão é dada por uma equação igual a
(6.18), com V 0 V no lugar de V 0 .

6.5 Utilize o resultado do Problema 6.4 e a expressão da carga de uma jun¸cão
p-n para mostrar que a capacitˆancia da jun¸cão é dada por (6.20).
6.6 Mostre que a corrente de difusão de elétrons na região de depleção de uma
junção p -n é dada por (6.28).
212 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

6.7 Considere duas jun¸cões p-n abruptas feitas com semicondutores diferen-
tes, uma de Si e outra de Ge. Ambas têm as mesmas concentrações de
impurezas, Na = 1018 cm−3 e Nd = 1016 cm−3 , e a mesma se¸cão circular
de diâmetro 300 µm. Suponha também que os tempos de recombinação
são todos iguais, τp = τn = 1 µs. a) Calcule as correntes de satura¸cão
das duas jun¸cões em T = 300 K. b) Fa¸ca o gr´afico I - V , preferivelmente
com um computador, com V variando na faixa -1, +1 V e I limitado a
100 mA.
6.8 O campo elétrico de ruptura da junção de Si do Problema 6.7 é 106 V/cm.
Calcule a tens˜ao de ruptura da jun¸cão.
6.9 Numa junção p + n a concentração de impurezas do lado n e´ desprez´ıvel

comparada com a do lado p , de modo que  n  p. Considere uma jun¸cão
deste tipo com  n muito menor que o comprimento de difusão de buracos
do lado n, Lp . Mostre que nesta junção polarizada diretamente, a corrente
de elétrons é desprezı́vel comparada com a de buracos e que o campo
elétrico no lado n, fora da regi˜ao de depleção, é dado aproximadamente
por

E (x) = k eT
B 1 pn (0)
n Nd + pn (x)
,

onde x é medido a partir da fronteira da região de depleção.


6.10 Um diodo de jun¸cão p -n de Si polarizado diretamente com uma corrente
constante é utilizado como um termômetro. Em T =27◦ C a tens˜ao no
diodo é 700 mV. a) Calcule o coeficiente de temperatura do diodo nesta
temperatura, isto é, a razão V / ◦T . b) Qual ser´a a variação na tensão
 
se a temperatura aumentar para 80 C? Calcule esta variação exatamente
e compare com o valor obtido supondo que ela é linear e caracterizada
pelo coeficiente obtido no item a).
6.11 Uma junção p+ n de Si com se¸cão reta de ´area 10 −2 cm2 tem nos dois

lados concentrações N a = 1017 cm−3 e N d = 1015 cm−3 . Os parâmetros do
Si estão dados na Tabela 5.2. Calcule: a) o campo elétrico máximo; b) a
espessura da região de depleção (em µ m) e c) a capacitˆancia da jun¸cão na
situação de equilı́brio e quando ela está submetida a uma tens˜ao externa
de polarização direta de 0,4 V.
6.12 A Eq.(6.25) para a concentra¸cão de buracos no lado n de uma jun¸cão
p-n vale tanto para polariza¸cão direta como reversa. O mesmo ocorr e
com a equação análoga para a concentra¸cão de elétrons no lado p. Para
uma junção p -n polarizada reversamente com tensão muito maior que 25
mV: a) Dê as expressões e fa¸ca gráficos qualitativos das concentra¸cões
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 213

dos portadores minoritários n p (x ) e p n (x), em função dos parâmetros da


junção e de x e x , medidos a partir das fronteiras da região de depleção; b)
Calcule as variações com x e x  das correntes dos portadores minoritários
e fa¸ca os gr´aficos correspondentes. c) A partir dos resultados do item
b), calcule a corrente total na jun¸cão e explique por que as correntes dos
portadores majoritários não são necessárias para o c´alculo.
6.13 Considere uma junção p + n abrupta de Ge, com concentra¸cões de im-

purezas Na = 5 1016 cm−3 e Nd = 1015 cm−3 , seção reta de 10 −3 cm2
×
e tempos de recombina¸cão τn = τp = 2 µs. A jun¸cão está polarizada
diretamente e nela circula uma corrente de 100 mA. a) Calcule a tens˜ ao
na jun¸cão. b) Calcule numericamente as concentrações dos portadores
minoritários n p (x ) e p n (x), e fa¸ca gráficos mostrando suas variações com
x e x, medidas a partir das fronteiras da regi˜ ao de deple¸cão. c) Cal-
cule numericamente as concentrações dos portadores majorit´arios nn (x) e
pp (x ), e fa¸ca gráficos mostrando suas variações com x e x . (Elas podem
ser calculadas usando o fato de que a neutralidade de carga fora da regi˜ ao
de depleção requer que as concentrações de elétrons e buracos em excesso
do equilı́brio sejam iguais em cada ponto, δp (x) = δn(x).
6.14 Um diodo feito com uma jun¸cão de Si, como a do Problema 6.7, é colo-
cado no circuito da figura abaixo. A bateria tem for¸ca eletromotriz 1,5
V e resistêncica interna 0,2 V e o resistor é de 20 Ω. a) Utilizando a
equação do diodo, calcule analiticamente a corrente e a tens˜ ao no diodo.
b) Utilizando a curva I - V obtida no Problema 6.7, calcule graficamente a
corrente e a tensão no diodo e compare com os valores obtidos no item a).
214 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos
Capı́tulo 7

Transistores e Outros
Dispositivos Semicondutores

7.1 O Transistor 217


7.2 O Transistor Bipolar 219
7.3 Correntes no Transistor Bipolar 225
7.3.1 Cálculo das Correntes no Modelo Unidimensional 225
7.3.2CorrentedeBase 231
7.3.3 ParâmetrosdoTransistor 233
7.3.4 Curvas Caracter´ ısticas I -V 234
7.4 Aplicações de Transistores 237
7.5 Transistores de Efeito de Cam po 241
7.5.1 O Transistor do Efeito de Campo de Jun¸ cão 242
7.5.2 Caracterı́stica do Transistor JFET 243
7.5.3 O Transistor de Efeito de Campo Metal-Semicondutor 248
7.6 O Transistor MOSFET 251
7.6.1OCapacitorMOS 252
7.6.2 A Tensão Crı́tica de Invers˜ ao 257
7.6.3 A Caracter´ ıstica I -Vdo Transistor MOSFET 261
7.6.4 Aplicações de Transistores MOSFET 264

215
216 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

7.7 Dispositivos de Controle de Potência: SCR e TRIAC 267


7.7.1 O Retificador Controlado de Silı́cio-SCR 267
7.7.2
OTRIAC 270
7.8 Circuitos Integrados 271
7.8.1 Conceitos B´asicos e Técnicas de Fabricação 272
7.8.2 Dispositivos de Mem´oria deSemicondutor 277
REFERÊNCIAS 282
PROBLEMAS 283
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 217

Transistores e Outros Dispositivos


Semicondutores

7.1 O Transistor

O transistor é um dispositivo de três terminais, utilizado para controlar sinais


elétricos. Um sinal variável aplicado aos dois terminais de entrada controla
eletronicamente o sinal nos dois terminais de saı́da, sendo um deles comum
com a entrada. As duas fun¸cões mais usuais de controle s˜ao a amplificação
e o chaveamento. Quando usado para amplifica¸cão, o dispositivo fornece na
saı́da um sinal com a mesma forma de varia¸ cão do sinal de entrada, porém com
maior amplitude. Isto está mostrado na Fig.7.1 para uma variação senoidal. A
potência do sinal de saı́da é em geral maior que a do sinal de entrada, sendo o
acréscimo de potência fornecido pela fonte de alimenta¸ cão dc. Nas aplicações
digitais, um sinal digital na entrada faz o transistor chavear entre dois estados,
um com corrente e outro sem corrente, representando os bits 0 e 1. Devido a
sua capacidade de converter energia de uma fonte dc em energia de um sinal
controlado, o transistor é chamado de dispositivo ativo.

A invenção do transistor representou um dos maiores avanços tecnológicos


do século XX, porque foi decisivo para a enorme evolução da eletrônica. Até
meados da década de 1950 o dispositivo de controle eletrônico de maior uso
era a v´alvula triodo. O triodo é formado por um tubo a vácuo contendo um
catodo aquecido que emite elétrons e um anodo que os recebe, tendo entre
eles um terceiro eletrodo feito de uma malha de fios met´alicos, chamado grade.
Uma tensão variável aplicada entre a grade e o catodo controla o fluxo de
218 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 7.1: Sinais de entrada e de saı́da num dispositivo de amplificação, como um transistor.

elétrons do catodo para o anodo passando pela grade. Desta forma, um sinal
de tensão entre grade e catodo controla a corrente de saı́da no anodo, tornando
a válvula triodo um dispositivo ativo de controle. A partir da década de 1950,
as válvulas a v´acuo dos equipamentos eletrônicos foram gradualmente dando
lugar aos transistores e diodos semicondutores, chamados de dispositivos de
estado sólido.

O desenvolvimento do transistor resultou de investigações básicas de pro-


priedades de semicondu tores. Em 1947 Brattain e Bardeen estudavam, nos
laboratórios da Bell Telephone nos Estados Unidos, propriedades de superfı́cie
de germânio com contatos metálicos retificadores. Nesses estudos eles obser-
varam que a corrente no diodo semicondutor variava quando uma outra cor-
rente passava por um segundo contato metálico colocado próximo ao primeiro.
Em dezembro daquele ano eles anunciaram a descoberta do novo dispositivo
de amplificação, batisado por eles de transistor, significando um elemento
de transcondutˆancia variável. Apesar de seu grande poten cial, o transistor
de p onto de contato tinha grand es problemas: ele era muito fr´agil; o con-
tato degradava com a umidade do ar; seu ruı́do interno era muito grande. O
próximo passo no desenvolvimento do transistor ocorreu em 1948, quando W.
Shockley, também dos laboratórios Bell, publicou um trabalho te´ orico pro-
pondo a estrutura do transistor de jun¸ cão. A partir de então muitos labo-
ratórios industriais investiram em técnicas de fabricação e estudo dos transis-
tores e em poucos anos eles se tornaram dispositivos comerciais.

Existem atualmente dois tipos principais de transistores: o transistor


bipolar de jun¸cão, em geral chamado simplesmente de transistor de jun¸ cão,
e o transistor de efeito de campo . O transistor bipola r de junção é feito
por duas jun¸cões p-n fabricadas na mesma pastilha de semicondutor, sendo que
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 219

a corrente na primeira junção controla a injeção de p ortadores minoritários na


segunda junção. Como os portad ores minoritários podem ser tanto elétrons
como buracos, este transistor opera com portadores de cargas positivas e ne-
gativas, daı́ o nome bipolar. O transistor de efeito de campo pode ser feito por
duas junções ou por contatos metal-´oxido-semicondutor. Em ambos os tipos,
a tensão de entrada controla o fluxo dos portadores majorit´ arios que passam
da entrada para a saı́da do dispositivo. Como estes p ortadores s˜ao elétrons
ou buracos, dependendo do tipo de impureza do semicondutor, o transistor
de efeito de campo é um dispositivo unipolar. Nesta seção apresentaremos

os princı́pios
junção. de funcionamento
Os transistores de efeitoede
o campo
modelamento dos transistores
ser˜ao estudados bipolares
na se¸cão 7.5. de

7.2 O Transistor Bipolar

O transistor bipolar de jun¸cão é o dispositivo semicondutor mais importante


da atualidade. Com a tecnologia planar, descrita na Se¸cão 6.1.1, ele pode
ser fabricado numa pastilha de semicondutor isoladamente, para formar um
único dispositivo de três terminais, ou num conjunto com muitos outros diodos
e transistores, formando um circuito integrado. Sua estrutura básica está
mostrada na Fig.7.2. Ela consiste de três camadas de dopagens diferentes,
feitas no mesmo semicondutor, formando duas jun¸ cões p-n com polaridades
opostas. As três camadas são chamadas de emissor, base e coletor, que
são ligadas ao circuito externo através de contatos metálicos nos quais são
soldados fios condutores.
Se as dopagens A estrutura
p e n forem da Fig.7.2o étransistor
trocadas obtém-se n-p-n, que pé-ntão
a de um transistor -p.

E B SiO2
Metal

2 m p
 m
n
20 m
p

Figura 7.2: Estrutura planar do transistor bipolar de junção com algumas dimensões tı́picas.
As letras E, B e C representam os terminais do emissor, da base e do coletor, respectivamente.
As distâncias indicadas representam espessuras tı́picas.
220 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

utilizado quanto o p-n-p. Os dois tipos têm operação inteiramente an´aloga,


sendo os papéis dos elétrons e dos buracos trocados entre si.

A Fig.7.3 mostra a representação esquemática de um transistor p-n-p com


um circuito externo simples para polarização de suas jun¸cões. Convencionamos
que IE , IB e IC , chamadas respectivamente correntes de emissor, base e coletor,
são positivas quando têm os sentidos indicados na figura. A junção p -n entre o
emissor e a base é chamada simplesmente de junção do emissor, enquanto a da
base-coletor é chamada de junção do coletor. VEB e VCB representam as tensões
nas junções do emissor e do coletor respectivamente. A configuração do circuito
da Fig.7.3 é chamada de base comum, pois o terminal da base é comum entre
os dois terminais de entrada e os dois de saı́da do dispositivo. Embora ela
não seja a mais utilizada para polarizar transistores em circuitos pr´ aticos, é
a mais conveniente para a compreensão dos mecanismos de funcionamento do
transistor.

Na operação normal do transistor bipolar, a jun¸ cão do emissor é pola-


rizada diretamente, enquanto a do coletor é polarizada reversamente. Assim,
a resistência da junção do emissor é pequena e a corrente IE é relativamente
grande. No transistor p-n-p, longe da jun¸cão, esta corrente é constituı́da essen-
cialmente de buracos, que são os portadores majorit´arios no emissor e no cole-
tor (componente 1 na Fig.7.4). Na jun¸cão do emissor, os buracos provenientes
do emissor s˜ao injetados na base, onde se movem por difus˜ ao, contribuindo
para uma parte da corrente do emissor que chamaremos de IEp . Por outro lado,
elétrons passam da base para o emissor constituindo outra parte da corrente,
IEn , ilustrada na Fig.7.4 (componente 7). Como vimos nas Eqs.(6.29)-(6.31),
é poss´ıvel ter IEp  IEn se a concentra¸cão de impurezas for muito maior no

Figura 7.3: Representa¸cão esquemática de um transistor p-n-p com um circuito simples de


polarização de base comum.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 221

lado p que no lado n. Note que se a espessura da base fosse mui to grande, a
junção do coletor estaria isolada da do emissor e o sistema corresponderia a
dois diodos em série com polaridades opostas. Neste caso a corrente do coletor
seria muito pequena, dada pelo valor de satura¸cão reversa Is da Eq.(6.30) e,
portanto, independente da corrente do emissor. Entretanto, a espessura da
base é feita propositalmente pequena, menor que o comprimento de difusão
Lp de buracos na base. Desta forma, mesm o sendo portadores minorit´arios,
os buracos injetados na base n˜ao têm tempo de se recombinar completamente
com os elétrons, pois logo atingem a região de deple¸cão da jun¸cão do cole-

tor, onde são


atingirem acelerados
o coletor tipo ppelo
, os campo
buracoselétrico
voltampara
a seroportadores
outro ladomajorit´arios
da junção. Aoe
adquirem um movimento de deriva sob a a¸cão do campo externo, formando
a maior parte da corrente IC (componente 2 da Fig.7.4). Vemos ent˜ao que
a corrente no coletor é devida principalmente aos buracos injetados pelo
emissor, sendo muito maior que a corrente de satura¸cão reversa da junção do
coletor (componentes 4 e 5 da Fig.7.4). A soma das componentes 2 e 4 forma
a contribuição dos buracos para a corrente do coletor, que ser´ a chamada de
ICp . A componente 5 é a contribuição dos elétrons para a corrente do coletor,
chamada I Cn .

Para completar o cenário do funcionamento do transistor, é preciso com-

Figura 7.4: Ilustração do fluxo de elétrons e de buracos em transistor p-n-p: 1- Buracos


em movimento de deriva no emissor; 2- Buracos que atingem o coletor em movimento de
difusão; 3- Buracos que desaparecem na base por recombina¸ cão; 4 e 5- Buracos e elétrons
gerados termicamente e que formam a corrente de satura¸ cão reversa da jun¸cão do coletor;
6- Elétrons que recombinam com os buracos da componente 3; 7- Elétrons injetados da base
para o emissor formando a corrente I En .
222 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

preender o importante papel da corrente da base IB . Como vimos antes, grande


parte da corrente IE passa para o coletor porque a espessura da base é muito
pequena. Isto resulta numa corrente de coletor com valor pr´oximo, porém
menor que a corrente de emissor. Usando a equa¸ cão de conservação de carga,
IE = I B + IC , vemos que fazendo I C  IE , a corrente I B será pequena mas n˜ao
nula. Ela resulta do fluxo de elétrons do circuito externo para a base através do
contato B, e consiste de três contribuiç˜
oes distintas: a primeira corresponde aos
elétrons que recombinam com parte dos buracos injetados na base pelo emissor
(componente 6 na Fig.7.4). Esta contribuição pode ser minimizada fazendo-se

a espessura
que passam dada base
base muito
para o menor
emissorque Lp ; a segunda
constituindo é relativa
a corrente aos elétrons
I En (componente 7
na Fig.7.4); destas contribuições se subtrai uma terceira, ICn , produzida pelo
fluxo de elétrons gerados termicamente no coletor e que passam para a base
através da junção do coletor (componente 5 na Fig.7.4).

Como veremos mais adiante, a condi¸cão essencial para a fun¸cão de am-


plificação do transistor é que a corrente de base seja pequena, IB ∼ 10−2 IE .
Devido à proporcionalidade entre as correntes, uma varia¸cão na pe-
quena corrente de base aparece ampliada na corrente de emissor e
portanto também no coletor. Para fabricar um bom transistor é preciso
então minimizar IB . Isto é conseguido fazendo-se a base estreita de modo
a diminuir a recombina¸cão, e com dopagem muito menor que a do emissor,
de modo a reduzir IEn . Entretanto, como a espessura da base n˜ao pode ser
muito menor do que 1 µm, devido `as limitações fı́sicas, o mecanismo de re-
combinação ainda é significativo. Este fato estabelece um limite mı́nimo para
IB . Na pr´oxima seção apresentaremos a dedu¸cão das v´arias componentes das
correntes a partir dos mecanismos microscópicos. Para concluir esta se¸cão,
vamos definir algumas relações entre as correntes I E , I B e I C que caracterizam
parâmetros importantes do transistor.

Como vimos anteriormente, a corrente de coletor é constitu´ ıda essencial-


mente de buracos injetados pelo emissor e que n˜ ao desaparecem na recom-
binação com elétrons na base. Na região linear de opera¸cão do transistor, esta
corrente é proporcional à componente IEp da corrente no emissor. Portanto,

ICp = B IEp , (7.1)

onde B é o fator de transporte da base , que representa a fração dos buracos


injetados pelo emissor que conseguem alcan¸car o coletor. Num transistor p+ -
n-p com uma base muito estreita, B < 1. Por outro lado, a componente IEp
da corrente é um pouco menor e também proporcional à corrente do emissor
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 223

IE ,
IEp = γ IE , (7.2)

onde γ < 1 é chamado eficiência de injeção do emissor. Se a corrente de


saturação reversa na jun¸cão do coletor, I Cn , for desprezı́vel, podemos conside-
rar I C = I Cp + ICn ICp . Neste caso, com (7.1) e (7.2) podemos relacionar a

corrente do coletor com a do emissor,

IC = γ B IE ≡αI E , (7.3)

onde α γB é o fator de transferência de corrente, que também é menor



que 1. A partir de (7.3 ) e da equa¸cão de continuidade de corrente é possı́vel
relacionar a corrente de base com a do coletor. Usando (7.3) em I B = I E IC −
obtemos,

IB =
IC
−IC =
1 −α I C ,
α α

ou então
IC = β IB , (7.4)

onde
α
β= (7.5)
1 −α
é o fatorıstico
caracter´ de amplificação ou ganho
de cada transistor, masde corrente
também . Este
varia comfator é um parâmetro
as tensões de pola-
rização das jun¸cões. Num bom tr ansistor, α  1 de modo que o fator β é
grande. A Eq.(7.4) exprime a caracterı́stica básica dos transistores no regime
linear. Ela mostra que através de variações numa pequena corrente de base, é
possı́vel controlar a varia¸cão na corrente muito maior que circula no coletor. A
explicação fı́sica da proporcionalidade entre as correntes de base e de coletor
é a seguinte. A corrente de coletor IC é formada basicamente pelos buracos
injetados na base pela corrente do emissor, e que atingem o coletor porque
não têm tempo de recombinar com elétrons na base, porque esta é muito
estreita (espessura muito menor que o comprimento de difus˜ ao dos buracos).
Portanto IC aumenta quando aumenta a corrente do emissor IE . A diferen¸ca
entre IE e IC é a corrente de base IB , que é formada principalmente pelos
elétrons que recombinam com os buracos injetados pelo emissor e que não
alcançam o coletor. Então, se a corrente de base I B varia, o número de elétrons
disponı́veis para recombinação varia, o que for¸ca IC a variar também, caso
224 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

contrário haveria um ac´umulo de cargas na base. Desta forma uma varia¸cão


em IB resulta numa variação em IC e em IE . Em certa faixa de variação a
relação entre IB e IC é linear, como expresso na Equação (7.4). Na próxima
seção obteremos as express˜oes que relacionam os parˆametros B , γ , α e β com
as grandezas microscópicas dos semicondutores que comp˜oem o transistor.

Exemplo 7.1: Um transistor p-n-p em regime estacionário tem as seguintes componentes das
correntes de emissor e de coletor: IEp = 10 mA, I En = 0,1 mA, I Cp = 9,98 mA, I Cn = 0,001 mA.
Calcule os parˆametros B, γ , α e β do transistor e a corrente de base nesta situação.

O fator de transporte da base B é dado por (7.1),

ICp 9, 98
B= = = 0, 998 .
IEp 10

A eficiência de injeção do emissor γ é dada por (7.2), sendo I E = I Ep + IEn . Logo

IEp 10
γ= = = 0, 99 .
IEp + IEn 10 + 0, 1

O fator de transferência de corrente α = γ B e´ então,

α = 0, 99 × 0, 998 = 0, 988 .

Desprezando I Cn em presen¸ca de I Cp , o ganho de corrente é calculado com (7.5),

α 0, 988
β= 1 − α = 1 − 0, 988 = 82, 33 .
A corrente de base pode ser calculada exatamente pela diferença entre as correntes de emissor
e de coletor,

IB = I E − IC = IEp + IEn − ICp + ICn = 10, 1 − 9, 981 = 0, 119 mA .

Podemos também calcular IB usando as rela¸cões (7.4) e (7.5), onde (7.5) foi obtida despre-
zando a contribuição da corrente de satura¸cão para I C . O resultado é,

IC 9, 981
IB = = = 0, 121 mA .
β 82, 33

Este valor difere do anterior em 0,002 mA, o que corresponde a uma diferen¸ ca de apenas
1,7%.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 225

7.3 Correntes no Transistor Bipolar

Como acontece no diodo de junção, as correntes no transistor bipolar de junção


são determinadas pelo movimento de difus˜ao dos portadores minorit´arios nas
proximidades das junções. A diferença fundamental entre o diodo e o transis-
tor é que, enquanto no primeiro a solução da equa¸cão da difus˜ao é sujeita à
condição de contorno na interface de uma junç˜ao, no segundo é preciso con-
siderar as interfaces nas duas u j nç˜oes. Para calcular as correntes devemos
então resolver a equa¸cão da difus˜ao nas três regiões do transistor e impor as
condições de contorno nas duas jun¸ cões. Após obter a varia¸cão das concen-
trações dos portadores minoritários, calcularemos as correntes de difusão como
fizemos para o diodo na Se¸cão 6.2.

7.3.1 Cálculo das Correntes no Modelo Unidimensional

Vamos analisar um transistor p -n-p com o modelo unidimensional ilustrado na


Fig.7.5. Este modelo é bom para o dispositivo da Fig.7.2 porque as dimensões
laterais são muito maiores que as espessuras das camadas. Vamos supor que
as espessuras do emissor e do coletor s˜ ao muito grandes comparadas com o
comprimento de difusão, enquanto a base tem uma espessura  qualquer. No
emissor e no coletor os portadores minorit´arios são os elétrons, cujas concen-
trações são n E (x) e n C (x) respectivamente. Os buracos injetados pelo emissor
são portadores minoritários na base, descritos pela concentração p (x). Como o
emissor é longo, nE (x) é descrito por uma exponencial que cai quando se afasta
da junção do emissor. A corrente de difus˜ao correspondente é então dada pela
mesma expressão obtida na Se¸cão 6.2 para uma junção. Da Eq.(6.28) podemos
escrever a contribuição dos elétrons para a corrente de emissor,

Dn E
nE eeVEB /kB T
IEn = e A
Ln E
 −1  , (7.6)

onde A é a area
´ da seção reta do transistor, nE é a concentração de equilı́brio de
elétrons no emissor, DnE e LnE são o coeficiente e o comprimento de difus˜ao
respectivamente, e VEB e´ a tensão entre emissor e base. Do mesmo modo
podemos escrever a contribuição dos elétrons para a corrente de coletor,

ICn = −e A DLnC

nC
nC eeVCB /kB T
 −1  , (7.7)
226 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 7.5: Modelo unidimen sional utilizad o para calcular as correntes no transistor p-n-p.
Note que as coordenadas x = 0 e x =  estão nas extremidades das regi˜oes de deple¸cão das
junções do emissor e do coletor.

onde a nota¸cão é análoga a da Eq.(7.6) e o sinal é negativo p ois o sentido


positivo de IC vai do lado n para o lado p da jun¸cão do coletor e VCB é
normalmente negativo. No caso dos buracos na base, a solução para a variação
da concentração p (x) é mais complicada porque é preciso considerar a solução
geral da equa¸cão de difusão, dada por (5.83),

δp(x) ≡ p(x) − p B = C1 e −x/Lp + C2 e x/Lp , (7.8)

onde pB é a concentração de equilı́brio de buracos na base e Lp é o comprimento


de difusão correspondente. Para obter δp(x) basta impor as condi¸ cões de
contorno nas jun¸cões do emissor e do coletor, em x = 0 e x = , e calcular
as constantes C1 e C2 . Na jun¸cão do emissor, desprezando-se a espessura
da região de carga espacial, a Eq.(6.24) permite relacionar a concentra¸ cão de
buracos com a tens˜ao de polariza¸cão,

= p B eeVEB /kB T
δpn (x = 0) ≡ p E
 −1  . (7.9)

Analogamente, na junção do coletor temos


= p B eeVCB /kB T
δpn () ≡ pC
 −1  . (7.10)

Note que num transistor em condições normais de opera¸cão, a junção do emis-


sor é polarizada diretamente (VEB > 0) enquanto a do coletor é polarizada
reversamente (VCB < 0). Nessa situa¸cão, para VEB , VCB kB T /e (0,025 V
| |
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 227

em T = 290 K), as condi¸cões de contorno (7.9) e (7.10) podem ser aproximadas


por,
eVEB /kB T
p  p e
E pB B , (7.11)

p  −p  p .
C B E (7.12)

O resultado (7.12) é devido ao fato de que, na junção polarizada reversamente,


os buracos em excesso do equilı́brio são “puxados” rapidamente pelo forte
campo elétrico
Substituindo parae (7.10)
(7.9) o coletor, fazendo
em (7.8) sua concentra¸
obtemos cão ficar próxima de zero.

p E = C 1 + C2 ,
p C = C 1 e −/Lp + C2 e /Lp ,
das quais obtemos
p Ee/Lp pC
−
C1 = , (7.13)
2 senh(/Lp )
−/Lp
C2 =
 p − p
C E e
, (7.14)
2 senh(/Lp )

Antes de prosseguir na an´alise das correntes vamos examinar o com-


portamento das concentrações dos portadores minorit´arios nas três regiões do
transistor. Em condições normais de opera¸cão e considerando a concentra¸cão
de equilı́brio de buracos na base muito pequena, podemos supor que pC 0.  
Substituindo (7.13) e (7.14) em (7.8), e usando esta aproxima¸ cão, obtemos
para a região 0 < x <  ,

δp(x) = p E

senh[( x)/Lp ]
, (7.15)
senh(/Lp )

No caso dos elétrons no emissor e no coletor, suas concentrações s˜ao dadas


por exponenciais simples, como discutimos anteriormente. A Fig.7.6 ilustra
a variação das concentra¸cões no transistor p+ -n-p em condições normais de
polarização. Note que em geral a base é feita com espessura pequena,  Lp , 
de modo a minimizar a corrente de base. Por esta raz˜ao a varia¸cão da con-
centração de buracos é aproximadamente linear. Tendo obtido a distribuição
de buracos na base do transistor, podemos calcular sua contribui¸ cão para as
228 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 7.6: Variação das concentrações dos portadores minoritários no transistor p-n-p com
polarização direta na jun¸cão do emissor e reversa no coletor. O valor de ∆ pC −
pB está
exagerado, pois p B  ∆pE .

correntes a partir da equa¸cão da corrente de difus˜ao (5.57),


dδp
Ip (x) = −eA D p ,
dx

que aplicada `a (7.8) dá,


Dp
C1 e −x/Lp e x/Lp
Ip (x) = eA
Lp
 −C 2
 . (7.16)

As componentes
são dadas pelos valoresdas
da correntes
Eq.(7.16) do
ememissor
x = 0 eede
x=coletor devidas aos buracos
 , respectivamente,
Dp
IEp = I p (0) = e A (C −C ) , (7.17)
Lp 1 2

Dp
ICp = I p () = e A (C1 e −/Lp −C 2 e /Lp ) . (7.18)
Lp

Substituindo as expressões (7.13) e (7.14) em (7.17) e (7.18) e utilizando


as definições das fun¸cões hiperbólicas vem:

IEp = e A
Dp
 pE coth

− p csch

 , (7.19)
C
Lp Lp Lp

ICp = e A
Dp
 pE csch

− p coth

 . (7.20)
C
Lp Lp Lp
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 229

Somando-se as contribui¸cões de elétrons e de buracos, (7.6), (7.7), (7.19) e


(7.20), e utilizando as expressões (7.9) e (7.10), obtemos as correntes de emissor
e de coletor em função das tensões de polarização e dos parˆ
ametros do material,

IE = e A
Dp
p
 eeVEB /kB T −1 coth

−  eeVCB /kB T −1  csch


Lp B Lp Lp
DnE
nE eeVEB /kB T
+eA
 −  1 , (7.21)
LnE

1 csch  coth 
IC = e ADp pB
Lp
 eeVEB /kB T − Lp
−  eeVCB /kB T −1  Lp

− e A DL nC

nC
nC eeVCB /kB T
 − 1 . (7.22)

As Eqs.(7.21) e (7.22) permitem calcular todos parˆ ametros e curvas caracte-


rı́sticas do transistor. A corrente de base pode ser obtida usando-se estas duas
expressões na equação de continuidade, I B = I E IC . Os parˆametros do tran-

sistor podem ser calculados pela substitui¸cão de (7.19)-(7.22) nas defini¸cões
(7.1)-(7.5). Como na forma geral estas equa ¸cões são difı́ceis de interpretar,
vamos calcular as grandezas de interesse fazendo algumas aproxima¸ cões sim-
plificadoras.

