Bandas de Energı́a: Germanio

Viviana Lizeth Guerrero Herrera∗

Departamento de Fı́sica
Universidad Nacional de Colombia
(Dated: Julio 22, 2019)

En la presente práctica experimental se buscó estudiar la banda de energı́a prohibida o Energy

Gap del Germanio, uno de los semiconductores más usados en la actualidad. A través de un montaje
experimental compuesto por un sensor de Efecto Hall con una muestra de Germanio dopado, una
fuente controlada de tensión y voltaje y multı́metros para realizar las medidas correspondientes, se
comprobó la relación de la conductividad (obtenida a través de la resistencia medida) y la temperatura
(obtenida con la diferencia de potencial) y con dicha relación además de acuerdo a la teorı́a, se logró
encontrar un valor para la banda de energı́a prohibida del Germanio de 0.721 ± 0.210eV con un error
porcentual de 7.61%.
Palabras clave: Banda de energı́a. Banda de energı́a prohibida. Energy Gap. Germanio. Germanio
Dopado. Conductividad.

1. INTRODUCCIÓN la conductividad del material. Ası́ es como vemos que

la temperatura a la que es sometida un material y su
Se presenta en este informe de laboratorio el estudio de conductividad están relacionadas de la siguiente manera:
las bandas de energı́a para el Germanio dopado, en partic- −Eg

ular de su banda de energı́a prohibida. Este semiconductor σ = σ0 ∗ e 2KT (1)

es en la actualidad altamente usado en la construcción
de muchos dispositivos electrónicos prácticos y además Dónde K = 1.3806488 ∗ 10− 23 K
J
es la constante de Bolzt-
constituye un buen ejemplo de la teorı́a cuántica, espe- mann y Eg es el energy gap anteriormente dicho.
cialmemte de la discretización de la energı́a. Se busca
comprobar el comportamiento de la conductividad del
Germanio cuando es sometido a excitación térmica para
ası́ ver el paso electrónico entre la banda de valencia y 3. MATERIALES Y MÉTODOS
la banda de conducción y ası́ mismo la existencia y valor
cuantitativo de la banda de energı́a prohibida o Energy
El montaje estuvo compuesto por los siguientes elemen-
Gap.
tos:

2. TEORÍA • Sensor de Efecto Hall, en el cuál se puso una placa

Los semiconductores (y particularmente el usado en
este laboratorio que fue el Germanio) son sólidos cova-
lentes que pueden ser considerados como aislantes si se
encuentran a una temperatura de cero absoluto, es decir
que a esta temperatura, el material tendrá toda su banda
de valencia llena y la banda de conducción estará vacı́a
pero además se observa que entre estas dos bandas existe
un intervalo de energı́as prohibidas, que en el caso del
Germanio corresponde a Eg = 0.67eV . A través de la
excitación térmica, los electrones presentes en la banda de
valencia adquieren la energı́a suficiente para hacer el paso
hacia la banda de conducción y de esta manera aumenta
∗ Electronic address: vlguerreroh@unal.edu.co
de Germanio dopado con área A = 1 ∗ 10− 5mm y
de grosor l = 0.02mm.
• Una fuente controlada de tensión y corriente.
• Voltı́metro y Óhmetro
Se conectó la fuente a la placa conteniendo el sensor de
Efecto Hall, se conectaron los multı́metros, uno con el fin
de registrar la diferencia de potencial entre los extremos
de la muestra y el otro para observar la resistencia del
material. Se aumentó la tensión hasta un máximo de 3A
para ası́ aumentar la temperatura y se tomaron los datos
durante el enfriamiento de la placa.
 2

4. DATOS OBTENIDOS

T (s) R(Ω) V (V )
0 13,7 1,494
30 16,9 1,396
60 24,2 1,262
90 33,5 1,154
120 44 1,042
150 54,3 0,946
180 62,2 0,864
210 66,7 0,791
240 68,6 0,731
270 69 0,674
300 68,5 0,627
330 67,7 0,585
360 66,7 0,549
390 65,6 0,516
FIG. 1: Montaje Experimental usado 420 64,6 0,488
450 63,6 0,462
480 65,9 0,44
510 62,1 0,42
540 61,4 0,403
570 60,8 0,387
600 60,2 0,373
630 59,7 0,36
660 59,3 0,349
690 58,8 0,339
720 58,5 0,33
750 58,2 0,321
780 57,8 0,314
810 57,6 0,307
840 57,3 0,301
870 57,1 0,295
900 56,9 0,29
930 56,7 0,285
960 56,5 0,282
990 56,4 0,278
1020 56,2 0,274
1050 56,1 0,271
1080 56 0,268
1110 55,9 0,265
1140 55,8 0,263
1170 55,7 0,261
1200 55,6 0,259
1230 55,5 0,257
1260 55,4 0,255
1290 55,4 0,253
1320 55,3 0,252
1350 55,3 0,251
1380 55,2 0,249
1410 55,2 0,248
1440 55,1 0,247
1470 55,1 0,246
1500 55,1 0,245

TABLE I: Datos tomados experimentalmente de Resistencia

R(Ω) y Diferencia de Potencial V(V) medidos durante el enfri-
amiento del Germanio dopado en función del tiempo medido
cada 30s
 3

