UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

CARRERA DE INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y COMUNICACIONES

VLSI

Octavo “A”

Tarea # 1

Proceso de fabricación de circuitos integrados

Integrantes

Corella Marcelo
Flores Henry
Montes de Oca Bryan
Pastuña Henry

Fecha de Envío

Jueves 19 de septiembre del 2019

Fecha de Entrega

Viernes 20 de septiembre del 2019

Docente: Ing. Edgar Patricio Córdova Córdova

SEPTIEMBRE 2019 - ENERO 2020

AMBATO - ECUADOR
2019
1. TEMA
Fabricación de circuitos integrados
2. OBJETIVOS

a. Objetivo General

Analizar contenido científico acerca de la fabricación de circuitos integrados y las escalas

de integración para su adecuada caracterización de los circuitos integrados.

b. Objetivos Específicos

Investigar acerca de las tecnologías de fabricación de los circuitos integrados, su definición

y características más relevantes.

Indagar sobre la clasificación de integración de los circuitos integrados.

Estudiar las configuraciones que intervienen para la fabricación de los circuitos integrados
en tecnología MOS.

3. FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA

Escalas de integración

Mario Carlos Ginzburg, Técnicas Digitales con Circuitos Integrados, página 308, define que:

Según la cantidad de transistores y/o compuertas básicas que contiene una pastilla integrada
(“chip”), se han establecido tres niveles de densidad de integración. Aunque no existe una relación
lineal entre el numero de transistores y el numero de compuertas de una pastilla. [1]

Enrique Mandado Pérez, Enrique Mandado y Yago Mandado, Sistemas Electrónicos Digitales,
página 416, define que:

El progreso de las técnicas de integración y la aplicación de métodos de diseño asistido por

computador han hecho que el número de componentes que se pueden difundir en un solo sustrato
semiconductor haya ido aumentando paulatinamente. [2]

Antonio Hermosa Donate, Técnicas Electrónicas Digitales, página 6, define que:

El nivel de complejidad de los circuitos integrados digitales se expresa en lo que se llama escala de
integración, que da idea del numero de puertas integradas y, por tanto, de su complejidad. [3]

Definición grupal

Dependiendo del número de elementos puertas que se encuentren integrados en el chip se dice que
ese circuito está dentro de una determinada escala de integración.

Clasificación de integración

Dependiendo del número de elementos puertas que se encuentren integrados en el chip se dice que
ese circuito está dentro de una determinada escala de integración.
Las escalas que aquí vamos a tratar son las siguientes:

 SSI (Short Scale Integration): Es la escala de integración más pequeña de todas, y

comprende a todos aquellos integrados compuestos por menos de 12 puertas.
 MSI (Médium Scale Integration): Esta escala comprende todos aquellos integrados cuyo
número de puertas oscila entre 12 y 100 puertas. Es común en sumadores, multiplexores.
Estos integrados son los que se usaban en los primeros ordenadores aparecidos hacia 1970.
 LSI (Large Scale Integration): A esta escala pertenecen todos aquellos integrados que
contienen más de 100 puertas lógicas hasta las mil puertas. Estos integrados realizan una
función completa, como es el caso de las operaciones esenciales de una calculadora o el
almacenamiento de una gran cantidad de bits. La aparición de los circuitos integrados a
gran escala, dio paso a la construcción del microprocesador.
 VLSI (Very Large Scale Integration): de 1000 a 10000 puertas por circuito integrado, los
cuales aparecen para consolidar la industria de los integrados y para desplazar
definitivamente la tecnología de los componentes aislados y dan inicio a la era de la
miniaturización de los equipos apareciendo y haciendo cada vez más común la manufactura
y el uso de los equipos portátiles.
 ULSI (Ultra Large Scale Integration): Tecnología de circuitos integrados que utiliza entre
100.000 y un millón de transistores por circuito integrado, equivalentes a 10.000 a 100.000
puertas lógicas. Actualmente se utiliza para fabricar microprocesadores complejos.
 GLSI (Giga Large Scale Integration): Tecnología de circuitos integrados que utiliza más
de un millón de transistores por circuitos integrado y más de 100.000 puertas lógicas.