+ + ´
Exemplo
de seção A 7.2:
= 10−Um
3 transistor p -n-
cm2 ; espessura de Si=em
da pbase T =concentração
1 µm; 300 K tem asdeseguintes caracterı́sticas:
impurezas, no emissor N aEArea
=
1017 cm−3 , na base N d = 5 1015 cm−3 , no coletor N aC = 5 1017 cm−3 ; tempos de recombin ação
× ×
de portadores minorit´arios, no emissor e no coletor, τn = 0, 5 µs, na base τp = 1 µs. Calcule
as correntes no emissor e no coletor com a jun¸ cão emissor-base polarizada diretamente no regime
de plena condu¸cão, com VEB = 0,7 V, tendo a jun¸ cão coletor-base polarizada reversamente, com
VCB = - 10V.

Para calcular as correntes por meio das Equa¸ cões (7.21) e (7.22) é preciso, inicialmente,
calcular as concentrações dos portadores minoritários e os comprimentos de difus˜
ao. A concentra¸cão
de equilı́brio dos buracos na base é calculada com (5.38), sendo ni o valor dado na Tabela 5.2.
Usando unidades do SI temos,

n2i 1, 52 1020 1012


× ×
pB =
Nd
=
5 1015 106
× = 4, 5
× × 1010 m −3
.

As concentrações de elétrons em equilı́brio no emissor e no coletor são dadas por (5.41),

n2i 1, 52 1020 1012


× ×
nE =
NaE
=
1017 106
× = 2, 2 × 109 m −3
,
230 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

n2i 1, 52 1020 1012


× ×
nC =
NaC
=
5 1017 106
× = 4, 5
× × 108 m −3
.

Os comprimentos de difusão são calculados através de sua relação com o coeficiente de difusão

D e o tempo de recombinação τ , L = Dτ . Usando os valores de D no Si dados na Tabela 5.2 e
os valores de τ do enunciado, obtemos no SI,

Lp = 12, 5 × 10 4 × 1 × 10 6 1/2 = 3, 5 × 10 5 m = 35 µm ,
− − −

1/2
Ln = 35 × 10 4 × 0, 5 × 10 6

= 4, 2 × 10 5 m = 42 µm .
− −

Vemos então que /Lp 1 e portanto as fun¸cões hiperbólicas das equa¸cões (7.21) e (7.22)

podem ser substituı́das por suas expansões binomiais, com x = /L p ,

coth x  x1 + x3 = 351 + 3 ×1 35 = 35, 0095


csch x  x1 − x6 = 351 + 6 ×1 35 = 34, 9952

Finalmente, para comparar os valores relativos dos diversos termos das Equações (7.21) e
(7.22), é preciso calcular os valores das exponenciais contendo as tensões de polarização. Lembrando
que em T = 300 K a energia térmica é k B T = 0, 026 eV,

eeVEB /kB T = e 0,7/0,026 = e26,92 = 4, 9 × 1011


eVCB /kB T −10/0,026 −384,6
e =e =e 0

Vemos então que, como exp( eVEB /kB T ) 1, tanto em (7.21) quanto em (7.22), os termos

que não contêm este fator p odem ser desprezados. Então podemos escreve r,

IE  e A DLpp pB eeV EB /kB T


coth  + eA D nE eeVEB /kB T
Lp
nE
LnE

IC  e A DLpp pB eeV EB /kB T


csch

Lp
.

Usando os parâmetros da Tabela 5,2, os dados do transistor e os valores obtidos anteriormente


temos, no SI,
−4

IE = 1, 6 × 10 −19
× 10 7 × 12,
− 5 × 10
3, 5 × 10 5 −
× 4, 5 × 1010 × 4, 9 × 1011 × 35, 0095
4

= 1, 6 × 10 − 19
× 10 7 × 4,352××1010 5 × 2, 2 × 109 × 4, 9 × 1011

= 0, 44112 A + 0, 00144 A = 0 , 44256 A


−4

IC = 1, 6 × 10 −19
× 10 7 × 12,
− 5 × 10
3, 5 × 10 5
× 4, 5 × 1010 × 4, 9 × 1011 × 35, 9952

= 0, 44094 A .
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 231

Evidentemente, os valores das correntes do emissor e do coletor são muito próximos, como
era esperado. É importante notar que, se nas express˜oes de I E e de I C for usado apenas o primeiro
termo da expansão binomial da fun¸cão hiperbólica, e se a contribui¸cão I En for desprezada, as duas
correntes ficarão rigorosamente iguais. Portanto, como a diferença das duas correntes é a corrente
de base, é essencial usar nas expansões binomiais os dois primeiros termos. Vemos também que,
embora a contribuição dos elétrons gerados termicamente seja p equena, ela não deve ser desprezada
a priori, pois estando presente em I E mas não em IC , ela tem significado importante na diferen¸ ca
das duas correntes.

7.3.2 Corrente de Base

Como mostram os c´alculos feitos no Exemplo 7.2, no transistor p-n-p com


polarização normal, o fator exp( e VEB /kB T ) é muito grande, enquanto que o
fator exp(e VCB /kB T ) é desprez´
ıvel. Isto permite obter uma express˜ao aproxi-
mada para a corrente de base, desprezando os termos que n˜ ao contêm o fator
exp(e VEB /kB T ) nas Equações (7.21) e (7.22),

IB = I E −I = e A e e V EB /kB T
  Dp
p coth

− csch L
 +
D nE
n .

C
Lp B L LnE E

Pode-se mostrar (Problema 7.2) que esta expressão se reduz a

IB = e A e e V EB /kB T
 Dp
pB tanh

  +
D nE
nE
 . (7.23)
Lp 2L p LnE

Este resultado mostra que no transistor p-n-p com polariza¸cão normal,


a corrente de base é dominada por duas contribuições. O segundo termo em
(7.23) corresponde `a contribuição dos elétrons injetados da base para o emis-
sor, representado p ela componente 7 da Figura 7.4. Para interpretar a outra
contribuição, vamos introduzir ∆ pE , dado por (7.11), no primeiro termo de
(7.23). Desprezando o termo em n E temos,

IB  e A DL p
p
tanh
  
.
E
p 2Lp

Supondo que a base é estreita em relação ao comprimento de difus˜ao,  L ,p


podemos usar a aproxima¸cão tanh x x para obter 
IB  eA 2τp p
E
, (7.24)
232 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

onde τp = L 2p /Dp é o tempo de recombinação dos buracos. Esta equação tem


uma interpretação fı́sica simples. Sendo a concentração de buracos na base,
em excesso do equilı́brio, dada por pE em x = 0 (emissor) e
 pC = 0 em 
x =  (coletor), e pE A /2 Qp é a carga dos buracos que desaparecem da
 ≡
base por recombinação. Como a recombina¸cão ocorre num intervalo de tempo
ıstico τp , a corrente que deve ser fornecida `a base para repor a carga
caracter´
que desaparece e manter o regime estacionário, é Q p /τp . Esta é, precisamente,
a corrente de base dada por (7.24). Este resultado confirma a interpretação
qualitativa da corrente de base descrita no final da Seção 7.2. A Equa¸cão (7.24)

mostracomparada
treita que para ter
comuma
Lp ,corrente IBconcentração
e com uma pequena deve-se fazer a base
de impurezas muito es-
relativamente
baixa de modo que o tempo τp seja longo.

Exemplo 7.3: Calcule a corrente de base no transistor do Exempl o 7.2, utilizando a Equa¸cão
(7.23), e compare com o valor obtido pela diferença entre I E e I C .

Substituindo em (7.23) os valores das grandezas do Exemplo 7.2 e usando tanh ( /2Lp ) 
(/2Lp ) vem,

IB = 1, 6× 10 19 × 10 7 × 4, 9 × 1011
− −

5 × 10 4 − −4
× 12,
3, 5 × 10 5
× 4, 5 × 1010 × 2 ×1 35 + 4,352××1010 5 × 2, 2 × 109
− −

= 1, 6 × 10 19 × 10 7 × 4, 9 × 1011 × 2, 29 × 1010 + 1, 83 × 1011


− −

= 1, 61 10−3 A = 1, 614 mA .
×

É interessante notar que, neste caso, a contribuição dos elétrons térmicos (IEn ) para a
corrente de base, dada pelo segundo termo da equa¸ cão acima, é maior que a contribuição dada pelo
primeiro termo. Num transistor p+ -n-p, com concentra¸cão de impurezas no emissor muito maior
que na base, n E é muito menor e o termo de recombinação predomina sobre I En .

O valor de I B obtido por meio da diferen¸ca entre as correntes calculadas no Exemplo 7.2 é

IB = I E − IC = 0, 44256 − 0, 44094 = 0 , 00162 A = 1 , 62 mA

que é muito próximo do valor acima. Evidentemente, a diferença entre os dois valores resulta das
aproximações feitas nas fun¸cões hiperbólicas e nos arredondamentos numéricos.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 233

7.3.3 Parâmetros do Transistor

Para obter os parˆametros γ , B , α e β do transistor vamos desprezar os termos



em pC e a corrente de saturação reversa no coletor, nas Eqs.(7.6)-(7.22). Esta
aproximação é válida porque quando usado como amplificador, o transistor
sempre tem a jun¸cão do coletor polarizada reversamente. Nesta aproximação,
usando (7.6), (7.11) e (7.19) na definição da eficiência de injeção (7.2) obtemos,

IEp 1 1
γ = I = 1 + I n /IEp = 1 +
E E DnE nE Lp
Dp p B LnE
tanh Lp .

Utilizando-se as rela¸cões (5.38) e (5.41) entre as concentra¸cões de equilı́brio


dos portadores minoritários e as concentrações de impurezas doadoras ( Nd ) na
base e aceitadoras ( Na ) no emissor, esta express˜ao pode ser escrita na forma
  −1
D nE Nd Lp 
γ= 1+ tanh . (7.25)
DpNa LnE Lp

Usando apenas o primeiro termo de (7.22) para IC e o primeiro termo


de (7.19) para IEp , com ∆ pE dado por (7.9), o fator de transporte da base,
definido por (7.1), fica
I csch(/Lp ) 
B= C = = sech . (7.26)
IEp coth(/Lp ) Lp

Com (7.25) e (7.26), pode-se obter o fator de transferência de corrente α


definido em (7.3)
  −1
IC  D nE Nd Lp 
α= = Bγ = cosh + senh . (7.27)
IE Lp Dp Na LnE Lp

Finalmente, usando (7.27) em (7.5) obtemos o fator de amplifica¸ cão β ,


  −1
IC α  DnE Nd Lp 
β= .
IB
=
1 α −  cosh +
Lp Dp Na LnE
senh
Lp
−1 (7.28)

Considerando que /Lp 


1, podemos obter uma expressão mais simples
para β com a utiliza¸cão das expans˜oes das fun¸cões hiperbólicas,
senh x x
1 2
cosh x  1 + x .
2
234 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

O fator de amplifica¸cão dado por (7.28) fica ent˜ao,


−1
2
β=
 +
DnE Nd 
 . (7.29)
2L2p Dp N a L nE

As expressões (7.26)-(7.29) permitem calcular todos os parˆ ametros do


transistor a partir das caracterı́sticas de sua construção com boa precis˜ao.

Exemplo 7.4: Calcule o fator de amplifica¸cão do transistor p-n-p de silı́cio com os mesmos
parâmetros do Exemplo 7.2.

Usando na Eq.(7.29) os parˆametros e as grandezas calculadas no Exemplo 7.2, vem,


1 1 35 5 1015 1
× × ×
= +
β 2 352
× 12, 5 1017 42
× ×
1 1 1
= + = 0, 00374 .
β 2450 300

Portanto, o fator de amplificação dado por (7.29) é,


1
β= = 267, 3 .
0, 00374

Podemos também calcular β diretamente, através da razão entre I C , calculado no Exemplo


7.2, e I B , calculado no Exemplo 7.3. O resultado é,
IC 0, 44094
β= = = 272, 2 .
IB 0, 00162

A diferença entre os dois valores decorre das aproximações feitas na dedu¸cão da Eq.(7.29) e
também dos arredondamentos numéricos.

7.3.4 ısticas I -V
Curvas Caracter´

As Eqs.(7.21) e (7.22) descrevem muito bem as correntes no transistor p-n-p.


Para entender qualitativamente o comportamento das correntes em função das
tensões de polarização, é melhor simplificar a notação e escrevê-las na forma,
IE = I Es eeVEB /kB T eeVCB /kB T
 
−1 −α I  I Cs

−1 (7.30)

IC = α N IEs eeVEB /kB T −1 −I Cs eeVCB /kB T −1 , (7.31)


   
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 235

onde

IEs ≡ e A LD p

p
pB
coth

Lp
+
e A DnE nE
Ln E
(7.32)

ICs ≡ e A LD p

p
pB
coth

Lp
+
e A DnC nC
Ln C
(7.33)

αN ≡ e AI DL p
Es
p

p
B
csch

Lp
(7.34)

αI ≡ e AI DL p
Cs
p
p
B
csch 
Lp
. (7.35)

As rela¸cões (7.30) e (7.31) foram obtidas srcinalmente por J.J. Ebers


e J.L. Moll e s˜ ao por isso chamadas equações de Ebers-Moll . Elas têm
validade bastante geral, mesmo que o transistor n˜ ao possa ser representado
pelo modelo unidime nsional simples da Fig.7.4. No caso geral os parˆametros
das equações não são dados pelas express˜oes (7.32)-(7.35), porém é possı́vel
mostrar que eles obedecem a rela¸cão
αN IEs = α I ICs , (7.36)

que também é satisfeita por (7.32)-(7.35). As equa¸


cões de Ebers-Moll mostram
que a corrente no emissor é dada por um termo caracterı́stico do diodo de sua
própria junção, superposto a outro termo proporcional à corrente de diodo na
junção do coletor. Analogamente, a corrente no coletor é a soma de dois ter-
mos, um propocional ao do diodo do emissor e outro do pr´ oprio coletor. Essas
equações mostram que o transitor pode ser caracterizado por apenas quatro
parâmetros, relacionados entre si pela expressão (7.36). Esses parˆametros não
são em geral fornecidos pelo fabricante, porém podem ser facilmente medi-
dos no laborat´orio. Veja na Eq.(7 .30) que se a jun¸cão coletor-base for curto-
circuitada, isto é V CB = 0, a medida de I E e I C em função de V EB fornece I Es
e αN IEs respectivamente. Analogamente, fazendo VEB = 0 pode-se medir ICs
e αI ICs e completar a caracteriza¸cão do transistor descrito pelas Eqs.(7.30) e
(7.31).

As curvas caracter´ ısticas I -V do transistor nada mais s˜ao que a repre-


sentação gr´afica das equa¸cões de Eber s-Moll. Como nas equa¸cões h´a duas
tensões, VEB e VCB , e duas correntes, IE e IC , é preciso selecionar algumas
grandezas e exprimi-las em fun¸cão de outras. Multiplicando (7.30) por αN e
subtraindo de (7.31) vem
236 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

IC = α N IE − (1 − α N αI ) I Cs (e eVCB /kB T − 1) .
Analogamente, multiplicando (7.31) por α I e subtraindo de (7.30) obtemos
IE = α I IC + (1 −α N αI ) I Es (e eVEB /kB T − 1) .
Estas equações podem ser escritas na forma,

IE = α I IC + IE0 (eeVEB /kB T − 1) , (7.37)

IC = α N IE IC0 (eeVCB /kB T 1) , (7.38)


onde
− −
IE0 = (1 −α α )I
N I Es ,
IC0 = (1 − α α ) I
N I Cs ,

são, respectivamente, as correntes de satura¸cão do emissor com a jun¸ cão do


coletor aberto ( IC = 0) e do coletor com a jun¸ cão do emissor aberta ( IE = 0).
A Eq.(7.38) permite fazer o gr´ afico de IC em função de VCB tendo IE como

parâmetro. Para I E = 0, se V CB < 0, a curva I C VCB é igual à de uma jun¸cão
polarizada reversamente, como na Fig.6.7. Para p equenos valores de VCB a
corrente atinge a satura¸cão com valor IC 
IC0 . Se IE = 0, podemos fazer 
uma curva I C VCB para cada valor de I E , resultando no conjunto de curvas


mostrado na Fig.7.7(a) . Note que para IE = 0 e VCB < 0, parte dos buracos
injetados na base pela corrente do emissor atinge a jun¸ cão do coletor e produz
uma contribuição adicional `a corrente de saturação reversa, IC IC0 + αN IE . 
Por esta razão, as v´arias curvas da Fig.7.7(a) se assemelham a de uma jun¸ cão
polarizada reversamente, deslocada de α N IE . As curvas da Fig.7.7(a) são úteis
quando o transistor é usado na configuração de base comum da Fig.7.3. Neste
caso, se a corrente de base é nula, a corrente de coletor é muito pequena.
Isto pode ser entendido pelo fato de que sendo IC = IE , como a jun¸cão do
coletor está polarizada reversamente, ambas as correntes devem ser pequenas.
À medida que I B aumenta, a diferença entre IE e I C cresce e, mesmo estando
a junção do coletor com polariza¸ cão reversa, o mecanismo de inje¸cão faz IC
aumentar. As curvas da Fig.7.7(b) mostram claramente o controle da corrente
IC feito pela pequena corrente I B .
Quando o transistor é usado na configuração de emissor comum, é mais
importante trabalhar com as curvas IC VCE , tendo a corrente de base IB

como parâmetro. A Fig.7.7(b) mostra curvas tı́picas para o transistor p-n-p
na configuração de emissor comum. As diversas curvas I -V são caracter´ısticas
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 237

Figura 7.7: Curvas caracterı́sticas de transistor p-n-p: a) curvas com IE como parâmetro
usadas na configuração de base comum; b) curvas com parâmetro I B para configuração de
emissor comum.

de cada tipo do transistor e são fornecidas pelo fabricante. Na verdade elas


variam um pouco de uma medida para outra, mesmo sendo do mesmo tipo,
de modo que as curvas dos fabricantes representam dados médios. Como elas
também variam com a temperatura, é comum encontrar as curvas para alguns
valores de temperatura.
Para concluir esta seção observamos que num transistor n-p-n os sentidos
das correntes e das tens˜oes são opostos aos do transistor p-n-p. As equações
para o transistor n -p-n têm a mesma forma de (7.30)-(7.35), com as letras p e
n trocadas, uma vez que os papéis dos elétrons e dos buracos são trocados.

7.4 Aplicações de Transistores

Os transistores bipolares de junção têm inúmeras aplicações em circuitos


eletrônicos, sendo as mais comuns a amplificação e o chaveamento. A
Fig.7.8 mostra os sı́mbolos dos transistores n-p-n e p-n-p utilizados em cir-
cuitos, e uma vista externa tı́pica de um transistor de baixa potência encapsu-
lado. Nos sı́mbolos de circuito a única diferença entre os tipos n -p-n e p -n-p é
238 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 7.8: a) Sı́mbolos dos transistores n-p-n e p-n-p utilizados em circuitos. b) Vista
externa de transistor de baixa potência encapsulado.

a seta no terminal do emissor, indicando o sentido direto da corrente. No tran-


sistor encapsulado não existe qualquer diferença externa entre os dois tipos. É
preciso consultar os dados do fabricante para se saber qual o seu tipo.

Para operar em uma região conveniente de sua caracterı́stica I -V , o tran-


sistor precisa ter suas junções polarizadas adequadamente. A Fig.7.9(a) mostra
um transistor n-p-n na configura¸cão de emissor comum com um circuito sim-
ples de polarização. Note que as tens˜oes aplicadas `as junções do emissor e do
coletor têm os sentidos opostos aos do transistor p-n-p. Como a res posta do
transistor é altamente não linear, é preciso usar métodos gráficos para deter-
minar o chamado ponto de opera¸cão, cujas coordenadas s˜ao as correntes
e tensões no regime dc. Como a resistência da junção do emissor é muito
pequena, a corrente de base é simplesmente IB 
EB /RB . Para calcular a
corrente de coletor, utilizamos a curva correspondente ao valor calculado da
corrente I B nas caracter´ısticas I -V de emissor comum, como as da Fig.7.7(b).
A equação da malha do coletor é

EC = RC IC + VCE (IC , IB ) . (7.39)


Esta equação é representada no plano IC VCE por uma reta, chamada reta de
carga. Para determinar sua posi¸cão basta obter os pontos de interse¸cão com
os eixos I C e VCE . É fácil ver na Eq.(7.39) que eles são dados por IC = E C /RC
e VCE = E C , como mostrado na Fig.7.9(b). O ponto de interse¸ cão da reta de

carga com a curva I C VCE do transistor, o ponto P da Fig.7.9(a), é a solução
da Eq.(7.39) e portanto o ponto de opera¸ cão do circuito. Dependendo da
região na caracter´ ıstica I -V onde o ponto est´a situado, assim como da forma e
amplitude do sinal v s de entrada, o transistor pode exercer diferentes funções.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 239

Figura 7.9: a) Circuito amplificador simples com transistor n-p-n na configuração de emissor
comum. b) Ilustra¸cão do método gráfico para determinação do ponto de opera¸cão.

Para atuar como um bom amplificador é preciso que o ponto de


operação esteja na região ativa das curvas caracterı́sticas, mostrada na
Fig.7.7(b). Nesta região, uma variação IB na pequena corrente de base, pro-

duzida por um sinal ac aplicado ao circuito através do capacitor na Fig.7.9(a),
produz uma variação IC na corrente do coletor. Desde que a corrente de base

não se aproxime das regiões de saturação ou de corte, mostrad as na Fig.7.7(b),
a variação na corrente de coletor é proporcional a da corrente de base, estando
relacionadas pelo ganho de corrente, IE / IB    β . Vemos então que a
posição do ponto de opera¸cão é essencial para o bom funcionamento do tran-
sistor. Por esta razão, costuma-se utilizar um circuito de polariza¸cão mais
complexo que o da Fig.7.9, no qual uma malha de realimenta¸ cão serve para
estabilizar o ponto de opera¸cão.

Outra aplica¸cão importante de transistores é em circuitos de chavea-


mento. A Fig.7.10 mostra um desses circuitos com um transistor p-n-p na
configuração de emissor comum, com um esquema simples de polariza¸ cão. No
circuito de chaveamento o transistor é geralmente controlado para operar em
dois estados de condu¸cão, um estado on e outro off. No estado on ele deve
comportar-se como uma chave fechada, que deixa passar uma corrente, com
resistência muito baixa, enquanto no estado off ele se comporta como uma
chave aberta. Este controle é feito na corrente de coletor, por meio de uma
corrente de base muito menor. Os dois estados do transistor podem ser al-
cançados na configura¸cão de emissor comum, como pode ser visto nas curvas
da Fig.7.7(b). A reta de carga para o circuito da Fig.7.10 é obtida do mesmo
modo que na Fig.7.9. Entretanto, como n˜ao existe a bateria E B , a corrente de
240 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

base na ausência do sinal de entrada vs e´ nula. Nesta situação a corrente de


coletor é muito pequena e o transistor está cortado, ou no estado off . Quando
o sinal vs mostrado na Fig.7.10 é aplicado, o circuito opera com a corrente de
base variando entre dois valores, um que corta a corrente do coletor e outro que
leva o transistor `a saturação. A regi˜ao de corte, mostrada na Fig.7.7(b), é al-
cançada quando a corrente de base é nula ou negativa. Por outro lado, a região
de saturação é atingida quando a corrente de base é positiva e suficientemente
grande. Nesta situação a corrente de coletor é grande e o transistor est´a no
estado on. Desta forma, um sinal de pequena potência como vs controla o tran-

sistorchave
Esta fazendo-o
podeoperar como
controlar umauma chave de
corrente quecoletor
ora está aberta,
muito oraque
maior est´aa corrente
fechada.
de base, desempenhando um papel semelhante ao de um relé eletromecânico,
porém com inúmeras vantagens. Como o relé tem partes móveis e usa con-
tatos mecânicos, ele é muito mais lento e tem durabilidade muito menor que
o transistor.

Numa chave ideal a passagem do estado off para on, ou vice-versa, deve


ser feita instantaneamente. É evidente que isto n˜ao ocorre no transistor real.
Existe um tempo de transiente finito, devido ao fato de que na passagem do
estado de saturação para o estado de corte, ou vice-versa, o corre a remo¸cão ou
introdução de carga distribuı́da na base. Isto não pode ser feito instantanea-
mente, pois corresponderia a uma corrente infinita. Os tempos de decaimento e
de crescimento da carga na base são devidos essencialmente aos mesmos efeitos
mencionados no caso do diodo de jun¸cão.

O transistor de chaveamento é utilizado em inúmeras aplicações de cir-


cuitos digitais, uma vez que seus dois estados correspondem aos bits 0 e 1 do
sistema binário.

Figura 7.10: Circuito simples de chaveamento usando transistor p-n-p na configura¸cão de


emissor comum.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 241

7.5 Transistores de Efeito de Campo

Os transistores de efeito de campo, abreviadamente TEC ou FET (de Field


Effect Transistor), constituem uma famı́lia de transistores de grande im-
portância tecnológica. Do mesmo modo que os transistores bipolares, os FETs
são dispositivos de três terminais amplamente utilizados para amplificação
e chaveamento. Entretanto, do ponto de vista do circuito, h´a uma grande
diferença entre os dois tipos de transistores. Enquanto nos bipola res o sinal
de saı́da é controlado por uma corrente de entrada, nos FETs ele é controlado
por uma tensão de entrada .

Os mecanismos de opera¸cão dos transistores de efeito de campo s˜ao bas-


tante diferentes dos que ocorrem nos transistores bipolares, estudados na seção
anterior. Enquanto nos transistores bipolares o controle do sinal de saı́da é feito
através dos portadores minoritários em movimento de difusão na base, nos
FETs o controle é feito sobre os portadores majoritários em movimento de
deriva. Estes portadores movem-se de um terminal chamado fonte para outro
chamado dreno, através de uma região uniforme do semicondutor, o canal.
O controle do movimento dos portadores no canal é feito por um campo criado
pela tensão aplicada entre um terceiro terminal, chamado porta, e a fonte.
Esta é a razão do nome efeito de campo.

Há três tipos principais de transistores de efeito de campo: o de junção,


o de metal-semicondutor e o de porta isolada . No de jun¸cão, abreviado
por TECJ em português, ou JFET, em inglês, a tensão aplicada à porta varia
a espessura da regi˜ao de deple¸cão de uma jun¸cão p-n reversamente polari-
zada. No transistor de efeito de campo metal-semicondutor, abreviado por
TECMS, ou MESFET em inglês, a porta é formada por uma junção metal-
semicondutor. A operação do MESFET é muito semelhante a do JFET, porém
ele tem resposta mais r´apida, e por isto é muito empregado em aplicações de
altas freqüências.

Nos transistores de efeito de campo com porta isolada, como o nome


diz, o terminal met´alico da porta é isolado do semicondutor por uma camada
isolante. No caso mais comum este isolante é um óxido do pr´oprio semicon-
dutor, como o SiO 2 no caso do silı́cio. Neste caso o transistor é chamado
de metal-óxido-semicondutor, sendo abreviado por TEC-MOS ou MOSFET
(do inglês, Metal-Oxide-Semiconductor-FET). Ambos os tipos s˜ao caracteri-
zados por uma alta impedˆancia de entrada, uma vez que a tensão de controle
é aplicada à junção polarizada reversamente, ou através de um isolante. Os
242 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

MOSFETs têm enorme aplicação em circuitos digitais integrados e constituem


dispositivos fundamentais na tecnologia de computadores.

7.5.1 O Transistor de Efeito de Campo de Jun¸cão

No transistor de efeito de campo de junção, que ser´a referido aqui por sua
abreviatura em inglês, JFET, uma tensão variável aplicada `a porta controla
a se¸cão reta efetiva de um canal semicondutor, por onde fluem portadores
majoritários. A Fig.7.11(a) mostra um corte da pastilha de semicon dutor de+
um JFET de canal n, no qual aparecem as regi˜ oes tipo n do canal e tipo p
das portas, bem como os contatos met´alicos da fonte (F), porta (P) e dreno
(D). Note que há duas regiões p + das portas, uma superior e outra inferior, que
são interligadas eletricamente. Devido a sua simetria, a estrutura com duas
portas é mais simples de ser analisada. Entretanto, é comum também fabricar
o JFET com apenas uma porta . O JFET de cana l p é inteiramente análogo
ao de canal n , tendo as regi˜oes p e n trocadas em rela¸cão às da Fig.7.11(a).

Em comparação com a do transistor bipolar, a opera¸cão do JFET é


muito simpl es. Vamos considerar o caso de um JFET de canal n, mostrado
na Fig .7.11. A diferença de potencial VD entre dreno e fonte produz uma
corrente ID no canal, formada predominantemente por elétrons. Os elétrons
se movem por deriva da fonte para o dreno, enquanto o sentido convencional
da corrente é o oposto. O valor desta corrente é determinado pela tensão VD

Figura 7.11: Transistor de efeito de campo de jun¸cão de canal n: a) estrutura planar


mostrando as diversas regiões e os terminais da fonte (F), porta (P) e dreno (D); b) modelo
simétrico para a região do canal.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 243

e também pela resistência do canal, que por sua vez depende da concentra¸ cão
de impurezas, do comprimento e da ´area efetiva da se¸cão reta do canal. Esta
área pode ser controlada pelo tamanho das regi˜ oes de deple¸cão das jun¸cões
p+ -n entre as portas e o canal, uma vez que nestas n˜ ao existem elétrons de
condução. Como a espessura da regi˜ao de deple¸cão depende da tens˜ao reversa
na jun¸cão, a corrente de dreno ID varia com a tens˜ao VP entre a porta e a
fonte. Desta forma a varia¸cão da corrente I D é controlada pela tensão V P .

7.5.2 Caracterı́stica do Transistor JFET


Para calcular a caracterı́stica I -V do JFET, vamos considerar o modelo
simétrico mostrado na Fig.7.11(b) para a região do canal. O canal tem compri-
mento L, profundidade D (perpendicular ao plano da figura) e altura efetiva
h(x), uma vez que n˜ao há elétrons nas regiões de deple¸cão das duas jun¸cões

canal-porta. Esta altura efetiva é dada por h = 2(a ), sendo que a espes-
sura  da região de depleção depende da tens˜ao reversa na junção. Esta tens˜ao
varia com x pois a corrente ID do dreno para a fonte produz uma queda de
potencial ao longo do canal. Por conseguinte  e h também variam com x, de
modo que a ´area da se¸cão reta efeti va varia ao longo do canal. Isto faz com
que a resistência do canal não seja dada simplesmente pela express˜ao usual,
ρL/A. No entanto, a dependência da corrente I D com as tensões V D e VP pode
ser calculada a partir de conceitos e rela¸cões simples.

