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Além das propriedades mecânicas

Existem poutras propriedades de grande

importância:

São Elas:

PROPRIEDADES ELÉTRICAS,

MAGNÉTICAS

TÉRMICAS e

ÓPTICAS

PROPRIEDADES ELÉTRICAS

CONDUTIVIDADE ELÉTRICA ()

É

cargas

elétricas (elétrons ou íons) de

uma posição para outra.

o

movimento

de

= 1/= n.q.

= condutividade elétrica (ohm -1 .cm -1 ) = resistividade elétrica (ohm.cm) n= número de portadores de carga por cm 3

q=

carga

carregada

[q

do

pelo portador elétron= 1,6x10 -19

(coulombs)

coulombs]

pelo portador elétron= 1,6x10 - 1 9 (coulombs) coulombs] R =  . l/A  =

R = . l/A

= mobilidade dos portadores de carga

(cm 2 /V.s)

PROPRIEDADES ELÉTRICAS

SEMICONDUTORES

Tem resistividade entre metais e isolantes

•
•

10 -6 -10 -4 .cm

10 10 -10 20 .cm

A resistividade diminui com o aumento de temperatura (ao contrário dos metais)

A resistividade diminui com a adição de certas

impurezas

A resistividade aumenta com a presença de imperfeições nos cristais.

PROPRIEDADES ELÉTRICAS EXEMPLOS

DE SEMICONDUTORES

Silício, Germânio (Grupo IV da Tabela Periódica)

GaAs,

GaN, InP, InSb,

etc. (Grupo III-V da

Tabela Periódica)

PbS,

CdTe,

Periódica)

galena,

(Grupo

II-VI

da

Tabela

95 % dos dispositivos eletrônicos são fabricados com Silício

65 % dos dispositivos de semicondutores do grupo III -V

são para uso militar

EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES

SÃO USADOS PARA A FABRICAÇÃO DOS SEGUINTES DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS E OPTOELETRÔNICOS

Transistor

Diodos

Circuito integrado

LEDS

Detectores de infravermelho

Células solares, etc.

CAMPOS DE APLICAÇÃO DOS

DISPOSITIVOS DE SEMICONDUTORES

Indústria

de

computadores

(memórias,

microprocessadores, etc.)

 

Indústria aeroespacial

Telecomunicações

Equipamentos de áudio e vídeo

 

Relógios

Na robótica

Sistemas industriais de medidas e controles

 

Sistemas de segurança

 

Automóveis

Equipamentos médicos,

 

LIGAÇÃO QUÍMICA

LIGAÇÃO QUÍMICA A- METAIS • Os elétrons de valência não estão ligados a nenhum átomo específico

A- METAIS

Os elétrons de valência não estão ligados a nenhum átomo específico (estão livres)

Há atração entre os elétrons livres (de valência) e os íons positivos (núcleo mais elétrons de valência)

Os metais têm elevada condutividade elétrica

devido os elétrons estarem livres para moverem-se (alta

mobilidade).

No entanto, a agitação térmica reduz o livre

percurso médio dos elétrons, a mobilidade dos mesmos

e como conseqüência a condutividade.

EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO

MATERIAL NA RESISTIVIDADE

EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE 8

EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO

MATERIAL NA RESISTIVIDADE

DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE ESTRUTURA PERFEITA A BAIXA TEMPERATURA MOVIMENTO DOS

ESTRUTURA PERFEITA A BAIXA TEMPERATURA

NA RESISTIVIDADE ESTRUTURA PERFEITA A BAIXA TEMPERATURA MOVIMENTO DOS ELÉTRONS A MAIS ALTA TEMPERATURA MOVIMENTO

MOVIMENTO DOS ELÉTRONS A MAIS

ALTA TEMPERATURA

BAIXA TEMPERATURA MOVIMENTO DOS ELÉTRONS A MAIS ALTA TEMPERATURA MOVIMENTO DOS ELÉTRONS EM UMA ESTRUTURA COM

MOVIMENTO DOS ELÉTRONS

EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS

LIGAÇÃO QUÍMICA

LIGAÇÃO QUÍMICA B- SEMICONDUTORES Todos os semicondutores têm ligação covalente, com 4 elétrons de valência. Os

B- SEMICONDUTORES

Todos os semicondutores têm ligação covalente, com 4 elétrons de valência. Os semicondutores

compostos (grupos III-V e II-VI) têm 4 elétrons

de valência em média.

RESISTIVIDADE

VERSUS

TEMPERATURA

PARA UM SEMICONDUTOR

O aumento da temperatura fornece energia que

liberta transportadores de cargas adicionais.

