UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA - FIEE

LA CARACTERÍSTICA CUADRÁTICA DEL

TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO
INFORME PREVIO N°3
Katiuska Cachis
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kcachisl@gmail.com

Resumen – En el presente experimento de Donde I ES y ICS representan las corrientes de

obtendrá experimentalmente el contenido
armónico de la corriente de drenador del
transistor efecto campo (FET).
Index Terms – amplificador, bobina, FET.
I. FUNDAMENTO TEÓRICO
saturación para las uniones emisor y colector,
respectivamente,  F el factor de defecto y  R la
fracción de inyección de portadores minoritarios.
Para un transistor ideal, los anteriores cuatro
parámetros están relacionados mediante el teorema
de reciprocidad.

A. Transistor bipolar F I ES  R ICS

Un transistor bipolar está formado por dos uniones
pn en contraposición. Físicamente, el transistor está Valores típicos de estos parámetros son:  F  0.99
,  R  0.66 , I ES  10 A y ICS  1015 A .
constituido por tres regiones semiconductoras, 15

emisor, base y colector, siendo la región de base

muy delgada (< 1µm). El modo normal de hacer
operar a un transistor es en la zona directa.

Fig. Símbolos y sentido de referencia de un transistor Fig. Zonas de operación de un transistor bipolar, en la
bipolar. región directa.

Ebers y Moll desarrollaron un modelo que

relacionaba las corrientes con las tensiones en los
terminales del transistor. Este modelo, establece las
siguientes ecuaciones generales:

 VBE   VBC 
I E  I ES  e VT  1   R I CS  e VT  1
   
   

 VBE   VBC 
I C   F I ES  e VT  1  I CS  e VT  1
   
   
1
 II. INFORME PREVIO
2. Determine una expresión general para VA , VB
1. Calcule el punto de operación del transistor y Vo en resonancia, asumiendo los datos de la
del amplificador.
bobina y un QT alto (los datos de transistor
son conocidos).

Fig. Circuito en AC usando parámetros 

VA  gm RCVin
V RC I CQ
+
0.6 -
VA  Vin
VT
I
C Reemplazando los valores del amplificador:

V (n2  n3 ) (n  n )
vT  v0 2 3
Fig. Amplificador n1 n0
n
Por divisor de tensión: v0  vT ( 3 )
n1

V  12  22k Luego:
22k  22k
V  6V
n3 n  2I 
v0  g m ( ) RC vin  g m RC ( 3 )  1( x )  Vin
En el transistor: n1 n1  xI 0( x ) 
n3
V  0.6  v0  Gm ( x ) RC ( )Vin
IC  n1
10k
6  0.6
IC  De la relación del número de vueltas, se obtiene:
10k
 IC  0.54mA
 vB  Gm ( x ) RCVin
En la malla naranja:
n1
 vA  Gm ( x ) RC ( )Vin
12  (1k  10k ) I C  VCE  0 n2  n3
12  (1k  10k )  0.54mA  VCE  0
 VCE  6.06V
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2 I ( x)  t 
2
3. Calcule Gm ( x) y I ( x ) para los valores de 4. Para Vin  260mV cos  0  encuentre una
0  n 
V1  20,50,70,100,200,300,350mV . expresión general para Vo (t ) .

Se sabe:
  I  Partimos de:
iC  I EQ I 0( x ) 1  2 n ( x ) cos(nwt )   2I n( x) 
 n 1 I 0( x )   
n3  I cos t 
v0  Gm ( x ) RC ( )vin 1  
 0( x )

Hallando los coeficientes de la serie de Fourier, n1  n 1 2 I1( x ) t 

 cos( ) 
mediante la Función de Bessel Modificada: I 0( x ) n
 

1 
 e
x cos
I n( x)  cos n d Donde:
2 

Z L ( j ) n 1
Con las ecuaciones: 
n  1 QT
2
Z
 L ( j )
 cos 2 d
x cos n
I 2( x ) e
2 2 

  e d
I 0( x ) x cos

Por lo tanto:

2 I1( x ) 2 e  cos  d x cos

Gm ( x )  g m g    2I n( x) 
xI 0( x )
m 
x  e  d x cos   I 
n n 1
  v0  Gm ( x ) RC ( 3 ) 1   0( x ) ( 2 )( )  Vin
n1  n 1 2 I1( x ) n  1 QT 
 
 I 0( x ) 
Se hallan los valores siguientes:

𝟐𝑰𝟐 (𝒙)
𝑽𝒊𝒏 (𝒎𝑽) 𝒙 𝑮𝒎 (𝒙) III. REFERENCIAS
𝑰𝟎 (𝒙)
20 0.77 44.92 0.14
[1] Communication Circuits, Clark and Hess
50 1.92 34.82 0.57
70 2.69 28.52 0.83
100 3.85 21.83 1.11
200 7.69 11.9 1.51
300 11.54 8.12 1.67
350 13.46 7.01 1.71