A densidade de corrente no canal, dada pelas Eqs.(5.45) e (5.48), pode


ser escrita na forma:
dφ(x)
J (x) = σ (x) = enµn (x) =
E E −enµ n , (7.40)
dx

onde φ (x) é o potencial elétrico no ponto de coordenada x do canal, em relação


à fonte ( x = 0). A intensidade de corrente ID no canal é dada pelo produto
de J pela área efetiva,
ID = 2[a − (x)] D J (x) , (7.41)

onde  (x) é a espessura das regiões de depleção das junções p + n na seção de



abcissa x . Considerando que em x a tensão reversa é V (x), supondo N a Nd
e potencial de contato desprezı́vel, (x) é dado por (Eq.(6.18) e Problema 6.4)
  1/2
2
(x)  e Nd
V (x) , (7.42)
244 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

onde a tensão reversa na jun¸cão V (x) é dada pela diferença de potencial entre
um ponto de abcissa x no canal e a porta, ou seja V (x) = φ (x) VP . Substi- −
tuindo (7.40) e (7.42) em (7.41), utilizando esta rela¸ cão para V (x) e fazendo
n Nd , obtemos:

  2
 1/2

ID  −2 eN µ D a −
d n
eNd
(φ −V P)
dx
.

Podemos agora separar as vari´aveis φ e x e fazer as integrais nos dois lados


entre x = 0 e x = L . Como o potencial nas extremidades do canal é φ (0) = 0
e φ(L) = VD temos,
 L
ID dx = −2eN µ D
  −
VD
a
2
(φ −V

1/2
dφ .
d n P)
0 0 eNd

A integral do lado esquerdo é trivial pois a intensidade de corrente ID não


varia com x . A integral em φ tamb´em é simples de ser efetuada, levando a:
    1/2

ID = − 2eN Lµ Dad n
VD − 23 2
eNd a2
(VD −V P)
3/2
− (−V P)
3/2
.
(7.43)

Esta expressão pode ser simplificada utilizando-se as seguintes considera¸ cões.


O fator multiplicativo que aparece `a esquerda do colchete é o inverso da re-
sistência do canal, sem as regiões de deple¸cão, que é chamada condutância,
1 σ 2 Da 2eNd µnDa
G0 = = = . (7.44)
R L L
Note que como V (x) aumenta com x, a altura efetiva do canal, h = 2(a ), −
diminui com x em virtude da Eq.(7.42), como mostrado na Fig.7.12. Existe
então um valor crı́tico de V (x) para o qual  = a , fazendo com que o canal seja
obstruı́do. Isto ocorre inicialmente no ponto x = L, no qual V e´ máximo. O
valor cr´ıtico de V , também chamado de constrição do canal, é dado por (7.42)
com  = a,
eNd a2
Vc = . (7.45)
2

Substituindo as definições (7.44) e (7.45) em (7.43), e observando que o


sinal negativo de (7.43) é devido ao fato de que a corrente tem o sentido x, −
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 245

Figura 7.12: Varia¸cão da altura efetiva do canal para dois valores de tens˜ ao de dreno. Para
VD = V c + VP o canal sofre uma constri¸cão em x = L.

obtemos a expressão final para o m´odulo da corrente em fun¸cão das tensões:


 VD 2
− 
VP 3/2
2
 VD −V P

3/2
|I | = G V
D 0 c
Vc
+
3 Vc
− 3 Vc
. (7.46)

É preciso observar que esta expressão só vale se o canal estiver aberto em todos
os pontos, ou seja se V (x) < Vc . Como a tens˜ao reversa máxima na jun¸cão é

V (L) = VD VP , (7.46) só é v´alida para
VD −V ≤ V P c . (7.47)

Para tensões de dreno maiores que o valor dado por (7.47), a corrente
atinge uma satura¸cão, com valor igual ao obtido de (7.46) com V D VP = Vc . −
Observe também que normalmente a porta opera com tensão nula ou negativa
em relação a fonte, de modo que em todas as express˜oes acima VP 0.

Exemplo 7.5: Considere um JFET de Si com Nd = 5 1015 cm−3 , Na = 1019 cm−3 , a = 1 µm,
×
L = 15 µm e D = 1 mm. Calcule os parˆametros G0 e Vc e fa¸ca as curvas ID VD para diversos −
valores de V P .

Como Na Nd , a espessura da regi˜ao de deple¸cão pode ser calculada por (7.42 ). Então,
usando os dados da Tabela 5.2 e os parˆ ametros do transistor em (7.44), vem,
−19

G0 =
2 e Nd µ n D a
=
2 × 1, 6 × 10 × 5 × 1015 × 106 × 1350 × 10 4 × 10 3 × 10
− − −6

L 15 × 10 6 −

G0 = 1, 44 10−2 Ω−1
×
Com (7.45) obtemos,
e Nd a 2 1, 6 × 10 19 × 5 × 1015 × 106 × 10
− −12

Vc = =
2 2 × 11, 8 × 8, 85 × 10 12 −

Vc = 3, 8 V
246 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Como estes valores de G 0 e V c na Eq.(7.46) obtemos numericamente as curvas mostradas na


Figura 7.13.

Para entender o comportamento das curvas I -V da Fig.7.13, tomemos


inicialmente VP = 0. Nesta situa¸cão a corrente dada por (7.46) é:

3/2
VD VD
|I | = G V
D 0 c
Vc
− 23 Vc
. (7.48)
  
Observe que para tens˜oes de dreno baixas, isto é, VD 
Vc , o primeiro termo
em (7.48) domina o segundo, sendo ID | |
G0 VD . Esta é a região linear
da curva caracterı́stica com VP = 0 na Fig.7.13. A presen¸ca do termo com
potência 3/2 e sinal negativo em (7.48), faz com que a taxa de crescimento de
ID diminua com o aumento de VD . Fazendo a derivada de ID em relação a
| | | |
VD vem,
d ID | |
= G0 1 (VD /Vc )1/2 V =0 .
dVD
− P
 (7.49)

Vemos então que ID atinge o máximo ( dID /dV = 0) exatamente em V D = V c


| |
(para V P = 0). Neste valor de tens˜ao a corrente atinge a saturação, dada por
(7.48) com V D = Vc ,

Figura 7.13: Caracterı́sticas I -V de um transistor de efeito de campo de jun¸ cão, obtidas da


Eq.(7.46) com V c = 3, 8 V e G 0 = 1, 44 102 .
×
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 247

IDsat = G 0 Vc /3 . (7.50)

Para VD > Vc a corrente mantém este valor, que corresponde à situa¸cão do


canal quase totalmente obstruı́do. Isto ocorre porque, se a corrente diminuisse,
a queda de tens˜ao no canal também diminuiria e ele seria desobstru´ ıdo. Este
delicado equilı́brio mantém a corrente constante para VD > Vc , com valor igual
ao de satura¸cão (7.50).

Para tensões de porta VP não nulas e negativas o comportamento das


curvas ID fundamentais
diferenças − VD e´ qualitativamente o mesmo
s˜ao que a corrente do descrito
de satura¸ cão epara VP crı́tico
o valor = 0. As de

saturação na tensão V D diminuem com o aumento de VP . A linha tracejada
na Fig.7.13 indica o lugar geométrico dos pontos de saturação para V P = 0. 
Observe que os valores de tens˜ao e corrente mostrados na Fig. 7.13 são
tı́picos de um JFET. O transistor trabalha com tensões de dreno e de porta
da ordem de alguns volts e corrente de dreno na faixa de mAmp. As curvas
caracterı́sticas do transistor de efeito de campo se assemelham as do transistor
bipolar mostradas na Fig.7.7(b). A diferen¸ca fundamental é que enquanto no
bipolar o parˆametro de controle é a corrente de base, no JFET o controle é
feito pela tensão da porta. Ent˜ao, como a tens˜ao de porta no JFET é aplicada
numa junção polarizada reversamente, a corrente de entrada é muito pequena
comparada com a corrente de base no transistor bipolar. Num JFET tı́pico a
corrente na porta é da ordem de 10−9 a 10−12 A. Como a tens˜ao aplicada a
porta é de alguns volts, a impedância de entrada excede 10 8 Ω.

Os transistores de efeito de campo de jun¸ cão s˜ao utilizados para am-


plificação ou chaveamento, em circuitos semelhantes aqueles das Figs. 7.9 e
7.10, em aplica¸cões que requerem alta impedˆancia de entrada. Os sı́mbolos de

Figura 7.14: Sı́mbolos de circuito dos transistores de efeito de campo (JFET) de canal n e
de canal p.
248 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

circuito dos JFET de canal n e de canal p estão mostrados na Fig.7.14.

7.5.3 O Transistor de Efeito de Campo Metal-Semicondutor

O princı́pio de funcionamento do transistor de efeito de campo metal-


semicondutor, que passaremos a chamar de MESFET ( Metal Semiconductor
Field Effect Transistor), é basicamente o mesmo do JFET. Ele tem três ter-

minais,
fonte parafonte, porta através
o dreno e dreno.de Os
ump canal
ortadores de carga majorit´
semicondutor, tipo narios fluem
ou tipo p. daO
controle da corrente é feito p or meio de uma tensão aplicada `a porta, que
controla a espessura do canal e portanto sua resistência. A diferença para o
JFET é que no MESFET o terminal metálico da porta est´a em contato direto
com o semicondutor do canal, formando uma jun¸ cão Schottky, em vez de uma
junção p-n. Como na barreira de potencial Schottky n˜ao há participação de
portadores minoritários, a resposta na varia¸cão de espessura do canal devido
à variação na tensão da porta, é mais rápida do que nas jun¸cões p -n. Por isso,
o MESFET é utilizado em aplicações de altas freq¨uências. Como o GaAs tem
maior mobilidade de elétrons do que Si, ele é o semicondutor mais utilizado
na fabricação de MESFETs.

A Figura 7.15 mostra duas estruturas comuns de MESFET. Em ambas


o substrato é uma pastilha de alta resistividade, feita com GaAs o mais puro
possı́vel ou com pequena dopagem com Cr. Como o gap de GaAs é grande,

Figura 7.15: Estruturas de MESFET: a) Estrutura simples, com terminais met´alicos da


fonte, porta e dreno, depositados diretamente sobre a camada epitaxial que forma o canal;
b) Estrutura na qual as regi˜oes da fonte, canal e dreno s˜ao formadas por implantação iônica
de impurezas tipo n.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 249

o nı́vel de Fermi no meio do gap que ocorre no semicondutor intrı́nseco ou


com dopagem de Cr, resulta em resistividades da ordem de 10 8 Ωcm. Como
este valor de resistividade torna o material quase isolante, ele é chamado de
semi-isolante. O canal é formado por uma camad a de GaAs dopado, com
espessura da ordem de 0,1 µm. Como a mobibilidade de elétrons em GaAs
é 22 vezes maior que a de buracos (veja Tabela 5.2), utiliza-se dopagem com
impurezas doadoras para formar um canal n nos MESFETs para aplica¸cões
em altas freqüências. Concentrações de impurezas do grupo VI, como Se, da
ordem de 10 17 cm−3 , resultam em condutividades adequadas ao canal n, no

qual os elétrons
através fluemsucessivos
de processos da fonte para o dreno. A estrutura dos contatos é feita
de fotolitografia.

A estrutura mostrada na Figura 7.15(a) é bastante simples, formada ape-


nas por uma fina camada de n -GaAs crescido epitaxialmente sobre o substrato
e três contatos metálicos. O contato da porta é feito de A ou ligas de Ti, W
ou Au, que s˜ao adequados para formar uma barreira Sc hottky em GaAs. Os
contatos da fonte e do dreno devem ser ˆohmicos, por isso s˜ao feitos com outro
metal, em geral uma lig a de Ge e Au. Como a fabrica¸cão desta estrutura
não requer o uso de processos de difus˜ ao, ela pode ser feita com dimens˜ oes
pequenas e muito precisas. Pode-se então fazer canais de comprimentos in-
feriores a 1 µm, o que possibilita minimizar o tempo de deslocamento dos
elétrons e a capacitância da porta, requisitos importantes para aplica¸ cões em
altas freqüências. Na estrutura da Figura 7.15(b), os contatos ˆohmicos da
fonte e do dreno s˜ao feitos por meio de duas regi˜oes n + com concentrações de
impurezas da ordem de 10 18 cm−3 . Devido aos requ isitos de precisão e boa
definição das fronteiras entre as diversas regi˜oes, as dopagens que formam a
fonte, o canal e o dreno s˜ ao feitas por meio de implanta¸cão iônica. Este tipo
de estrutura faz com que haja um ´otimo isolamento elétrico entre transistores
vizinhos, fabricados numa mesma pastilha para formar um circuito integrado,
por conta da natureza semi-isolante do substrato. Este n˜ao é o caso da es-
trutura da Figura 7.15(a), pois a camada epitaxial tipo n sobre o substrato
estabelece um contato direto entre transistores vizinhos. Para isolar o transis-
tor de elementos vizinhos, ele é circundado por uma vala com cerca de 0,2 µ m
de profundidade, que atinge o substrato semi-isolante. A vala é produzida por
um processo de corrosão numa linha definida por meio de fotolitografia.

Como mencionado no inı́cio da seção, o funcionamento do MESFET é


basicamente o mesmo do JFET. A junç˜ ao Schottky formada entre o terminal da
porta e o canal n é polarizada inversamente, o que faz com que a impedância de
entrada do transistor seja muito alta. A tens˜ao aplicada entre porta e a fonte
determina a espessura da regi˜ao de deple¸cão, que é dada aproximadamente
250 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

pela mesma express˜ao (7.42) v´alida para o JFET. Como o potencial varia ao
longo do canal, a espessura da regi˜ao de depleção também varia, formando a
região triangular indicada pela ´area branca nas estruturas da Figura 7.15. O
cálculo da corrente no canal é feito exatamente como para o JFET, de modo
que a rela¸cão entre a corrente do dreno ID e as tens˜oes VP e VD da porta
e do dreno, é dada pela Equação (7.46). Assim, as curvas caracterı́sticas do
MESFET têm a mesma forma das curvas do JFET, mostradas na Figura 7.13.

Os MESFETs de GaAs podem ser fabricados em circuitos integrados


para processar sinais anal´ogicos ou digitais em altas freq¨uências, alcançando
a faixa de microondas. Atualmente eles têm grande aplicação em telefonia
móvel, empregando freqüências de alguns GHz. Os MESFETs são usados para
fazer osciladores e amplificadores de micro-ondas, que constituem elementos
fundamentais dos circuitos dos telefones celulares e telefones sem fio de alta
freqüência.

A necessidade de aumentar a freq¨uência de geração e a banda de pas-


sagem nos sistemas de comunicações tem estimulado o desenvolvimento de no-
vas estruturas de MESFET. A opera¸cão em freq¨uências mais elevadas requer
a diminuição do tempo de trˆansito dos elétrons e portanto menores dimensões
fı́sicas do canal. Para manter a condutância do canal é preciso então aumen-
tar sua condutividade. Isto pode ser feito até certo ponto com o aumento
da concentração de impurezas no canal. Entretanto, concentrações excessivas
aumentam o espalhamento dos elétrons e comprometem a mobilidade. Uma
forma engenhosa para aumentar a concentra¸cão de elétrons sem aumentar a
concentração de impurezas doadoras ´e fazer o canal com duas camadas, uma
de n -(GaA)As e outra de GaAs puro, esta crescida diretamente sobre o subs-
trato. Isto resulta em uma heterojun¸cão com estrutura de bandas semelhante
à da Figura 6.11. A composi¸cão da liga de n-(GaA)As é feita de tal modo que
o nı́vel de Fermi está acima do mı́nimo do poço formado na descontinuidade
da banda de condu¸cão (na Fig.6.11 ele est´a um pouco abaixo). O resultado
é que uma parte dos elétrons da camada de n-(GaA)As salta para a camada
de GaAs, ficando aprisionados na interface. Energeticamente o que o corre é
que os elétrons ocupam os estados de energia abaixo do nı́vel de Fermi, ficando
aprisionados no po¸co de potencial. Como a camada de GaAs ´e pura, o espa-
lhamento dos elétrons é pequeno, resultando num canal de alta mobilidade.
O transistor MESFET feito com esta estrutura é chamado de HEMT ( High
Electron Mobility Transistor). Ele é muito empregado em telefonia m´ovel
utilizando a faixa de microondas, podendo alcan¸ car freqüências em torno de
10 GHz.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 251

7.6 O Transistor MOSFET

Um outro tipo de transistor de efeito de campo, de importˆ ancia tecnológica


muito maior que o de junção, é o de porta isolada. Neste transistor o controle
da corrente no canal é feito p or meio do campo num capacitor, formado pelo
contato metálico da porta e pelo semicondutor do canal, separados por uma
camada de isolante. No caso mais comum o isolante é o óxido de sil´ıcio, SiO2 ,
o que dá o nome em inglês Metal-Oxide-Semiconductor FET. Vamos aqui nos
referir a este tipo de transistor por sua sigla em inglês, MOSFET.

A Fig.7.16 mostra a estrutura planar de um MOSFET de canal n . Ele é


formado por duas regi˜oes tipo n + difundidas (ou implantadas) num substrato
tipo p , sendo uma para a fonte (F) e outra para o dreno (D). A fonte e o dreno
são ligados ao circuito através de contatos de alumı́nio. O canal de condução
entre a fonte e o dreno é induzido no substrato por uma tens˜
ao aplicada à porta,
cujo contato é isolado do semicondutor por uma camada de óxido, através do
fenômeno de inversão que será explicado mais tarde.

Se uma tensão for aplicada entre dreno e fonte, em qualquer sentido, uma
das duas jun¸cões p-n estará polarizada diretamente, enquanto a outra ficar´ a
polarizada reversamente. Neste caso, se não houver tensão na porta n˜ao haverá
canal e, portanto, a corrente entre fonte e dreno será desprezı́vel devido à pre-
sença da junção reversa. Quando uma tens˜ao positiva é aplicada à porta, uma
camada de cargas negativas é induzida no semicondutor, em frente ao contato
metálico da porta. Esta camada de cargas proporciona um canal de condu¸ cão
entre fonte e dreno, resultando numa corrente que varia com a amplitude da
tensão da porta. Para compreender o mecanismo de aparecimento do canal
de condução é necessário analisar o comportamento das cargas no capacitor
formado pelo conjunto metal-óxido-semicondutor, chamado capacitor MOS,
o que faremos a seguir.

Figura 7.16: Estrutura planar de MOSFET de canal n.


252 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

7.6.1 O Capacitor MOS

A Fig.7.17 mostra os diagramas de energia nas três regiões de um capacitor


MOS com semicondutor tipo p , para diversos valores da diferença de potencial
V aplicada entre o metal e o semicondutor. Em (a) vemos a situa¸cão de
equil´ıbrio com V = 0, na qual os nı́veis de Fermi do metal e do semicondutor
são iguais. Na figura est˜ao mostradas as fun¸cões trabalho eφ m e eφ s do metal e
do semicondutor. Estando o metal e o semicondutor em contato com o isolante,
eφm e eφs são definidas em rela¸cão ao nı́vel da banda de condução do ´oxido
e não ao nı́vel do vácuo, como foi feito no caso da Fig.6. 8. Por esta raz˜ao,
essas grandezas também são chamadas fun¸cões trabalho modificadas para a
interface metal-óxido. Para simplificar a an´alise do efeito da tens˜ao aplicada,

Figura 7.17: Diagramas de energia no capacitor MOS para diversos valores da diferen¸ ca de
potencial V aplicada entre o metal e o semicondutor (tipo p).
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 253

consideramos na Fig.7.17 que φm = φs . No caso geral, o efeito de φm = φs 


pode ser facilmente incorporado ao resultado final.

Na Fig.7.17(b) vemos o efeito de uma tensão V < 0 aplicada entre o metal


e o semicondutor. Neste caso aparecem cargas negativas no metal e cargas po-
sitivas no semicondutor, como num capacitor comum. Estas cargas criam um
E
campo elétrico no sentido do semicondutor para o metal. Como no semicon-
dutor tipo p os portadores majorit´arios são buracos, o aparecimento de cargas
positivas corresponde à acumulação de buracos na interface semicondutor-
óxido. Esta acumulação de buracos é consistente com o comportamento das
energias, como veremos a seguir. Quando a tens˜ao é aplicada entre metal e
semicondutor, as energias dos elétrons no metal variam de eV em relaç˜ao

aos seus valores de equilı́brio. Portanto, sendo V < 0 as energias no metal
| |
sofrem um acréscimo de e V . Em conseqüência, a banda de condução do
óxido fica inclinada e o nı́vel de Fermi no metal EF m fica acima do nı́vel EF s
− | |
no semicondutor, sendo a diferen¸ca entre eles E F m EF s = e V . Isto resulta
numa curvatura para cima das energias da banda de valência E v , da banda de
condução Ec e do nı́vel de Fermi intrı́nseco Ei nas proximidades da interface,
como mostra a Fig.7.17(b). Por outro lado, como a camada de óxido é isolante,
a aplicação de uma tens˜ao externa não resulta em corrente no semicondutor.
Em conseqüência, o nı́vel de Fermi EF s não varia ao longo do semicondutor,
como ocorre nas jun¸cões p-n e metal-semicondutor. Desta forma, a energia
Ei se afasta do nı́vel EF s na interface. Sendo a concentração de buracos dada
pela Eq.(5.32),
p = n i e (Ei −EF s)/kB T , (7.51)


vemos que p cresce exponencialmente com a diferen¸ca Ei FF s . Assim, a
variação das energias mostradas na Fig.7.17(b) é consistente com a acumula¸
cão
de buracos no semicondutor na interface com o ´ oxido.

O comportamento das energias no caso de tens˜ oes positivas do metal


em relação ao semicondutor est´a ilustrado nas Figur as 7.17(c) e (d). Sendo
− eV < 0, as energias dos elétrons no metal decrescem em relação aos valores
de equilı́brio, de modo que as curvaturas de Ec , Ev e Ei próximo da interface
são opostas as do diag rama em (b). Neste caso Ei se aproxima de EF s na
interface, de modo que, pela Eq.(7.51), a concentração de buracos diminui nas
proximidades do óxido. Se V é menor que um certo valor crı́tico Vc , E i EF s

diminui em rela¸cão ao equilı́brio porém é ainda positivo em todos os pontos,
como no diagrama em (c). Neste caso a concentração p na interface é menor
que o valor de equilı́brio, o que deixa uma fração das impurezas aceitadoras
não compensadas. Portanto o semicondutor fica carregado negativamente en-
254 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

quanto o metal fica carregado positivamente, como esperado para V > 0. A


ausência de buracos nas proximidades da interface é um fenômeno análogo ao
que ocorre na regi˜ao de carga espacial, ou de deple¸cão, de uma jun¸cão p -n.

Se a tensão V ultrapassa um certo valor crı́tico V c , a energia E i na inter-


face cai abaixo do nı́vel E F s , como mostrado na Fig.7.17(d). Neste caso, como
se vê na Eq.(7.51), p < ni . Sendo p n = n2i (Eq.(5.30), vemos que n > ni , e por
conseguinte os elétrons passam a ser os portadores majoritários. Este é um
caso muito interessante no qual o semicondutor tipo p passa a comportar-se
como tipo n por ação de uma tensão aplicada e não por causa de uma dopagem.
Este fenômeno, chamado inversão constitui a chave para o aparecimento do
canal n no semicondutor tipo p do transistor MOSFET.

Para calcular a tens˜ao aplicada ao transistor MOSFET acima da qual


uma camada de inversão é produzida no semicondutor, é necessário em
primeiro lugar entender como se comporta a queda de potencial no ´ oxido e no
semicondutor. Para isto vamos, inicialmente, considerar um capacitor MOS
ideal no qual n˜ao há cargas de superfı́cie e as funções trabalho do metal e do
semicondutor são iguais, φ m = φ s . Posteriormente generalizaremos o resultado
para superf´ıcies reais.

Se uma tens˜ao V é aplicada entre o metal e o semicondutor, parte da


queda de potencial ocorre no isolante (Vi ) e parte ocorre no semicondutor (Vs ),
de modo que
V = V i + Vs . (7.52)

Esta tensão produz cargas Qm na superfı́cie do metal e Qs no semicondutor,


sendo Qm = Qs = Q, como num capacitor. Se V > 0, evidentemente teremos

Q > 0. A queda de potencial no isolante é relacionada com a carga através da
capacitância obtida como se ele estivesse entre duas placas met´ alicas,
Q
Vi = , (7.53)
Ci

sendo C i =  i A/d, onde  i é a permissividade do isolante, d sua espessura e A


a área. Para relacionar a queda de potencial no semicondutor com a carga, é
preciso resolver o problema da carga distribuı́da. Como o problema completo é
muito difı́cil, vamos usar uma aproximação para a distribui¸cão de carga, como
foi feito para a jun¸cão p-n na Se¸cão 6.1.3. Ela consiste em supor que toda a
carga no semicondutor est´a contida numa camada de espessura , com uma
densidade uniforme, como ilustrado na Fig.7.18. Na aproxima¸ cão de depleção
total consideramos que todas impurezas aceitadoras na camada de espessura 
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 255

estão ionizadas, de modo que a carga no semicondutor é Qs = Q = eNa A. − −


Nesta situação, a equação da lei de Gauss pode ser facilmente integrada para se
obter o campo elétrico e a partir dele a variação do potencial. A rela¸cão entre
a espessura da regi˜ao de depleção e a queda de potencial Vs no semicondutor
é igual a Eq.(6.18) com V 0 substitu´ıdo por V s e sem o termo em Nd ,
  1/2
2 s V s
= , (7.54)
eNa

onde s é a permissividade do semicondutor. Observe que este resultado foi


obtido na suposi¸cão de que a tens˜ao V aplicada é suficiente para produzir
depleção total na camada de espessura , mas sem invers˜ao. As Eqs.(7.52)-
(7.54) permitem calcular  em fun¸cão de V , desde que V seja menor que o
valor cr´ıtico V c para produzir inversão. Usando (7.54) e Q = eN a A em (7.53)
e substituindo Vs e V i em (7.52), obtemos
eNa d eN a 2
V = +  . (7.55)
i 2s

Este resultado mostra que a espessura da camada de deple¸ cão  cresce com

Figura 7.18: Distribuição de carga num capacitor MOS ideal com semicondutor tipo p (canal
n), na aproximação de depleção. A linha tracejada indica a carga criada pela inversão quando
V > V c.
256 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

o aumento da tens˜ao V no capacitor. Na verdade isto s´o ocorre enquanto V


for menor que Vc . Quando V atinge Vc , a inversão produz uma camada fina
de carga na interface com o ´oxido, mostrada na Fig.7.18 pela linha tracejada.
Qualquer aumento adicional de V acima deste valor resulta em crescimento da
carga de inversão e não em aumento da camada de depleção. A partir de (7.55)
podemos obter a capacitˆancia total do capacitor MOS. Colocando a carga
Q = eNa A em evidência naquela equação e usando a defini¸cão C = dQ/dV
vem:
A
C= . (7.56)
d/ + /
i s

Esta expressão também pode ser obtida pela associação em série dos capaci-
tores formados pelo isolante ( Ci ) e p elo semicondutor. Como a espessura 
aumenta com V , a capacitˆancia C diminui com o aumento de V na regi˜ao
0 V
≤ ≤ Vc . Para V ≥ Vc o valor de C estabiliza em C min , como mostrado na
Fig.7.19. Com tens˜oes negativas há uma acumula¸cão de buracos na superfı́cie
do semicondutor, de modo que  = 0 e C é devido ao capacitor formado
apenas pelo ´oxido dielétrico, C = Ci . Observe que quando a medida da ca-
pacitância é feita com freqüência muito baixa, tipicamente menor que 100 Hz,
a capacitância tende a aproximar-se do valor Ci , como mostrado pelas linhas
tracejadas da Fig.7.19 . O mecanismo responsável por este efeito é a geração
de portadores na regi˜ao de carga espacial. Quando a varia¸cão da tens˜ao é
muito lenta, a criação de pares elétron-buraco nesta região mascara a varia¸cão
da capacitância. Os buracos tendem a neutralizar as impurezas aceitadoras,

Figura 7.19: Variação da capacitância com a tens˜ao em capacitor MOS de canal n ideal. As
curvas tracejadas para V > V c são os resultados obtidos quando a medida de C é feita com
freqüências muito baixas (tipicamente menores que 100 Hz).
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 257

eliminando a regi˜ao de deple¸cão, enquanto os elétrons vão para a interface


semicondutor-óxido. Em conseqüência  →
0 e a capacitˆancia tende para o
valor C i .

7.6.2 A Tensão Crı́tica de Inversão

Para compreender o mecanismo de invers˜ao e o aparecimento do canal n no


semicondutor tipo p, vamos analisar em detalhe o diagrama de energia do
semicondutor quando a tens˜ao aplicada ao capacitor MOS é positiva. Como
mostrado na Fig.7.20, as bandas de condu¸cão e de valência, bem como o nı́vel
de Fermi intrı́nseco Ei , curvam para baixo nas proximidades da interface.
Sendo a energia do elétron relacionada ao potencial elétrico φ por E = eφ, −
o desvio da banda de condu¸ cão de seu valor de equilı́brio Ec é eφ. Como a
curvatura de E i acompanha a de Ec , o desvio de Ei em cada ponto y também é
eφ, o que pode ser visto na Fig.7.20. Vemos ent˜ao que a queda de potencial V s
no semicondutor, estabelecida pela tens˜ao aplicada V , corresponde ao desvio
de Ei na interface com o semicondutor, isto é, em y = 0. Vemos também na
Fig.7.20 que se Vs > φF , há uma pequena faixa de y em que Ei < EF s , onde
portanto a concentração de elétrons é maior que a de buracos. Entretanto não
basta ter Ei < EF s para haver um canal de condu¸cão significativo. O critério
utilizado para definir a condição de forte inversão é que a concentração n de
elétrons na superf´ıcie seja, no mı́nimo, t˜
ao grande quanto a concentra¸cão de

Figura 7.20: Diagrama de energia no semicondutor p próximo da interface do ´oxido em


capacitor MOS com tensão V > V c .
258 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

buracos no substrato, p  N . Pela Eq.(7.51) vemos que esta condi¸cão é


a

Na = ni e eφF /kB T , (7.57)

onde eφF é a diferença entre os nı́veis de Fermi Ei e EF s longe da interface.


Como n = n 2i /p, vemos na Fig.7.20 que para termos n = N a em y = 0 é preciso
que Vs = 2φF . Utilizando (7.57) podemos escrever a condição para a existência
de uma camada de inversão no semicondutor,
kB T Na
Vs V I = 2φF = 2 n . (7.58)
≥ s e ni
Substituindo este resultado em (7.54) obtemos a máxima espessura da camada
de depleção, que é atingida na condição de inversão,
   1/2  1/2
4 s φ F 4s kB T n(Na /ni )
max = = . (7.59)
eNa e2 Na

Esta é a situação na qual a carga na regi˜ao de depleção é m´


axima, sendo
seu módulo dado por
Qd = eN a maxA = 2(s eNa φF )1/2 A . (7.60)

Substituindo (7.53) e (7.58) em (7.52) obtemos a tens˜ ao crı́tica no capacitor


MOS para a cria¸cão da camada de invers˜ao,
Q
Vc = Cdi + 2φF , (7.61)

onde Qd é dado p or (7.60). Este resultado s´o vale para um capacitor MOS
ideal. Num capacitor real há dois efeitos que devem ser considerados no cálculo
de V c : as fun¸cões trabalho φ m e φs em geral s˜ao diferentes; existem cargas no
interior do ´oxido e na superfı́cie da interface semicondutor-óxido.