BANDAS DE ENERGIA

Os

semicondutores

se

caracterizam

eletrônica em bandas de energia.

por

sua

estrutura

Os elétrons de valência de dois átomos adjacentes

interagem entre si quando são aproximados um do outro, como

acontece em um sólido cristalino. Isso faz com que novos níveis de energia sejam estabelecidos, originando então bandas de

energia (são níveis discretos de energia, mas com diferenças

apenas infinitesimais)

A banda de energia corresponde à um nível de energia de um átomo isolado

As bandas de energia nem sempre se sobrepõem

Assim como orbitais, as bandas de energia podem comportar no

máximo dois elétrons.

GAP DE ENERGIA (BANDA PROÍBIDA)

É o espaço entre as bandas de energia

É o que distingue um semicondutor de um condutor ou isolante.

NÍVEL DE DE ENERGIA DE FERMI

É definido como o nível de energia abaixo do qual todos os estados de

energia estão ocupados a 0K.

DE FERMI  É definido como o nível de energia abaixo do qual todos os estados

CONDUTOR

Os

elétrons não

 

preenchem todos os

estados possíveis da

banda de valência e por

isso a condução ocorre

na banda de valência.

Num metal o nível de Fermi esta localizado na

banda de valência.

Nível de Fermi
Nível de Fermi

Banda de valência

incompleta

ISOLANTES

BANDA

DE

CONDUÇÃO

Os elétrons

preenchem todos os

estados possíveis da

banda de valência e por

isso a condução NÃO

Nível de fermi

GAP DE ENERGIA
GAP DE ENERGIA

BANDA

DE

VALÊNCIA

ocorre na banda de

valência.

Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de

energia

Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

Gap de um isolante é maior

SEMICONDUTOR

BANDA

DE

CONDUÇÃO

GAP DE ENERGIA

BANDA

DE

VALÊNCIA

Da mesma forma

que nos isolantes, os elétrons

preenchem todos os

estados possíveis

da banda de

valência.

Nível de fermi

Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de

energia

Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

Gap de um isolante é maior

SEMICONDUTOR

Num semicondutor, os elétrons podem ser excitados para a banda de

condução por energia elétrica, térmica

ou óptica (fotocondução)

Quando um elétron é excitado para a

banda de condução deixa um buraco ou

uma vacância na banda de valência que

contribui também para a corrente.

CONDUÇÃO INTRÍNSECA

(SEMICONDUTOR INTRÍNSECO)

É

a

movimentos

puros.

condução

eletrônicos

resultante

nos

dos

materiais

Um semicondutor pode ser tipo "p" ( condução

devido aos buracos) ou tipo "n" (condução devidos

aos elétrons)

se origina devido a

presença de uma imperfeição eletrônica ou devido

a presença de impurezas residuais.

Este

tipo

de

condução

eletrônica ou devido a presença de impurezas residuais.  Este tipo de condução CONDUÇÃO INTRÍNSECA 18
CONDUÇÃO INTRÍNSECA
CONDUÇÃO INTRÍNSECA

18

CONDUÇÃO INTRÍNSECA

(SEMICONDUTOR INTRÍNSECO)

CONDUÇÃO INTRÍNSECA (SEMICONDUTOR INTRÍNSECO) É a condução resultante dos movimentos eletrônicos nos materiais

É a condução resultante dos movimentos eletrônicos nos materiais puros.

CONDUÇÃO EXTRÍNSECA

Quando adiciona-se intencionalmente uma

impureza dopante para proporcionar elétrons ou

buracos extras.

Os semicondutores extrínsecos podem ser:

Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos

extras.

Tipo n: com impurezas que proporcionam elétrons

extras

(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)

.Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante para CRIAR

buracos extras.

Impurezas

tipo

"p"

ou

aceitadores

proporcionam buracos extras

Exemplo: Dopagem do Si (valência 4)

com Boro (valência 3)

(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)

(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P) BORO É UM DOPANTE TIPO P PARA O SILÍCIO PORQUE PROPORCIONA BURACOS

BORO É UM DOPANTE

TIPO P PARA O SILÍCIO

PORQUE PROPORCIONA

BURACOS EXTRA

(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)

NÍVEL DE FERM I

(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P) NÍVEL DE FERM I 23

(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N)

Impurezas tipo "n"

ou doadores.

proporcionam

elétrons extra

ou doadores .  proporcionam elétrons extra • Exemplo: Dopagem do Si (valência 4) Fósforo com

Exemplo: Dopagem do Si (valência 4)

Fósforo

ou doadores .  proporcionam elétrons extra • Exemplo: Dopagem do Si (valência 4) Fósforo com

com

(valência 5)

(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N) NÍVEL DE FERMI

(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N) NÍVEL DE FERMI 25

CONDUÇÃO EXTRÍNSECA

CONSIDERAÇÕES GERAIS

Os elétrons tem maior mobilidade que os buracos.

