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Tensões e Correntes do transistor em Corrente Contínua

Na figura estão representadas as tensões e correntes num transistor NPN com os


seus sentidos convencionais, na C
montagem de Emissor Comum.
+
No transistor NPN, a base e o colector
devem estar sempre com um nível de UCB IC
tensão positivo relativamente ao emissor. IB
B UCE
A relação entre correntes é: IE=IC+IB. Pelo
+
facto da corrente de base ser sempre
pequena relativamente à de colector, e UBE IE
esta idêntica à de emissor, podemos
definir os parâmetros  e , que - -
representam ganhos de corrente contínua, E
e que se determinam pelas relações:  =
IC/IE  = IC/IB .O parâmetro  é muito próximo da unidade, mas sempre inferior. O
ganho de corrente  é designado por vezes pelos fabricantes por hFE.

Relação entre os parâmetros  e 


Dividindo ambos os membros da equação IE = IC+IB, por IC, obtemos:
IE/IC = IC/IC+IB/IC ou IE/IC=1+IB/IC,
e como IC/IE= ou 1/=IE/IC
e =IC/IB ou 1/=IB/IC, então 1/ = (1/)+1
resolvendo em ordem a  terems =/(1+)
e resolvendo em ordem a , teremos =/(1-)

Curvas Características

O conhecimento das características estáticas do transistor (curvas obtidas sem


carga) ajuda a compreender o funcionamento do transistor como amplificador,
uma vez que estas relacionam as diversas tensões e correntes.
Como existem três correntes e três
IB(A) tensões, é possível obter vários
gráficos de características que
relacionam essa grandezas, sendo as
características de entrada e de saída
IB as mais utilizadas.

Característica de Entrada

A característica de entrada de um
0 0,2 0,4 0,6 0,8 UBE(V transistor NPN na montagem de
Emissor Comum corresponde a um
UBE) díodo polarizado directamente,
relacionando os valores de IB e de UCE.
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A partir desta característica podemos determinar a resistência de entrada Ri,
também conhecida por resistência dinâmica ou resistência para sinais, pela relação
entre os incrementos de UBE e IB, com UCE constante: Ri = UBE/IB, com UCE
constante. O valor desta resistência (impedância para sinais) na montagem EC é
baixo, estando compreendido entre 10 e 1000.

Característica de Saída

A característica de saída proporciona a variação da corrente de colector I C em


função da tensão entre o colector e o emissor, U CE, permanecendo constante a
corrente de base IB. Para diferentes valores da corrente de base I B, pode-se obter
um conjunto de curvas. Verifica-se que inicialmente, o pequeno aumento de U CE,
corresponde um aumento rápido da corrente de colector, estabilizando-se
seguidamente e mantendo-se praticamente paralela ao eixo das tensões U CE. A
partir desta caracterísrica, podemos determinar a resistência de saída do transistor
na montagem EC, pela relação entre as variações de UCE e IC, com IB constante:

Ro = UCE/ IC, com IB constante (parâmetro)

Nas curvas características


de saída podemos IB=100A
distinguir duas zonas
possíveis de IB=80A
funcionamento do
transistor: corte e
IB=60A
condução (zona activa e
saturação).
O transistor, para além de IB=40A
funcionar como
amplificador, também IB=20A
pode ser utilizado noutras
aplicações, tal como IB=0
elemento comutador. A
Como amplificador,
trabalha na zona activa,
isto é, na zona linear da
característica de saída, enquanto que como comutador pode operar
alternadamente em corte e em saturação.
Para vários valores de IB, diferentes de zero, verifica-se que a designada zona de
saturação corresponde à colocação da junção colector-base em polarização directa,
comportando-se o transistor como uma resistência de baixo valor. Para pequenos
aumentos da tensão colector-emissor, a corrente de colector I C cresce muito
rapidamente. Um aumento adicional da corrente I B não vai proporcionar um
aumento da corrente IC, dado que esta depende apenas da tensão entre colector e
emissor. O circuito colector-emissor do transistor nesta situação corresponde a um
interruptor fechado. A corrente do colector deve ser limitada pelo circuito exterior. A

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maioria dos transistores de silício de média potência, pode-se considerar saturado
quando UCE=0,2V e UBE=0,7V. No intervalo compreeendido entre U CE>0,2V e
valores próximos de UCEmáx encontra-se a zona activa ou linear. Esta zona
corresponde àquela em que o transistor opera efectivamente como amplificador
(comportando-se como um amplificador de corrente), em que a pequenos aumentos
de IB correspondem grandes aumentos de IC, de forma quase independente de UCE.