As fun¸cões trabalho modificadas para a interface metal-SiO 2 de alguns


metais utilizados em contatos metálicos estão apresentadas na Tabela 7.1. No
caso dos semicondutores, a função trabalho depende também da concentra¸ cão
de impurezas, porque varia com a posi¸cão no nı́vel de Fermi EF s . A Figura
7.21 mostra a diferença das funções trabalho modificadas, φ ms = φ m φs , para −
A com Si tipo p e tipo n, em fun¸cão da concentra¸cão de impur ezas. Como
se vê, neste caso φms é negativo independentemente do tipo de impureza. É
fácil ver que se φm < φs , o diagrama de energia em equilı́brio ( V = 0) é
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 259

Figura 7.21: Variação da diferen¸ca das fun¸cões trabalho φ m = φ m −φs na interface A -Si
em função da concentra¸cão de impurezas [Sze].

semelhante aquele da Fig.7.17(c), válido para φ m = φ s e V > 0. Isto significa


que, mesmo em equilı́brio, o metal fica carregado positivamente enquanto o
semicondutor fica com cargas negativ as. Assim, para tornar as bandas retas
como na Fig.7.17(a), seria preciso aplicar uma tensão negativa para compensar
a diferença das funções trabalho, com valor precisamente igual a φ ms .

Outro efeito importante nos capacitores MOS é a presença de cargas no


isolante e na interface semicondutor-óxido. As cargas no interior do isolante re-
sultam de contaminação no processo de fabricação, como ocorre freqüentemente
com ı́ons de Na+ . Essas cargas positivas criam um campo elétrico que altera a
distribuição de potencial no capacitor. As cargas na interface Si-SiO2 resultam
da existência de estados superficiais criados pela interrup¸cão da rede cristalina
na superfı́cie. No processo de oxidação do Si para a fabrica¸ cão da camada
de SiO 2 , átomos de Si s˜ao removidos da superf´ıcie e reagem com o oxigênio.
Quando o processo é interrompido, alguns ı́ons de Si permanecem próximos da
interface, formando uma camada superficial de cargas. O conjunto das cargas

Metal A  A
g Au Cu

(eV)
eφm 4,1 5,1 5,0 4,7

Tabela 7.1: Funções trabalho de metais modificadas para o isolante SiO 2 [Sze].
260 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

no óxido e na interface pode ser representado por uma carga efetiva Q ox . Essa
carga produz uma diferença de potencial adicional no capacitor V ox = Qox /Ci ,
onde Ci é a capacitância do isolante.

A tensão cr´
ıtica calculada anteriormente é v´alida para a situação na qual,
com V = 0, as bandas do semicondutor têm curvatura nula. Como a diferença
das fun¸cões trabalho φms e a presença da carga Qox resultam numa tens˜ao
efetiva positiva V ox φms , a tensão externa que deve ser aplicada ao capacitor

para produzir inversão é menor do que V c obtido para o caso ideal, Eq.(7.61).
Assim, o valor da tens˜ao cr´ ıtica no caso geral é
Qd Q ox
Vc =
Ci
+ 2φF + φms
Ci
. − (7.62)

Este resultado mostra que para obter uma tens˜ao crı́tica pequena é
necessário fazer a capacitância Ci maior possı́vel. Isto requer uma espessura
do óxido isolante muito pequena, em geral da ordem de 0 , 1 µ m.

Exemplo 7.6: Calcule a tensão crı́tica de inversão Vc para um MOSFET de A -SiO2 -pSi com
d = 0, 1 µm, N a = 1015 cm−3 , com carga no ´oxido por unidade de área Qox /A = 8 10−8 C/cm2 , ×
sabendo que a constante dielétrica do óxido é 3,9.

Usando o valor de n i da Tabela 5.2 para Si obtemos, com (7.58),


15
kB T Na
2φF = 2
e
n
ni
=2 × 0, 025 × n 1, 510× 1010 = 0, 56 V .

Usando (7.60) calculamos a carga por unidade de ´ area,


Qd
A
=2 × 11, 8 8, 85 10−12 1, 6 10−19 1015
× × × × × × 106 × 0, 28 1/2
−4
= 1, 37 × 10 C/m2 .

A capacitância por unidade de ´ area é determinada pela espessura do óxido e por sua constante
dielétrica. Para SiO2 i = 3, 90 , logo
−12
Ci i 3, 9 × 8, 85 × 10
= =
A d 10−7
−4
 3, 45 × 10 F/m2 .

Usando o valor φms = −0, 9 V da Fig.7.21 e substituindo os dados e parˆ ametros calculados em
(7.62) vem,
−4
1, 37 × 10 10 8 × 104

Vc =
3, 45 × 10 −4
− 0, 9 − 8 3,×45
+ 0, 56
× 10 4 −

= 0, 4 + 0, 56 − 0, 9 − 2, 3 = −2, 24 V .
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 261

Note que a inversão ocorre em baixos valores de tensão, que podem ser fornecidos p or peque-
nas baterias. Este fato é importante pois ele possibilita a operação de circuitos l´ogicos alimentados
por baterias em equipamentos port´ateis.

7.6.3 A Caracterı́stica I -V do Transistor MOSFET

Estamos agora em condições de entender o mecanismo de operação de um tran-


sistor MOSFET com a estrutura da Fig.7.16, assim como calcular a corrente de
dreno ID em função das tensões de dreno V D e de porta V P . Se uma diferen¸ca
de potencial VD positiva for aplicada entre dreno e fonte, a jun¸ cão p-n entre
substrato e dreno estará polarizada reversamente. Portanto só haverá corrente
do dreno para a fonte (elétrons vão da fonte para o dreno) se houver uma
camada de inversão em toda extens˜ao da interface semicondutor-´oxido. Esta
camada pode ser induzida por uma tens˜ao VP entre porta e fonte, maior que
um certo valor crı́tico VP c . Este valor é diferente de Vc da Eq.(7.62), porque
a tensão de dreno eleva o potencial do semicondutor em rela¸ cão ao metal da
porta. Devido `a presença da corrente ID , o potencial do semicondutor aumenta
gradualmente da fonte para o dreno.

Isto resulta numa variação da tensão crı́tica ao longo do capacitor e, por


conseguinte, numa diminuição gradual da espessura da camada de invers˜ ao
da fonte para o dreno, como ilustrad o na Fig.7.16. Assim, a tens˜ao de porta
m´ınima VP c para que haja um canal de condu¸ cão em toda extens˜ao do semi-
condutor é determinada pelo valor da tensão crı́tica na extremidade do dreno,

VP c = V c + VD . (7.63)

Para calcular a corrente I D criada pela tensão V D é preciso, inicialmente,


determinar a carga na camada de invers˜ ao. Para isto vamos considerar o
modelo da Fig.7.22 para a variação da camada entre fonte e dreno. O capacitor
MOS é dividido em capacitores elementares de largura dx, cujas ´areas s˜ao
dA = Ddx, sendo D a profundidade na dire¸cão perpendicular ao plano do
papel. Pela Eq.(7.53), a carga elementar em cada capacitor é dQ = V i (x) dC i ,
onde dC i = C i dx/L e Vi (x) é a queda de tensão no isolante no ponto de abcissa
x. Vi (x) é determinada pela tensão de porta V P , a tens˜ao efetiva V ox φms , a −
queda de potencial V s no semicondutor e a diferença de potencial φ (x) entre o
ponto x e a fonte ( x = 0). Na condi¸cão de inversão no ponto x , Vs = 2φF , de
262 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 7.22: Modelo para a varia¸cão da camada de invers˜ ao em transistor MOSFET de


canal n.

modo que a carga elementar no capacitor em dx é,


Ci
dQ = [VP + (Vox φms 2φF ) φ(x)] dx
− − − .
L

Note que na condi¸cão de inversão esta carga é igual àquela existente na região
de depleção, cujo valor na faixa dx é dQd = Q d dx/L. Qualquer acréscimo da
tensão resulta no aparecimento de uma carga negativa na camada de inversão,
cujo módulo é dQn = dQ dQd , uma vez que a carga na regi˜ ao de depleção

não aumenta além do valor dado por (7.60). Temos então
Ci Qd
dQn = [V + (Vox φms 2φF ) φ(x)] dx
− − − − dx .
L P L

Utilizando a Eq.(7.62) nesse resultado, podemos escrever


Ci
dQn =
L
− −
[VP Vc φ(x)] dx . (7.64)

Sob a a¸cão de uma tensão V D positiva, esta carga (negativa) move-se no


sentido fonte-dreno, produzindo uma corrente I D no sentido x. Sendo h a al-


tura do canal no ponto x, a densidade volumétrica de carga éρ = dQn /Dhdx.
A densidade de corrente que ela produz é J = ρµn , onde µn é a mobilidade
E
das cargas no canal e E −
= dφ/dx é o campo elétrico. A corrente de dreno é
então,
dQn dφ
ID = J D h = µ n . (7.65)
dx dx
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 263

Substituindo (7.64) em (7.65) e passando dx para o lado esquerdo, podemos


integrar os dois lados separadamente,
L VD
µn C i
 ID dx =
 (VP − V − φ)dφ .
c
0 L 0

Como ID não varia com x, a integral do lado esquerdo é simplesmente ID L.


Efetuando a integral do lado direito e utilizando a defini¸ cão de VP c em (7.63)
obtemos finalmente,
µn C i
ID =

(VP − V )V − 12 V
c D
2
D
 . (7.66)
L2

Note que µn é a mobilidade dos elétrons próximos da superf´ıcie, que em geral


é menor que o valor no interior do substrato tipo p. Na Eq.(7.66) é comum
utilizar a capacitˆancia por unidade de ´ area, ci = Ci /DL, no lugar de Ci .
Esta equação descreve bastante bem o comportamento da corrente de dreno,
principalmente para baixos valores de V D . Na verdade este resultado é apenas
aproximado porque desprezamos a variação de Q d com x . A Eq.(7.66) mostra
que para pequenos valores de VD , a corrente ID cresce linearmente com VD ,
desde que VP > Vc . Para valores maiores de V D , o termo em V D2 faz a taxa de
crescimento de ID diminuir. Observe que a derivada
dID µn C i
= (VP −V −Vc D) (7.67)
dVD L2

é nula em VD = VDs VP Vc . Neste valor de tens ão, que é exatamente o


≡ −
mesmo de (7.63), a corrente é máxima. Para tensões de dreno maiores que este
valor, o canal de condu¸cão é interrompido fazendo a corrente saturar, num
fenômeno semelhante ao que ocorre no JFET. A Fig.7.23 mostra curvas de I D
em função de VD para diversos valores de VP , obtidas da Eq.(7.66) para um
MOSFET canal n com Vc = 2 V, Ci /A = 3, 45 10−8 F/cm2 , L = 10 µm,
− ×
D = 300 µm e µn = 675 cm 2 /V.s (metade do valor no interior do substrato,
dado na Tabela 5.2). Esses valores d˜ao µ n Ci /L2 = µ n DCi /AL 0, 7 mA/V 2 . 
Na Fig.7.23 a linha tracejada indica os pontos VD ID onde a corrente satura.

Note que o valor da corrente de satura¸cão é obtido de (7.66) com VP Vc = −
VD = VDs ,
µ C 2
IDsat = n 2i VDs . (7.68)
2L

Este resultado mostra que a curva de satura¸cão é uma parábola.


264 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 7.23: Curvas caracterı́sticas de MOSFET de canal n.

7.6.4 Aplicações de Transistores MOSFET

Os transistores MOSFET têm uma variedade de aplicações em circuitos di-


gitais e s˜ao largamente utilizados em computadores. Os sı́mbolos de circuito
dos MOSFETs de canal n e de canal p estão mostrados na Fig.7.24. Observe
que eles têm
condutor um quarto
do substrato terminal,
forma diodoscorrespondente
de jun¸cão comaofonte
substrato.
e dreno,Como o semi-
ele deve ser
mantido num potencial que faz as jun¸ cões não conduzirem. Em geral ele é
ligado à fonte no MOSFET de canal n e ao dreno no de canal p .

No MOSFET que apresentamos em detalhe, o canal é induzido no subs-


trato através do mecanismo de invers˜ ao, produzido por uma tens˜ao de porta.
Se VP < VP c o canal est´a fechado e n˜ao h´a corrente de dreno. É possı́vel
também fazer um MOSFET dopando uma região n− entre fonte e dreno, de
modo que mesmo sem tensão na porta a corrente ID pode ser diferente de zero.
Neste tipo, uma polariza¸cão negativa na porta repele os elétrons do canal n e
reduz a corrente, como no n-JFET. O primeiro tipo, no qual o canal é induzido
e aumenta com a tens˜ao V P , é chamado de indução ou de aumento (channel
enhancement, em inglês). O segundo tipo, no qual o canal é deprimido com
a tensão, é chamado de depleção. É comum utilizar os sı́mbolos da Fig.7.24
para representar os dois tipos de MOSFETs.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 265

Figura 7.24: Sı́mbolos dos transistores MOSFET.

A principal caracter´ıstica dos MOSFETs é o isolamento elétrico da porta.


Sua impedˆancia de entrada é da ordem de 10 14 Ω, independentemente do
sentido da tensão na porta. Uma grande vantagem dos MOSFETs em rela¸ cão
aos JFETs está no seu processo de fabrica¸cão, que requer um n´umero reduzido
de etapas. Isto facilita a fabricação de um grande n´umero de transistores de
dimensões inferiores a 1 µ m, interconectados por meio de contatos de alum´ınio
na superfı́cie de cima, constituindo circuitos integrados de alta integração
(VLSI, Very Large Scale Integration).

Nos circuitos integrados digitais utilizando MOSFETs, é possı́vel reduzir


drasticamente o consumo de potência com o emprego de pares de transisto-
res interligados, sendo um de canal n e o outro de canal p. Esta tecnologia,
chamada de par complementar ou CMOS, possibilita a fabrica¸ cão de relógios,
calculadoras e computadores com dissipa¸cão de potência extremamente pe-
quena. A tı́tulo de exemplo do emprego de par complementar, mostramos
na Fig.7.25(a) um circuito inversor CMOS com MOSFETs de indu¸ cão. Os
dois transistores são ligados em série e submetidos a uma tensão +VDD . A
Fig.7.25(b) mostra as curvas ID -VD dos transistores T 1 (canal n) e T2 (canal
p), para dois valores das tensões de porta, 0 e + VDD para T 1 , e 0 e VDD para

T2 . Note que as curvas de T 2 são colocadas no mesmo gr´afico de T 1 porém
invertidas, de modo que a soma das duas tensões de dreno é VDD . Desta forma,
o ponto de opera¸cão do circuito é dado pela interse¸
cão das curvas de T 1 e T2 ,
pois V D1 + VD2 = +VDD e ID1 = I D2 .

O circuito da Fig.7.25(a) é um circuito lógico inversor do tipo NÃO.


Seu objetivo é dar na saı́da um sinal nulo (0) quando o sinal de entrada for
Ve = +VDD (bit 1), e saı́da + VDD (bit 1) quando a entrada for nula (bit 0).
Este funcionamento pode ser verificado no gráfico em (b). Se o sinal de entrada
é nulo, as tensões nas portas de T 1 e T2 (em relação às respectivas fontes) são,
respectivamente, VP 1 = 0 e VP 2 = VDD . Nesta situação T1 se encontra no

266 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

estado off e T2 no estado on. A interseção das duas curvas é o ponto 1 da


figura, sendo a tens˜ao de saı́da +VDD . Por outro lado, se a entrada é + VDD ,
T1 está on e T2 está off, sendo o sinal de saı́da, dado pelo ponto 0, VD 0. 
Note que nas duas situa¸cões a corrente no circuito é muito pequena. Este
fato permite construir circuitos CMOS com dissipa¸ cão de potência inferior a
10 nW.

As propriedades peculiares dos transistores e capacitores MOS também


são utilizadas para a constru¸ cão de v´arios tipos de dispositivos que trans-
ferem ou armazenam informação digital. Dentre os mais importantes est˜ao as
memórias de semicondutores e os dispositivos de acoplamento de carga,
ou CCD (do inglês Charge-Coupled-Device). Ele é formado por uma série
de capacitores MOS, um ao lado do outro, no mesmo substrato semicondutor.
Quando um pulso de tensão é aplicado num capacitor, com amplitude suficiente
para produzir inversão, ele cria um pacote de cargas que fica armazenado no
capacitor durante um certo tempo. A presença de um pacote de cargas num
capacitor representa o dı́gito binário 1, enquanto que a ausência representa 0.
O capacitor MOS é o elemento b´ asico das memórias de semicondutor. Um con-
junto de capacitores e transmissores MOS num circuito integrado, forma uma
memória que armazena as informa¸cões expressas em c´odigos binários. Atual-
mente há uma variedade de dispositivos de mem´oria de semicondutor, alguns

Figura 7.25: (a) Circuito inv ersor N ÃO com par complementar de MOSFETs. (b) Curvas
caracter´ısticas para determinação dos pontos de opera¸cão.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 267

dos quais serão apresentados na seção 7.8.2. Quando os capacitores estão inter-
conectados adequadamente, a aplicação de um pulso de tens˜ao num capacitor
vizinho, produz nele um po¸co de potencial, para o qual o pacote de cargas é
transferido através do semicondutor. Desta forma é poss´ıvel deslocar o dı́gito
1 ao longo da série de capacitores, formando um dispositivo CCD, utilizado
para fabricar registros de deslocamento para computadores e em sensores de
imagem, apresentados na seção 8.4.4.

7.7 Dispositivos de Controle de Potência: SCR e TRIAC


Nesta seção, vamos descrever qualitativamente a operação de dois dispositivos
da famı́lia dos tiristores. Os tiristores são dispositivos formados por v´ arias
junções p-n, que têm grande aplicação como chave para controlar altas cor-
rentes. O controle é feito eletronicamente, através de uma corrente relativa-
mente pequena aplicada a um dos terminais do dispositivo. Os dois principais
membros da famı́lia dos tiristores são o retificador controlado de silı́cio, ou
SCR ( Silicon Controlled Rectifier), e o triodo bidirecional para corrente al-
ternada, ou TRIAC. Ambos dispositivos s˜ao feitos de silı́cio monocristalino,
porque sendo um material de alta condutividade térmica, facilita o escoamento
do calor gerado pela corrente elétrica.

7.7.1 O Retificador Controlado de Silı́cio - SCR

O retificador controlado de silı́cio (SCR) é formado por um semicondutor com


quatro camadas de impurezas, constituindo uma estrutura p-n-p-n, mostrada
na Fig.7.26(a). O dispositivo tem dois terminais nas extremidades, por onde
circula a corrente principal a ser controlada, o anodo (A) na regi˜ ao p1 e o
catodo (C) na regi˜ao n2 . Um terceiro terminal na região p2 , chamado porta
(P), serve para a entrada da corrente de controle. A Fig.7.26(b) mostra o
modelo utilizado para representar as quatro regiões do dispositivo, que formam
três junções p-n: J1 , J2 e J3 .

Para compreender o mecanismo de operação do SCR, vamos analisar ini-


cialmente o que ocorre no dispositivo p -n-p-n sem a porta, também conhecido
como diodo Shockl ey. Se uma tensão externa positiva é aplicada entre anodo
e catodo, as jun¸cões J 1 e J3 ficam polarizadas diretamente, enquanto J2 recebe
polarização reversa. Em conseq¨uência, as resistências de J1 e J3 são pequenas,
enquanto a de J 2 e´ muito grande. Então toda tens˜ao externa aparece em J 2 , e
268 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 7.26: Retificador controlado de silı́cio-SCR: a) Seção reta da estrutura na forma de


um disco; b) Modelo para descrever o dispositivo p-n-p-n.

se ela é menor que o valor de ruptura, a corrente tem o valor de saturação re-
versa, que é muito pequeno. Este é o regime de bloqueio na polariza¸cão direta,
indicado na linha cheia da caracterı́stica I -V mostrada na Fig.7.27(a). Note
que se a tens˜ao externa é negativa, J1 e J3 ficam polarizadas reversamente, e
neste caso são elas que limitam a corrente ao valor de satura¸ cão, resultando
no regime de bloqueio reverso, indicado na curva I -V .

O fenˆomeno mais interessante do dispositivo p-n-p-n acontece quando


a tensão externa positiva aumenta e atinge o valor de ruptura da jun¸ cão J2 .
Nesta situação ocorre avalanche em J 2 e a corrente tende a aumentar rapida-

mente, não encontrando


diretamente. Na região presistência nas junções J 1 e J3 que estão polarizadas
1 esta corrente é formada por buracos movendo-se
no sentido anodo-catodo, enquanto em n 2 ela é formada por elétrons, indo do
catodo para o anodo. Uma vez iniciado o processo de condu¸cão, uma parte
dos buracos de p1 é injetada na região p2 através de n1 , como se as regi˜ oes
− −
p1 n1 p2 formassem um transistor. Da mesma forma, elétrons de n2 são
injetados em n 1 , como se n 2 p2 n1 formassem outro transistor. A corrente
− −
passa então a ser produzida pelo processo de inje¸cão de portadores, cessando
o processo de avalanche. Isto resulta numa r´apida diminui¸cão e até na in-
versão do sinal da tens˜ao em J 2 , de modo que a jun¸cão passa a ser polarizada
diretamente. No regime de condução direta, mostrado na Figura 7.27(a), a
corrente pode atingir valores elevados, sendo limitada apenas pela resistência
do circuito externo ou pelo valor de rompimento do dispositivo. Neste regime
as três junções ficam polarizadas diretamente. Como a queda de potencial na
junção J2 tem o sentido oposto ao das quedas em J 1 e J3 , a queda de tens˜ao
total no dispositivo corresponde a de apenas uma jun¸ cão, sendo da ordem de
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 269

0,7 V no caso do silı́cio.

É interessante observar que a curva I -V da Fig.7.27(a) é semelhante a de


um tubo de descarga de g´as. Para dar inı́cio ao processo de condução, é preciso
aumentar a tens˜ao externa até atingir o valor de disparo VD . Entretanto,
a introdução da porta no dispositivo p-n-p-n transforma-o num retificador
controlado, SCR. Nele é possı́vel passar diretamente do estado de bloqueio para
o de condução, p or meio de uma corrente relativamente pequena na porta. As
linhas tracejadas da Figura 7.27(a) mostram as curvas I -V do SCR para dois
valores de corrente de porta. O efeito da corrente entrando na porta é injetar
buracos na região p2 , que sendo a base do transistor n2 p2 n1 , provoca nele o
− −
inı́cio do processo de condução. Isto resulta na inje¸cão de elétrons de n2 em n1 ,
o que faz o transistor p 1 n1 p2 também conduzir. Este processo dispara o
− −
SCR, fazendo-o passar do regime de bloqueio para o de condução, sem que seja
necessário aumentar a tens˜ao externa até o valor de ruptura por avalanche. O
efeito da corrente na porta é justamente reduzir o valor da tensão de disparo,
como indicado na Fig.7.27(a). Uma vez disparado, o SCR mantém o processo
de condução, mesmo que a corrente de porta seja interrompida. Desta forma
o SCR pode ser disparado por um pulso de corrente na porta. Por outro lado,
um pulso negativo de corrente na porta pode cortar o dispositivo, fazendo-o
passar do estado de condu¸cão para o de bloqueio.

Figura 7.27: (a) Caracterı́stica I -V do SCR: a linha cheia vale para corrente de porta
nula; as duas linhas tracejadas correspondem a dois valores de corrente, sendo IP 2 > IP 1 .
(b) Sı́mbolo de circuito do SCR.
270 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

O sı́mbolo de circuito do SCR está mostrado na Fig.7.27(b). Ele é


utilizado em uma grande variedade de aplica¸cões em eletrˆonica industrial e
de controle, pois permite controlar a potência entregue a carga p or meio de
chaveamento com baixa potência.

7.7.2 O TRIAC

O triodo para
controle para corrente
correnteac
alternada, ou TRIAC,
. Ele é formado como
por um o nome diz,com
semicondutor é uma
seischave de
regiões
de impurezas, constituindo dois SCRs conectados em paralelo e em sentidos
opostos. A estrutura do TRIAC e seu sı́mbolo de circuito est˜ao mostrados
na Fig.7.28. Na estrutura da Figura (a) podemos identificar claramente dois
dispositivos em paralelo, um formado pelas regi˜oes p1 n1 p2 n2 e outro
− − −
formado pelas regi˜oes n4 p1 n1 p2 . Sem a porta , eles s˜ao equivalentes
− − −
a dois diodos Schockey em paralelo e em sentidos opostos, cuja caracterı́stica
I -V é dada pela linha cheia da Fig.7.29. Esse dispositivo é chamado de diodo
bidirecional, ou diodo ac (DIAC). Ele pode conduzir corrente em qualquer dos
dois sentidos, desde que a tens˜ao externa atinja o valor de disparo VD . ±
O terminal da porta serve para disparar o TRIAC em qualquer dos dois
sentidos, por meio de pulsos de corrente. Se a tens˜ao entre anodo e catodo
for positiva, um pulso de corrente na porta dispara o SCR p1 n1 p2 n2 , − − −
produzindo uma corrente no sentido do anodo para o catodo. Por outro lado,
se a tensão for negativa, o disparo produzido pelo pulso de corrente na porta
faz o SCR p2 n1 p1 n4 conduzir no sentido do catodo para o anodo.
− − −

Figura 7.28: Se¸cão reta da estrutura (a) e sı́mbolo de circuito (b) de um TRIAC.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 271

Figura 7.29: Curvas I -V para um TRIAC com três valores de corrente na porta.

Evidentemente, no TRIAC o anodo e o catodo têm papéis semelhantes e a


distinção de nomes ne m se justi fica. Eles s˜ao usados apenas para facilitar a
descrição.

Os TRIACs são amplamente utilizados em eletrônica de controle de


potência ac. Eles podem ser construı́dos de tal modo que tanto no ciclo po-
sitivo ou no negativo, o disparo seja feito por pulsos positivos, negativos, ou

por ambos.
catodo A corrente
se anula. noent
Ele pode dispositivo
ão deixarcessa quando
passar a tens˜ao
uma corrente entre anodo
alternada se fore
disparado duas vezes em cada ciclo.

7.8 Circuitos Integrados

Todos dispositivos apresentados nos Capı́tulos 6 e 7 podem ser encapsulados


separadamente, apresentando dois ou mais terminais externos, para que pos-
sam ser conectados a outros dispositivos, formando um circuito eletrˆonico.
Neste caso eles s˜ao chamados dispositivos discretos. Porém, a forma mais
atual de utiliza¸cão desses dispositivos, é através dos circuitos integrados .
Um circuito integrado é formado por um grande número de transistores, dio-
dos, resistores e capacitores, fabricados na mesma pastilha de semicondutor e
interligados entre si através de filmes metálicos, compondo um circuito com-
272 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

pleto com dimens˜oes microscópicas. O primeiro circuito integrado foi pro-


duzido em 1958, pelo americano Jack Kilby. Este feito não representou propri-
amente um avan¸ co cientı́fico, mas sim uma forma engenhosa de conectar dispo-
sitivos cujos princı́pios de funcionamento já eram bem conhecidos. Entretanto,
a concepção do circuito integrado revolucionou a eletrˆonica e possibilitou um
grande avanço nos equipamentos cientı́ficos e na ciência. Por isto, Kilby foi
agraciado com o prêmio Nobel de Fı́sica no ano 2000.

Os primeiros circuitos integrados não tinham mais do que algumas


dezenas de transistores. Entretanto, em pouco tempo a tecnologia de in-
tegração foi dominada por diversos fabricantes e a competi¸ cão para ganhar
mercado levou a uma corrida para aumentar a quantidade de dispositivos no
mesmo circuito. O resultado foi um r´apido aumento na capacidade de inte-
gração, com a conseq¨uente melhoria de desempenho e diminui¸cão dos custos
de fabricação dos circuitos. No final da década de 1960, os dispositivos nos
circuitos integrados tinham dimensões de alguns micrômetros, dando srcem
à tecnologia da microeletrônica. Naquela época, Gordon Moore, um dos
fundadores da Intel, atualmente um dos maiores fabricantes de microproces-
sadores, observou que o n´umero de transistores por circuito dobrava a cada
dezoito meses, e que o custo de produ¸cão por função caia `a metade no mesmo
perı́odo. Esta observação passou a ser conhecida como a Lei de Moore , que
tem caraterizado a ind´ustria de semicondutores há mais de três décadas. Esta
“lei” continua válida no Século 21, e o número de transitores nos circuitos inte-
grados de microprocessadores se aproxima de um bilhão. Porém, as dimensões
laterais dos dispositivos diminuı́ram tanto que atingem a escala de dezenas
de nanômetros, e as espessuras de algumas camadas correspondem a poucos
átomos. Isto faz prever que até 2010 haverá uma grande redu¸cão na taxa de
crescimento da integração, a n˜ao ser que novos fenômenos e novos dispositivos
sejam descobertos nos pr´oximos anos. A pesquisa cientı́fica e tecnológica de
fenômenos e propriedades de materiais na escala nanométrica deu srcem a um
novo campo de conhecimento, a nanociência e nanotecnologia.

7.8.1 Conceitos Básicos e Técnicas de Fabricação

Os circuitos integrados (CI) são fabricados através de inúmeras operações


fı́sico-qu´ımicas, como aquelas descritas na Se¸
cão 6.1, de tal forma que as diver-
sas etapas de fabrica¸cão são realizadas simultaneamente em todos os compo-
nentes do circuito. Em cada pastilha de semicondutor s˜ao fabricados centenas
de CIs completos, o que resulta em grande miniaturiza¸ cão e diminui¸cão do
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 273

Figura 7.30: Vista externa de alguns circuitos integrados: a) Circuito regulador de voltagem;
b) Envólucro de CI comum de dezesseis pinos; c) Pente de memóra de computador. A escala
da figura (c) é diferente das outras duas, pois o pente de memória tem dimensões fı́sicas bem
maiores que os outros dois.

custo de produção. Após o processamento, a pastilha é retalhada em pequenos


quadrados ou retângulos de dimensões da ordem ou inferiores a 1 1 mm2 , cor-×
respondentes aos CIs individuais. Cada um destes chips, como s˜ao chamados,
é então testado individualmente. Cada chip aprovado é montado numa base,
interligado aos pinos externos através de fios de ouro ou prata, e finalmente
encapsulado com uma resina isolante (tipo epoxy). O n´ umero de pinos exter-
nos pode variar de quatro a algumas centenas, dependendo da sofistica¸ cão do
circuito. A Fig.7.30 mostra o aspecto externo de alguns circuitos integrados.

