Escuela Superior Politécnica del Litoral

Facultad de Ingeniería en Mecánica y Ciencias de la Producción

Ingeniería Mecánica
Electrónica básica
Profesor: PhD. Christian Tutiven

1.- ¿Qué es un semiconductor?

Un semiconductor es un material que tiene propiedades intermedias entre ser conductor
y ser aislante. El término banda de conducción será utilizado para explicar lo que es un
semiconductor. La banda de conducción es un rango de valores que indica la energía que
necesita los electrones para fluir en el material. En un conductor la banda de valencia y
la banda de conducción están superpuestas, mientras que en un aislante la banda de
conducción es una gran brecha de energía, es decir, que se necesita de gran energía para
llegar a la banda de conducción y que el electrón pueda fluir en el material. Por ejemplo,
la brecha de energía en un material aislante puede ser de 5eV que es relativamente alto
(Frenzel, 2014).
Los electrones de los semiconductores tienen una pequeña brecha de energía que tienen
que superar para convertirse en conductores.

Figura 1: bandas de conducción y valencia. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009, pág. 6)

2-Explicar el modelo de Bohr del silicio, germanio y Arseniuro de galio. Estructura

atómica del silicio, germanio y Arseniuro de galio. Enlace covalente del silicio,
germanio y Arseniuro de galio.
El modelo de Bohr es un modelo con el que se puede explicar la estructura atómica del
átomo. Para este caso, se necesita explicar las estructuras atómicas del silicio, germanio
y arseniuro de galio ya que son los elementos más comunes con el que se fabrican los
semiconductores (Boylestad & Nashelsky, 2009).
El silicio y el germanio tiene en su capa más externa cuatro electrones. Esta capa se la
denomina capa de valencia. Por otro lado, el arseniuro de galio es un compuesto formado
por dos elementos. El galio y el arsénico. El galio tiene en su capa de valencia 3
electrones, mientras que el arsénico tiene 5 electrones.
Los átomos que tienen 4 electrones se los denomina tetravalentes, los átomos que tienen
3 electrones se los denomina trivalentes, y los que tienen 5 electrones se los llama
pentavalentes (Frenzel, 2014).

Figura 2: Estructura atómica del silicio, Germanio y arseniuro de galio. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009)

El término valencia es utilizado para saber la energía que se necesita para que el electrón
de la capa de valencia quede libre. Los electrones que están en las capas inferiores siempre
necesitarán mayor energía y tienen mayor potencial de ionización, es decir potencial para
mover electrones.
Los diferentes átomos están unidos mediante enlaces covalentes que son enlaces en donde
comparten electrones de la capa de valencia los diferentes elementos como se muestra en
las figuras.

Figura 3: enlaces covalentes del arseniuro de galio. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009)
 Figura 4: enlaces covalentes del silicio. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009)

5-Material tipo n.
Tanto los materiales de tipo n como los tipos p se los denomina extrínseco porque se le
ha añadido elementos de impureza al material semiconductor relativamente puro. El
material tipo n se caracteriza porque la impureza que es añadida a una base de silicio, por
ejemplo, tiene cinco electrones en su última capa de valencia. Es decir, que a una base de
silicio se le puede añadir átomos de antimonio, arsénico y fósforo, y al tener cinco
electrones en su última capa, uno de los electrones quedaría libre al no estar asociado a
ningún enlace covalente. Sin embargo, aunque se haya incrementado el número de
electrones libre, el material tipo n sigue siendo eléctricamente neutro porque el número
de protones en los núcleos sigue siendo igual al número de electrones (Frenzel, 2014).
Los elementos de impurezas que se añaden al material semiconductor relativamente puro
ayudan a mejorar la conductividad del material, puesto que aumentaría la cantidad de
portadores libres que necesitan de una menor energía para que los electrones lleguen a la
banda de conducción. La banda de conducción es un rango de energía que los electrones
necesitan absorber para que puedan fluir a lo largo del material.

Figura 5: Impureza de antimonio en un material tipo n. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009, pág. 7)
6-Material tipo p.
Por otro lado, en los materiales de tipo p, los elementos de impurezas son, por lo general,
boro, galio e indio. Estos elementos tienen en su última capa de valencia 3 electrones, y
si se los añade a una base de silicio, por ejemplo, habrá huecos o vacíos que son el
resultado de la falta de electrones para completar las bandas covalentes. El efecto de
introducir estas impurezas es que cuando un electrón adquiere suficiente energía para
romper el enlace covalente y llenar el hueco, se creará otro hueco en la banda covalente
anterior. Esto produce que haya movimiento de electrones (Boylestad & Nashelsky,
2009).

Figura 6: Material tipo p. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009, pág. 9)

7-Portadores minoritarios y mayoritarios.

Los portadores minoritarios y mayoritarios hacen referencia a que si en el material tipo n
o tipo p existe más electrones o más huecos. En otras palabras, en los materiales tipo n,
los portadores minoritarios serían los huecos, mientras que en los portadores mayoritarios
serían los electrones; por otro lado, en los materiales tipo p, los portadores minoritarios
serían los electrones y los portadores mayoritarios serían los huecos (Boylestad &
Nashelsky, 2009).

Figura 7: Portadores unitarios y mayoritarios. Fuente: (Boylestad & Nashelsky, 2009, pág. 10)
Bibliografía
Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. México: Pearson.
Frenzel, L. (2014). Contemporary Electronics fundamentals, devices, circuits, and
systems . New York: McGrawHill .