1
5. ANÁLISIS R(Ω) V (V ) T (K) σ( Ωm )
56,5 0,282 324,15 35,3982301
56,4 0,278 323,75 35,4609929
En primer lugar, calcularemos la temperatura, usando 56,2 0,274 323,35 35,5871886
el siguiente factor de conversión: 56,1 0,271 323,05 35,6506239
56 0,268 322,75 35,7142857
55,9 0,265 322,45 35,7781753
Vt 55,8 0,263 322,25 35,8422939
T = 295.95K + V
(2)
0.01 K 55,7 0,261 322,05 35,9066427
55,6 0,259 321,85 35,971223
Donde Vt es la diferencia de potencial medida en el 55,5 0,257 321,65 36,036036
55,4 0,255 321,45 36,101083
Germanio.
55,4 0,253 321,25 36,101083
55,3 0,252 321,15 36,1663653
Adicional a esto, calcularemos la conductividad de esta 55,3 0,251 321,05 36,1663653
muestra a través de la siguiente expresión que la relaciona 55,2 0,249 320,85 36,2318841
con la resistencia medida R. 55,2 0,248 320,75 36,2318841
55,1 0,247 320,65 36,2976407
0.02m 1 55,1 0,246 320,55 36,2976407
σ= − 2
∗ (3)
1.10 5m R 55,1 0,245 320,45 36,2976407

Y de esta manera obtenemos los siguientes valores: TABLE II: Valores de temperatura T (K) y de la conductividad
1
σ( Ωm ) encontradas a través de las resistencias y diferencias
de potencial medidas
1
R(Ω) V (V ) T (K) σ( Ωm )
13,7 1,494 445,35 145,985401
16,9 1,396 435,55 118,343195 Buscamos comprobar la siguiente relación entre la con-
24,2 1,262 422,15 82,6446281 ductividad y la temperatura (Eq. 1) y aplicando logaritmo
33,5 1,154 411,35 59,7014925 en ambos lados de la ecuación:
44 1,042 400,15 45,4545455
54,3 0,946 390,55 36,8324125
62,2 0,864 382,35 32,1543408 −Eg
66,7 0,791 375,05 29,9850075 ln(σ) = ln(σ0 ) − (4)
2KT
68,6 0,731 369,05 29,154519
69 0,674 363,35 28,9855072 Para esto empezamos graficando la conductividad y el
68,5 0,627 358,65 29,1970803 inverso de la temperatura:
67,7 0,585 354,45 29,5420975
66,7 0,549 350,85 29,9850075
65,6 0,516 347,55 30,4878049
64,6 0,488 344,75 30,9597523
63,6 0,462 342,15 31,4465409
65,9 0,44 339,95 30,3490137
62,1 0,42 337,95 32,2061192
61,4 0,403 336,25 32,5732899
60,8 0,387 334,65 32,8947368
60,2 0,373 333,25 33,2225914
59,7 0,36 331,95 33,5008375
59,3 0,349 330,85 33,7268128
58,8 0,339 329,85 34,0136054
58,5 0,33 328,95 34,1880342
58,2 0,321 328,05 34,3642612
57,8 0,314 327,35 34,6020761
57,6 0,307 326,65 34,7222222
57,3 0,301 326,05 34,904014
57,1 0,295 325,45 35,0262697
1
56,9 0,29 324,95 35,1493849 FIG. 2: Conductividad σ( Ωm ) en función del inverso de la
1
56,7 0,285 324,45 35,2733686 temperatura T (K)
 4

A continuación tomamos una muestra de datos entre

T = 375.05K y T = 445.35K, graficaremos nuevamente y
ajustaremos esta gráfica a una función logaritmica entre
σ y T1 :

FIG. 4: Conductividad en función del inverso de la temper-

atura

Esta parte de los datos obtenidos y su respectiva gráfica,

representan la caracterización del dopaje del semiconduc-
FIG. 3: Conductividad σ( Ωm1
) en función del inverso de la tor.
1
temperatura T (K) y ajustado linealmente a una función expo-
nencial
6. CONCLUSIONES

• Para el Germanio se logró encontrar un valor aprox-

De donde obtenemos la siguiente ecuación: imado para su banda de energı́a prohibida, con un
error porcentual de 7.61%
1
ln(σ) = −(1.5291 ± 0.23) − (5184 ± 75) (5)
T • La banda de energı́a prohibida de un semiconductor
es una caracterı́stica de gran importancia pues nos
Podemos de esta manera, comparar la ecuación (4) con habla de la conductividad eléctrica del mismo.
la ecuación (5) y de esta manera vemos que:
• El estudio de los semiconductores y en particular
Eg del Germanio, sirve como excelente aplicación de la
= 5184 ± 51 (6)
2K teorı́a cuántica cuando son estudiadas las bandas
de energı́a.

• Las impurezas dentro de un semiconductor son un

Eg = 0.721 ± 0.210eV (7) factor que afecta en gran medida la conductividad.

Teniendo en cuenta el valor teórico para el gap del 7. REFERENCIAS

Germanio, calculamos el error que tenemos en la medida
encontrada:
• Eisberg R y Resnick R, (1973) Fı́sica Cuántica:
Átomos, Moléculas, Sólidos, Núcleos y Partı́culas .
México, Limusa Wiley.
%error = 7.61% (8)
• Melissinos A. C. y Napolitano J. (2003) Experiments
in Modern Physics EE.UU. Academic Press.
Con los datos cuyos valores de temperatura se encuentra
de T = 445.35K en adelante, buscamos ajustar la curva
obtenida a una semi-logaritmica.