Os circuitos integrados po dem ser classificados de v´arias maneiras. Com


relação a aplicação, eles são em geral chamados de digitais ou lineares
(analógicos). Quando são fabricados na pastilha por meio da mesma tec-
nologia, eles são chamados monolı́ticos . Quando o circuito envolve diferentes
tipos de tecnologia, por exemplo interligando dispositivos semicondutores com
sensores magnéticos, ele é chamado h´ ıbrido . Atualmente mais de 90% dos
circuitos monolı́ticos são feitos com silı́lico monocristalino. Pastilhas (wafers)
com diâmetro de 300 mm s˜ao utilizadas largamente na ind´ustria de semicon-
dutores. O outro semicondutor mais utilizado na fabrica¸ cão de CIs é o GaAs,
que encontra um n´umero crescente de aplicações em altas freq¨uências.

Os CIs lineares s˜ao aqueles que desempenham fun¸ cões anal´ogicas, ou


lineares. Os CIs lineares simples mais comuns são os amplificadores opera-
cionais (conjunto de amplificadores com grande ganho, alta impedˆancia de
entrada e baixa impedância de saı́da), reguladores de voltagem e chaves. Em
geral estes circuitos são feitos com transistores bipolares e s˜ao utilizados como
componentes discretos em circuitos eletrônicos, ou como parte de um CI que
desempenha funções completas, como um receptor de r´adio ou de TV.
274 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Os CIs digitais s˜ao aqueles que processam informa¸cão binária, na forma


de on ou off. Os CIs digitais podem ser feitos com a tecnologia bipolar ou MOS.
Como vimos na Se¸cão 7.6, o uso de MOSFETs complementares possibilita a
fabricação de circuitos de VLSI com baixo consumo de energia. Estes circuitos
são a base dos microprocessadores e das mem´ orias de altı́ssima capacidade,
utilizados na construção dos modernos computadores.

Uma questão importante nos circuitos integrados é o isolamento elétrico


entre dispositivos vizinhos, uma vez que o material semicondutor da pastilha
permite a passagem de corrente elétrica de um dispositivo para outro. No
caso dos dispositivos MOS e MESFET isto n˜ao é problema, pois a condução
é restrita à região do canal, o que faz a opera¸ cão de cada dispositivo ser
independente do vizinho. Entretanto, no caso dos transistores bipolares, é
preciso tomar precauções para isolar um transistor dos vizinhos.

Diversas técnicas são utilizadas para isolamento. Conceitualmente, uma


das mais simples e mais eficazes é o isolamento com dielétrico, utilizado em
certos circuitos integrados de silı́cio. O processo de fabricação inicia com a
preparação da pastilha de Si, com pequena dopagem, formando um substrato
tipo n. Em seguida ´e feita a difusão de impurezas doadoras em toda a su-
perfı́cie, de modo a formar uma camada n+ . Depois, através de um processo
de fotolitografia, e de corros˜ao com ´acido, um canal é cavado na camada n+ ,
até atingir o substrato n , circundando toda a regi˜ao onde será fabricado o dis-
positivo. O substrato é então colocado num forno com atmosfera de oxigênio,
produzindo uma camada de ´oxido isolante (SiO2 ), que cobre toda a superfı́cie
exposta, incluindo a superf´ıcie interna do canal. O passo seguinte é a deposi¸cão
de uma camada de Si policristalino, que preenche o canal, mas também cobre
toda a superfı́cie. Finalmente, a pastilha é virada para baixo e polida mecani-
camente, de modo a remover todas as camadas sobre a camada epitaxial n+ .

Figura 7.31: Ilustra¸cão do método de isolamento com junções reversas: a) Substrato tipo p
com camada epitaxial tipo n; b) Canal de isolamento tipo p atingindo o substrato.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 275

O resultado final é um conjunto de regiões n+ , formando ilhas, circundadas


por canais isolantes (como na Fig.7.33 (c), que ser´ a explicada adiante). Os
dispositivos desejados são então fabricados nas ilhas e depois interconectados
por meio de filmes met´alicos depositados na superfı́cie. Uma vantagem do
processo de isolamento dielétrico é a baixa capacitância paras´ıtica entre os
dispositivos vizinhos e a elimina¸cão de tens˜oes de polariza¸cão, necessárias no
processo que ser´a apresentado a seguir. A maior desvantagem deste método é
o grande n´umero de etapas de processamento e a necessidade de utilizar um
processo mecânico de polimento.

O método de isolamento mais comum é o de junções reversas. A idéia


básica deste método consiste em formar ilhas, nas quais os dispositivos são
fabricados, circundados por jun¸cões p-n polarizadas reversamente. Como a
corrente na jun¸cão reversa é muito pequena, as ilhas ficam efetivamente iso-
ladas eletricamente umas das outras. A Fig.7.31 ilustra o processo de formação
das ilhas. Inicialmente uma camada epitaxial tipo n é crescida sobre a pastilha
de sil´ıcio tipo p (para o transistor p-n-p seria uma camada p sobre substrato
n). Os passos seguintes consistem em oxidar a superfı́cie e por meio de proces-

Figura 7.32: Métodos de contatos do transistor bipolar em circuito integrado: a) contatos


para operação lateral: b) e c) Coletor em camada enterrada.
276 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

sos de fotolitografia e corros˜ao abrir janelas na camada de ´ oxido na forma de


linhas que definem as ilhas. Através das janelas é feita difusão de impurezas
tipo p, produzindo canais com profundidade tal que atingem o substrato p.
Para polarizar a jun¸cão p-n reversamente e produzir o isolamento das ilhas é
preciso aplicar uma tens˜ao por meio de contatos met´alicos.

Uma questão adicional nos circuitos integrados com transistores bipolares


é o contato com o coletor. No dispositivo discreto da Fig.7.2, o contato do
coletor está situado na face oposta a dos contatos do emissor e da base. Isto não
pode ser feito no circuito integrado, uma vez que a interligação dos dispositivos
é feita através de filmes met´alicos na forma de linhas na superfı́cie de cima. A
Fig.7.32 ilustra dois métodos utilizados para contato com o coletor na mesma
face do emissor e da base. Em (a) o coletor é formado pela difusão de uma
região n+ circundando a base. Neste caso a condução entre o emissor e o coletor
é feita lateralmente, o que resulta em alta resistência de coletor. Em aplica¸
cões
que requerem baixa resistência do coletor, a estrutura mais empregada é a da
camada enterrada (buried layer). Nesta estrutura o contato efetivo do coletor
é uma camada n+ , fabricada por difus˜ao no substrato p, antes da deposi¸cão
da camada epitaxial tipo n, como na Fig.7 .32 (b). A liga¸cão do terminal do
coletor com a camada enterrada é feita por meio de uma região n + , produzida
por difusão, como ilustrado na Fig.7.32 (c).

Para concluir esta se¸cão, mostramos na Fig.7.33 as etapas de fabrica¸cão

Figura 7.33: Ilustra¸cão das etapas de fabrica¸cão de transistor n-p-n num circuito integrado.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 277

de transistor n-p-n num circuito integrado. Em (a) aparecem as camadas n+


difundidas no substrato tipo p . Em (b) vê-se a camada epitaxial n depositada
sobre o substrato, formando as camadas enterradas. Em (c) aparecem os canais
de isolamento, que podem ser feitos com dielétricos ou com junções reversas.
Finalmente, na figura (d), aparecem as regi˜oes do emissor ( n), da base ( p) e
do contato do coletor ( n+ ). Para completar o circuito, um filme met´alico é
depositado sobre a superfı́cie, na forma de linhas, estabelecendo contatos com
as regiões de interesse através de janelas na camada de óxido. Os terminais
do circuito s˜ao então ligados aos pinos externos e o conjunto é encapsulado,

podendo adquirir diversas fei¸cões, como por exemplo aquelas mostradas na


Fig.7.30.

7.8.2 Dispositivos de Memória de Semicondutor

Dentre os dispositivos mais importantes dos equipamentos eletrônicos nos dias


de hoje est˜ao aqueles que armazenam informa¸cões, chamados dispositivos de
memória. Eles têm sido essenciais para a operação dos computadores, desde
que estes foram inventados há cerca de meio século. Por isto mesmo a pesquisa
e o desenvolvimento de memórias tornou-se uma área de grande interesse
cientı́fico e tecnológico. Mas nas ´ultimas décadas, as memórias passaram a ser
utilizadas em uma grande variedade de equipamentos eletrônicos, que incorpo-
raram microprocessadores em seus sistemas. Nestes equipamentos as memórias
são essenciais para armazenar os programas, ou c´ odigos, ou software , que
fazem o sistema executar suas fun¸cões.
As memórias internas dos computadores e de certos equipamentos são de
dois tipos principais, dispositivos semicondutores e dispositivos magnéticos. Os
meios magnéticos armazenam a informação indefinidamente, até que elas sejam
apagadas ou substituı́das. Por isto eles são chamados não-voláteis . Nos dis-
positivos de memória de semicondutores o tempo de armazenamento depende
do seu tipo. Alguns têm tempos de armazenamento de alguns mili-segundos
ou menos, sendo chamados voláteis , outros podem armazenar a informa¸cão
por muitos anos, sendo considerados não-voláteis. As principais vantagens
das memórias de semicondutores são a maior densidade, maior velocidade de
gravação e de leitura, e o fato de n˜ ao necessitarem de partes m´ oveis. As
memórias magnéticas, que serão apresentadas no Cap´ıtulo 9, têm maior capaci-
dade de armazenamento e são não-voláteis. Dentre os dispositivos de memória
removı́veis, para transporte ou armazenamento externo, os mais importantes
atualmente são as fitas e discos magnéticos e os discos ópticos (Cap´
ıtulo 8).
278 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Os dispositivos de memória de semicondutores podem ser fabricados


tanto com a tecnologia de transistores bipolares, quanto com a tecnologia MOS.
Nos últimos anos a tecnologia MOS passou a dominar completamente na fa-
bricação das memórias de semicondutores, por conta da maior capacidade de
integração, menor custo e menor consum o de energia. O elemento b´asico das
memórias MOS é o capacitor MOS, apresentado na Seção 7.6.1. A presen¸ca de
carga no capacitor representa o bit 1, enquanto a ausência de carga representa
o bit 0.

Em geral, as células básicas das mem´orias de semicondutores são consti-


tuı́das de capacitores e transistores MOS. A Fig.7.34 ilustra uma célula tı́pica
simples, formada por um transistor MOS de canal n, em série com um capa-
citor. Os terminais da fonte (F) e da porta (P) do transistor s˜ao utilizados
para as conecções com os eletrodos de endere¸camento, feitos por fitas de filmes
finos metálicos. A região n+ do dreno do transistor faz a liga¸ cão em série
com o capacitor formado pelo semicondutor tipo p do substrato e pelo filme
metálico, separados pela camada isolante, em geral o ´ oxido SiO2. Tamb´ em é
comum utilizar uma camada de silı́cio policristalino para a placa do capacitor,
no lugar do filme met´alico. O terminal da placa do capacitor em geral é ligado
à terra do circ uito. A regi˜ao p+ na extremidade direita da figura é utilizada
para isolar a célula do elemento vizinho.

O processo de carga do capacitor, ou seja, o armazenamento da in-


formação do bit 1, é feito pela aplicação simultânea de dois pulsos de tens˜ao,
um entre a fonte e a terra, outro entre a porta e a terra. Os valores das tens˜oes
de pico devem ser suficientes para criar uma camada de inversão entre a fonte
e o dreno do transistor e outra sob o terminal do capacitor. Ap´ os a aplicação
dos pulsos, a camada de invers˜ao no transistor desaparece, porém a carga na

Figura 7.34: Ilustração de uma célula de memória de semicondutor formada por um tran-
sistor em série com um capacitor MOS.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 279

Figura 7.35: Ilustração de parte de um circuito integrado de mem´ oria RAM formado por
um arranjo matricial de células de memória, cada uma contendo um transistor em série com
um capacitor MOS.

camada de inversão do capacitor permanece armazenada. Esta carga tende a


desaparecer depois de um certo tempo devido à geração térmica de portadores,
o que limita o tempo de armazenagem a alguns mili-segundos. Este tempo é
suficientemente longo para a operação dinâmica de uma mem´oria nos equipa-
mentos cujos rel´ogios trabalhem com perı́odos muito inferiores a 1 ms, como
é o caso dos computadores atuais que operam com relógios na regi˜ao de GHz.
Para a opera¸cão cont´
ınua do equipamento é necessário ent˜ ao que a mem´oria
seja periodicamente “refrescada”, isto é, que os capacitores das células que
armazenam o bit 1 sejam recarregados antes que a carga desapare¸ ca. Na-
turalmente, as informa¸cões são perdidas quando o equipamento é desligado.
Portanto, uma memória com células como a da Fig.7.34 é do tipo vol´atil.

As memórias de semicondutores são formadas por circuitos integrados


contendo um grande n´umero de células conectadas a malhas de eletrodos de
endereçamento. Um tipo de circ uito est´a mostrado na Fig.7.35. A malha
tem uma forma matricial, na qual as interliga¸ cões das linhas e das colunas
são chamadas de linhas de palavras e linhas de bits, que na figura s˜ ao repre-
sentadas respectivamente por WL ( Word Line) e por BL ( Bit Line). Note
que as fontes dos transistores MOS s˜ ao ligadas `as linhas de bits e as portas
são ligadas `as linhas de palavras, enquanto que os capacitores s˜ ao ligados `a
terra, permitindo carregar os capacitores como explicado anteriormente. Este
arranjo matricial permite acessar aleatoriamente uma célula com qualquer en-
dereço, tanto para gravação quanto para leitura da informação. Por esta raz˜ao
280 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 7.36: Estrutura de dispositivo FAMOS utilizado em memórias não-voláteis de semi-


condutores.

este tipo de mem´oria é chamado de acesso aleatório, ou mais comumente por


sua sigla em inglês, RAM (de Random Access Memory). O acesso aleatório
possibilita uma velocidade de opera¸cão, isto é grava¸ cão e leitura, maior que
no acesso serial, caracterı́stico de fitas e discos magnéticos, nos quais é pre-
ciso passar por v´arios endereços até atingir um endereço especı́fico desejado. É
possı́vel construir memórias não-voláteis com semicondutores, utilizando diver-
sas estruturas MOS. A Fig.7.36 mostra uma estrutura de transistor MOSFET,
na qual h´a dois eletrodos de porta. Um deles é metálico, usado para contato
externo, enquanto que o outro, chamado de porta flutuante, em geral é feito de
uma camada de Si policristalino, completamente envolvido pelo óxido isolante.
Nesta estrutura, chamada de porta flutuante, conhecida pela sigla em inglês de
FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS), a carga pode permanecer
na porta flutuante durante v´arios anos. O armazenamento de carga na p orta
flutuante pode ser feito por diversos processos. Um processo comum consist e
na aplicação de uma tens˜ao na jun¸cão do dreno, com valor suficientemente
alto para produzir uma forte polariza¸cão reversa. Isto resulta na ruptura por
avalanche, produzindo grande aceleração dos elétrons na região de depleção da
junção. Se uma tens˜ao relativamente alta também for aplicada ao terminal da
porta, parte dos elétrons passa para a porta flutuante por injeção direta ou
por efeito túnel através da fina camada de óxido.

A utilização de uma variedade de estruturas possibilita construir dispo-


sitivos de memória de semicondutores, voláteis ou não-voláteis, para in´umeras
aplicações. A Fig.7.37 mostra uma classifica¸cão de memórias, represen-
tadas por suas siglas em inglês. As mem´orias voláteis são de dois tipos,
estática (SRAM, de Static Random Access Memory) ou dinˆamica (DRAM,
de Dynamic Random Access Memory). A memória dinâmica é como a do
tipo das Figuras 7.34 e 7.35, apresentado anteriormente, e que necessita ser
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 281

Figura 7.37: Classifica¸cão dos dispositivos de mem´oria de semicondutores.

refrescada periodicamente. A memória estática retém a informação gravada


sem a necessidade de refrescar, desde que o dispositivo permane¸ca energizado.
Isto é feito através de circuitos bi-estáveis, também conhecidos como flip-flops,
que podem ser chaveados para passar de um estado elétrico estável para outro,
um deles representando o bit 0 e outro o bit 1.

A variedade de mem´orias n˜ao-voláteis é maior, por isso elas são subdi-


vididas em dois grupos, ROM ( Read Only Memory), usadas somente para
leitura e RAM, que podem ser gravadas e acessadas para leitu ra. A rigor, as

memórias
é um nomeROM usadotambém são do tipo
para designar RAM, cujos
memórias pois como vimos
endere¸ anteriormente,
cos podem ser aces-
sados aleatoriamente. Porém, o nome RAM é utilizado para os dispositivos
de acesso aleat´orio, tanto para gravação quanto para leitura das informa¸cões.
Nas memórias chamadas de EEPROM ( Electrically Erasable-Programmable
Read Only Memory) as informa¸cões são usadas somente para leitura, mas
podem ser gravadas ou apagadas eletricamente. Os outros principa is tipos de
memória ROM s˜ao: PROM ( Programmable Read Only Memory), que é um
dispositivo no qual a informa¸cão em cada célula é gravada de forma perma-
nente, por um processo tipo fusı́vel; EPROM (Electrically Programmable Read
Only Memory), é uma memória que utiliza dispositivos FAMOS nos quais as
informações são gravadas eletricamente. Esta é a memória mais comum para
armazenar a programação que dá a partida no processo de operação de um com-
putador, ou de outros equipamentos contendo micro-processadores, quando
eles são ligados. As informações na mem´oria EPROM podem ser apagadas
globalmente, isto é, em todos os endereços, por meio de radia¸cão ultra-violeta
282 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

ou raios-X. Os f´otons de alta energia levam os elétrons da porta flutuante para


a porta de controle ou para o substrato. Para isso, o encapsulamento dos
dispositivos EPROM tem uma abertura com uma janela ´ optica na parte su-
perior, para permitir a passagem da radia¸cão. Finalmente, a mem´oria flash ,
uma abreviação para o nome completo de flash EEPROM, é uma memória
na qual as informa¸cões são gravadas eletricamente, como na EPROM, mas po-
dem ser apagadas globalmente, de uma só vez, como num f lash. As mem´orias
flash encontram um n´umero de aplica¸cões cada vez maior.
A necessidade de produzir memórias para diversas aplicações, com maior
capacidade de gravação e com maior velocidade de acesso, tem impulsionado
a pesquisa e o desenvolvimento de novos dispositivos e de tecnologias de in-
tegração cada vez mais sofisticados. Estas atividades têm proporcionado um
contı́nuo aperfeiçoamento das mem´orias e uma busca permanente por novos
dispositivos, fabricados com semicondutores ou outros materiais, que p ossi-
bilitem a realiza¸cão de fun¸cões inusitadas para novos equipamentos ou para
inovações na ind´ustria eletrônica.

REFERÊNCIAS

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1984.

PROBLEMAS

7.1 A variação da concentração de buracos em excesso do equilı́brio, δp(x), em


função da posição x na base de um transistor p -n-p é dada pela Eq.(7.15).
Faça gráficos
da de δp(x)=/ 2L
 pE, (de preferência num computador), para três
espessuras base, p 0, 5Lp e 0, 1Lp , onde L p é o comprimento de
difusão. Utilizando os gr´aficos explique qual das espessuras é a melhor
para um bom transistor.
7.2 Mostre que num transistor p+ -n-p+ fortemente polarizado diretamente, a
corrente de base é dada pela Eq.(7.23).
7.3 Considere um transistor p+ -n-p+ simétrico, de Si, com as seguintes ca-
racterı́sticas da base,  = 2 µm, A = 10−3 cm2 , Nd = 5 1015 cm−3 e
×
τp = 0, 5 µ s. Sabendo que o emissor e o coletor têm Na = 5 1017 cm−3
×
e τ n = 0, 1µs, calcule as correntes do emissor, da base e do coletor, com o
transistor polarizado com V EB = 0, 75 V e V CB = - 10 V.
7.4 Calcule os parˆametros α , γ e β do transistor do Problema 7.3.
7.5 Calcule os parâmetros IEs , ICs , αN e αI do transistor do Problema 7.3 e
obtenha as correntes do emissor e do coletor usando as Equa¸ cões (7.37) e
(7.38). Compare os resultados com os do Problema 7.3.
284 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

7.6 Considere um transistor p+ -n-p+ simétrico, isto é, com todos parâmetros
do emissor iguais aos do coletor. a) Escreva as equa¸cões de Ebers-Moll
para o transistor. b) Obtenha a corrente I em função de V para o transis-
tor no circuito (a) da figura abaixo. c) Calcule VCB quando o transistor
está conectado como no circuito (b) da figura a seguir.

7.7 Um transistor p+ -n-p+ simétrico Si tem as seguintes caracter´ ısticas da


base:  = 1 µ m, A = 10−3 cm2 , N d = 1015 cm−3 e τ p = 2 µ s. O emissor e
o coletor têm Na = 5 1016 cm−3 e têm comprimento de difusão metade do
×
valor na base. Os outros parˆametros de Si `a temperatura ambiente estão
dados na Tabela 5.2. a) Calcule as correntes de saturação do emissor e do
coletor, I Es e I Cs . b) Escreva as equa¸cões de Ebers-Moll para o transistor
e dê os valores numéricos dos quatro parˆ ametros que aparecem nelas.
7.8 Considere o transistor p+ -n-p+ do Problema 7.7. A partir das Eqs.(7.37)
e (7.38), obtenha uma equa¸cão para a corrente de coletor IC em função
apenas da tens˜ao VCE e da corrente de base IB . Use um computador e
faça os gr´aficos do I C em função de ( VCE ), para diversos valores de I B ,

e compare o resultado com a Figura 7.7(b).
7.9 Para o transistor do Problema 7.3, calcule a corrente I quando ele est´a
conectado, como no circuito abaixo, sendo V = 500 mV.
7.10 Um transistor p-n-p com caracterı́sticas dadas na Fig.7.7, é utilizado
como amplificador num circuito de polariza¸cão simples, análogo ao da
Fig.7.9(a). Sendo EB = EC = 10 V e RC = 1 kΩ calcule: a) O valor
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 285

de RB para que a corrente de base seja 50 µA; b) Os valores de IC e


VCE ; c) O ganho de co rrente do circuito; d) O m´aximo sinal de tens˜ao
de entrada para o circuito operar na regi˜ao linear.
7.11 Obtenha a equação da corrente de dreno de um transistor JFET, como o
da Fig.7.11, correspondente a (7.43), sem desprezar o potencial de contato
V0 das junções.
7.12 Obtenha as expressões da condutˆancia e da tens˜ao crı́tica de um JFET,
desprezando o potencial de contato das junções mas sem a condição N a
Nd utilizada na dedu¸cão das Equa¸cões (7.44) e (7.45).
7.13 Um transistor de efeito de campo de jun¸ cão como o da Fig.7.11 feito
de silı́cio, tem regiões p+ com dopagem Na = 1018 cm−3 e canal com
Nd = 2 1016 cm−3 e meia largura a = 0, 8 µm. a) Calcule a tens˜ao
×
cr´ıtica Vc supondo V0 = 0. b) Qual o valor de Vc se V0 não for desprezado?
c) Qual o valor de VD no qual a corrente satura para V P = 2 V?

7.14 Qual é, aproximadamente, o maior ganho de tensão de um circuito am-
plificador feito com o transistor de jun¸cão da Fig.7.13?
7.15 Um transistor MESFET de GaAs tem barreira de potencial V0 = 0, 8 V e
tem no canal concentra¸cão de impurezas N d = 1016 cm−3 , mobilidade µ n
= 7 103 cm2 /V s e dimensões a = 0, 7 µ m, L = 15 µ m e D = 10 µ m.
× ·
Calcule a) A condutˆancia do canal; b) A tens˜ao crı́tica; c) A corrente de
dreno de satura¸cão para VP = 0 e V P = 1, 0V .

7.16 Um transistor MOSFET de canal n é feito com eletrodos de alumı́nio
e semicondutor silı́cio tipo p, com Na = 2 10 17 cm−3 . A espessura
×
da camada de SiO 2 e´ 100 Å na região da porta, a carga na interface
é Qi /A = 10−8 C/cm2 , e as outras dimens˜oes relevantes (Fig.7.21) s˜ao
L = 10 µ m e D = 300 µ m. Calcule: a) A tens˜ao cr´ıtica Vc ; b) A corrente

de saturação para V P = 6 V; c) A curva I D VD para V P = 4 V.
286 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos
Capı́tulo 8

Materiais e Dispositivos
Opto-Eletrônicos

8.1 Propriedades Ópticas dos Materiais 289


8.1.1 Ondas Eletromagnéticas em Materiais 291
8.1.2 Refletividade de Materiais 295
8.2 Interação da Radiação com a Matéria
- Modelo Clássico 298
8.2.1 Contribuição dos Elétrons Livres em Metais 299
8.2.2 Contribuição de Elétrons Ligados 303
8.3 Teoria Quântica da Interação Radiação
- Matéria 308
8.3.1 Transições entre Nı́veis Discretos 309
8.3.2 Absorção de Luz e Luminescência 312
8.3.3 Absorção e Emissão de Luz em Isolantes e Semicondutores 315
8.3.4 Absorção e Emissão de Luz em Materiais com Impurezas 321
8.4 Fotodetetores 323
8.4.1Foto-resistores 326
8.4.2Fotodiodos 330
8.4.3CélulasSolares 336
8.4.4SensordeImagemCCD 338

287
288 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

8.5 Diodo Emissor de Luz (L ED) 342


8.6 Emissão Estimulada e Lasers 348
8.6.1 O Mecanismo de Amplifica¸cão por Emiss˜ao Estimulada 349
8.6.2 Lasers de S´olidoscomImpurezas 353
8.6.3 Lasers a G´as 357

8.7 O Laser de Diodo Semicondutor 359


8.7.1 O Laser de Jun¸cão p-n 360
8.7.2 Lasers de Heterojun¸cões 363
8.7.3 Laser de Po¸co Quântico 368
8.8 Aplicações dos Lasers de Diodo 372
8.8.1 Comunicações Ópticas 372
8.8.2 Gravação e Reprodução em Discos Compactos 378
REFERÊNCIAS 380
PROBLEMAS 380
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 289

Materiais e Dispositivos
Opto-Eletrônicos

8.1 Propriedades Ópticas dos Materiais

As propriedades ´opticas são aquelas que caracterizam como os materiais res-


pondem a uma radiação externa, emitindo, absorvendo, refletindo ou alterando
a polarização da luz. Alguns aspectos dessas propriedades est˜ao, sem d´uvida,
entre os mais facilmente identificáveis nos materiais. Desde tempos imemoriais
que o brilho, a cor, a transparência e a opacidade dos materiais fascinam e in-
trigam a humanidade. São antiquı́ssimas a utilização de metais para fabricar
espelhos e o emprego de metais e minerais naturais na confec¸ cão de j´oias e
objetos de adorno.

Os estudos cientı́ficos sobre a cor e o efeito de materiais sobre a luz ganha-


ram grande impulso com as experiências de Newton no Século XVII. Newton
mostrou que, ao passar por um prisma de vidro, um feixe de luz solar dava
srcem a uma faixa multicolorida. Na extremidade da faixa formada pelos raios
que sofrem o menor desvio ao passar pelo prisma a cor é vermelha, enquanto na
outra extremidade a cor é violeta. Atualmente sabe-se que a sensação de cor é
produzida no cérebro, e resulta do efeito de ondas eletromagnéticas numa faixa
estreita de freqüências ao incidir na retina do olho humano. Comprimentos de
onda em torno de 400 nm produzem a sensa¸ cão da cor violeta, enquanto na
outra extremidade do espectro, comprimentos de 700 nm produzem a cor ver-
melha. A Figura 8.1(a) mostra a resposta padr˜ao do olho humano em função
do comprimento de onda da luz visı́vel. A região na qual o olho é mais sens´ ıvel
está em torno de 555 nm, que corresponde a uma cor verde-amarelado. A
290 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 8.1: (a) Sensibilidade relativa do olho humano em fun¸cão do comprimento de onda
da luz; (b) Varia¸cão do ı́ndice de refração de quartzo fundido com o comprimento de onda.

Figura 8.1(b) ilustra a dispersão óptica dos materiais transparentes, que é res-
ponsável pela separa¸cão do feixe de luz branca em v´ arias cores. O ı́ndice de
refração, definido no Capı́tulo 2, varia com o comprimento de onda da luz. Na
cor violeta (menor comprimento de onda) o ı́ndice de refração é maior, o que
resulta em maior desvio ao passar pelo prisma. Na cor vermelha o ı́ndice de
refração é menor e portanto o desvio é menor. A varia¸
cão do ı́ndice de refração
é devida às caracterı́sticas da interação da radiação com a matéria, que serão
estudadas na Seção 8.2.

A região visı́vel do espectro eletromagnético, com comprimento de onda


na faixa 700-400 nm, corresponde a uma energia de f´ otons na faixa 1,7-3,1 eV.
Estes valores são da mesma ordem de grandeza das energias dos gaps em vários
semicondutores e também das energias de transições eletrônicas em ´atomos
diversos. Por esta razão, foi poss´ıvel desenvolver, nas últimas décadas, vários
dispositivos que convertem eficientemente luz em corrente elétrica, e vice-versa.
Isto deu srcem `a Opto-eletrônica. Este é o ramo da tecnologia no qual sinais
analógicos e digitais s˜ao processados por meio de dispositivos que empregam
luz e corrente eletrônica, e que formam a base das comunica¸cões ópticas. Uma
área correlata, que também está se desenvolvendo rapidamente, é a Fotônica,
na qual o processamento de sinais é feito em dispositivos inteiramente ópticos.
Neste capı́tulo estudaremos os principais fenômenos envolvidos na intera¸cão
da radia¸cão eletromagnética com a matéria, bem como suas aplicações em
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 291

dispositivos opto-eletrônicos de semicondutores. Outros dispositivos baseados


na interação da luz com diversos materiais ser˜ao apresentados no Capı́tulo 10.