A presença de impurezas pode alterar o

do

tamanho

do

de

energia

gap

semicondutor.

OPERAÇÃO DO DIODO

OPERAÇÃO DO DIODO (JUNÇÃO P-N) – Dispositivos eletrônicos como transistors, usam a combinação de semicondutores

(JUNÇÃO P-N)

OPERAÇÃO DO DIODO (JUNÇÃO P-N) – Dispositivos eletrônicos como transistors, usam a combinação de semicondutores

Dispositivos eletrônicos como transistors,

usam a

combinação de semicondutores extrínsecos

circuitos integrados, chips, etc

tipo “p” e tipo “n” .

DIODO é um dispositivo que permite a corrente fluir em um sentido e não em

outro. É construído juntando um semicondutor tipo “n” e tipo “p”.

JUNÇÃO P-N

-Quando uma voltagem é aplicada como no esquema abaixo, os dois

tipos de cargas se moverão em direção à junção onde se

recombinarão. A corrente elétrica

irá fluir.

-Como no esquema abaixo, a

voltagem causará o movimento de

cargas para longe da junção. A corrente não irá fluir no dispositivo.

abaixo, a voltagem causará o movimento de cargas para longe da junção. A corrente não irá
abaixo, a voltagem causará o movimento de cargas para longe da junção. A corrente não irá
abaixo, a voltagem causará o movimento de cargas para longe da junção. A corrente não irá

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2_PROPRIEDADES MAGNÉTICAS

2_PROPRIEDADES MAGNÉTICAS 29

PROPRIEDADES MAGNÉTICAS

A maioria dos elementos e materiais não

exibem propriedades magnéticas.

Materiais que exibem propriedades magnéticas:

• Materiais que exibem propriedades magnéticas: Ferro, Níquel, Cobalto, Gadolíneo, algumas ligas (SmCo 5

Ferro, Níquel, Cobalto, Gadolíneo, algumas

ligas (SmCo5, Nd2Fe14B,

)

Ferromagnetismo

Ferromagnetismo É a propriedade de concentrar as linhas de força magnética, caracterizada pela permeabilidade

É a propriedade de concentrar as linhas de força magnética, caracterizada pela permeabilidade

magnética.

Ferromagnéticos- permeabilidade magnética >1 (subst.

Paramagnéticas) - elétrons desemparelhados

Ferro, Cobalto, Níquel e Gadolínio

Outros metais-permeabilidade magnética <1 (subst. Diamagnéticas) - elétrons emparelhados

PERMEABILIDADE MAGNÉTICA

Permeabilidade Magnética ()- está relacionada com a intensidade de magnetização.

A intensidade de magnetização

varia em função da intensidade do

campo aplicado.

É característica do material

= tg B/H

É dada em Gauss/Oersted

da intensidade do campo aplicado. • É característica do material  = tg  B/H É
da intensidade do campo aplicado. • É característica do material  = tg  B/H É

Domínios magnéticos

Domínios magnéticos São regiões da estrutura do material onde todos os átomos cooperam magneticamente, ou seja,

São regiões da estrutura doDomínios magnéticos material onde todos os átomos cooperam magneticamente, ou seja, são zonas de magnetização

material onde todos os átomos

cooperam magneticamente, ou

seja, são zonas de magnetização espontânea (<0,05mm).

Quando um campo magnéticosão zonas de magnetização espontânea (<0,05mm). é aplicado, os domínios magnéticos tendem a se alinhar

é aplicado, os domínios magnéticos tendem a se alinhar

com o campo e, então, o material

exibe propriedades magnéticas.

os domínios magnéticos tendem a se alinhar com o campo e, então, o material exibe propriedades

Curva de magnetização ou de histerese

Curva de magnetização ou de histerese Indução residual (Br) - é a indução magnética que se

Indução residual (Br) - é a indução - é a indução

magnética que se conserva no corpo

magnetizado, depois de anulada a

intensidade do campo.

É dada em Gausscorpo magnetizado, depois de anulada a intensidade do campo. Força coercitiva (Hc) - é a intensidade

Força coercitiva (Hc)- é a intensidade de campo que tem de ser aplicado para desmagnetizar. - é a intensidade de campo que tem de ser aplicado para desmagnetizar.

