UNIVERSIDAD DE LA COSTA

Universidad de la costa

Electrónica I
CUADRO COMPARATIVO BJT Vs TRANSISTORES EFECTO DE CAMPO

PRESENTADO A:

KATHERINE CABANA JIMENEZ

PRESENTADO POR:

DAVID ALEMAN GARCIA

DIRECCION POSTAL:

daleman2@cuc.edu.co

Grupo:

AN

Atlántico – Barranquilla
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TRANSISTOR BJT
Transistores bipolares de unión.
El termino bipolar refleja el hecho de que
los huecos y los electrones participan en
el proceso de inyección hacia el material
polarizado de forma opuesta.
Simbología NPN Y PNP
Dispositivo de tres terminales
Corriente e¯del emisor al colector
controlada por la corriente inyectada a la
base.
Es uno de los primeros transistores
creado en 1965.
Emisor: Es el pin por donde se obtiene el
resultado de inyectar la corriente de base
y alimentarlo por el colector.
Colector: Mediante este pin es donde se
alimenta el transistor, se lo conecta a una
fuente para suministrarle la energía
externa.
Base: es el pin donde se inyecta la señal
que lo “enciende o apaga”, a esta
corriente se la denomina corriente de
base.
TRANSISTOR FET
Transistores metal oxido semiconductor
de efecto de campo.
En estos componentes cada transistor es
formado por dos islas de silicio, una
dopada para ser positiva y la otra para ser
negativa, y en el medio, actuando como
una puerta, un electrodo de metal.
Simbología N Y P
Dispositivo de tres terminales
Corriente e¯ desde la fuente al drenador,
controlada por el campo eléctrico
generado por la puerta.
Es uno de los mas recientes de la
actualidad.
Drenador: Donde fluye la corriente ID;
que es controlada por la tensión Vgs
entre la puerta (G) y la fuente.
Puerta: Es el que controla la corriente
entre la fuente y el drenador.
Fuente: Controla la corriente que circula
en el drenaje.
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Es un dispositivo controlado por Es un dispositivo controlado por voltaje.

corriente.
Su impedancia de entrada es mínima. Tiene una alta impedancia de entrada con
niveles de 1 hasta cientos de MΩ.
Los FET son más estables a cambios en la
Son inestables a cambios de temperatura. temperatura

Tiene mayor sensibilidad en su salida con Tiene menor sensibilidad en su salida

respecto a su entrada. respecto a su entrada.

Referencias
NASHELSKY, R. L. (2009). Electronica: Teoria de circuitos y dispositivos electronicos. MEXICO:
PEARSON EDUCACIÓN.

ROBREDO, G. A. (2001). Elecctronica basica para ingenieros . UNIVERSIDAD DE CANTABRIA.