8.1.1 Ondas Eletromagnéticas em Materiais

Os fenômenos de reflex˜ao, refra¸cão e absor¸cão da luz em materiais, podem


ser descritos macroscopicamente através das equações de Maxwell (2.1)-(2.4).
No capı́tulo 2, estas equações foram resolvidas para ondas planas num meio
isolante perfeito, no qual a densidade de corrente J e´ nula. Nesta situação
não existe absor¸cão, ou perda de ene rgia, de modo que as amplitudes dos
campos  e H
E  , dados por (2.7) e (2.8), n˜ ao variam durante a propaga¸cão.
No caso em que a onda propaga num meio real, met´ alico, semicondutor ou
mesmo isolante, sempre existe perda. Esta perda pode ser descrita por uma
densidade de corrente, relacionada ao campo elétrico através da condutividade
σ , J = σ  . Neste caso, a equação de ondas propagando na dire¸cão do eixo x
E
contém outro termo que não aparece em (2.6). A partir de (2.1)-(2.4) pode-
se mostrar facilmente que para ρ = 0, o campo elétrico variando somente na
direção x é descrito por (Problema 8.1),
∂ 2  (x, t)
E ∂ 2  (x, t)
E ∂  (x, t)
E
= µ + µσ (8.1)
∂x 2 ∂t 2 ∂t

Na região vis´ıvel do espectro eletromagnético os efeitos magnéticos são des-


prezı́veis, de modo que podemos considerar µ = µ 0 . Substituindo em (8.1) a

solução de campo harmˆonio (2.14), com k na ε direção x obtemos,
k 2 = µ 0  ω 2 + iωµ 0 σ = 2 ω 2 + iω µ0 σ (8.2)
c

onde c = 1/ µ0 0 é a velocidade da luz no vácuo e ε = /0 é a constante
dielétrica do material (também chamada permissividade relativa). Num meio
sem perdas a raz˜ao entre k e ω leva à definição do ı́ndice de refração n, dado
pela Eq.(2.10). Esta definição pode ser generalizada para meios com perdas,
através do ı́ndice de refração complexo,
  1/2
σ
N (ω ) = ε + i . (8.3)
ω 0

Com esta defini¸cão a Eq.(8.2) adquire a mesma forma de (2.10),


ω
k = N (ω ) , (8.4)
c
292 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

uma vez que µ0 c2 = 1/0 . O ı́ndice de refração complexo foi representado


por N (ω ) para n˜ao confundir com o n´umero de partı́culas N e também para
explicitar sua dependência com ω . Esta dependência não surge apenas do
ω que aparece no denominador do segundo termo em (8.3), mas também do
fato de que ε(ω ) e σ (ω ) sempre variam com a freq¨uência. É precisamente
a variação de ε e σ com a freq¨uência que determina as propriedades ópticas
dos materiais, como veremos mais adiante neste capı́tulo. A vantagem de
introduzir o ı́ndice de refração complexo é que todas expressões obtidas no
Capı́tulo 2 podem ser usadas aqui com a simples substituição do ı́ndice de
refração
partes n pelo
real seu correspondente
e imagin´ complexo N (ω ). Vamos agora explic itar as
aria do ı́ndice complexo,
N (ω ) = n + iκ . (8.5)

Para relacionar as duas parcelas de N (ω ) com os parˆametros  e σ do


meio, elevamos (8.3) e (8.5) ao quadrado e igualamos os dois,
σ
N 2 (ω ) = n 2 −κ 2
+ i2nκ = ε + i .
ω 0

Como veremos mais tarde, tanto ε quanto σ podem ser complexos. Fazendo
ε = ε  + iε e σ = σ  + iσ  e igualando as partes reais e imagin´arias das duas
formas de N 2 (ω ) acima obtemos

n2 −κ 2
= ε − ωσ 0
(8.6)

σ
2nκ = ε + . (8.7)
ω 0

Para entender o significado de n e κ, substituimos (8.5) em (8.4) e obtemos


para o m´odulo do vetor de onda,
ωn ωκ
k= +i k + ik  ≡
c c

O campo elétrico da onda, dado por (2.14), passa a ser, com k na direção x,

E(x, t) = Re
E 
0 e i ωc nx−iωt e− ωc κx

ω ω
= 0 cos
E nx − ωt e− c κx . (8.8)
c
 
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 293

Vemos então que o campo é descrito por uma função harmˆonica cuja
amplitude decai exponencialmente durante a propagação. Note que n , a parte
real de N (ω ), é a razão entre a velocidade da luz c e a velocidade de fase
vf = ω/k  = c/n, e portanto é o próprio ındice
´ √ de refração. Somente no
caso de meios sem perdas ( κ = 0) temos n = ε, como definido na Eq.(2.10).

A Eq.(8.8) mostra que κ, a parte imagin´aria de N (ω ), produz um de-


caimento exponencial na amplitude do campo. Por esta raz˜ao ele é chamado
coeficiente de amortecimento ou coeficiente de extinção. Para com-
preender o significado de κ, vamos estudar o que ocorre com a energia da
onda. A grandeza que exprime a energia trans portada por uma onda eletro-
 , definido pela rela¸cão,
magnética é o vetor de Poynting S
S = 
E × H . (8.9)

Pode-se mostrar que o m´odulo de S  e´ igual à energia por unidade de ´ area e


por unidade de tempo transportada pela onda. Utilizando as expressões (2.11)-
(2.13), é fácil verificar que para uma onda plana num meio sem perdas, S  tem

a mesma dire¸cão que o vetor propaga¸cão k e tem m´odulo dado por (Problema
8.2),
n 2
S (r, t) = E cos2 (k r ωt + φ) ,
· − (8.10)
cµ0 0

o que mostra que S varia harmonicamente no tempo e no espa¸co. Como nas


considerações de energia o mais importante é a média, define-se a intensidade
de uma onda como o valor médio do módulo do vetor de Poynting. Sendo o
valor médio do cosseno ao quadrado igual a 1/2, temos que a intensidade da
onda é n 2
I =< S >=
2cµ0 0
E . (8.11)

Esta relação mostra que em meio sem perdas, a intensidade de uma onda
harmônica plana é constante, ou seja, não varia no espa¸co nem no tempo. Ela
é proporcional ao quadrado da amplitude do campo elétrico e é igual a energia
média transportada, por unidade de área e por unidade de tempo. Em outras
palavras, a intensidade é a potência média por unidade de área. No Sistema
Internacional ela é expressa em W/m2 .

É possı́vel relacionar a intensidade de um feixe de luz com o fluxo de


fótons. Um feixe com intensidade I e área da seção reta A tem potência média
P = I A. Sendo ω a freqüência angular da onda, a energia de cada fóton é ω .
Portanto, o fluxo de fótons, definido como o n´umero de fótons Φ que atravessa
294 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

uma seção reta do feixe, por unidade de tempo e por unidade de ´ area é dado
por:
I
Φ= . (8.12)
ω

Veja que o número de fótons por unidade de tempo n˜ao varia ao longo do feixe
porque a amplitude é constante. Este resultado não vale para um material
com perdas, no qual N (ω ) tem partes real e imagin´aria. Neste caso, o c´alculo
do vetor de Poynting tem um complicador na defasagem entre os campos  e E
H introduzida
intensidade de pela
uma parte
onda imagin´aria
com campo de N (pela
dado ω ). Eq.(8.8)
Porém, évaria

acil no
mostrar
espa¸ que a
co da
seguinte forma (Problema 8.3),
ω
I (x) = I (0) e −2 c κx ≡ I (0) e −αx
. (8.13)

Esta expressão mostra que κ , a parte imagin´aria de N (ω ), produz ao longo de


x um decaimento exponencial na amplitude da onda. A taxa de decaimento é
caracterizada pelo coeficiente de absor¸cão, definido por,
dI ω
α= − I1 dx =2 κ.
c
(8.14)

Veja que o coeficiente de absor¸cão tem a dimens˜ao do inverso de distˆancia.


O seu inverso, 1 /α, é a distância caracter´
ıstica de decaimento da intensidade

da onda. Como
intensidade, a amplitudecaracter´
o comprimento do campo elétrico
ıstico varia com
da penetração doacampo
raiz quadrada da
no material
é dado por,
2 c
δ= = . (8.15)
α ωκ

As equações (8.6), (8.7) e (8.14) s˜ao válidas em cada valor de freq¨uência


ω . Como veremos mais tarde, em qualquer material todas as grandezas
definidas nesta seção variam com ω . Na região visı́vel do espectro eletro-
magnético os isolantes têm σ  0, e portanto s˜ao transparentes (α = 0).
Porém, na região ultravioleta, sua condutividade é finita e eles absorvem
fortemente a radia¸cão. O aumento da absorção e da constante dielétrica na
região ultravioleta resulta num gradual aumento do ı́ndice de refração com
a freqüência na faixa vis´ ıvel. É isto que faz com que o ı́ndice de refra¸cão
do quartzo fundido diminua com o comprimento de onda (que é inversamente
proporcional a ω ), como na Fig.8.1(b), e que produz a dispersão da luz branca.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 295

8.1.2 Refletividade de Materiais

Uma onda eletromagnética incidindo sobre a superfı́cie de um material qual-


quer dá origem a uma onda refletida e outra refratada. As lei s da ´optica
geométrica relacionam os ângulos de incidência, reflexão e refração, mas nada
dizem em rela¸cão às intensidades das ondas. Para obter a rela¸cão entre as
intensidades é preciso utilizar as condições de contorno na superfı́cie decor-
rentes das equa¸cões de Maxwell. Vamos considerar o caso simples de uma
onda com campo 1 = ŷ (no vácuo ou no ar) incidindo perpendicularmente
na superfı́cice plana de um material com ı́ndice de refraçãocomplexo N (ω ),
E E
como ilustrado na Fig.8.2. O cálculo dos campos refletidos 2 = ŷ 2 e trans- E E
mitido (ou refratado) 3 = ŷ 3 é muito semelhante ao do problema do elétron
E E
numa barreira de potencial (Se¸cão 3.3.3 e problem a 3.5). O campo complexo
no ar, isto é, em x < 0, é,
ω ω
E =E
y 1 e i c x−iωt + E 2 e −i c x−iωt

enquanto no material, suposto semi-infinito, ele é dado por (8.8) com (8.5),
ω
E =Ey 3 e i c N (ω)x−iωt .

E E E
Para obter 2 e 3 em fun¸cão de 1 é preciso aplicar as condições de
contorno em x = 0. A continuidade do campo elétrico tangencial em x = 0 d´a
E = E +E
3 1 2 . (8.16)

√Para impor a continuidade do campo H tangencial, usamos a Eq.(2.13) com


ε substituı́do por N (ω ). O resultado é,
N (ω ) E = E − E . 3 1 (8.17)
2

Figura 8.2: Ilustra¸cão das ondas incidente, refletida e transmitida (refratada) na superfı́cie
de um material.
296 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

De (8.16) e (8.17) obtemos as amplitudes dos campos refletido e transmitido,


E 2 1 N (ω )

= (8.18)
E 1 1 + N (ω )
E 3
=
2
. (8.19)
E 1 1 + N (ω )

A refletividade R é definida pela razão entre as intensidades das ondas


refletida e incidente. Usando (8.18) obtemos,
 2

N (ω ) 1

R= . (8.20)
N (ω ) + 1

Em função das partes real e imaginária de N (ω ), a refletividade pode ser escrita


como,
(n 1)2 + κ2 −
R= . (8.21)
(n + 1)2 + κ2

Note que R é uma grandeza adimensional que freqüentemente é expressa em


percentual. Por exemplo, vidro comum tem n 1, 5 e κ = 0, o que d´ a

R 
0, 04, ou R = 4%. A Eq.(8.21) mostra que a refletividade depende
tanto do ı́ndice de refração quanto do coeficiente de extin¸ cão. No caso de
metais em freq¨uências abaixo da região visı́vel, a absorção é muito forte, de
modo que κ n. Nesta situação as parcelas em n na Eq.(8.21) podem ser
 2
desprezadas
de 100% é precisamente de κdasdecaracter´
em presençauma modo que R marcantes
ısticas 
1. A refletividade pr´Éoxima
dos metais. fácil
verificar que a transmiss˜ao, definida como a raz˜ao entre as intensidades das
ondas transmitida e incidente, é relacionada com R por T = 1 R. Esta −
relação também expressa a conserva¸ cão de energia no processo de incidência
de uma onda na superfı́cie de separação de dois meios.

Exemplo 8.1: Uma onda eletromagnética de comprimento de onda 500 nm incide na superfı́cie
plana de uma amostra de semicondutor de CdTe intrı́nseco. Considerando que neste comprimento
de onda CdTe tem condutividade desprezı́vel e constante dielétrica com parte real ε  = 8,9 e parte
imaginária ε = 2,3. Calcule: a) A velocidade de fase da radia¸cão no comprimento de onda dado;
b) O coeficiente de absor¸cão; c) A refletividade; d) A transmiss˜ao total de uma placa de CdTe com
faces paralelas e espessura 0,1 µm.

a) Para calcular a velocidade de fase é necessário relacionar o ı́ndice de refração n com as partes real
e imaginária da constante dielétrica. Fazendo σ = 0 e substituindo (8.7) em (8.6) obtemos a
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 297

equação para n,
2
ε
n2 − = ε ,
2n

que leva à seguinte equa¸cão biquadrática,


2


n4 −ε 
n2 − ε4 =0.

A solução positiva desta equa¸cão é,


1/2

n = 1 ε + (ε2 + ε2 )1/2 .
2

Logo

√1
1/2
n= 8, 9 + (8, 92 + 2, 32 )1/2 = 3, 01 .
2

Então

c 3 108 ×
vf =
n
=
3, 01
= 9, 97 × 107 m/s .
b) O coeficiente de extin¸cão é calculado por um procedimento análogo,

√12 −ε
1/2
κ= 
+ (ε2 + ε2 )1/2 .

√12 −8, 9 + (8, 92 + 2, 32 )1/2


1/2
κ= = 0, 38 .

O coeficiente de absor¸cão é dado por (8.14),


2ω κ 4π ν κ 4π κ
α= = =
c c λ
4 × 3, 14 × 0, 38 = 9, 55 × 106 m −1
α= = 9, 55 µm−1 .
500 × 10 9 −

c) A refletividade é dada por (8.21),

(3, 01 1)2 + 0, 382



R= = 0, 258 .
(3, 01 + 1) 2 + 0, 382

Portanto, a reflet ividade do CdTe em 500 nm é 25,8 %.


d) Para calcular a transmiss˜ao total é preciso considerar a transmissão nas duas superfı́cies e ao
longo da espessura d da placa,

T = (1 − R)2 e −αd
= (1 − 0, 258)2 × e −9,55×0,1
= 0, 21 .
298 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

8.2 Interação da Radiação com a Matéria-Modelo


Clássico

Nesta seção vamos estudar alguns mecanismos de intera¸cão de ondas eletro-


magnéticas com a matéria que podem ser descritos por um modelo clássico. O
objetivo é compreender alguns fenômenos básicos com modelos simples que per-
mitam calcular ε(ω ) e σ (ω ). Como vimos na se¸cão anterior, estes parˆametros
determinam
rial. n(ω ) eestudaremos
Inicialmente κ(ω ) e portanto as propriedades
a interação ´ opticas
da radia¸cão com de cada mate-
elétrons livres,
que tem um papel essencial nas propriedades ´opticas de metais. Em seguida
estudaremos o modelo clássico da interação com os elétrons ligados. Para com-
preender em detalhe as propriedades ópticas de isolantes e semicondutores será
necessário considerar a natureza quântica desta interação, o que ser´a feito na
próxima seção.

A interação da radia¸cão com a matéria resulta da força que o campo


elétrico da onda exerce sobre as cargas elétricas dos ı́ons e dos elétrons. Como o
campo varia com uma certa freqüência ω , ele tende a criar nas cargas um movi-
mento harmônico com a mesma freq¨uência. Porém, este movimento só será
significativo se as cargas tiverem um modo natural de vibração com freqüência
próxima da freqüência do campo. Por esta razão, no caso dos ı́ons, a interação
com o campo eletromagnético só será importante se este tiver freq¨uência na
faixa 1-10 THz (4-40 meV), caracterı́stica dos modos ópticos de vibra¸cão da

rede cristalina.
brações da rede,Como esta faixa
ou fˆonons, correspondede
só contribuem aomaneira
infravermelho distante, aspara
mais significativa vi-
as propriedades ´opticas nesta regi˜ao do espectro eletromagnético. No caso
de isolantes e semicondutores, os fˆonons dominam as propriedades ´opticas no
infravermelho. Entretanto, nos metais predomina a interação do campo com
os elétrons livres, fazendo com que a refletividade seja próxima de 1, como
veremos a seguir.

Nas regiões do infravermelho próximo, visı́vel e ultravioleta, o movimento


dos ı́ons é desprezı́vel, de modo que as propriedades opticas
´ nessas faixas s˜ao
dominadas pela interação do campo elétrico com os elétrons, livres ou ligados
aos átomos. Vamos estudar os diversos aspectos desta interação separadamente
em várias subseções.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 299

8.2.1 Contribuição dos Elétrons Livres em Metais

Nos metais, o comportamento dos elétrons livres é determinante para as pro-


priedades ópticas numa extensa faixa de freqüências. O movimento dos elétrons
sob a a¸cão do campo elétrico de uma onda plana,
E =E 0 e −ωt , (8.22)

pode ser deduzido pela extensão dos conceitos apresentados na seção 4.5, para

campos variáveis
elétron, a equaçãonodetempo . Sendo
movimento e a for¸
−E
do elétron ca que o campo exerce sobre o
fica,
dv m −iωt
m
dt
+
τ
v= −E 0e , (8.23)

onde m, v e τ são respectivamente a massa, a velocidade e o tempo de colisão do


elétron. O segundo termo de (8.23) representa o amortecimento no movimento
do elétron devido às colisões com a rede e com impurezas. Substituindo em
(8.23) a solu¸cão para regime estacion´ario v = v0 exp( iωt ), obtemos

e 0
−E
v0 = . (8.24)
− imω + m/τ

Considerando N elétrons livres por unidade de volume, obtemos para a densi-


dade de corrente,
J = eNv0 e −iωt .
− (8.25)

Substituindo (8.24) em (8.25) e usando a rela¸ cão J = σ , obtemos para a


E
condutividade do metal,
Ne2 τ
σ (ω ) = . (8.26)

m(1 iωτ )

Este resultado é conhecido como a condutividade do modelo de Drude. Note


que fazendo ω = 0 em (8.26), obtemos a condutividade dc dada pela Eq.(4.30),
como esperado. Substituindo (8.26) em (8.3) obtemos para o ı́ndice de refração
complexo dos metais,
iNe2 τ
N 2 (ω ) = ε c + , (8.27)

mω 0 (1 iωτ )

onde εc e´ a contribuição dos elétrons ligados para constante dielétrica. Como


veremos mais tarde, esta contribuição é mais importante nas regiões visı́vel e
300 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

ultravioleta do espectro, sendo aproximadamente constante no infravermelho.


O fato de σ (ω ) ser complexo faz com que as express˜ oes para as partes real
e imaginária de N (ω ) sejam relativamente grandes e difı́ceis de analisar. Por
esta razão, vamos analisar σ (ω ) aproximadamente em dois limites, baixas e
altas freqüências.

Na aproximação de baixas freqüências fazemos ωτ 


1. Como nos metais
alcalinos (Li, Na, K, Rb e Cs) e nos metais nobres (Cu, Ag e Au), τ 10−13 s, ∼
esta aproximação corresponde a ω 1013 s−1 . Ela vale ent˜ao para a regi˜ao do

infravermelho distante. Nesta região, desprezando iωτ na presença de 1 em
(8.26), vemos que σ (ω ) = n e2 τ /m = σ0 e´ a própria condutividade dc, dada
por (4.30). Ent˜ao, podemos escrever (8.27) na forma,
σ0
N 2 (ω ) ε c +i . (8.28)
ω 0

Usando os valores σ 0 108 Ω−1 m−1 (veja Fig.4.17),  −1


∼ 0 = 36π 109 Nm2 /C2 ×
e ω ∼1012 s−1 , vemos que a parte imagin´ aria de N 2 (ω ) em (8.28) é muito
maior que a parte real, εc ∼
1. Assim sendo, no infravermelho distante os
metais têm ı́ndice de refra¸
cão complexo,
  1/2   1/2
σ0 σ0
N (ω )  (i)1/2 = (1 + i) .
ω 0 2ω 0

Portanto, as partes real e imagin´aria são iguais e muito maiores que 1,


  1/2
σ0
n=κ  1 . (8.29)
2ω 0


A substituição de (8.29) em (8.21) mostra que R 1. Este resultado ex-
plica porque os metais s˜ao refletores quase perfeitos de ondas eletromagnéticas
com freq¨uências abaixo do infravermelho. Eles não s˜ao refletores perfeitos
porque uma pequena fra¸cão da energia da onda penetra numa camada fina na
superfı́cie, sendo absorvida pelos elétrons livres e transformada em calor nos
processos de colis˜ao. Este é o efeito pelicular , caracterizado por um com-
primento de penetração δ (skin depth) da onda, dado pelo dobro do inverso
do coeficiente absorção. Substituindo (8.29) em (8.15) e usando c = (0 µ0 )−1/2
obtemos   1/2
c 2
δ= = . (8.30)
ωκ ωµ 0σ0
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 301

Para o cobre à temperatura ambiente, com σ0 = 0, 6 108 Ω−1 m−1 , a Eq.(8.30)


×
dá δ = 0, 066 mm em ν = 1 MHz e δ = 6, 6 µ m em ν = 100 MHz.

Na aproximação de altas freq¨uências, ωτ 


1, válida para as regi˜oes do
infravermelho próximo, visı́vel e ultravioleta, podemos desprezar a unidade no
denominador de (8.27) e escrever,
ωp2
N 2 (ω ) = ε c
− 
1 , (8.31)
ω2
onde
Ne2
ωp2 = . (8.32)
m0 εc

ωp é chamada a freqüência de plasma do metal. Seu valor é da ordem de


1015 Hz (correspondente a uma energia  ωp 4 eV) nos metais comuns, e por-

tanto está situada no final da faixa visı́vel e inı́cio do ultravioleta. A Eq.(8.31)
mostra que para ω < ωp o ı´ndice de refração N (ω ) é um imaginário puro,

ou seja, n = 0 e κ = εc (ωp2 /ω2 1)1/2 . Nesta situa¸cão a refletividade, dada

por (8.21), é exatamente R = 1. Por esta raz˜ao, à semelhança do que ocorre
no infravermelho, também na região visı́vel os metais são ótimos refletores de
ondas eletromagnéticas. Por outro lado, para ω > ωp , N (ω ) é real, o que faz
com que a absor¸cão devida aos elétrons livres seja nula.

A Fig. 8.3 mostra a varia¸cão da refletividade da prata, em (a) com a

Figura 8.3: Refletividade da prat a: (a) Em fun¸cão da energia do f´ oton da onda eletro-
magnética incidente [H. Ehrenreich et al., Phys. Rev. 128, 1622 (1962)]; (b) Em fun¸cão do
comprimento de onda, em escala ampliada.
302 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

energia do f´oton incidente e em (b) com o comprimento de onda numa escala


ampliada para real¸car detalhes na regi˜ao visı́vel. Note que a prata tem re-
fletividade quase 100% em toda a regi˜ao de energia desde zero até o final da
região visı́vel. Por esta razão a prata reflete todo o espectro de luz branca
igualmente. A refletividade cai bruscamente para próximo de zero nas proxi-
midades da freqüência de plasma. Para energias mais altas R apresenta outras
variações causadas por transi¸cões de elétrons ligados, que serão estudadas a
seguir. É interessante notar que no caso do cobre, estas transi¸ cões produzem
uma variação na refletividade dentro da regi˜ao vis´ıvel. Neste caso, a refletivi-

dadeesta
Por é alta em atoda
razão, a faixa
reflexão do vis´
ıveltem
cobre porém
umaé cor
maior no vermelho
alaranjada, do que no com
que contrasta azul.
o “prateado” da prata.

Exemplo 8.2: A concentra¸cão de elétrons livres na prata é 5, 86 1022 cm−3 e o tempo de colis˜ao
×
é 3, 8 10−14 s. Calcule: a) O comprimento de penetra¸ cão na prata de uma onda eletromagnética
×
com freqüência de microondas, ν = 1 GHz; b) O comprimento de penetra¸cão de um feixe de laser
de argônio com comprimento de onda λ = 514, 5 nm; c) A atenua¸cão sofrida pelo feixe de laser ao
atravessar um filme de prata de espessura 50 Å.

a) Inicialmente é preciso calcular o produto ω τ ,

ωτ = 2π × 109 × 3, 8 × 10 −14
= 2, 38 × 10−3
.

Como ωτ  1, o comprimento de penetra¸cão pode ser calculado por (8.30). Usando o valor
da condutividade da prata calculada no Exemplo 4.3, σ0 = 6, 26 107 (Ωm)−1 , vem, ×
1/2 1/2
2 2
δ= ωµ0 σ0 = 2π × 109 × 4π × 10 7 × 6, 26 × 107

−6
δ = 2, 01 × 10 m = 2, 01 µm.

b) A freqüẽncia do laser de argônio é

c 2π 3 108
× ×
ω = 2πν = 2π
λ
=
514, 5 10−9
× = 3, 66 × 1015 s −1
,

então

ωτ = 3, 66 × 1015 × 3, 8 × 1014 = 1, 39 × 102 .


Neste caso ωτ  1 e o ı́ndice de refração complexo é dado por (8.31). Considerando εc = 1,
a freqüência de plasma da prata dada por (8.32) é,

N e2 5, 86 × 1022 × 106 × 1, 62 × 10 −38


× 36π × 109
ωp2 = =
m0 εc 9, 1 × 10 31 −

ωp2 = 1, 86 × 1032 s −2
.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 303

Logo ω p = 1, 36 1016 s−1 é maior do que ω, o que faz com que N 2 seja negativo e portanto
×
N e´ imaginário. De (8.31) vem

ωp2 1, 86 × 1032 − 1
N =i −1 =i ,
ω2 3, 662 × 1030
N = i 12, 9 .

A Equação (8.5) mostra que a parte imagin´aria de N e´ o próprio coeficiente de extin¸cão κ.


O comprimento de penetra¸cão é então calculado com (8.15),

δ=
c
=
3× 108
15
ωκ 3, 66 × 10 × 12, 9
−9
δ = 6, 35 × 10 m = 63 , 5 Å .

c) A atenuação do feixe numa distˆancia d = 50 Å é

e2d/δ = e 100/63,5 = e 1,57 = 4, 83

Isto significa que ao atravessar o filme de prata, a intensidade do feixe de laser diminui por
um fator 4,83. A atenua¸cão também pode ser expressa em decibéis,

A = 10log 10 e2d/δ = 10 log 10 4, 83

A = 6, 84 dB .

8.2.2 Contribuição de Elétrons Ligados

Como mencionado anteriormente, as propriedades ´opticas dos materiais em


energias da ordem ou maiores que 1 eV são devidas principalmente às transições
dos elétrons ligados nos átomos, ou elétrons de valência. O tratamento cor-
reto dessas transi¸cões, que ser´a apresentado na pr´oxima seção, deve ser feito
com a mecˆanica quântica. Entretanto, é poss´ıvel entender certos aspectos do
fenômeno com um modelo simples devid o a Lorentz. Neste modelo, baseado
na visão cl´assica do ´atomo, supõe-se que a aplica¸cão de um campo elétrico
externo resulta no deslocamento das camadas eletrônicas negativas em relação
ao núcleo positivo, como ilustrado na Figura 8.4(a). Isto produz um momento
de dipolo elétrico que contribui para a permissividade do material. Porém, o
deslocamento relativo das cargas também cria uma força eletrostática restau-
radora que influencia o movimento. Na aproximação linear esta for¸ca é pro-
porcional ao deslocamento, como num oscilador harmˆ onico. O mode lo sim-
plificado mostrado na Figura 8.4(b), consiste de um conjunto massa-mola, no
304 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 8.4: (a) Vis˜ao clássica do efeito de campo elétrico externo  sobre as cargas num
E
átomo; (b) Modelo simplificado de ´atomo sob a¸cão de campo elétrico.

qual uma partı́cula de massa m e carga e iguais as do elétron, está sob a



ação da força do campo elétrico da radiação. Para um campo elétrico variável
com freqüência ω , como em (8.22), a equa¸cão de movimento do elétron é,
d2 x
m
 +Γ
dx

+ ω02 x = −eE e −iωt (8.33)
0
dt2 dt

onde x é o deslocamento do elétron em relação à sua posi¸cão de equilı́brio, ω0


é a freqüência de ressonância do oscilador e Γ é a taxa de amortecimento do
movimento. O primeiro termo de (8.33) é a aceleração do elétron, que multi-
plicada pela massa é igual a soma das forças. O segundo termo é responsável
pelo amortecimento do movimento, e corresponde a uma for¸ca contrária e

proporcional
Eq.(8.23), `a velocidade
porém Γ não édo elétron. do
o inverso Eletempo
é semelhante ao pois
de colisão segundo termo
no caso pre-da
sente o elétron está ligado ao ´atomo. Finalmente, o terceiro termo é a força
restauradora da mola que simula a liga¸cão do elétron com o átomo. Sendo k a
constante da mola, esta for¸ca é kx, onde k = ω 02 m. A solu¸cão de (8.33) no

regime estacionário é

x(t) =
−E
e 0
e−iωt . (8.34)
m(ω02 ω 2 iωΓ)
− −
O deslocamento do elétron, dado por (8.34), produz no átomo um momento

de dipolo elétrico p = ex. Havendo no mater ial N átomos por unidade de
volume, a polariza¸cão (momento de dipolo elétrico por unidade de volume)
resultante é P = Nex. Lembrando a relação entre o vetor deslocamento, a

polarização e o campo elétrico, que define a permissividade,
D = 0 E +P ≡ ε E 0 , (8.35)
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 305

obtemos para a constante dielétrica na freqüência ω ,


ωp2
ε(ω ) = 1 + 2 ,
ω0 ω 2 iω Γ − −
sendo ωp2 = Ne2 /m0 . Note que o v alor de ε nesta equa¸cão tende para 1
quando ω →∞ . Na verdade isto n˜ao ocorre, pois esta é apenas a contribuição
de um elétron ligado. A contribuição de outros elétrons com freqüências de
osciladores maiores faz com que a parte real de ε em altas freq¨uências seja
maior que 1. Representando esta contribuição por ε∞ , podemos escrever a
constante dielétrica em freqüências próximas de ω 0 como,
ωp2
ε(ω ) = ε ∞ + 2 . (8.36)
ω0 ω 2 iωΓ − −
A partir de (8.36) obtemos as partes real e imagin´ aria da constante
dielétrica,
ω 2 (ω 2 ω 2 ) −
ε (ω ) = ε∞ + 2 p 20 2 (8.37)
(ω0 ω ) + ω 2Γ2−
ωp2 ω Γ
ε (ω ) = . (8.38)
(ω02 − ω 2 )2 + ω 2 Γ2

As variações de ε e ε com a freq¨uência estão mostradas na Fig.8.5 para


ωp = 0, 7 ω0 , Γ = 0 , 05 ω0 e ε∞ = 2, 0. Veja que a parte real de ε(ω ) é
desprezı́vel em toda a faixa de freqüência, exceto nas vizinhanças da freqüência
de ressonância ω0 . Como a part e imaginária ε (ω ) está relacionada com a
absorção óptica no material (Eqs.(8.7) e (8.14)), este resultado significa que só
existe absorção em ω ω0 . Esta mesma conclus˜ao é obtida com o tratamento

quântico da intera¸cão da radia¸cão com a matéria, sendo ω0 a separação de
energia entre dois nı́veis quânticos do elétron.