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Análise do transistor como elemento amplificador

Para melhor compreensão do funcionamento do transistor quando opera como


amplificador, consideremos o circuito da figura, que representa o transistor na
montagem de Emissor Comum.
Esta montagem é a
C mais utilizada, pelo
+ saída facto de reunir as
características
IC
IB médias mais
RC aceitáveis, tanto na
amplificação de
corrente, como de
Ui IE UCC tensão, sendo por
entrada
UCE = UCC – RC IC isso obtida a
UBB potência máxima,
E
como veremos.
Se ao transistor aplicarmos um pequeno sinal de entrada Ui, este irá produzir
variações na corrente IC, provocando na resistência de carga R C uma queda de
tensão, que será tanto maior quanto maior for R C. A tensão de saída U CE será UCE =
UCC – RC IC. Pode-se desde já concluir que a amplificação é directamente
proporcional ao valor da resistência de carga.

Construção da recta de carga

A equação que relaciona a tensão e a corrente de colector permite-nos determinar


os pontos de trabalho (A e B) num gráfico cujas coordenadas são I C e UCE, definindo
uma recta, que se designa por recta de carga do transistor, sendo diferente para
cada valor de RC. Para o seu traçado no plano I C=f(UCE), basta estabeler os pontos
de intersecção com os eixos das coordenadas, isto é, quando:
Se IC = 0  UCE= UCC
Se UCE = 0  IC = UCC / RC

IC(mA)
Considerando o circuito anterior,
se UCC=9V e RC=1k, o ponto A
10 B terá as coordenadas (9 ; 0) e o
ponto B (0 ; 9mA), porquê? Unindo
8 estes dois pontos obeteremos uma
6 recta de carga, para RC=1k.

2 A
UCE(V)
0 6 9 6
3
Se substituirmos RC por 2k, obtém-se outra recta de carga com inclinação menor
relativamente ao eixo UCE.
Fica ao critério do aluno traçar a nova recta de carga.

Determinação do ponto de repouso sobre a recta de carga

Os pontos próximos do IC(mA)


ponto A representam o
bloqueio ou corte do
transistor, e os pontos 10 B
próximos do ponto B, a
saturação, pelo que o 8
transistor não deve
trabalhar nestas zonas, mas 6
ICmáx/2 Q
sim na zona mais rectilínea
4
da característica de saída.
O melhor ponto deve ser o 2 A
ponto central da recta,
UCE(V)
Q(UCC/2, ICmáx/2).
0 3 6 9
Este ponto da recta de
carga é designado por UCC/2
ponto de repouso.

Conclusões:
 Todas as rectas de carga de um mesmo circuito (U CC constante) apresentam
um ponto em comum, que é ponto A referido.
 A inclinação das rectas de carga será tanto maior quanto menores forem os
valores das resistências de carga.
 A amplificação da tensão aumenta com o aumento da resistência de carga
R C.
 A máxima corrente IC que pode circular no transistor (ponto B) será tanto
maior quanto menor for a resistência d carga RC.
 A potência dissipada pelo transistor, P=UCE x IC será tanto maior quanto
menor for a resistência de carga RC.
 Os pontos de trabalho nas vizinhanças de A e B representam
respectivamente o bloqueio ou corte e saturação do transistor.

IC(mA)

Efeito da temperatura no
transistor 10 B
O aumento de temperatura numa
junção faz aumentar a corrente 8 Q2
inversa de saturação IC0 que por sua
6 Q1 7
Q
4

2 A
UCE(V)
0 3 6 9
vez faz aumentar também a corrente de colector e consequentemente a potência.
O aumento da temperatura, ainda que não provoque o denominado embalamento
térmico que levaria à destruição do transistor, causa no entanto um deslocamento
das suas características e assim o seu ponto de trabalho. Este deslocamento pode,
no entanto, chegar à região de deformação da característica (zona não linear),
resultando numa distorção. Na figura o ponto Q passa para as posições Q1 e Q2.