Nivel de integración Nº de componentes Nº de puertas

Pequeña escala de integración (SSI) 10 a 100 1 a 12
Mediana escala de integración (MSI) 100 a 1000 12 a 100
Gran escala de integración (LSI) 1.000 a 10.000 100 a 1.000
Muy gran escala de integración (VLSI) 10.000 a 100.000 1.000 a 10.000
Ultra gran escala de integración (ULSI) 100.000 a 1.000.000 10.000 a 100.000
Giga gran escala de integración (GLSI) Más de 1.000.000 Más de 100.000
Tabla 1. Transistores y puertas por categorías
Fuente. [4]

Tecnologías de fabricación TTL y MOS

MOS

Es a principios de los años sesenta, al producirse el relevo material del Ge al Si, y gracias al
desarrollo de la tecnología planar, cuando D. Kahng y J. Atalla realizan el primer transistor de
efecto campo MOS, también denominado MOSFET (siglas correspondientes a las palabras en
inglés Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

Los transistores MOS (Metal Oxido Semiconductor) o MOSFET o transistores de puerta aislada
fueron la evolución lógica de los transistores JFET.

Dependiendo del tipo de canal con el que se realicen y de la forma de fabricarles recibieron
diferentes nomenclaturas, a saber: NMOS y PMOS para transistores MOS de canal N y canal P
respectivamente; o bien VMOS para los transistores MOS de potencia de estructura vertical. Existe
una conexión particular de transistores NMOS y PMOS conocida como inversor CMOS
(Complementary MOS).
El transistor MOS debe su nombre a la disposición de los elementos que lo componen. Los
contactos con el exterior se realizan mediante la vaporización de Aluminio (Metal). Estos contactos
están unidos a un único tipo de material semiconductor N o P (Semiconductor), que forman los
contactos de Drenador y Fuente, que a su vez se encuentran inmersos en un material que hace de
substrato del conjunto, de material contrario al semiconductor utilizado en los terminales. Por
último, los elementos citados se encuentran separados por una fina capa de dióxido de Silicio
(Aislante).

Estructura del transistor MOS

La Figura 1 muestra la estructura de dos transistores MOS, tipo N y P respectivamente. El dopaje

del sustrato es opuesto al tipo de portador que origina la corriente. Así, para un transistor tipo N
(electrones en conducción) el dopaje del sustrato es tipo P. Mientras que en el transistor tipo P
(huecos en conducción) el dopaje es tipo N. [4]

Figura 1. Estructura física de los transistores MOS N y P

Fuente. [4]

Las curvas que expresan el comportamiento descrito del MOS son las curvas de Drenador y sus
zonas o regiones de funcionamiento; a saber: corte lineal y saturación.

Figura 2. Curvas de Drenador de un MOS de acumulación en fuente común

Fuente. [4]

Si no le aplicamos VGS al MOS, la corriente de drenador que se produce en casi despreciable. En

general, sin la VGS no supera la de umbral, el dispositivo no conduce corriente apreciable.
Diseño físico de circuitos MOS

Un dispositivo MOS se fabrica por la superposición de varias capas o layers sobre la superficie
base de Silicio. Existen varias técnicas de realización de esta tarea. La más utilizada en la
actualidad es la Litografía. Veamos una introducción de esta técnica de fabricación de transistores
MOS y circuitos integrados en general.

Figura 3. Secciones de un transistor MOS de enriquecimiento y de un transistor bipolar tipo NPN

Fuente. [5]

Como se observa en presente figura, la facilidad de fabricación de un MOS es mucho mayor que la
compleja fabricación de un BJT. Esta forma de fabricación de los MOS puede generar
componentes indeseados o parásitos del procedimiento en sí mismo. Los más importantes son el
diodo en antiparalelo Drenador-Fuente y los tres efectos capacitivos entre los terminales del
transistor

Diodo parásito

Debido al proceso de fabricación de los MOS de enriquecimiento, entre los terminales de drenador
y fuente aparece un diodo indeseado. En realidad, el diodo aparece entre Drenador y Substrato,
pero, normalmente el Substrato se une al terminal de Fuente.

Figura 4. Diodo en antiparalelo en un MOS de enriquecimiento

Fuente. [5]

Este diodo, a pesar de ser un subproducto de la fabricación del MOS no es perturbador de su

funcionamiento, sino todo lo contrario. Ya que, ante una carga no resistiva, el citado diodo nos
mejora el camino de descarga del efecto inductivo o capacitivo de la misma.

TTL

La tecnología TTL o “Lógica transistor a transistor” es una tecnología de construcción de

circuitos electrónicos digitales, cuyos dispositivos de entrada y salida son transistores bipolares.
Características

 Su tensión de alimentación media está comprendida entre los 4,75v y los 5,25V.
 Los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión comprendida entre 0,2V y 0,8V
para el estado bajo y los 2,4V y Vcc para el estado alto.
 La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor base.
 Las señales de salida se degradan rápidamente si no se transmiten a través de circuitos
adicionales de transmisión.