A representação gráfica da fun¸cão que descreve ε (ω ) é chamada forma


de linha de absorção. Como para Γ ω0 , ε (ω ) só é significativa em


ω ω0 , podemos fazer ω0 + ω ≈
2 ω0 2ω em (8.38) e reescrever ε (ω ) na

forma,
ωp2 Γ/4ω0 πω p2
ε (ω )  2 2

fL (ω ) , (8.39)
(ω0 ω ) + (Γ/2)
− 2 ω0

onde
Γ/2π
fL (ω ) = (8.40)
( ω0 − ω) 2 + (Γ/2)2
306 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

10 15

5 10

0 5

-5 0

Figura 8.5: Partes real e imaginária de ε(ω) = ε (ω) + iε  (ω) no modelo cl´assico de um
elétron ligado com freqüência de ressonância ω 0 , para ω p = 0, 7 ω 0 , Γ = 0 , 05 ω 0 e ε ∞ = 2, 0.

cão Lorentziana. A constante 2 π usada na definição faz com que a ´area


é a fun¸ 
sob a curva seja normalizada, fL (ω )dω = 1. O valor m´aximo desta fun¸cão
ocorre em ω = ω 0 , fL (ω0 ) = 2/π Γ, sendo portanto inversamente proporcional
à taxa de amortecimento Γ. Por outro lado, a largura de linha , definida
como a diferen¸ca entre as duas freq¨uências para as quais fL (ω ) = f L (ω0 )/2, é
precisamente Γ (Problema 8.7). Desta forma, quanto menor a taxa de amor-
tecimento menor será a largura de linha e maior ser´a o pico da absor¸cão. Este
mesmo resultado será obtido na pr´oxima seção através do tratamento quântico
da interação radiação-elétron ligado.
É importante notar que ε (ω ) tem a forma da derivada de ε (ω ) em
relação à freqüência. Isto não é apenas uma coincidência, é conseqüência de um
resultado geral pelo qual ε  (ω ) é dado pela integral de uma função relacionada
com  (ω ), e vice-versa. Essas equa¸cões integrais constituem as rela¸cões de
Kramers-Kronig que valem para as partes real e imagin´ aria de ε (ω ), qualquer
que seja o mecanismo da intera¸cão radiação-matéria.

Finalmente, para encerrar esta seção, vamos achar as constantes ´opticas


de um material descrito pelo modelo cl´assico do elétron ligado. Fazendo σ = 0
e substituindo (8.7) em (8.6) obtemos equações biquadráticas para o ı́ndice de
refração n e para o coeficiente de amortecimento κ, como mostrado no exemplo
8.1,

n2 =
1 
ε +
√ε 2 + ε2 (8.41)
2
 
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 307

κ2 =
1 −ε +
√ε2 + ε2
 (8.42)
2

A Figura 8.6(a) mostra, graficamente, as fun¸cões n(ω ) e κ(ω ) obtidas


de (8.37)-(8.42) com os mesmos parˆametros usados na Fig.8.5. Observe que o
ı́ndice de refração é próximo de 1 em toda a faixa de freq¨uências, exceto nas vi-
zinhanças da freqüência de ressonância, onde ele apresenta uma grande anoma-
lia. Por outro lado o coeficiente de extin¸cão, responsável pela atenua¸cão da

onda, é édesprezı́vel
mente, importanteem todaque
notar a faixa masde
o ı́ndice apresenta
refração um pico em
aumenta comω= ω 0 . uência
a freq¨ Final-
na região ω < ω 0 , como evidenciado na curva n(λ) para o quartzo, mostrada na
Fig.8.1(b). É isto que produz o fenˆomeno da dispers˜ao em materiais transpa-
rentes. Isto ocorre porque a freq¨uência de transição eletrônica desses materiais
está acima da faixa visı́vel.

A partir de n e κ pode-se calcular a refletividade R do material usando


a Eq.(8.21). O gr´afico de R(ω ) obtido com n(ω ) e κ(ω ) da Fig.8.6(a) est´a
mostrado na Figura 8.6(b). A refletividade apresenta um pico em freq¨uência
um pouco acima de ω0 e com uma linha mais larga que as de ε (ω ) e κ(ω ),
porque nela também há uma contribui¸cão importante da dispers˜ao de n(ω ).
Note que num material real h´ a várias transi¸cões eletrônicas com diferentes

Figura 8.6: (a) Variação do ı́ndice de refração n e do coeficiente de extin¸cão (ou amorteci-
mento) κ com a freq¨uência com os mesmos parâmetros usados na Fig.8.5. (b) Refletividade
calculada com a Eq.8.21.
308 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

freqüências, e portanto R(ω ) apresenta v´arios picos. É um desses picos ocor-


rendo com energia pr´oxima de 2 eV, que d´a ao cobre a colora¸cão alaranjada.

Exemplo 8.3: Um material dielétrico tem uma linha de absorção devido a um fˆonon no infraver-
melho, com freqüência angular ω 0 = 2 1014 s−1 , largura de linha Γ = 10 13 s−1 e com ω p = 0, 7 ω 0 .
×
Sabendo que ε ∞ = 2, 0, calcule o coeficiente de absorção e a refletividade do material para um feixe
de infravermelho com freqüência igual a do pico de absorção.

Inicialmente é preciso calcular as componentes real e imaginária da constante dielétrica.


Usando (8.37), com ω = ω 0 , vem ε = ε ∞ = 2, 0. Usando (8.38), com ω = ω 0 , vem,


ωp2 0, 72 2 1014
× ×
ε = = = 9, 8 .
ω0 Γ 1013

O ı́ndice de refração n e o coeficiente de extin¸cão κ são calculados com (8.41) e (8.42)

√12 √4 + 96 1/2
n= 2+ = 2, 45

κ= √12 −2 + √4 + 96 1/2 = 2, 0

O coeficiente de absor¸cão é dado por (8.14),

α=
2 × 2 × 1014 × 2, 0 = 2, 67 × 106 m −1

3 × 108

A refletividade é dada por (8.21),


(2, 45 1)2 + 2, 02 = 6, 10 = 0, 38
R= .
(2, 45 + 1)2 + 2, 02 15, 90

Note que os valores obtidos para ε, n, κ e R coincidem com os valores das Figuras 8.5 e 8.6
em ω = ω 0 . Observe na Figura 8.6 que o pico em R não ocorre exatamente em ω 0 .

8.3 Teoria Quântica da Interação Radiação-Matéria

Na seção anterior fizemos a suposi¸cão de que os elétrons se comportam como


part´ıculas clássicas, ligadas ao ´atomo por uma for¸ca do tipo de um oscilador
harmônico. Este modelo levou ao resultado de que a absor¸cão óptica ocorre
quando a freq¨uência do campo de radiação é aproximadamente igual a do
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 309

oscilador harmônico. Sabemos, entretanto, que na mecânica quântica o elétron


é descrito por uma função de onda, cujo m´ odulo ao quadrado representa a
probabilidade de encontr´a-lo numa certa posi¸cão. É preciso agora entender
como a natureza quântica do elétron influencia a absorção da luz pela matéria.
Como veremos a seguir, o resultado quˆ antico da intera¸cão da luz com um
sistema de dois nı́veis é consistente com o do modelo clássico. Entretanto, há
vários aspectos desta intera¸cão que n˜ao estão contidos no modelo cl´assico e
que são essenciais para compreender certas propriedades ópticas de materiais,
como por exemplo as transi¸cões interbanda e a emissão estimulada de luz.

8.3.1 Transições entre Nı́veis Discretos

Vamos considerar inicialmente um sistema no qual um elétron pode ocupar es-


tados com n´ıveis discretos de energia. O sistema pode ser um elétron num po¸ co
de potencial infinito, ou num ´ atomo por exemplo. Como vimos no Capı́tulo
3, se o potencial do elétron não varia no tempo, ele pode ocupar estados esta-
cionários caracterizados por um n´umero quântico n, descritos por fun¸cões de
onda,
i
ψ(r, t) = ψn (r) e− Ent . (8.43)

Neste caso o valor esperado de qualquer operador n˜ ao varia no tempo, em


virtude da definição (3.14). O elétron permanece nesse estado indefinidamente
e sua energia é exatamente E n , constante. Vejamos o que acontece se o elétron
estiver num estado dado pela combinação linear de dois estados estacion´arios,
como por exemplo,
i i
ψ(r, t) = ψ1 e − E1 t
+ ψ2 e− E2 t
. (8.44)

Esta equação pode ser reescrita na forma


i
ψ(r, t) = e− E1 t
(ψ1 + ψ2 e −iω12 t ) , (8.45)


onde ω12 = (E2 E1 )/. Com a d efini¸cão (3.14) pode-se escrever o valor
esperado de um operador qualquer F no estado (8.45) como

< F (t) > = < F >1 + < F >2 +


 ψ1∗ F ψ2 e −iω12t dV +
 ψ2∗ F ψ1 e iω12t dV,

onde < F >1 e < F >2 são os valores esperados de F nos estados estacionários
1 e 2, que s˜ ao constantes. Se F e´ um operador hermiteano ψ2∗ F ψ1 dV =

310 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

  ∗
ψ1∗ F ψ2 dV = F12 eiϕ . Neste caso
| |
| |
< F (t) > = < F >1 + < F >2 + 2 F12 cos(ω12 + ϕ). (8.46)

Vemos então que se o elétron está num estado que é uma combinação
de estados com energias E 1 e E2 , o valor esperado de um operador varia har-
monicamente no tempo com freq¨uência angular ω12 = (E2 E1 )/. Pode-se −
mostrar, sem dificuldade, que a probabilidade de encontrar o elétron no estado
1, ou no estado 2, também varia harmonicamente no tempo com freqüência
ω12 . Dizemos que o elétron sofre transições de 1 para 2 ou vice-versa. Para
que um elétron que esteja inicialmente no estado 1, ou em 2, passe a sofrer
transições entre 1 e 2, é preciso ter uma ação externa que varia no tempo com

freqüência ω ω12 . Usando a mecˆanica quântica, mostraremos a seguir como
calcular a probabilidade de ocorrência dessas transições.

Consideremos um elétron num átomo, ou num po¸co de potencial qual-


quer, submetido a uma perturba¸cão externa dependente do tempo. Esta per-
turbação pode ser a for¸ca do campo elétrico de uma onda eletromagnética, por
exemplo. A equa¸cão de Schroedinger (3.24) para o elétron é ent˜ ao,
 ∂ψ
[ 0 + (t)] ψ = i 
H H , (8.47)
∂t
H
onde 0 é o Hamiltoniano constante correspondente ao poço de potencial e

H (t) representa a interação variável no tempo devido `a perturbação externa.

Normalmente 0 H H
, pois a interação que mantém o elétron no po¸
co é muito
maior que a perturbação externa. Como já sabemos que o efeito da perturbação
é(8.47)
provocar transições
na forma de umaentre os estados
expans˜ eletrˆonicos, procuramos
ao em auto-fun¸cões solu¸cões para
ψn do Hamiltoniano n˜ao
H
perturbado 0 , que consideramos conhecidas, na forma,

Ψ(t) = an (t) ψn e −iEn t/ . (8.48)
n

Para obter os coeficientes an (t) que determinam a função de onda, substituimos


(8.48) em (8.47) e usamos a equa¸cão 0 ψn = E n ψn .
 an [En + 
H (t)]ψ ne
−iEn t/
= i
H  dan
− iE n

an ψn e −iEnt/ .
n n
dt 

Com o cancelamento dos termos em E n a equação fica,


dan  
i ψn e −iEnt/ = an  (t) e−iEn t/ H .
n
dt n
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 311

∗ +iEm t/
Multiplicando os dois lados `a esquerda por ψ m e , integrando no volume
e usando (3.13) que exprime a condi¸cão de normalização e ortogonalidade das
autofunções obtemos para os coeficientes a expans˜ao,
dam 1
=
 an (t) e i(Em −En)t/
 ∗
ψm 
H (t) ψ dV . (8.49)
n
dt i n

Como nenhuma aproximação foi feita até o momento, esta equação é inteira-
mente equivalente à equação de Schroedinger dependente no tempo. Ela é a
base da formula¸cão matricial da mecˆanica quântica. Agora vamos considerar
que a perturba¸cão é produzida por um campo harmônico com freq¨uência ω ,
de modo que,

H(t) =  e−iωt .
H (8.50)

A Eq.(8.49) toma a forma


dam 1  
= an (t) H mn e i(ωmn−ω)t , (8.51)
dt i n

 
onde ω mn = (Em En )/ e mn
− Hé o elemento de matriz do operador H entre
os estados m e n , definido por

H 
=
 ∗
ψm 
H ψ dV . (8.52)
mn n

A Eq.(8.51) pode ser utilizada para calcular a evolu¸ cão no tempo do


estado do sistema devido `a perturbação  e−iωt . Vamos supor que um elétron
H
está inicialmente num estado discreto n de um Hamiltoniano 0 , quando uma H
pequena perturba¸cão externa do tipo (8.50) é aplicada. A partir de (8.51)
pode-se calcular o coeficiente correspondente a um estado m num instante t e
portanto a probabilidade do elétron ser encontrado neste estado, que é dada
por am 2 . Pode-se mostrar então (Apêndice A) que a probabilidade por
| |
unidade de tempo do elétron sofrer uma transição para um conjunto de
estados m muito próximos uns dos outros é dada por
2π  2
Wmn =

|H |
mn D (Em = E n +  ω ) , (8.53)

onde D é a densidade de estados com energia Em = En +  ω . A Eq.(8.53) é


chamada a regra de ouro da teoria de perturbação. No caso da transição entre
dois nı́veis de energia alargados pelo efeito de amortecimento, a densidade de
estados é dada por uma forma de linha Lorentziana. No caso de transição entre
bandas, a densidade de estados tem a forma daquela estudada no Capı́tulo 4.
312 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

8.3.2 Absorção de Luz e Luminescência

Vamos utilizar a teoria de perturba¸cão para calcular os efeitos da intera¸ cão


de uma onda eletromagnética com um sistema de átomos. Inicialmente consi-
deramos um conjunto de N átomos (por unidade de volume) independentes,
com nı́veis de energia E1 , E2 , E3 , etc. Esta é a situação que ocorre em gases
ou em transi¸cões entre nı́veis discretos em sólidos. Quando o sistema est´a em
equilı́brio térmico numa certa temperatura T , os elétrons sofrem transições
de um nı́vel para outro devido às interações com fˆonons térmicos, no caso de
sólidos, ou as colis˜oes atômicas, no caso de gases. No entanto, enquanto os
elétrons em um certo número saem de um determinado nı́vel, outros elétrons
em igual número chegam naquele nı́vel (em outros átomos), de modo a manter
o equilı́brio térmico do sistema. É possı́vel mostrar que, no equil´ıbrio térmico,
as populações Ni e Nj dos nı́veis Ei e Ej (Ni e´ o número de ´atomos por
unidade de volume com elétrons no nı́vel E i ) obedecem à relação,
Ni e−Ei /kB T
= −Ej /kB T = e−(Ei −Ej )/kB T . (8.54)
Nj e

Esta é a distribuição de Boltzmann, que se aplica a um sistema de partı́culas


distinguı́veis, que no caso presente são os diferentes ´atomos do sistema. De
acordo com a Eq.(8.54), a popula¸cão de um certo nı́vel i diminui exponencial-
mente com o aumento da energia Ei ou com a diminui¸cão da temperatura.
Este é um resultado esperado, porque é exatamente a excitação térmica que
leva os elétrons do estado fundamental para nı́veis de maior energia.

A presença de um campo eletromagnético no sistema tende a produzir


transições entre nı́veis de energia cuja separação esteja pr´oxima da energia
dos fótons ω . A Eq.(8.53) mostra que a probabilidade de transi¸ cão induzida
pelo campo do nı́vel m para o nı́vel n e´ igual a de n para m. Desta forma,
a tendência do campo é de igualar as populações Nn e Nm . Entretanto, esta
igualdade só ocorreria se a intensidade do campo fosse suficientemente alta
para vencer o papel da excita¸ cão térmica. Este efeito é importante no caso
de lasers. Nesta se¸cão vamos supor que o campo é pequeno e que o equilı́brio
térmico não é perturbado.

Vamos calcular as constantes ópticas de um sistema de átomos con-


siderando, para simplificar, que eles têm apenas dois nı́veis, E 1 e E2 ( E2 > E1 ),
com populações N 1 e N 2 . Quando um campo elétrico
E = ŷ E e−iωt
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 313

Figura 8.7: Transições eletrônicas em sistema de dois nı́veis, por absorção (a) e por emiss˜ao
(b) de fótons.

é aplicado ao sistema, os elétrons ficam sujeitos a uma intera¸


cão com energia
−eφ(y) = eE y, que resulta num termo de perturba¸cão do Hamiltoniano dado
y
por
 −iωt
H (t) = e E y e ≡ −E p y e−iωt ,


onde p y = ey é a componente y do operador momento de dipolo elétrico. De
acordo com a regra de ouro (8.53) as probabilidades de transi¸ cão, por unidade
de tempo, para o sistema passar do nı́vel 1 para o nı́vel 2, ou vice-versa, são,
2π 2
W12 = W 21 = E p212 D (E2 −E 1 = ω ) , (8.55)

onde p12 é o elemento de matriz do operador py entre os estados 1 e 2 (omitimos


o ı́ndice y para simplificar a nota¸cão) Quando h´a N 1 elétrons no nı́vel inferior
(por unidade de volume), a potência absorvida do campo eletromagnético pelo
sistema é N 1 W12 ω , pois N 1 W12 e´ o número de fótons absorvidos por unidade
de tempo e volume. Por outr o lado, N2 W21 ω e´ a potência emitida pelos
elétrons que passam do nı́vel 2 para o nı́vel 1 pela emissão de f´otons. Os
processos de absorção e emissão de f´otons por transi¸cões eletrônicas num
sistema de dois nı́veis estão ilustrados na Fig.8.7.

A potência l´ıquida por unidade de volume absorvida pelo sistema é ent˜


ao
2π 2
P= (N1 −N )E2 p212 D (ω )  ω .

Note que a potência absorvida por unidade de volume pode ser identificada
como dI/dx , uma vez que a intensidade da onda I é a potência transmitida

314 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

por unidade de ´area. Assim sendo, usando (8.11) e (8.14) na rela¸ cão dI/dx =
−P e observando que D(ω ) = D (ω )/, obtemos o coeficiente de extin¸cão
2π 2
κ= (N1 −N )p2 12 D (ω ) . (8.56)
n0 

Considerando para D (ω ) uma forma de linha Lorentziana fL (ω ) dada por


(8.40), a substitui¸cão desta equa¸cão em (8.7) fornece a parte imagin´ aria da
constante dielétrica

2 Γ
ε (ω ) = (N1 −N )p
2
2
12 , (8.57)
0 (ω21 − ω) 2 + (Γ/2)2

onde ω21 = (E2 E1 )/. Esta equação tem a mesma forma de (8.39) com ω21 no

lugar ω0 e 2(N1 N2 )p212 /0 lugar de ω p2 /4ω0 (veja Problema 8.8). Isto mostra

que o resultado cl´assico é consistente com o quântico, como foi antecipado.
Entretanto, há detalhes importantes do resultado quˆantico que não aparecem
no tratamento clássico. Da Eq.(8.57) conc luimos que para have r absor¸cão de
energia em transições eletrônicas entre dois nı́veis E 1 e E 2 é preciso que: 1) A
 −
freqüência da radiação seja ω (E2 E1 )/; 2) A popula¸cão do nı́vel inferior
seja maior que a do nı́vel superior, ou seja, N1 N2 > 0; 3) O elemento de

matriz p12 do operador momento de dipolo elétrico entre os estados dos dois
nı́veis seja diferente de zero. Esta última condi¸cão d´a srcem ` as regras de
seleção para transição de dipolo elétrico que determinam quais transições
são poss´ıveis por absorção ou emiss˜ao de f´otons. Como foi menc ionado na
seção 3.4, as regras de sele¸ cão para transi¸cões no ´atomo de hidrogênio com
±
campo linearmente polarizado são ∆ = 1 e ∆m = 0 (Problema 8.10).

O processo de absor¸cão de luz que acabamos de tratar, ocorre quando


a radiação eletromagnética interage com um conjunto de átomos produzindo
transições de nı́veis quânticos de menor energia para outros nı́veis de maior
energia. Outro proces so ´optico muito importante é a emissão espontânea
de radiação, que ocorre quando os ´atomos passam de um estado excitado para
outro estado de menor energia, mesmo sem a presen¸ ca de radia¸cão externa.
A probabilidade por unidade de tempo para haver emiss˜ ao espontânea com
transição de nı́vel 2 para o nı́vel 1, como na Figura 8.7(b), também é dada
E
pela Equação (8.55). Porém, neste caso o campo que aparece em (8.55) é
aquele associado às flutuações quânticas do estado fundamental de zero fótons.
Havendo um momento de dipolo elétrico entre os estados 1 e 2, a transi¸cão
de 2 para 1 ocorre com a emiss˜ ao de um f´oton, sendo chamada de transição
−1
radiativa. O tempo caracterı́stico desta transição é dado por τR = W 12 . Se
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 315

o momento de dipolo entre os dois estados for nulo, a transi¸ cão de 2 para
1 também pode ocorrer, mas neste caso, em vez de haver emissão do f´oton,
há emissão de fˆonon ou de alguma outra excita¸ cão elementar. Este tipo de
transição é chamada não-radiativa .

O processo pelo qual os ´ atomos são colocados em estados excitados, e


subseqüentemente decaem por meio de transições radiativas, é chamado de lu-
minescência. Dentre os v´arios mecanismos que produzem luminescência em
materiais, os mais importantes são a fotoluminescência e a eletroluminescência.
A fotoluminescência é aquela na qual os átomos são levados para estados ex-
citados por meio da absor¸ cão de f´otons de maior energia. Este processo ´e
importante em lasers de s´olidos com impurezas, que serão apresentados na
Seção 8.6.2. A eletroluminescência é aquela na qual a emissão de luz é cau-
sada por um est´ ımulo elétrico, como a passagem de uma corrente elétrica, como
ocorre nos diodos emissores de luz e nos lasers de diodo, ou pela incidência de
um feixe de elétrons, ou com a aplicação de um campo elétrico intenso.

8.3.3 Absorção e Emissão de Luz em Isolantes e Semicondutores

No caso de cristais, o tratamento quˆantico da interação radiação-matéria deve


levar em conta o fato de que os elétrons são descritos por fun¸cões de onda
com vetor de onda k. Além disso eles têm energia E (k ) na forma de bandas
e não em nı́veis discretos. A aplicação da regra de ouro (8.53) para cristais
com bandas no esquema reduzido `a primeira zona de Brillouin mostra que as
transições eletrônicas entre bandas devem conservar energia e momentum. No
caso de transi¸cões produzidas apenas por f´otons tem-se
Ef −E = ± i ω , (8.58)

kf − k = ±k
i (8.59)

onde Ef e E i são as energias do elétron nos estados final e inicial, respectiva-


mente, kf e ki são os vetores de onda correspondentes, ω e k são a freq¨uência
e o vetor de onda do f´ oton absorvido ( Ef > Ei ) ou emitido ( Ef < Ei ) na
transição. Para f´otons da regi˜ao visı́vel k ∼105 cm−1 , sendo portanto des-
prezı́vel em relação ao valor da fronteira da zona de Brillouin, de modo que a
transição entre bandas ocorre com kf k i . A Fig.8.8 mostra duas transições

de absorção entre as bandas de valência e de condução num isolante ou semi-
condutor de gap direto. A transi¸cão com energia mı́nima é aquela que ocorre
316 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 8.8: Absor¸cão de fótons em semicondutor de gap direto. O f´oton de mı́nima energia
que é absorvido tem freqüência ω g = Eg /.

no centro da zona, kf = ki = 0, e com f´ otons de energia igual ao gap do


semicondutor, ωg = Eg . Fótons com energia menor que Eg atravessam o
semicondutor sem absor¸cão por transi¸cão entre as banda s. Por outro lado,
fótons com ω > ωg são facilmente absorvidos porque h´a um grande n´umero
de estados eletrônicos com kf = ki > 0. Usando a Eq.(8.53) para calcu lar
a probabilidade de transi¸cão entre as bandas de valência e de condução, com

densidades
ciente de estados
de absor¸ dadas por (5.12)
cão no semicondutor e (5.13),
de gap diretopode-se mostrar
varia com queuência
a freq¨ o coefi-na
forma,
α(ω ) (ω Eg )1/2 /ω ,
∼ − (8.60)


para ω Eg e α(ω ) = 0 para ω < Eg . Este resultado, ilustrado na Fig.8.9,
mostra que o coeficiente de absor¸cão aumenta rapidamente com ω acima do
ıtico ω g = Eg /.
valor cr´

A situação em semicondutores de gap indireto é mais complicada. Como


ilustrado pela seta na Fig.8.10, a transi¸cão de um elétron do topo da banda
de valência para o mı́nimo da banda de condução num semicondutor como
silı́cio, requer uma grande mudança no vetor de onda. Isto n˜ ao pode ser feito
somente com a absor¸cão de um f´oton pois este tem k 
0. Esta transi¸cão
pode ocorrer com a absor¸ cão de um f´oton com energia ω e vetor de onda
desprezı́vel (k  0) acompanhada da absor¸cão de um fˆonon de energia Ω e
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 317

Figura 8.9: Varia¸cão do coeficiente de absor¸cão com a freq¨uência do fóton em semicondutor


de gap direto.

momentum k , ou da emiss˜ao de um fˆonon com energia Ω e momentum − k.



Neste caso, as equa¸cões de conservação de energia e momentum s˜ao
Ef −E = ω±i  Ω (8.61)

kf − k = k
i , (8.62)

onde os sinais + e −
em (8.61) correspondem, respectivamente, aos processos
com absorção e emissão de fˆonon. Note que no caso do processo com absor¸ cão
de fônon, a energia mı́nima do fóton necessária para produzir a transi¸ cão é
Eg Ω,
− enquanto no caso do processo com emissão de fˆonon a energia mı́nima
é E g + Ω. Entretanto, os semicondutores de gap indireto também podem ter
uma transição direta ( k 0) para um mı́nimo relativo da banda de condução,

com energia Eg + E  , como ilustrado na Fig.8.10. Como a transi¸cão indireta
envolve três excitações elementares, ela tem probabilidade de ocorrência menor
que a direta, na qual os fˆonons não participam. Por esta raz˜ao, a combina¸cão
dos processos indireto e direto resulta num coeficiente de absor¸ cão que varia
com a freq¨uência como ilustrado na Fig.8.11.

Sendo a energia de fˆonons ( Ω 0, 05-0,1 eV) muito menor que os va-



lores tı́picos da energia do gap ( Eg ∼
1 eV), em primeira aproxima¸cão a
energia cr´ ıtica abaixo da qual o semicondutor intrı́nseco (ou isolante) n˜ao
absorve fótons por transi¸cão interbanda é Eg . Por outro lado, f´otons de ener-
gia maior que Eg são fortemente absorvidos resultando na gera¸cão de pares
elétron-buraco. Este processo possibilita o uso de semicondutores em detetores
de radiação eletromagnética. O processo inverso pelo qual fótons são emitidos
318 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

( )

E ’

Eg

Figura 8.10: Transições eletrônicas do topo da banda de valência para dois mı́nimos da
banda de condução em semicondutor de gap indireto como Si. A transi¸ cão indireta envolve
fônons e tem energia E g . A transi¸cão direta tem energia E g + E  .

na recombinação de pares elétron-buraco, é chamado luminescência . Ele é a


base da opera¸cão dos diodos emissore s de luz e dos lasers semic ondutores. A
Tabela 8.1 apresenta as energias do gap e os comprimentos de onda correspon-
dentes para vários semicondutores importantes, indicando também a natureza
do gap, direto (d) ou indireto (i). Vê-se na tabela que existem semicondutores
para fabricar diodos emissores de luz em diversos comprimentos de onda. Além
disso, através da combinação de compostos diversos na forma de ligas, como

Gax A1−x As, é poss´ıvel obter materiais com gaps variando continuamente em

Figura 8.11: Varia¸cão do coeficiente de absor¸cão com a freq¨uência em semicondutor de gap


indireto.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 319

Semicondutor Gap E (eV) λ (µm)

Si i 1,12 1,11
Ge i 0,67 1,88
AN i 5,90 0,21
AAs i 2,16 0,57
GaN d 3,40 0,36
GaP i 2,26 0,55
GaAs
InP dd 1,43
1,35 0,86
0,92
InAs d 0,35 3,54
InSb d 0,18 6,87
CdS d 2,53 0,49
CdTe d 1,50 0,83

Tabela 8.1: Energias do gap e comprimentos de onda correspond entes de semicondutores


importantes à temperatura ambiente [Wilson e Hawkes].

extensas faixas das regi˜oes vis´ıvel e infravermelho.

Os processos de absor¸cão e emiss˜ao de luz interbanda em isolantes s˜ao


iguais aos dos semicondutores. Entretanto, como a energia do gap nos isolantes
é da ordem de 10 eV, os fótons da regi˜ao vis´ıvel, não têm energia suficiente
para produzir transições interbanda. Esta é a razão pela qual cristais isolantes,
como diamante, safira, e cloreto de s´odio, por exemplo, s˜ao quase inteiramente
transparentes à luz vis´ıvel.

Para ilustrar as propriedades ópticas mais importantes dos isolantes,


mostramos na Figura 8.12 espectros de transmissão da safira, a forma cristalina
do A2 O3 . A Fig. 8.12(a) mostra a transmissão em fun¸cão do comprimento
de onda, representado numa escala logarı́tmica para ressaltar toda a faixa
de transparência. Ele mostra uma transmissão acima de 80% na faixa de
comprimento de onda entre 200 nm (energia de 6,2 eV) e 2500 nm (0,5 eV),
estendendo-se do infravermelho ao ultravioleta próximo e abrangendo toda a
região visı́vel (400 a 700 nm). A depressão na transmiss˜ao na forma de um
pico negativo em torno de λ = 3000 nm e a forte diminui¸cão em λ > 6000 nm,
resultam da absorção da radiação infravermelha pelos fônons ópticos da safira.
Por outro lado, a queda na transmissão na região ultravioleta, em λ < 200 nm,
320 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 8.12: Espectros de transmiss˜ao medidos em amostras de A 2 O3 . (a) Cristal puro,


chamado safira, em escala logarı́tmica de comprimento de onda, para mostrar toda a faixa
de transparência; (b) comparação dos espectros de safira (A 2 O3 puro) e de rubi (A 2 O3
com 0,05% de Cr 3+ ).

é devida à absorção pelas transi¸cões interbanda produzidas pelos f´otons com


energia ω > 6 eV.

Na faixa de transparência não há transições para absorver os f´otons e

portanto o coeficiente
imaginária do ı́ndice dederefração
absorçãoé édesprezı́vel
desprez´ ıvel.e aNesta situa¸
componentecão real √
a componente
é n = ε,
que no caso da safira tem valor n = 1, 77. Com este valor de n , a refletividade,
dada por (8.21) é R = 0, 077, enquanto a transmiss˜ao em uma superf´ıcie é
T = (1 R) = 0, 923. Ocorre que o espec tro mostrado na Figura 8.12 foi

medido numa amostra na forma de uma placa fina, que reflete a onda nas duas
superf´ıcies. Por esta razão, a transmiss˜ao é dada por (1 R)2 = 0,85, que é

o valor observado na Figura 8.12. A presen¸ca de uma pequena quantidade de
impurezas de Cr3+ na safira produz duas bandas de forte absor¸cão, mostradas
na Figura 8.12(b). A banda de maior energia está no azul, centrada em λ = 400
nm (3,1 eV), e a de menor energia est´a na regi˜ao verde-amarelo, centrada em
λ = 550 nm (2,25 eV). A presen¸ ca destas bandas faz com que o cristal de
Cr3 :A2 O3 tenha uma cor vermelha, como ser´a explicado na pr´oxima seção.
Este cristal é o rubi, encontrado na natureza como uma pedra preciosa. O rubi
também pode ser crescido sinteticamente por meio das técnicas apresentadas
no Cap´ıtulo 1.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 321

Exemplo 8.4: Uma amostra de CdTe tem a forma de uma placa de faces paralel as, de espessura
0,3 µm com camadas anti-refletoras nas duas faces. Calcule a transmissão de um feixe de luz de
laser de He-Ne, comprimento de onda 632,8 nm que incide normalmente sobre a placa.