É dado em Oerstedde campo que tem de ser aplicado para desmagnetizar. Material com elevado Hc = consome energia

Material com elevado Hc = consome energia = consome energia

para alinhar os domínios magnéticos, de

uma direção para outra. A quantidade de energia necessária para magnetizar é proporcional a área do ciclo de histerese.

Permeabilidade Magnética (  )- é a ()- é a

intensidade de magnetização. A intensidade

de magnetização varia em função da intensidade do campo. ë característica do material

= tg  B/H , É dada em Gauss/Oersted = tg B/H , É dada em Gauss/Oersted

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Classificação das ligas magnéticas

A classificação é feita de acordo com a forma da curva de histerese.

O nome esta relacionado com as propriedades mecânicas/metalúrgicas da liga:

Ligas Magnéticas Duras

Ligas Magnéticas Macias

Ligas magnéticas duras

- Se caracterizam pelo grande valor de Hc e alto Br

- São ligas endurecidas com estruturas desiquilibradas, dispersas

- São utilizadas na fabricação de imãs permanentes

Ligas magnéticas macias

- Apresentam Hc de baixo valor e pequenas perdas de histerese e baixo Br.

- São ligas organizadas. Geralmente metais puros com boa qualidade estrutural.

- São empregadas como ligas a serem submetidas à magnetização alternada

(núcleos de transformadores)

CURVA HISTERÉTICA PARA LIGAS MAG. DURAS E MACIAS

CURVA HISTERÉTICA PARA LIGAS MAG. DURAS E MACIAS 38

Papel dos elementos de liga

Papel dos elementos de liga  Aumentam a força coercitiva ou “dureza” magnética  Diminuem o

Aumentam a força coercitiva ou “dureza” magnética

Diminuem o tamanho de grão

A formação de uma segunda fase, pela adição de“dureza” magnética  Diminuem o tamanho de grão elementos de liga (acima do limite de solubilidade),

elementos de liga (acima do limite de solubilidade), contribui

para o aumento do Hc. Quanto mais elevada a dispersão da

segunda fase maior o Hc.

O endurecimento causado pela transformações de fase ou pela diminuição do tamanho de grão aumentam o Hc, porqueQuanto mais elevada a dispersão da segunda fase maior o Hc. evitam a redistribuição ao acaso

evitam a redistribuição ao acaso dos domínios magnéticos.

Propriedades Térmicas

Calor específico e capacidade calorífica

Expansão térmica

Condutividade térmica

Choque térmico

Conceitos importantes

Fónon- “pacote” de ondas elásticas.

Caracteriza-se por sua energia, comprimento de onda ou

frequência, capaz de transferir energia pelo material

Calor específico quantidade de energia necessária para

elevar a temperatura de um material de 1K.

Capacidade calorífica:

C=dQ/ dT (J/kg.K)

Influência da temperatura:

Cv=AT3,

onde T é a temperatura absoluta.

Temperatura de Debye q

D:temperatura acima da qual o valor de Cv se estabiliza e

se iguala a 3 R.

Calor específico de alguns metais e cerâmicas em função da temperatura

Calor específico de alguns metais e cerâmicas em função da temperatura

Efeito da temperatura no calor específico do ferro.

Efeito da temperatura no calor específico do ferro.

Expansão térmica

Coeficiente de expansão térmica linear é uma medida da

variação de comprimento sofrida por um material quando o

mesmo é submetido a uma variação unitária de temperatura, ou seja, quando a temperatura do material é elevada em 1 K.

Δl/ l0 =αL .ΔT

Tensões térmicas

Tensões térmicas tensões introduzidas devido a diferenças de

expansão e contração que ocorrem em um material devido à

variações de temperatura.

=E. aLDT

Relação entre o coeficiente de expansão térmica linear e ponto de fusão para metais

Relação entre o coeficiente de expansão térmica linear e ponto de fusão para metais

Condutividade térmica Condutividade térmica propriedade que mede

a taxa de transferência de calor através de um

dado material.

de transferência de calor através de um dado material. Constante de Lorentz – Constante K que

Constante de Lorentz Constante K que

relaciona as condutividades térmica e elétrica.

através de um dado material. Constante de Lorentz – Constante K que relaciona as condutividades térmica

Choque térmico

Resistência ao choque térmico medida da

resistência do material à fratura causada pela

exposição a uma variação de temperatura

Para cerâmicas:

RCT=f. k/E. aL

Efeito do choque térmico no módulo de ruptura do sialon

Efeito do choque térmico no módulo de ruptura do sialon

Propriedades Ópticas

Trabalho individual a ser entregue junta a primeira

prova sobre as propriedades ópticas dos metais.

Resumo de no Mínimo de 2 páginas.

Profa. Fernanda Bordin