Familias

Los circuitos se prefijan generalmente con el número 74. A continuación se muestran algunos:

 TTL: serie estándar

 TTL-L: serie de bajo consumo
 TTL-S: serie rápida.
 TTL-AS: versión mejorada de la serie anterior.
 TTL-LS: combinación de las tecnologías L y S.
 TTL-ALS: versión mejorada de la serie AS
 TTL-F: versión rápida.
 TTL-AF: versión mejorada de la serie F
 TTL-HCT: serie dotada de niveles lógicos compatibles con TTL

Etapas

La tecnología TTL se caracteriza por sus etapas

 Etapa de entrada por emisor.

 Separador de fase. Es un transistor conectado en emisor común que produce en su colector
y emisor señales en contrafase.
 Driver. Está formada por varios transistores, separados en dos grupos. El primero va
conectado al emisor del separador de fase y drenan la corriente para producir el nivel bajo
a la salida. El segundo grupo va conectado al colector del divisor de fase y produce el nivel
alto.

Figura 5. Niveles de voltaje TTL

Fuente. [5]
 Cuadro comparativo entre TTL y MOS

Familia Definición Característica Ventajas Desventajas Familia

TTL Es una de las Su tensión de El menor Las señales de TTL de alta
Lógica familias alimentación retardo por salida TTL se velocidad o
Transistor - lógicas de uso característica disipación de degradan HTTL
Transistor más se halla potencia. rápidamente. TTL baja
extendido, en comprendida Buena Generación de disipación o
particular entre los 4.75 flexibilidad ruido. LPTTL
para v y los 5.25v lógica. TTL Schottky
aplicaciones normalmente Baja o STTL
que requieran TTL trabaja impedancia TTL Schottky
pequeña y en 5v. de salida. de baja
mediana La señal de Buena disipación o
escala de salida de TTL inmunidad de LPSTTL
integración se degrada ruido. TTL Schottky
(SSI y MSI) rápidamente Numerosas avanzada o
si no se funciones. ASTTL
transmite a
través de
circuitos
adicionales de
transmisión
(no pueden
viajar por 2m
de cable sin
mayores
perdidas
MOS Presenta La utilización Alta Fant – Incompatibilidad No contiene
Lógica de inicialmente de out. con otras
semi grandes transistores Gran familias
conductor de dificultades MOS densidad de Baja velocidad
óxido de derivadas de integración. PMOS
metal ser un efecto No admite
superficial del cableado lógico
cristal de Alta impedancia
silicio, fue de salida.
preciso
desarrollar
técnicas de
muy alta
limpieza que
no estaba en
los años 70.
Tabla 2. Cuadro comparativo entre TTL y MOS
Fuente.

4. CONCLUSIONES

 Con el pasar de los años la microelectrónica ha evolucionado en varios aspectos

tecnológicos los cuales satisfacen las necesidades de la tecnología actual, buscando el
beneficio y el progreso de la automatización de procesos industrializados.
  La microelectrónica basada en las diferentes familias TTL y MOS evolucionó en las
construcciones de chips integrados de tal manera que sus funcionalidades incrementaron de
manera más eficaz y precisos para lo cual se añadió configuración de transistores para
establecer una estructura fija y compacta.

 Las escalas de integración varían de acuerdo con su composición y la funcionalidad de los

materiales de igual manera se incrementa la velocidad de funcionamiento respecto al
procesos de automatización que se desea conjuntamente con la microelectrónica eligiendo
la escala de integración más adecuada.

5. BIBLIOGRAFÍA

[1] C. Ginzburg, Técnicas Digitales con Circuitos Integrados, Madrid: Reverte, 2002.
[2] M. Pérez, Sistemas Electrónicos Digitales, Valencia: Marcombo, 2007.
[3] A. Donate, Técnicas Electrónicas Digitales, Barcelona: Marcombo, 1997.
[4] J. F. Martinez Lendech, «Lógica secuencial y combinatoria,» Circuitos integrados de pequeña,
mediana y, p. 13, 2015.
[5] A. Hermosa, Tecnicas Electronicas Digitales, Barcelona: Boixareu Editores, 2014.
[6] A. Hambley, Elctronica, Pentice-Hall, 2005.