No Exemplo 8.1 calculamos o coeficiente de absorção do CdTe no comprimento de onda λ 1


= 500 nm, tendo obtido α(ω1 ) = 9,55 106 m−1 . Como CdTe é um semicondutor de gap direto, a
×
variação do coeficiente de absor¸cão com a energia nas proximidades da energia do gap é dada pela
Equação (8.60). Ent˜ao, o coeficiente de absor¸cão no comprimento de onda λ 2 = 632,8 nm pode ser
calculado com,
1/2 1/2
α(ω2 ) = ( ω2 −− EEgg ))1/2 ωω12 = (( ω2 −− EEgg ))1/2 λλ21
α(ω1 ) ( ω1 ω1

A energia do gap de CdTe dado na Tabela 8.1 é Eg = 1, 5 eV. As energias dos f´ otons
correspondentes aos dois comprimentos de onda são,

hc 6, 63 10−34 3 108
× × × −19
ω2 = = = 3, 14 × 10 J
λ2 632, 8 10−9 ×
ω2 =
3, 14× 10 19 −

1, 6× 10 19 = 1, 96 eV

ω1 = 1, 96 × 632,
500
8
= 2, 48 eV

Logo
1/2
α(ω2 ) = 9, 55 × 106 (1,(2,9648−−1,1,5)5)1/2632,
500
8
= 8, 28 × 106 m −1

Como não há reflexão nas superf´


ıcies, a transmissão é dada por
T = e−αd = e−8,28×0,3 = 0, 084 .

Portanto a transmissão é 8,4 %.

8.3.4 Absorção e Emissão de Luz em Materiais com Impurezas

Em cristais semicondutores ou isolantes contendo impurezas, a presen¸ ca de


nı́veis discretos de energia entre as bandas de valência e de condução dá srcem
a importantes processos de absorção e emissão de fótons. A Figura 8.13 ilust ra
processos de emissão em semicondutores tipo n e tipo p. Em (a) um elétron da
banda de condução passa para um nı́vel vazio de impureza aceitadora emitindo
322 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

Figura 8.13: Ilustração de dois tipos de recombina¸cão elétron-buraco envolvendo nı́veis de


impureza com emiss˜ao de f´otons: (a) Impureza aceitadora em semicon dutor tipo p; (b)
Impureza doadora em semicondutor tipo n.


um fóton de energia Ec Ea . Em (b) um elétron no nı́vel de impureza doadora
recombina com um buraco da banda de valência emitindo fóton de energia
Ed Ev .

Apesar do n´umero de impurezas num s´olido ser muito pequeno com-
parado com o dos ı́ons de cristal, os processos de emissão e absorção de f´otons
envolvendo nı́veis de impurezas são muito importantes, especialmente nos semi-
condutores de gap indireto. Isto é devido ao fato de que a função de onda de
um elétron ligado a uma impureza tem uma localização espacial ∆ x da or-
dem da distância interatômica a . Esta incerteza na posi¸cão do elétron resulta
numa incerteza no seu momentum ∆ p, dada por (2.46), ∆ x ∆ p /2. Sendo ≥
∆x a, a incerteza no vetor de onda do elétron é ∆k 1/2a, que cobre uma
∼ ∼
larga faixa da zona de Brillouin. Em conseq¨uência, as transições envolvendo
impurezas podem ocorrer por emissão ou absorção de fótons, sem a necessidade
da participa¸cão dos fˆonons para ajudar na conserva¸cão de mome ntum. Isto
torna estas transi¸cões muito mais eficientes do que as transi¸ cões interbanda
nos semicondutores de gap indireto . Devido à facilidade dos elétrons e bura-
cos se recombinarem por este processo de emiss˜ao de f´otons, as impurezas s˜ao
chamadas de centros de recombinação.

As transições entre nı́veis discretos também são muito importantes em


isolantes contendo impurezas de certos elementos, especialmente os do grupo
de transição 3d e as terras raras. Como veremos no pr´oximo cap´ ıtulo, nestes
elementos a formação dos ı́ons das impurezas deixa uma camada eletrônica in-
completa, que freqüentemente tem nı́veis de energias dentro do gap do isolante.
Esta é a srcem das bandas de absor¸cão que aparecem em cristais de A 2 O3
(safira) com impurezas de Cr3+ , mostradas na Figura 8.12(b). A presen¸ca das
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 323

Figura 8.14: Nı́veis de energia e transições importantes em Cr 3+ :A2 O3 , o rubi.

impurezas introduz no gap dois conjuntos numerosos de nı́veis que formam as


bandas 4 F1 e 4 F2 , além dos nı́veis discretos 2 E e 2 F2 , mostrados na Figura
8.14. Quando o cristal é iluminado com luz branca, ocorrem transições do es-
tado fundamental 4 A2 para as bandas 4 F1 e 4 F2 por absorção de f´otons. Essas
transições são responsáveis pelas bandas de absor¸cão da Figura 8.12(b). Sub-
seqüentemente os elétrons da banda 4 F2 decaem rapidamente para o nı́vel 2 E,
por transições não-radiativas, e daı́ voltam para o estado 4 A2 por transições
radiativas com a emissão de f´otons de comprimento de onda 694,3 nm. Desta
forma o cristal absorve luz branca e emite luz vermelha, dando ao rubi sua
cor vermelho vivo. Este é o processo de fotoluminescência, no qual se baseia o
laser de rubi, que foi pioneiro dos lasers, descoberto em 1960.

8.4 Fotodetetores

Fotodetetores são dispositivos que convertem luz num sinal elétrico. Existem
vários fenômenos que possibilitam a fabricação de um fotodetetor. O primeiro
a ter importˆancia tecnológica foi o efeito fotoelétrico, descoberto no final do
século XIX e estudado no Cap´ıtulo 2. Ele é a base da opera¸ cão das tradicionais
células fotoelétricas, feitas de um bulbo a v´
acuo contendo um fotocatodo e um
anodo, aos quais é aplicada uma tensão externa (positivo no anodo). Quando
os fótons incidem no fotocatodo, os elétrons emitidos pelo efeito fotoelétrico são
acelerados para o anodo produzindo uma corrente elétrica. Isto constitui uma
célula fotoelétrica simples. Com a colocação de eletrodos entre o fotocatodo
e o anodo é poss´ıvel multiplicar o número de elétrons e amplificar a corrente.
Este é o princı́pio de funcionamento das v´ alvulas fotomultiplicadoras, que são
324 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

dispositivos extremamente sensı́veis. Atualmente existem válvulas fotomulti-


plicadoras para aplicações cientı́ficas que detetam a radiação contando fótons
individualmente, em nı́veis de algumas contagens por segundo.

Assim como ocorreu na eletrˆonica, o desenvolvimento dos fotodetetores


e dos fotoemissores de semicondutor possibilitou a substitui¸ cão das v´alvulas
e das lˆampadas a vácuo e deu um enorme impulso à opto-eletrônica. Os
fotodetetores mais utilizados atualmente nas regi˜oes visı́vel e infravermelho
próximo são os fotodiodos e os foto-resistores de semicondutor. Estes disposi-
tivos não operam no infravermelho médio ou distante, pois os fótons não têm
energia suficiente para produzir pares elétron-buraco. Nessas regiões utiliza-se
fotodetetores térmicos, nos quais a absorção da luz produz um aquecimento
no elemento sensor e varia sua resistência elétrica. Nesta seção estudaremos
apenas os foto-resistores, os fotodiodos e os sensores de imagem CCD, que
são os fotodetetores mais importantes para a opto-eletrˆ onica. Nestes disposi-
tivos, o mecanismo fundamental de conversão de luz em corrente elétrica é a
geração de pares elétron-buraco por absorção de f´otons. Este processo provoca
uma diminuição na intensidade da luz `a medida que esta penetra no material.
Sendo α o coeficiente de absorção do material na freq¨uência da luz, a varia¸ cão
da intensidade ao longo da dire¸cão x de penetração é dada pela Eq.(8.13),

I (x) = I 0 e −αx

onde I0 é a intensidade da radiação na superfı́cie. Como a intensidade cai ex-


ponencialmente com a distância, para assegurar que todos os f´otons incidentes
sejam −1absorvidos, é preciso que a espessura d do material seja muito maior
que α . A Figura 8.1 5 mostra a varia¸cão do coeficiente de absor¸ cão com
o comprimento de onda para v´ arios semicondutores importantes. Em geral
procura-se trabalhar com materiais com α 106 m−1 na faixa de opera¸cão do

dispositivo. Isto assegura que a quase totalidade dos f´ otons é absorvida numa
distância da superfı́cie de apenas alguns µm. Com esta condição vê-se que
os melhores materiais para fotodete¸cão na regi˜ao vis´ ıvel são Si e Ga As. Nos
comprimentos de onda empregados em comunica¸cões ópticas, λ = 1, 3 µm e
1,5 µ m, utiliza-se Ga 0,3 In0,7 As0,6 P0,4 e Ga0,5 In0,5 As respectivamente.

Considerando que o semicondutor tem espessura tal que toda a radia¸ cão
é absorvida, a taxa de criação de pares elétron-buraco é determinada pela
intensidade inicial I 0 da luz. Logo, o n´umero de fótons absorvidos por unidade
de tempo e de ´area é dado por (8.12), Φ = I 0 /ω . Na realidade, sempre existe
algum processo de absorção que não resulta em criação de pares elétron-buraco.
Define-se a eficiência quântica de conversão η , como a raz˜ao entre o n´umero
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 325

Figura 8.15: Variação do coeficiente de absor¸cão α com o comprimento de onda para v´arios
semicondutores [Wilson e Hawkes].

de pares produzidos e o n´umero de f´otons absorvidos. Assim, o n úmero de


pares criados por unidade de tempo e de ´ area é ηI 0 /ω . Portanto, a taxa de
geração de portadores, definida como o n´ umero de pares criados por unidade
de volume e por unidade de tempo é
ηI 0
g= , (8.63)
ωd

sendo d a espessura do semicondutor. Como os elétrons e buracos são criados


aos pares, a variação δn na concentração de elétrons devido à radiação é igual à
variação na concentração de buracos, δp = δn. As taxas de varia¸cão no tempo
dessas concentrações são então
∂δp ∂δn
= =g . (8.64)
∂t ∂t

Esta equação mostra que se a intensidade da luz incidente no semicondutor for


constante e se não houver qualquer outro mecanismo além da geração de pares
elétron-buraco, o número de portadores crescerá indefinidamente, linearmente
no tempo. Na realidade, sempre que as concentra¸cões saem da situa¸cão de
equilı́brio, ocorrem mecanismos de recombinação que tendem a restaurar o
equilı́brio. A taxa com a qual os pares s˜ao destruı́dos é determinada pelo
tempo de recombina¸cão dos portadores minorit´arios, τp ou τn , dependendo
326 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

do tipo do semicondutor. Usando τr para representar este tempo, a taxa de


recombinação é dada pela razão entre o excesso de portadores minoritários, δp
ou δn, e o tempo τ r . Sendo δp = δn, a taxa de recombina¸cão é
δp δn
r= = . (8.65)
τr τr

Em regime estacionário r = g , de modo que as concentra¸cões de elétrons e de


buracos gerados pela luz, por unidade de tempo, s˜ ao dadas por

δn = δp = g τr = η Iω0 τdr . (8.66)

Esta expressão determina o n´umero de portadores criados nos fotodetetores de


semicondutor, que serão apresentados a seguir.

8.4.1 Foto-resistores

Fotocondutividade é o fenômeno pelo qual a condutividade de um material


varia quando a intensidade da luz que incide sobre ele é alterada. A fotocon-
dutividade é a base de funcionamento do fotodetetor mais simples que existe, o
foto-resistor. Ele é também chamado de célula ou dispositivo de fotocondu¸
cão,
ou simplesmente LDR (das iniciais de Light Dependent Resistor). A estru-
tura mais simples de um LDR é constituı́da de uma pequena placa de um
semicondutor intrı́nseco, ou com uma dopagem muito pequena, tendo nas ex-
tremidades dois eletrodos met´alicos para a aplica¸cão de uma tens˜ao externa,
como ilustrado na Figura 8.16. Na ausência de luz a resistência do LDR é
grande porque o n´umero de portadores é pequeno. Quando ele é iluminado o
número de portadores aumenta por causa da cria¸cão de pares elétron-buraco.
Isto pode fazer a resistência diminuir muito em relação ao seu valor inicial, o
que resulta num grande aumento da corrente entre os eletrodos.

Para calcular o efeito da luz sobre a corrente utilizamos a Eq.(5.52) para


a condutividade,
σ = n e µ n + p e µp .

A incidência da radiação produz uma varia¸cão nas concentra¸cões dos porta-


dores dada por (8.66), o que resulta num aumento da condutividade dado
por:
∆σ = g τr e ( µn + µp ) . (8.67)
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 327

Figura 8.16: Estrutura simples de um foto-resistor, ou LDR.

Se a tensão nos eletrodos da placa for V , a varia¸cão na densidade de


corrente será ∆J = ∆σV/ . Portanto, a variação na intensidade de corrente
será
bd
∆I = g τr e ( µn + µp)V . (8.68)

É comum definir o ganho da fotocondutividade como a raz˜ ao entre a


variação de corrente devida à variação da condutividade, produzida pela tensão
externa dada por (8.68), e a corrente correspondente aos pares elétron-buraco
gerados pela luz. Como esta ´ultima é a carga total dos elétrons gerada pela
radiação por unidade de tempo, o ganho é,

G= ∆I .
egbd

Usando (8.68) nesta expressão, obtemos para o ganho


τr (µn + µp)V
G= . (8.69)
2

Este resultado mostra que o ganho aumenta com o valor da tens˜ ao aplicada e
com a diminuição da distância  entre os eletrodos. Evidentemente, os valores
de µn , µp e τr dependem do material utilizado.

A Figura 8.17 mostra a vista de cima do elemento fotocondutivo empre-


gado nos foto-resistores comerciais e a vis˜ao do dispositivo encapsulado. O
elemento fotocondutivo é formado por uma pastilha de material isolante, na
328 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

forma de um disco com diˆametro que varia de alguns mm a v´ arios cm. So-
bre a pastilha é depositada uma camada policristalina do semicondutor foto-
sensı́vel (CdS, CdSe, PbS, InSb, Hgx Cd1−x Te, entre outros), e sobre ela um
filme metálico (A, Ag, ou Au) para forma r os eletrodos. O filme met´alico é
evaporado através de uma máscara que deixa a ´area exposta do material foto-
condutivo na forma de zig-zag. Isto resulta numa grande área de iluminação do
semicondutor, combinada com um pequeno valor da distˆ ancia entre os eletro-
dos, de modo a produzir um alto ganho G .

Os materiais mais utilizados para fabricar foto-resistores que operam na


região vis´ıvel são CdS e CdSe. No infravermelho pr´oximo usa-se PbS e no in-
fravermelho médio InSb ou Hgx Cd1−x Te. Esses materiais têm valores elevados
para o coeficiente de absorção na faixa do espectro de sua opera¸cão, e também
para as mobilidades µn e µp e o tempo de recombina¸cão τr . Além disso, esses
materiais são favoráveis à formação de armadilhas causadas por defeitos na
rede ou por impurezas. Estas armadilhas têm o papel de aprisionar, tempo-
rariamente, portadores de carga elétrica com determinado sinal. Por exemplo,
impurezas de Mn2+ funcionam como armadilhas de elétrons. Assim, enquanto
os portadores com certa carga est˜ao presos nas armadilhas, os portadores com
a carga oposta po dem transitar de um eletrodo para o outro com menor proba-
bilidade de recombinação. Isto resulta num aumento efetivo de τr e portanto
num maior ganho do dispositivo.

Uma considera¸cão importante em qualquer dispositivo fotodetetor diz


respeito ao ruı́do que ele gera na ausência de radiação. A amplitude deste

Figura 8.17: (a) Vista de cima do elemento fotocondutivo com o eletrodo metálico; (b)
Foto-resistor comercial tı́pico.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 329

ru´ıdo determina o nı́vel mı́nimo da radia¸cão que pode ser dete tada. No caso
dos foto-resistores e dos fotodiodos, a principal fonte de ruı́do é a geração
térmica de pares elétron-buraco. Como a probabilidade de geração térmica
é proporcional a exp( Eg /2kB T ) [Eq.(5.23)], o ruı́do depende do material

utilizado e da temperatura de opera¸ cão. Então, como os materiais usados
em fotodetetores de infravermelho têm energia do gap Eg menores que os do
vis´ıvel, seu ruı́do é maior. Para diminuir o ruı́do dos fotodetetores é comum
resfriar o elemento fotocondutivo. Isto pode ser feito eletricamente através de
compactos dispositivos termoelétricos, que facilmente produzem temperaturas

redução −
da ordememderela¸cão ∼
30 Cà (ambiente
240 K).deEmbora
apenasesta temperatura
20%, o efeito norepresente uma
ruı́do é sensı́vel
devido à sua varia¸cão exponencial com 1 /T .

Em geral os foto-resistores s˜ao dispositivos lentos porque s˜ao feitos com


semicondutores cujos tempos de recombina¸cão são muito grandes. Por esta
razão seu uso é restrito a aplicações que necessitem de altos valores de ganho
(103 104 ) e que não requeiram resposta rápida. Por exemplo, os foto-resistores

de CdS e CdSe, cujo tempo de resposta ´e da ordem de 50 ms, s˜ao utilizados
nos medidores de intensidade de luz de câmaras fotográficas.

Para completar esta seção, apresentamos na Fig.8.18 um circuito simples


de polarização de um foto-resistor. O foto-resistor, ou LDR, representado
no circuito através de seu sı́mbolo mais comum, é colocado em série com o
resistor de carga RL . Quando a intensidade da luz incidente varia, a corrente
no circuito acompanha a varia¸cão da luz. Isto produz uma tens ão através de
RL , cuja varia¸cão fornece uma medida da intensidade da luz. Quando apenas
a componente ac da tensão é de interesse, utiliza-se um capacitor na saı́da para
bloquear a parte dc . O valor utilizado para R L depende do valor da resistência
RD do LDR e também de sua variação relativa com a m´axima intensidade

Figura 8.18: (a) Sı́mbolo de circuito do foto-resistor, ou LDR; (b) Circuito simples utilizado
para polarizar um LDR.
330 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

de luz incidente. No caso da variação relativa de RD ser pequena (até 10%),


a maior varia¸cão de VL é obtida com RL = RD . Por outro lado, quan do a
variação de R D é muito grande, a linearidade entre as variações da intensidade
da luz e de VL ocorre aproximadamente com RD RL . Por esta raz˜ao, para

que a tens˜ao de saı́da seja alta, deve-se fabricar foto-resistores com o maior
valor poss´ıvel de RD . Este é outro motivo para que a geometria do foto-resistor
tenha a forma de uma longa fita em zig-zag, como mostrado na Fig.8.17(a).

8.4.2 Fotodiodos
Fotodiodos são detetores de radiação nos quais o sinal elétrico é produzido pela
geração de pares elétron-buraco causada por absorção de fótons nas imediações
da região de depleção de uma jun¸cão p-n. Os elétrons e os buracos dos pares
criados pela radia¸cão são acelerados em sentidos opostos pelo campo elétrico
da junção. Como o campo tem sentido do lado n para o lado p , os buracos s˜ao
acelerados no sentido n p, enquanto os elétrons movem-se no sentido p
→ n, →
como ilustrado na Figura 8.19. Isto resulta numa corrente gerada pela radiação
no sentido n →p, que é o sentido reverso da corrente na junção. Uma grande
diferença dos fotodiodos para os foto-resistores é que neles a fotocorrente é
produzida sem a necessidade da aplica¸cão de uma tens˜ao externa.

A deteção da radia¸cão nos fotodiodos pode ser feita em dois modos dis-

Figura 8.19: Ilustração do processo de criação de pares elétron-buraco por absorção de fótons

na região de depleção de uma junção p n de um fotodiodo, seguida da aceleração das cargas
em sentidos opostos.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 331

tintos de opera¸cão: no modo fotovoltaico o fotodiodo opera com circuito


aberto, e quando a jun¸cão é iluminada aparece uma tensão entre os lados p e
n que pode ser medida externamente; no modo fotocondutivo o dispositivo
é curto-circuitado, ou opera sob uma tensão externa no sentido reverso. Nesta
situação uma corrente flui no sentido reverso quando a jun¸ cão é iluminada. A
escolha do mo do de opera¸cão do fotodiodo depende de sua aplicação. Qualquer
um dos modos pode ser empregado na dete¸ cão de luz. O modo fotovoltaico
é utilizado para converter energia luminosa em energia elétrica, como no caso
das células solares.

Em qualquer modo de opera¸ cão, o fotodiodo sob radia¸cão comporta-


se como uma jun¸cão p n cuja corrente tem duas componen tes: a primeira

é aquela que existe sem a geração de pares por absor¸ cão de f´otons. Ela é
chamada de corrente de escuro e é dada por (6.29),
Ie = I s (e eV/k B T − 1) , (8.70)

onde Is é a corrente de saturação reversa, dada por (6.30), e V é a tensão na


junção; a outra componente é aquela produzida pelos pares elétron-buraco
gerados pelos fótons absorvidos nas proximidades da junção. Sendo I0 a
intensidade da radia¸cão absorvida e η a eficiência quântica da convers˜ao, o
número de pares criados por unidade de volume e de tempo é dado por (8.63),
g = ηI 0 /ωd . Para calcular o n´umero total de pares deve-se considerar que
os portadores minorit´arios gerados fora da regi˜ ao de deple¸cão (espessura ),
porém dentro de uma distância da ordem do comprimento de difus˜ao (Ln e
Lp ), s˜ao capazes de difundir para a regi˜ ao de deple¸cão e serem acelerados
pelo campo par a o outro lado. Como em geral Ln , Lp  , a contribui¸cão
desses pares para a corrente é importante, fazendo com que o volume efetivo
de geração de pares seja d A ( + Ln + Lp )A, onde A e´ a área de iluminação

da junção. A corrente na jun¸cão produzida pela luz é então,
η e I0 A
IL = g d A = .
ω

Sendo PL = I0 A a potência incidente na área efetiva da jun¸cão, usando a


relação ω = hc/λ podemos escrever esta contribuição na forma,
η e PL λ
IL = . (8.71)
hc

A eficiência quântica de conversão depende do material utilizado e também


do comprimento de onda λ da radiação. Como esta corr ente tem o sentido
reverso, a corrente total no fotodiodo é dada por
332 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

I = I s (e eV/k B T − 1) − I
L . (8.72)

A Figura, 8.20, mostra as caracterı́sticas I −


V de um fotodiodo no
escuro e sob ilumina¸cão, para dois valores de p otência de luz. O efeito da
radiação contribui com uma parcela negativa para a corrente, independente de
V , que aumenta proporcionalmente `a intensidade de luz. A Eq.(8.72) e sua
representação gráfica são usadas para analisar os dois modos de opera¸ cão do
fotodiodo.

caso VNo=modo = IL . O pontoo de


0 e Iccfotocondutivo
− fotodiodo opera
operação em curto-circuito.
correspondente Neste
está mostrado

na curva I V da Fig.8.20 correspondente `a potência de luz P2 . No modo
fotovoltaico o fotodiodo opera em circuito aberto, portanto I = 0. Nesta
situação a absor¸cão de luz d´a srcem a uma tens˜ ao nos terminais do diodo,
cujo valor é obtido diretamente de (8.72),

Vca =
kB T I
 
n L + 1 . (8.73)
e Is

O ponto de opera¸cão I = 0, V = Vca é a interseção do eixo de tens˜ao com a


curva I V , mostrada na Fig.8.20. Na realidade, em nenhuma aplica ¸cão o

fotodiodo opera estritamente nos modos de opera¸ cão acima. Como veremos
a seguir, as células solares atuam próximo do modo fotovoltaico, enquanto os
fotodetetores atuam próximo do modo fotocondutivo.

Figura 8.20: Caracterı́stica I − V de uma junção p − n no escuro e sob ilumina¸cão, para dois
valores de potência de luz.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 333

Para fazer o fotodiodo atuar como fotodetetor, aplica-se uma tens˜ ao ex-
terna reversa que faz a junção operar no terceiro quadrante do diagrama I V , −
de modo que I Is IL . Se a tax a de ger a¸cão térmica de pares for muito
 −
menor que a de absorção de fótons, a corrente de saturação reversa será despre-
zı́vel comparada com IL . Neste caso a corrente no fotodiodo será proporcional à
potência da radiação incidente na junção. Além da linearidade de sua resposta,
o fotodiodo tem outras vantagens em rela¸cão ao foto-resistor como detetor de
radiação. As mais importantes s˜ao a rapidez de resposta, melhor estabilidade
e maior faixa dinˆamica de opera¸cão. Em aplica¸cões que não necessitem de res-

posta muito
muito rápida,
simples, ele ainda
formado tem
apenas a vantagem
por de poder
uma pequena ser usado
resistência num circuito
de carga (de um
microamperı́metro, ou ligada a um voltı́metro eletrônico).

Para pequenas potências de luz a corrente será baixa, de modo que se


RL é pequena, V = RL I Vca . Neste caso o ponto de opera¸cão está próximo

de I cc, V = 0, de modo que a corrente é proporcional à potência incidente. As
vantagens no uso de uma bateria adicional para polarizar o diodo reversamente,
são o aumento na rapidez de resposta e também na faixa dinâmica de operação.

O material mais utilizado para fabricar fotodiodos para a regi˜ ao vis´ıvel


é o silı́cio. A Figura 8.22 mostra a responsividade de um fotodiodo comer-
cial de Si em fun¸cão do comprimento de onda. Esta grandeza, muito usada
para caracterizar a resposta de fotodetetores, é a razão entre a fotocorrente
e a potência de luz incidente. A linha tracejada mostrada na figura, é a res-
posta de um fotodetetor ideal, dada pela Eq.(8.71), com η = 1 para qualquer
comprimento de onda (Problema 8.11). Vemos na figura que a responsividade
do silı́cio se aproxima da ideal em toda a região visı́vel. A Figura 8.23 mostra
a estrutura tı́pica de um fotodiodo de Si. Ela é formada de regiões p+ e n+

Figura 8.21: (a) Sı́mbolo de circuito do fotodiodo; (b) Circuito simples para uso do fotodiodo
como detetor de radia¸cão.
334 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

nas extremidades para facilitar o contato ˆohmico com os filmes met´alicos. A


principal diferença para a estrutura do diodo comum, mostrada na Fig.6.1, é
a abertura existente no contato met´alico. É comum também depositar sobre
a superf´ıcie de entrada uma camada dielétrica anti-refletora para aumentar a
eficiência de conversão. Como os pares s˜ao criados na região de depleção ou em
suas proximidades, deve-se fazer a espessura do lado p + a menor poss´ıvel para
que a luz n˜ao seja absorvida antes de chegar nela. De acordo com a Eq.(6.9),
numa junção p + n a espessura da regi˜ao de depleção no lado n é muito maior

que no lado p+ . Assim sendo, deve-se fazer a espessur a da região n suficien-

temente grande para assegurar que toda radia¸cão incidente no fotodiodo seja
absorvida.

Uma outra estrutura comumente utilizada em fotodiodos ´e a do diodo


PIN, na qual uma camada de semicondutor intrı́nseco é interposta entre as
regiões p+ e n+ da jun¸cão p-n, como ilus trado na Figur a 8.24. A sigla PIN
indica o semicondutor intrı́nseco entre os lados p e n. Na realidade a camada
não é intr´
ınseca, porém tem uma concentra¸ cão de impurezas doadoras muito
pequena ( Nd < 1013 cm−3 ), de modo que sua resistividade é muito alta. Isto
resulta numa região de depleção que se estende até o lado n+ , fazendo com que
a espessura ´util do fotodiodo seja muito maior que na estrutura p n. Isto −

Figura 8.22: Responsividade de um fotodiodo de Si (linha cheia). A linha tracejada indic a


a resposta de um fotodiodo ideal, obtido de (8.71) com η = 1.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrˆonicos 335

Figura 8.23: Estrutura da jun¸cão p + -n-n+ de um fotodiodo.

melhora a resposta na regi˜ ao de maior comprimento de onda, pois assegura


que toda a radia¸cão é absorvida mesmo nesta região de menor coeficiente de
absorção.

Outros fotodetetores muito utilizados s˜ao o fotodiodo de avalanche


e o fototransistor. O fotodiodo de av alanche opera sob tens˜ao reversa com
um valor suficiente para produzir multiplicação por avalanche, que resulta em
ganho de corrente. Isto permite que o dispositivo atue com uma resistência de
carga pequena, aumentando assim sua rapidez de resposta. Por outro lado o
ganho possibilita gerar na resistência uma tensão apreciável. O fototransistor
é um dispositivo no qual a junção emissor-base pode ser iluminada de modo
a gerar pares elétron-buraco. Isto resulta numa corrente de emissor que varia
com a intensidade da luz, permitindo a dete¸cão da luz com ganho de corrente.

Figura 8.24: (a) Modelo da estrutura do fotodiodo PIN; (b) Varia¸ cão do campo elétrico ao
longo do fotodiodo.
336 Materiais e Dispositivos Eletrˆ onicos

8.4.3 Células Solares

A célula solar é um fotodiodo com uma grande área de exposi¸cão à radiação,


cuja operação se d´a em condi¸cões de fornecer energia a uma carga externa.
Para que isto ocorra é necessário que ela opere no quarto quadrante da carac-
ter´ıstica I V , de tal forma que a potência absorvida pelo dispositivo, dada

pelo produto V I , seja negativa. Nesta situação o fotodiodo converte energia
luminosa em energia elétrica. O circuito utilizado para isto é o mesmo da
Fig.8.21 exceto que o valor de RL , em vez de ser pequeno, deve ser escolhido
para maximizar a potência fornecida. O ponto de operação do circuito é deter-
minado pela interseção da reta de carga da resistência RL com a curva I V −
da célula, como ilustrado na Figura 8.25. Note que a área do retângulo cinza
indicado na figura representa a potência elétrica Pe = V I entregue à carga.
O melhor valor de RL é aquele no qual Pe e´ máximo. Os valores Vm e Im
de operação na condi¸cão de Pe máximo s˜ao determinados por dPe /dV = 0
(Problema 8.14), sendo dados por:

Vm =
kB T
n
1 + ( IL /Is )