Necessidade da estabilização

A estabilização tem por finalidade evitar o embalamento térmico e reduzir o


deslocamento do ponto de trabalho do transistor. Para o efeito são utilizados
sistemas, nos quais um aumento de corrente de colector IC, dá lugar, por
realimentação, a uma variação de outra grandeza que provoque uma diminuição de
compensação da corrente do colector.

Polarização fixa com estabilização térmica


1. Polarização através de resistência entre a base e o colector

A resistência de base está directamente ligada UCC


ao colector. O colector e o divisor de corrente
têm a mesma tensão. A tensão U CE reparte-se
entre R e a junção base-emissor. Se houver uma IC RC
variação de temperatura no transistor, haverá
também uma variação da corrente I C e como
R
consequência de IE e de IB. Como a tensão IB
UCE=UCC-RC IC, então um aumento de IC
UCE
provocará uma diminuição da tensão do divisor
de tensão (R e junção emissora) e UBE IE
consequentemente de UBE, resultando assim
numa diminuição da corrente de emissor,
compensando portanto o aumento ocasionado pela subida de temperatura.
Se a temperatura aumenta: IC  e UBE   IB  IC , pois IC= IB

2. Polarização através de divisor de tensão e resistência de emissor


UCC É dos processos mais utilizados em circuitos
transistorizados, consistindo na colocação de
uma resistência RE no emissor, em paralelo com
R1 IC RC um condensador CE de desacoplamento.
Enquanto as resistências R1 e R2 constituem um
IB divisor de tensão que polariza positivamente a
base do transistor (≈1,6V), a resistência RE ao ser
uo percorrida por IC do ponto de repouso, origina
ui IE uma tensão positiva de 1V no emissor. A tensão
R2 UE
CE entre a base e emissor de 1,6 – 1 = 0,6V,
RE
correspondente ao ponto de repouso. Então se
aumentar a temperatura, aumenta a corrente I E e
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também UE, que era de 1V. Mantendo-se a base a 1,6V então U BE diminui (UBE = 1,6
- UE). Se diminui UBE diminui IE compensando-se assim o efeito produzido pelo
aumento de temperatura.
Se a temperatura aumenta: IE  UE>1V  UBE  IE
Se a temperatura diminui: IE  UE<1V  UBE  IE

O condensador CE comporta-se como circuito aberto em corrente contínua. Quando


este circuito receber sinais a amplificar (tracejado), CE comporta-se como um
circuito fechado (XC=1/2fC). Assim, CE evita que RE tenha qualquer influência
sobre o ganho do amplificador.

Montagens Fundamentais com Transistores

Um transistor é fundamentalmente um amplificador de corrente, sendo necessário,


para que amplifique um sinal, polarizá-lo convenientemente com um conjunto de
tensões contínuas adequadas.
Amplificar um sinal consiste em multiplicá-lo à entrada do transistor por um
número maior que a unidade, de forma que na sua saída se obtenha esse sinal com
a mesma forma mas de maior amplitude.
Quando o sinal que se obtem na saída é menor do que o aplicado à entrada, diz-se
que se produziu uma atenuação, denominando-se o dispositivo por atenuador.
A amplificação tanto pode ser de tensão, como de corrente, mas normalmente o
que se pretende amplificar é simultaneamente a tensão e a corrente, isto é, a
potência (P=UI).
Como um amplificador é um dispositivo de quatro terminais, sendo dois de entrada
e dois de saída, e dispondo o transistor somente de três terminais, então para
funcionar como amplificador, um dos terminais terá de ser comum à entrada e à
saída. Conforme o terminal comum é respectivamente o emissor, a base ou o
colector, assim teremos três montagens ou configurações diferentes, designadas
de: Emissor comum (EC), Base comum (BC) e Colector comum (CC).

Montagem de Emissor Montagem de Base


Comum UCC = 15V Comum UCC = 15V

R C=
R1 RC 4k7
C2 R1=12k C2
uo uo
C1
ui 10F 1F
BC547

1F R2 RE RE1=180 
1
470 CE CB R2=2k2 ui
RE 1k 47F
2 47F
C1
RE2=1k
10F

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Montagem de Colector
Comum UCC = 15V

R1
12K
C1
ui C2
uo
1F R2 10F
15K RE BC547
4K7

Tecnologias, 11º. Ano, António Pinto e Vítor Alves, Porto Editora.

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